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insularを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 112



例文

On the principal surface 11a of the glass substrate 11, a stationary electrode 13 is formed so as to electrically connecting with the one side of exposed part of the insular body 12.例文帳に追加

ガラス基板11の主面11a上には、島状体12の一方の露出部分と電気的に接続するように固定電極13が形成されている。 - 特許庁

A diode element 21 is formed in the first insular region 28 and an N+ type well region 39 is formed to overlap an N+ type cathode lead-out region 54.例文帳に追加

この第1の島領域28にダイオード素子21を形成するが、N+型のカソード導出領域54に重畳してN+型ウェル領域39を形成する。 - 特許庁

Each piezoelectric vibrator 33 has a piezoelectrically deformable active part 33a bonded to each flexible wall 26a forming one side of each pressure chamber 34 through an insular part.例文帳に追加

各圧電振動子33は、各圧力室34の一面を形成する各弾性壁26aに島状部を介して接合された圧電変形可能な活性部33aを有する。 - 特許庁

Protective films 7 which cover the whole surfaces of catalytic layers 4 arranged in a plurality of insular forms on a substrate 6 are fabricated of a substance that retards the growth of carbon nanotubes 1.例文帳に追加

基板6上に複数の島状に配列した触媒層4の夫々の全表面を覆う保護膜7をカーボンナノチューブ1の成長抑制物質で成膜する。 - 特許庁

例文

The transistor and the diode are formed on an insular formation region 26, which is separated by insulating with an insulating trench 25 on a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

そして、トランジスタ18及びダイオード20を、半導体基板21上において絶縁用トレンチ25により絶縁分離された島状の形成領域26に形成する。 - 特許庁


例文

In this invention, a nano wire 1 is formed on a silicon crystal substrate 3 and composes silicides extending along a crystal orientation on the substrate from an insular nickel 2 arranged on the above substrate 3.例文帳に追加

本発明のナノワイヤ1は、シリコン結晶基板3に形成され、基板3に配置された島状ニッケル2から基板の結晶方位に沿って延びるシリサイドからなる。 - 特許庁

Next, flaw determining processing (4015) is performed by a parameter such as flaw width, length or the like being the feature quantity of the linear and circular arc-like flaws to extract a linear and insular flaw candidate.例文帳に追加

次に、線状,円弧状欠陥の特徴量である,欠陥幅,長さ等のパラメータにより欠陥判定処理(4015)を行い、線状,孤立欠陥候補を抽出する。 - 特許庁

The element further comprises an insular current blocking layer 109 made of an LiGaO_2 epitaxially grown between the cladding layer 107 and the layer 108.例文帳に追加

p型AlGaN上クラッド層107とp型GaN電流拡散層108との間には、エピタキシャル成長されたLiGaO_2からなる島状の電流阻止層109を設けている。 - 特許庁

An insular photocatalyst film 2 is deposited as a discontinuous film on the surface of a substrate 1 at <1 mm average dispersion interval L so that the film 2 is substantially uniformly dispersed.例文帳に追加

基材1の表面に、島状光触媒膜2を、実質的に均一に分散するように平均分散間隔Lが1mm以内となるように不連続膜状に被着する。 - 特許庁

例文

Subsequently, erosion processing is performed and the binarized image is reduced until the last insular region is left and its center of gravity position (Xs, Ys) is matched to the central position of the liquid drop as shown at (e).例文帳に追加

次いでエロージョン処理を行い、唯一の島領域が残るまで2値化画像を縮小し、(e)に示すようにその重心位置(Xs、Ys)を液滴の中心位置とする。 - 特許庁

例文

The gate insulating film is locally formed thick in a first portion pinched in between the layers of a peripheral region of the insular flat pattern of the semiconductor film and of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第1部分において、局所的に厚く形成されている。 - 特許庁

On the main surface of a semiconductor substrate 1, a groove 17 with rectangular frame-shaped plane is formed and the gate electrode 6 is extensively-installed upward an insular area 1a enclosed by the groove 17.例文帳に追加

半導体基板1の主表面には平面形状が矩形枠状の溝17が形成され、溝17で囲まれた島状領域1aの上方までゲート電極6が延設される。 - 特許庁

On the principal surface 11b of the glass substrate 11, the electrodes 16a and 16b are formed for electrically connecting with the other sides of the insular bodies 12a and 12b respectively.例文帳に追加

ガラス基板11の主面11b上には、島状体12a,12bの他方の露出部分と電気的に接続するようにそれぞれ電極16a,16bが形成されている。 - 特許庁

This resin blend solution contains a matrix polymer (cellulose acetate or the like), an insular polymer (cellulose ethers or the like) and a solvent enabling these polymer to be dissolved and forms a sea-island structure due to phase separation.例文帳に追加

樹脂ブレンド溶液は、海ポリマー(セルロースアセテートなど)と、島ポリマー(セルロースエーテル類など)と、これらのポリマーが可溶な溶媒とを含み、相分離による海島構造を形成している。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, two epitaxial layers 25 and 26 are formed on a substrate 24 and isolated electrically into three insular regions 28, 29 and 30 by a P+ type isolation region 27.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、基板24上に2層のエピタキシャル層25、26を積層し、これらをP+型の分離領域27により3つの島領域28、29、30に電気的に分離する。 - 特許庁

To realize a method for producing hologram elements, where upon the peeling of a cover sheet and the peeling of a base sheet after its pasting onto an optical element, turning-up, wrinkles and displacement of an insular sensitive material can be prevented.例文帳に追加

カバーシートを剥離する際及び光学素子への貼り付け後のベースシート剥離の際に、島状感材のめくれ、シワ、位置ズレを防止することが可能なホログラム素子の生成方法を実現することである。 - 特許庁

The blend solution can be prepared by blending an insular polymer solution having the polymer concentration CI wt.% with a matrix polymer solution having the polymer concentration CS wt.% in a content ratio (CI/CS) of 0.2-1.5.例文帳に追加

このようなブレンド溶液は、ポリマー濃度C__I (重量%)の島ポリマー溶液とポリマー濃度C_s (重量%)の海ポリマー溶液とを、C_I /C_s =0.2〜1.5で混合することにより調製できる。 - 特許庁

Island parts 12 exhibiting a small contact angle to water are provided on the surface of an intermediate transfer body at a density substantially equal to the recording density of shooting dots and a sea part 11 exhibiting a large contact angle to an ink drop are provided between the insular parts.例文帳に追加

中間転写体表面に水との接触角の小さい島部12を着弾ドットの記録密度と同程度に設け、島部の間に水との接触角の大きい海部11とを設ける。 - 特許庁

On the principal surface 11a of the glass substrate 11, the fixed electrodes 13 and 14 are formed so as to connect with respective exposed one side of the insular bodies 12a and 12b.例文帳に追加

ガラス基板11の主面11a上には、島状体12a,12bの一方の露出部分と電気的に接続するようにそれぞれ固定電極13、電極14が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a hologram optical base material correctly pasting each insular part of a hologram sensitive material on each prescribed part in the surface of a slope formed on an optical base material.例文帳に追加

光学基材に形成した傾斜面上における所定の位置にホログラム感材の島状部を正確に貼付けることができるホログラム光学基材の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The source region and the drain region are formed, a section as a channel region is coated with an insulating film functioning as a channel protective film and the insular semiconductor film is formed.例文帳に追加

このように、島状の半導体領域を形成する際には、レジストマスクを露光、現像工程や液滴吐出工程を経て形成する必要があり、工程数、材料の種類の増加を招いていた。 - 特許庁

In the aperture layer 203, an insular diffusion region 204 where p-impurities such as Zn, etc., are diffused is formed, and an insulation film 205 is accumulated on the aperture layer 203 other than the diffusion region 204.例文帳に追加

窓層203には島状にZn等のp不純物が拡散された拡散領域204が形成され、拡散領域204以外の窓層203上には絶縁膜205が堆積されている。 - 特許庁

Further, an emitting layer 5 comprises a substrate 17 comprising an i-GaN and insular crystals 12-1 to 12-5 comprising an i-AlGaInN formed so as to be separated from each other in the substrate.例文帳に追加

また、発光層5をi−GaNからなる基層17と、この基層中に、互いに孤立するようにして形成されたi−AlGaInNからなる島状結晶12−1〜12−5とから構成する。 - 特許庁

The plane shape in one section substantially parallel to both positive and negative electrodes between both positive and negative electrodes of the insulator (the insulating film 210) is dispersed and disposed to be insular on one section.例文帳に追加

ただし、絶縁体(絶縁膜210)の正負両電極間の正負両電極に略平行な一断面における平面形状は、その一断面上において島状に分散配置されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor formed on a flexible substrate 1 of metal or resin, amorphous silicon 2 is placed on the flexible substrate 1 and insular polysilicon 3 is arranged thereon.例文帳に追加

金属や樹脂性のフレキシブル基板1上に半導体を形成してなる半導体装置において、フレキシブル基板1上にアモルファスシリコン2を配置し、その上に島状のポリシリコン3を配置した。 - 特許庁

When the insular part 22 is formed, sintering material is provided on the surface of a heat resistant substrate while being molded into a block and then sintered together with the heat resistant substrate thus manufacturing a sintered basic body.例文帳に追加

この島部22を作製するにあたり、まず、焼結原料をブロック状に成形して耐熱性基板表面に設け、この耐熱性基板ごと焼結することで焼結基体を作製する。 - 特許庁

To provide a hot rolled steel sheet in which workability is secured, and further, insular scale flaws are suppressed, regarding a high Si steel sheet added with Si so as to improve its workability and satisfying (5xP+Al)/Si≤0.728, and to provide its production method.例文帳に追加

加工性を改善すべくSiを添加した、(5xP+Al)/Si≦0.728 を満足する高Si鋼板について、加工性を確保するとともに島状スケール疵を抑制した熱延鋼板とをその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insular metal film material for surface-increased infrared absorption spectrum capable of with standing use of a plurality of times and capable of measuring a very small amount of a liquid substance with ultrahigh sensitivity, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

複数回の使用に耐え、且つ超微量液状物を超高感度に測定できる表面増強赤外吸収分光用島状金属膜材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflector which prevents silver in a reflecting layer from being made insular and is based on a thin silver film excellent in durability and to provide a backlight unit for a liquid crystal using the reflector.例文帳に追加

反射層における銀が島状になることを防ぎ、耐久性の優れた銀薄膜を主体とする反射体を提供し、かつ、同反射体を用いた液晶用バックライトユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a hologram optical base material capable of reducing elongation in each insular part of a hologram sensitive material pasted on a slope formed on an optical base material, and to provide a method for producing a lens incorporating hologram element.例文帳に追加

光学基材に形成した傾斜面に貼付けるホログラム感材の島状部にノビを低減することができるホログラム光学基材及びホログラム素子内蔵レンズの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

When a diaphragm 14 is displaced by means of an actuator 20, a driving force of the actuator 20 is transmitted from an insular protrusion 18 to a barrier wall 16 sectioning adjacent pressurized liquid chambers 13 through a diaphragm section 17.例文帳に追加

アクチュエータ20により振動板14を変位させるときに、アクチュエータ20の駆動力が島状突起部18からダイアフラム部17を介して隣接する加圧液室13と区分けする隔壁16に伝えられる。 - 特許庁

To provide a steel member for high-heat input welding in which the formation of insular martensite in the weld heat-affected zone is suppressed without performing the addition of expensive alloy elements, and which has high strength, and in which the toughness of the weld zone is excellent.例文帳に追加

高価な合金元素の添加を行うことなく溶接熱影響部における島状マルテンサイトの生成を抑制し、高強度でかつ溶接部の靭性に優れる大入熱溶接用鋼材を提供する。 - 特許庁

An epitaxial layer formed on a substrate 21 is isolated to form plurality of insular regions and P-type diffused regions 30, which respectively have a body part 30a and a channel part 30b, are formed in the surface of the epitaxial layer.例文帳に追加

基板21上に形成したエピタキシャル層222を分離して複数の島領域を形成し、エピタキシャル層表面にボディ部30aとチャンネル部30bとを有するP型拡散領域30を形成する。 - 特許庁

When the substrate or its surface part comprises an organic material liable to damage by photocatalysis, a middle layer that is not damaged by photocatalysis is interposed between the substrate and the insular photocatalyst film.例文帳に追加

基材又はその表面部が光触媒作用により侵され易い有機材料からなる場合、基材と島状光触媒膜との間に、光触媒作用によって侵されない中間層を介在させる。 - 特許庁

A protrusion 27 having a through hole communicating with an ink supply port for discharging ink to the outside is formed in an ink containing chamber, and an insular protrusion 34 for supporting the back of a filter 30 is formed on the top of the protrusion 27.例文帳に追加

外部にインクを排出するインク供給口と連通する通孔を備えた突部27をインク収容室に突出形成するとともに、フィルタ30の裏面を支持する島状の凸条34を突部27の頂部に形成した。 - 特許庁

Accordingly, since the potential of the isolated region can be stabilized in a high frequency region and the element isolating capability of an insular region 15 can be improved further, the interference in the high frequency region between the circuits 16 formed on the island region 15 can be lowered.例文帳に追加

これにより、分離領域の電位は高周波領域で安定し、島領域15の素子分離能力が更に向上するため、島領域15に形成した回路16間の高周波領域における干渉を低減する。 - 特許庁

The ceramic joined body of aluminum nitride sintered compact includes: a joining layer including YAG and aluminum oxide; and a diffusion layer in which a yttrium component in the joining layer is diffused in an insular shape.例文帳に追加

窒化アルミニウム焼結体同士のセラミックス接合体であって、YAGと酸化アルミニウムを含む接合層を有し、前記接合層のイットリウム成分が島型に拡散した拡散層を備えることを特徴とするセラミックス接合体。 - 特許庁

A light-receiving surface side electrode 9 and an antireflection film 15 touching the second semiconductor layer 3 are provided on the light-receiving surface side of an element, and an insular backside electrode 13 connected electrically with the first semiconductor layer 1 is provided on the backside.例文帳に追加

さらに素子の受光面側には第2半導体層3に接する受光面電極9と反射防止膜15を設け、裏面には第1半導体層1に電気的に接続した島状の裏面電極13を設ける。 - 特許庁

The manifold MN has a manifold channel MN2 formed in closed-loop and an insular part NM3 surrounded by the closed-loop manifold channel MN2 is supported by a coupling part NM4 not intercepting the manifold channel MN2.例文帳に追加

マニホールドMNは、そのマニホールド流路MN2が閉ループ状に形成されるとともに、その閉ループ状のマニホールド流路MN2で囲まれる島部MN3は、マニホールド流路MN2を遮らない連結部MN4で支持されている。 - 特許庁

The floating resistor formed under a state that one end is floated electrically is formed in an isolated insular shape in an n-type semiconductor region 13 formed in a p-type semiconductor substrate 10 as a diffusion resistor 14 composed of a p-type semiconductor.例文帳に追加

一端が電気的に浮いた状態で設けられるフローティング抵抗を、p型半導体からなる拡散抵抗14として、p型半導体基板10内に形成されたn型半導体領域13内に孤立した島状に形成する。 - 特許庁

A material S11 to be subjected to film formation is supplied through a plurality of openings a1-a3 which are provided in a mask 2 arranged on a housing substrate 1, and a film forming process is carried out for forming a plurality of insular thin films 31 on the housing substrate.例文帳に追加

筐体基板1上に配置されたマスク2に設けられた複数の開口部a1〜a3を通して被成膜材S11を供給し、該筐体基板上に複数の島状薄膜31を成膜する成膜工程が実行される。 - 特許庁

The thin-film semiconductor device comprises a semiconductor film which contains a channel region, a source region, and a drain region, and has an insular flat pattern, a gate insulating film laminated on or under the semiconductor film, and a gate electrode which is arranged facing the channel region via the gate insulating film.例文帳に追加

チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。 - 特許庁

A group III nitride layer group 15 is formed on a predetermined base member 1 and an insular or meshed intermediary layer 9 composed of a group III nitride containing at least B is formed in the group III nitride layer group, thereby the semiconductor lamination structure 10 is formed.例文帳に追加

所定の基材1上においてIII族窒化物層群15を形成し、このIII族窒化物層群中に、少なくともBを含むIII族窒化物から構成される島状又は網目状の介在層9を形成して、半導体積層構造10を作製する。 - 特許庁

Moreover, the negative electrode obtained by this manufacturing method has an insular structure in which the columnar particles are aggregated in a plurality of numbers on the current collector, and even if the charge/discharge cycle is repeated, capacity deterioration derived from peeling-off from the current collector becomes reducible.例文帳に追加

また、本製造方法で得られた負極は、集電体上に柱状粒子が複数集合した島状構造を有しており、充放電サイクルを繰り返しても、集電体から剥離することに起因する容量劣化が低減可能となる。 - 特許庁

Insular light shields of different light shielding areas are placed in the discharge spaces of pixels R, G, B, or vertical, horizontal, or oblique stripes of different light shielding areas are arranged to occupy parts of the discharge spaces of pixels R, G, B.例文帳に追加

また、R,G,Bの画素の放電空間に遮光面積が異なる島状の遮光体を配置し、あるいは、G及びRの画素の放電空間内の一部を専有するように遮光面積が異なる縦帯状、横帯状又は斜め帯状の遮光体を配置する。 - 特許庁

Namely, in the case the film thickness of Al_2O_3 formed on the upper face of the film for forming columnar projections by a vapor deposition method is controlled to 50 to 100 Å, a film of Al_2O_3 is not formed, but insular many particles 4 consisting of Al_2O_3 are formed at random.例文帳に追加

すなわち、柱状突起形成用膜の上面に蒸着法により形成されるAl_2O_3の膜厚が50〜100Åになるようにすると、Al_2O_3が膜状に形成されず、Al_2O_3からなる島状の多数の粒子4がランダムに形成される。 - 特許庁

Since the sea part exhibiting a large contact angle to an ink drop surrounds a liquid drop formed at the insular part, an ink image is transferred to the recording medium without increasing the contact area of the liquid drop when the recording medium abuts against the surface of the intermediate transfer body.例文帳に追加

さらに、記録媒体に転写する際も、島部に形成された液滴の周囲は水との接触角の大きい海部であるため、記録媒体が中間転写体表面に当接するとき液滴の接触面積は広がることなく転写が進行する。 - 特許庁

When an ejected ink drop shoots at the surface of the intermediate transfer body, such a liquid drop state as having a small contact area with the surface of the intermediate transfer body is sustained if the ink drop shoots at the insular part and shift of the shooting position is relaxed because of the small contact area.例文帳に追加

吐出されたインク滴が中間転写体表面に着弾する際、島部に着弾すると中間転写体表面との接触面積の小さい液滴状態を維持し、着弾位置のずれも接触面積が小さいため緩和される。 - 特許庁

An insular portion 17b where the recess 16 is not formed in the die bonding region 17 can hold the semiconductor chip 11 thereon, and the die bonding material 15 is interposed between the entire region on the backside of the semiconductor chip 11 and the die bonding region 17.例文帳に追加

ダイボンディング領域17内において凹部16が形成されていない島状部17bは、該島状部17b上に半導体チップ11を保持可能なものであり、ダイボンディング材15は、少なくとも半導体チップ11の裏面の全域とダイボンディング領域17との間に介在している。 - 特許庁

例文

An n-channel MISFET (Mn), a p-channel MISFET (Mp), an npn bipolar transistor (Bn) and a pnp bipolar transistor (Bp) are respectively formed on semiconductor insular regions, being electrically separated from each other by the grooves 11 and the layer 3.例文帳に追加

nチャネル型MISFET(Mn)、pチャネル型MISFET(Mp)、npn型バイポーラ・トランジスタ(Bn)およびpnp型バイポーラ・トランジスタ(Bp)のそれぞれは、上記U溝11と酸化シリコン層3とによって互いに電気的に分離された半導体島領域に形成されている。 - 特許庁




  
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