「inter layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To make thin the thickness of the inter-layer insulating film of a contact hole formation part, and to form a uniform contact hole in a thin film transistor where upper layer wiring is connected to a semiconductor layer.例文帳に追加

上層配線が半導体層に接続された薄膜トランジスタにおいて、コンタクトホール形成部の層間絶縁膜の厚さを薄くし、均一なコンタクトホールの形成を可能とする。 - 特許庁

A first build-up layer 31 where inter-resin-layer insulating layers 33, 35, and 37 and a conductor layer 42 are alternately laminated is formed on the side of a core main surface 14 of the core substrate 13.例文帳に追加

コア基板１３のコア主面１４側に、樹脂層間絶縁層３３，３５，３７及び導体層４２を交互に積層してなる第１ビルドアップ層３１が形成されている。 - 特許庁

Thereafter by hardening the varnish layer, the winding and the inter-phase insulating sheet are integrally solidified by the varnish layer as shown in Fig. 1 (f), to obtain a stator 40 formed with an insulating layer 38.例文帳に追加

その後ワニス層を硬化することで、図１（ｆ）に示すようにワニス層により巻線と相間絶縁シートとが一体として固化し絶縁層３８が形成されたステータ４０となる。 - 特許庁

To reduce a predictive residual in inter-layer prediction processing in an extension layer in scalable coding achieved by a layer structure, and to reduce the amount of coding without deteriorating subjective image quality.例文帳に追加

レイヤ構造により実現されるスケーラブル符号化において，拡張レイヤにおけるレイヤ間予測の予測残差を削減し，主観画質を劣化させることなく符号量を削減する。 - 特許庁

In the cross point type ferroelectric memory 100, the first memory cell array 30 and the second memory cell array 60 are laminated through a first interlayer insulating layer 20 and the second inter-layer insulating layer 50.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁

The inter-layer separation layer has a 2nd laminate structure including a plurality of 2nd separation layers and at least one 2nd conduction layer provided between the 2nd separation layers.例文帳に追加

また、層間分離層は、複数の第２分離層と前記複数の第２分離層の間に設けられた少なくとも１つの第２伝導層とを含む第２積層構造を有する。 - 特許庁

To provide an optical disk initializing apparatus in which a light quantity of a laser beam to be radiated on a multi-layer optical disk is made proper without being affected by a inter-layer crosstalk of the multi-layer optical disk.例文帳に追加

光ディスクの初期化装置において、多層光ディスクにおける層間クロストークの影響を受けずに多層光ディスクに照射されるレーザ光の光量を適切な光量とする。 - 特許庁

To provide an etching preventing layer where only a part of a lower inter-layer insulating layer is selectively patterned for allowing outgassing in a manufacturing process thereafter.例文帳に追加

ボイド領域内に形成された局部エッチング阻止層が備えられたビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドとボーダレスコンタクトを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the inter-network repeater that unifies priority control of a data link layer and a network layer as the entire repeater and effectively functions priority control in the network layer.例文帳に追加

データリンク層及びネットワーク層の優先制御を装置全体として統一でき、ネットワーク層における優先制御を有効に機能させることができるネットワーク間中継装置を提供する。 - 特許庁

The through hole penetrates an inter-layer insulating film 3 and a reflection preventive film 5 so that part of the top surface of a 1st wiring layer 2 is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜３および反射防止膜５を、第１配線層２の表面の一部を露出させるように、スルーホール２１が貫通している。 - 特許庁

An inter-level via is etched through the second dielectric layer and the second stop layer 30, and the metal is filled into the via and is brought into contact with the metallization.例文帳に追加

レベル間バイアが第２の誘電体層及び第２のストップ層３０を通してエッチングされ、金属がバイア内に充填されて金属化層と接触する。 - 特許庁

To provide the single inter-network repeater where processing in a data link layer and processing in a network layer are realized.例文帳に追加

単一のネットワーク間中継装置においてデータリンク層での処理とネットワーク層での処理とを実現することができるネットワーク間中継装置を提供する。 - 特許庁

In the light emitting device 1, a second inter-layer insulating film 35, an auxiliary electrode 150 and a common electrode 72 are successively laminated on an element layer 30.例文帳に追加

発光装置１においては、素子層３０の上に、第２層間絶縁膜３５と、補助電極１５０と、共通電極７２が順に積層される。 - 特許庁

Further, the diffusion of Na can be prevented by using an Al based material for the wiring material and SiN for the inter-layer insulation layer.例文帳に追加

さらに、配線材料にＡｌ系材料を用い、さらに層間絶縁層にＳｉＮを用いることによりＮａの拡散を防止することができる。 - 特許庁

To obtain a feeder system that applies inter-layer coupling of a multi- layer board by suppressing radiation from a feeder line and suppresses an undesired parallel plate mode with a simple structure.例文帳に追加

簡単な構造で、給電線路からの放射を抑え、不要平行平板モードを抑圧して、多層基板の層間接続をする給電装置を得る。 - 特許庁

The inter-gate insulating film 7 is made up in a laminated structure of a lower-layer insulating film 7a, a high-dielectric insulating film 7b and an upper-layer insulating film 7c.例文帳に追加

ゲート間絶縁膜７が、下層絶縁膜７ａ／高誘電体絶縁膜７ｂ／上層絶縁膜７ｃの積層構造によって構成されている。 - 特許庁

The exposed surface of the 1st wiring layer 2, the internal wall surface of the through hole 21, and the top surface of the inter-layer insulating film 3 are continuously covered with a barrier metal film 7.例文帳に追加

第１配線層２の露出面、スルーホール２１の内壁面および層間絶縁膜３の表面をバリアメタル膜７が連続的に被覆している。 - 特許庁

To solve the problem that inter-layer crosstalk is large in an identifying information region or a boundary region between a recorded part and an un-recorded part, in a recording type multi-layer optical disk.例文帳に追加

記録型多層光ディスクにおいては，識別情報領域や記録部と未記録部の境界領域などで，層間クロストークが大きい。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 24 is formed in an opening 22 for exposing the second electrode 20 and the first electrode 12, with a third electrode 26 being formed.例文帳に追加

第２の電極２０及び第１の電極１２を露出させる開口部２２に層間絶縁層２４を形成し、第３の電極２６を形成する。 - 特許庁

Also, the wiring board body can be a multilayer wiring pattern type, and inter-wiring pattern layer connection may be a conductive bump inserted through the insulator layer.例文帳に追加

なお、配線板本体は多層配線パターン型であってもよいし、配線パターン層間接続は絶縁体層を貫挿した導電性バンプでもよい。 - 特許庁

Copper contamination on an inter-metal dielectric layer in via or dual damascene etching is prevented by forming a lid layer on the first copper metallization.例文帳に追加

最初の銅メタライゼーション上に蓋層を形成することによって、ビア又はデュアルダマシンエッチングにおけるインターメタル誘電体層の銅汚染が防止される。 - 特許庁

Signal terminals 13 in a third column are ground electrodes, and connected to a ground electrode 21 formed in a fourth wiring layer 10 through inter-layer connection vias 20.例文帳に追加

三列目の信号端子１３はグランド電極で、第四配線層１０に形成されたグランド電極２１と層間接続ビア２０で接続されている。 - 特許庁

Thus, the cell is constituted such that excessive etching at opening of a contact hole in an inter-layer insulating film 17 is prevented by the etching stop layer 22a.例文帳に追加

こうして、エッチングストップ層２２ａにより、層間絶縁膜１７に対して、コンタクトホールを開孔する際の、過剰なエッチングを阻止する構成とされている。 - 特許庁

To provide a multi-layer hollow container with barrier property and its manufacturing method that is excellent in flexibility for container design, barrier property, inter-layer bondability, and mechanical characteristics.例文帳に追加

容器デザインの自由度、バリア性、層間接着性、機械的特性が良好なバリア性多層中空容器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Otherwise, an opening part is formed in a fine pattern of stripe, etc., at an inter-layer insulating film 6 of lower layer, and the aluminum layer 3 comprising a rough (step) pattern corresponding to the pattern at the opening part may be a diffusion reflection layer.例文帳に追加

また、下層の層間絶縁膜６にストライプ状等の微細パターンで開口部を形成し、この開口部のパターンに対応した凹凸（段差）パターンを有するアルミニウム層３を、拡散反射層とすることもできる。 - 特許庁

To speedily report fault in inter-terminal voltage of an electric double layer capacitor unit resulting from capacitance reduction or the like of the electric double layer capacitor unit, in an electric double layer capacitor device having an electric double layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層キャパシタを備える電気二重層キャパシタ装置に関し、電気二重層キャパシタユニットの静電容量低下等に起因する電気二重層キャパシタユニットの端子間電圧異常を速やかに報知する。 - 特許庁

The source/drain electrode layer 15 includes an electrode layer 15a and an upper metal layer 15b so that the electrode layer 15a is prevented from being damaged when an inter-pixel insulating film 17 is patterned and formed in the subsequent process.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極層１５が、電極層１５ａと上部金属層１５ｂとを有することにより、その後の工程で、画素間絶縁膜１７をパターニング形成する際、電極層１５ａが損傷を受けずに済む。 - 特許庁

Then the pad formed at the upper end part of the second inter-layer insulating layer is so wide that the upper conductive layer that the pad comes into contact with does not come into contact with another adjacent upper conductive layer.例文帳に追加

そして、第２層間絶縁層の上端部に形成されたパッドは、それ自体が接触する上部導電層と隣接する他の上部導電層には接触しないほどの幅を有するように構成する。 - 特許庁

The solid electrolyte fuel battery cell 3 has an inter cell separator 35, and the inter-cell separator 35 is jointed to a solid electrolyte body 9 by a jointing layer 37 composed of a brazing material.例文帳に追加

固体電解質形燃料電池セル３は、セル内セパレータ３５を備えており、セル内セパレータ３５は、ロウ材からなる接合層３７により固体電解質体９に接合されている。 - 特許庁

To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10, an active area 50 formed in the semiconductor substrate 10, a silicide layer 45 formed on the upper layer of the active area 50, a first inter layer insulating film 15 formed on the semiconductor substrate 10 and silicide layer 45, and a contact plug 60 which is formed on the silicide layer 45 and passes through the first inter layer insulating film 15.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０内に形成された活性領域５０と、活性領域５０の上面に形成されたシリサイド層４５と、半導体基板１０およびシリサイド層４５の上に形成された第１の層間絶縁膜１５と、シリサイド層４５上に形成され、第１の層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトプラグ６０とを備えている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for uniformly depositing a silicon oxide layer having a low dielectric constant for use as a gap fill layer, a pre-metal dielectric layer, an inter-metal dielectric layer, a shallow trench isolation dielectric layer, etc., in sub-micron devices.例文帳に追加

サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power in an embodiment includes a p-type collector layer 1, an n-type base layer 3, a p-type base layer 4, an n-type source layer 5, a gate electrode 8, an inter-layer insulating film 9, a collector electrode 11, and an emitter electrode 12.例文帳に追加

実施形態の電力用半導体装置は、ｐ形コレクタ層１と、ｎ形ベース層３と、ｐ形ベース層４と、ｎ形ソース層５と、ゲート電極８と、層間絶縁膜９と、コレクタ電極１１と、エミッタ電極１２と、を備える。 - 特許庁

An insulating layer 23, an inter-layer insulating layer 24 and an outer layer insulating layer 25 are laminated on the upper surface of a resin-made core plate 22 through which vias 21 are formed and the wiring board is provided also with inner wiring patterns 26, vias 27, surface wiring patterns 28, and pads 29.例文帳に追加

ビア２１が形成されている樹脂製のコア板２２の上面に、絶縁層２３、層間絶縁層２４、外層絶縁層２５が積層してあり、且つ、内部配線パターン２６、ビア２７、表面配線パターン２８、パッド２９を有する。 - 特許庁

To provide an optical element which can be used, without causing delamination between an alignment layer and a retardation layer or causing inter-layer exfoliation in the alignment layer, even in high-temperature and high-humidity environment, with regard to the optical element having an alignment layer and a retardation layer.例文帳に追加

本発明は、配向層と位相差層を有する光学素子において、高温高湿雰囲気下においても、配向層と位相差層の層間剥離が生じたり、配向層に凝集破壊等が生じることなく使用できる光学素子を提供することを主目的とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device; an inter-layer insulating film 9 is formed on the entire surface on a semiconductor substrate 1, the inter-layer insulating film 9 is selectively etched thereafter, and contact holes 10 and 11 are formed for respectively partially exposing a polysilicon resistance layer 4, a source region 7 and a drain region 8.例文帳に追加

半導体基板１上の全面に層間絶縁膜９を形成し、その後当該層間絶縁膜９を選択的にエッチングし、ポリシリコン抵抗層４，ソース領域７及びドレイン領域８をそれぞれ一部露出させるコンタクトホール１０，１１を形成する。 - 特許庁

The signal lines 13 is composed of a conductive layer different from a source electrode 14S and a drain electrode 14D on an inter-layer insulating film 12 covering the thin film transistor 14 and electrically connected to the source electrode 14S via a contact hole 12' which is provided in the inter-layer insulating film 12.例文帳に追加

信号配線１２は、薄膜トランジスタ１４を覆う層間絶縁膜１２上にソース電極１４Ｓおよびドレイン電極１４Ｄとは異なる導電層から形成され、且つ、層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール１２’を介してソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which cracking in an inter-layer insulation film and segmentalizing of a wiring layer are avoided when an inter-layer insulation film of low strength is used and an aerial wiring structure is employed, in the semiconductor device comprising a multilevel interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置において、低強度の層間絶縁膜が使用された場合および空中配線構造が採用された場合、層間絶縁膜に亀裂が生じたり、配線層が分断されたりすることを回避可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An inter-network interconnection apparatus of the present invention comprises: an interface board which includes a plurality of input/output ports and performs lower-layer processing on traffic; a higher-layer processing board for performing higher-layer processing; and an inter-board connection board interposed for information transfer therebetween.例文帳に追加

本発明の網間相互接続装置は、複数の入出力ポートを有し、トラフィックに対する低位レイヤの処理を行うインタフェースボードと、高位レイヤの処理を行う高位レイヤ処理ボードと、これらボード間の情報転送に介在するボード間接続用ボードとを備える。 - 特許庁

A membrane thickness of an inter-gate line or inter-emitter layer insulation layer is thinner at a tip of as gate opening end and increases in proportion to a distance from the opening end according as the insulation layer becomes more distant from the opening end, and is formed to have approximately the same height as that of the emitter in the area other than just above the emitter.例文帳に追加

ゲートラインもしくはゲート−エミッタ層間絶縁層の膜厚が、ゲート開口端では小さく、開口端から離れるに従って開口端からの距離に比例して増加し、エミッタ直上以外の領域においてはエミッタ高さ程度であるように形成する。 - 特許庁

A first inter-layer insulation membrane 15 and a first wiring layer 25 are formed by laminating them in this order after forming the movable electrode 50, and a part of the first inter-layer insulation membrane 15 is left to cover the whole surface of the movable electrode 50 in order to form a preliminary opening part C1a.例文帳に追加

可動電極５０を形成した後、第１の層間絶縁膜１５と第１の配線層２５とをこの順に積層させて形成し、第１の層間絶縁膜１５の一部を可動電極５０の全面が覆われるように残して除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。 - 特許庁

The catalyst for cleaning exhaust gas includes a first catalyst powder 1 in which inter-layers of a first oxide 10 having a multi-layer structure having voids 11 in inter-layers carry a first catalyst metal 12; and a second catalyst powder 2 in which a second oxide 20 carries a second catalyst metal 21 at a larger particle diameter than an average inter-layer distance of the first oxide 10.例文帳に追加

層間に空隙11をもつ多層構造を有する第１酸化物10の層間に第１触媒金属12を担持した第１触媒粉末１と、多孔質の第２酸化物20に第２触媒金属21を第１酸化物10の平均層間距離より大きな粒径で担持した第２触媒粉末２と、を含む。 - 特許庁

To suppress the lowering of capacity of an inter-layer insulating film and to prevent a substrate digging, while coping with a finer memory element.例文帳に追加

メモリ素子の微細化に対応しつつ、層間絶縁膜容量の低下の抑制及び基板掘れの防止を達成する。 - 特許庁

The steel sheet includes Sr in the inter-dendrite parts, preferably having the 20-150 times higher concentration than the average Sr concentration of the Al-Zn alloy plated layer.例文帳に追加

また、インターデンドライト部におけるSr濃度が、Al−Zn合金めっき層の平均Sr濃度の20〜 150倍であることが好ましい。 - 特許庁