「inter layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The present invention previously excludes a high frequency component that can be estimated from the base layer or the enhancement layer, thereby suppressing the signal amplitude of a predictive error signal between coding layers when an inter-layer difference is determined.例文帳に追加

本発明は、ベースレイヤもしくはエンハンスメントレイヤから推定することができる高周波数成分を予め取り除くことにより、レイヤ間の差分を求めた際の符号化レイヤ間の予測誤差信号の信号振幅を抑制する。 - 特許庁

Resistance measurement for detecting a partial defect and a joining abnormity or the like of connection holes 8 formed to each layer and an inter-layer insulation layer 6 is carried out twice, with a measurement current of several mA and a measurement current from several tens of times to several hundreds of times of the several mA.例文帳に追加

各層および層間絶縁層６に形成された接続孔８の部分欠損や接合異常などを検出するための抵抗測定の測定電流を数ｍＡとその数十倍から数百倍の２回行う。 - 特許庁

In an upper surface of a low-density P-type semiconductor substrate 101, an element isolation layer 102 and a conductivity type layer 103 are formed and on the upper surface thereof, an inter-wiring-layer insulating film 104 and the inductor 105 in a spiral shape are laminated.例文帳に追加

低濃度P型の半導体基板101の上面内には素子分離層102および導電型層103が形成されており、また、その上面上には配線層間絶縁膜104およびスパイラル形状のインダクタ105が積層されている。 - 特許庁

The formation of the Al electrode layer 4 by the low temperature film forming can prevent inter-diffusion between the Al and Ti or the like included in the underlying electrode layer 5 and prevent the deterioration in the crystallinity of the Al electrode layer 4.例文帳に追加

Ａｌ電極層４を低温成膜によって形成することにより、Ａｌと下地電極層５に含まれるＴｉ等との相互拡散が防止され、Ａｌ電極層４における結晶配向性が阻害されることを防止する。 - 特許庁

To remove stray light or inter-layer cross talk smoothly with an inexpensive and simple configuration while keeping the availabilty of reflected light rays highly.例文帳に追加

反射光の利用効率を高く維持しながら、安価かつ簡素な構成にて円滑に、迷光ないし層間クロストークを除去できるようにする。 - 特許庁

Inter-block wiring 22 connecting the circuit blocks 14, 17 utilizes the wiring layer not used in the non-exclusive area 18.例文帳に追加

それらの回路ブロック１４，１７を結ぶブロック間配線２２は、非専用領域１８内の使用されていない配線層を利用して行われている。 - 特許庁

To provide a conductive paste capable of enhancing an inter-layer connection reliability, a printed circuit board using the same, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間の接続信頼性を向上させる導電性ペースト及びそれを用いたプリント配線板、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate in which a strong inter surface adhesion can be attained between a fluororesin layer and a substrate unmelted at its melting point.例文帳に追加

フッ素樹脂層と、その融点において溶融しない基材との層間接着強度が大きい積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayered optical recording medium constituted in such a manner that the influence of inter-layer crosstalk can be accurately measured and a method for evaluating a recording system using the same.例文帳に追加

層間クロストークの影響を正確に測定できるようにした多層光記録媒体及びこれを用いた記録システムの評価方法。 - 特許庁

Further, the ground external electrode 24 is so provided not to face a via hole 7 for inter-layer connection that constitutes a part of the coil L1.例文帳に追加

さらに、グランド外部電極２４は、コイルＬ１の一部を構成している層間接続用ビアホール７には対向しないように設けられている。 - 特許庁

To cause a seal opening piece to be positively peeled off from a front plate without producing any inter-layer peeling at the seal opening piece when a carton for wrap films is unsealed.例文帳に追加

ラップフィルム用カートンの開封時に、開封片に層間剥離を生じさせることなく、確実に開封片を前板から剥離させる。 - 特許庁

To provide a solid imaging device which can suppress the reflection and absorption of incident light in a convex inter-layer lens to effectively obtain high sensitivity.例文帳に追加

凸形状層内レンズにおける入射光の反射と吸収を抑制し、効果的に高感度の得られる固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

An optical fiber 7 previously coated with thermosetting resin is used as a means of forming an optical wiring at an inter-layer part of the electric wiring board.例文帳に追加

電気配線基板の層間部で光配線を形成する手段として、予め熱硬化樹脂が被覆されている光ファイバ７を使用する。 - 特許庁

The inter-layer insulating film 20 and the sacrifice nitride film 19 formed on the poly gate are evenly removed so as to expose the nitride film.例文帳に追加

前記窒化膜が露出するように、前記層間絶縁膜２０と前記ポリゲート上に形成された犠牲窒化膜１９を平坦除去する。 - 特許庁

This ensures that the bulkhead is formed in the favorable shape, and that an inter-bulkhead section of the address electrode protective layer is formed uniformly with a fixed film thickness.例文帳に追加

良好な形状の隔壁を確実に形成でき、アドレス電極保護層の隔壁間部を一定の膜厚で均一に形成できる。 - 特許庁

To manufacture a thin-film multi-layered type laminated ceramic electronic component which has high reliability by deterring structural defects such as inter-layer peeling and a short circuit.例文帳に追加

層間剥離や短絡等の構造欠陥の発生を抑制し、高信頼性を有する、薄膜多層の積層セラミック電子部品を製造する。 - 特許庁

The entire surface of an array substrate 10 where a TFT 95 is formed is coated with a flattening film 18 functioning as a 2nd inter-layer insulating film (Fig.(b)).例文帳に追加

ＴＦＴ９５を形成したアレイ基板１０全面に、第２層間絶縁膜として機能する平坦化膜１８を塗布する（図３（ｂ））。 - 特許庁

Since the source and drain regions 4 are provided being overlaid with each other on an inter-layer insulation film, the active region and the cell area the reduced.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域４が層間絶縁膜上に重なって設けられているため装置の活性領域及びセル面積を縮小できる。 - 特許庁

Then, a second gate electrode material film 16b is deposited, and a control gate electrode 18 is formed through an inter-layer gate insulating film 17.例文帳に追加

その後第２のゲート電極材料膜１６ｂを堆積し、層間ゲート絶縁膜１７を介して制御ゲート電極１８を形成する。 - 特許庁

To provide a new generating method of a low-dielectric constant porous film which is used as an inter-layer insulating film of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路における層間絶縁膜として利用可能な低誘電率の多孔質膜の新たな作成方法を提供する。 - 特許庁

Dangling bond close to the surface of the nitride semiconductor layer 15 is terminated with hydrogen, so that the inter-electrode leakage caused by a surface defect is suppressed.例文帳に追加

窒化物半導体層１５の表面近傍のダングリングボンドを水素で終端し、表面欠陥に起因する電極間リークを抑制する。 - 特許庁

To suppress reaction between a barrier metal film and an fluoridated carbon film in a semiconductor device using the fluoridated carbon film as an inter-layer dielectric.例文帳に追加

Ｆ添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った半導体装置において、バリアメタル膜とＦ添加カーボン膜との反応を抑制する。 - 特許庁

The inter-layer insulating film 5 has an opening part 5b and the spacer is a columnar spacer 10 which extends toward the substrate 1 and the counter substrate 11.例文帳に追加

層間絶縁膜５は開口部５ｂを有し、上記スペーサは基板１と対向基板１１との方向に延びる柱状スペーサ１０からなる。 - 特許庁

Then, a film (the diffusion preventing film 8) having compression stress is formed on the first inter-layer insulation film 2 so as to cover the embedded wiring 7.例文帳に追加

次に、埋め込み配線７を覆うように、第一の層間絶縁膜上２に圧縮応力を有する膜（拡散防止膜８）を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which exhibits high density and high reliability by the inter-layer superior conductivity between a conductive substance and a circuit.例文帳に追加

導電性物質と回路との層間の優れた導電性により、高密度で信頼性に優れる多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a gate oxide film 16, a gate electrode 17, an inter-layer insulating film 18 and a metal cathode electrode 19 are sequentially formed on the cathode film 20.例文帳に追加

そして、カソード膜２０上にゲート酸化膜１６、ゲート電極１７、層間絶縁膜１８、金属カソード電極１９を順次形成する。 - 特許庁

To provide an optical head device capable of effectively reducing inter-layer crosstalk that a multilayer optical disk generates with constitution facilitating position adjustment.例文帳に追加

位置調整が容易な構成により、多層光ディスクで発生する層間クロストークを効果的に低減できる光ヘッド装置を提供する。 - 特許庁

After a conductive film 9 is formed covering the columnar body 4, an inter-layer insulating film 9 is formed so that they are buried.例文帳に追加

この柱状体４を覆うように導電性膜７が形成された後に、それらを埋め込むように層間絶縁膜９が形成される。 - 特許庁

The structural body has at least one region (104) less in inter-layer bonding at a selected position.例文帳に追加

当該セラミックマトリックス複合構造体は、層間の選択された位置に、層間結合が少ない少なくとも１つの領域（１０４）を含んでいる。 - 特許庁

To reduce the traffic of VLAN inter segment communications between a layer 2 switch having a VLAN inter segment transfer function and a router, to reduce the process load of the router and to simply and quickly transfer packets between the VLAN segments.例文帳に追加

ＶＬＡＮセグメント間転送機能を有するレイヤ２スイッチに関し、レイヤ２スイッチとルータとの間のＶＬＡＮセグメント間通信のトラフィックを減らし、ルータの処理負荷を軽減させ、ＶＬＡＮセグメント間のパケット転送を簡便かつ迅速に行う。 - 特許庁

When forming the part excluding a transparent electrode which is a part of zinc oxide transparent conductive film covering the glass plate into an inter-electrode insulation part, the inter-electrode insulation part is processed to evaporate and remove a surface layer of the zinc oxide transparent conductive film by irradiation of the laser beam, and to electrically insulate the inner layer under the surface layer through oxidation.例文帳に追加

ガラス板上に被覆された酸化錫透明導電膜の一部を透明電極とし、透明電極以外の部分を電極間絶縁部とするにあたり、電極間絶縁部の加工を、レーザの照射による酸化錫透明導電膜の表面層の蒸発による除去と表面層より内部の層の酸化による電気絶縁により行う。 - 特許庁

To provide a CMP polishing solution which is capable of making a polishing speed of at least a ruthenium layer higher than that using conventional polishing solutions and of polishing layers such as a copper or copper alloy layer, a barrier layer, and an inter-layer insulating film layer at a desired polishing speed, and a polishing method using the same.例文帳に追加

少なくともルテニウム層の研磨速度を従来の研磨液を用いた場合よりも向上させることができ、かつ銅又は銅合金層、バリア層及び層間絶縁膜層等の層を所望の研磨速度で研磨することができるＣＭＰ研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The method can include steeps for deciding a base layer residual, and performing inter-layer prediction to generate an enhancement layer residual in the case that at least one of the number of non-zero coefficients of the base layer residual and the number of zero-coefficients of the base layer residual satisfies a first selected condition.例文帳に追加

本方法は、ベース層残余物を決定すること、及びベース層残余物の非ゼロ係数の数又はベース層残余物のゼロ係数の数のうちの少なくとも１つが第１の選択された条件を満足する場合に、エンハンスメント層残余物を生成するために層間予測を実行することを含むことができる。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the same includes: a semiconductor layer forming process of forming the semiconductor layer on the substrate; and an electrode forming process of forming, on the semiconductor layer, the inter-digital electrode such that the width in the surface direction of the semiconductor layer is larger than the height in the direction perpendicular to the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 - 特許庁

In this semiconductor device formed in a semiconductor layer on an insulation film, the semiconductor layer is isolated by an inter-element isolation trench, and a side wall of the interelement isolation trench is provided with an anti-inversion layer comprising an impurity diffusion layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、絶縁膜上の半導体層に形成された半導体装置において、前記半導体層が素子間分離溝によって分離され、前記素子間分離溝の側壁に不純物拡散層からなる反転防止層を有することを特徴とする - 特許庁

To prevent (1) inter-mixing of the protective layer and the photoresist layer and prevent (2) defects by making the resist surface more hydrophilic after developing in an immersion lithography process which inserts water between the protective layer and the projection lens on the photoresist by using the protective layer.例文帳に追加

フォトレジストの上に保護膜を用いて保護膜と投影レンズの間に水を挿入する液浸リソグラフィー工程において、（１）保護膜層とフォトレジスト膜層とのインターミキシングを防止し、及び、（２）現像後のレジスト表面をより親水性化させることによって欠陥の発生を防止する。 - 特許庁

In the termination area, an edge portion of an electrode layer formed on the pillar structure with an inter-layer insulating layer interposed to connect with a gate of a transistor or a bent portion of <180° is formed right above the second semiconductor layer of the second conductivity type of the pillar structure in the termination region.例文帳に追加

終端領域において、トランジスタのゲートと接続するためピラー構造上に層間絶縁層を介し形成された電極層のエッジ部、又は１８０度未満の屈曲部が、終端領域におけるピラー構造の第２導電型の半導体層の直上に形成されている。 - 特許庁

Moreover, this architecture is mounted with a host interface module for communication between a host processor and a media access control layer, a physical layer interface module for communication between a physical layer and the media access control(MAC) layer, and an inter-module programming interface for communications between the respective operating modules.例文帳に追加

さらに、ホスト・プロセッサとメディア・アクセス制御レイヤとの間の通信のためのホスト・インターフェース・モジュールと、物理レイヤとメディア・アクセス制御レイヤとの間の通信のための物理レイヤ・インターフェース・モジュールと、それぞれのオペレーティング・モジュール間の通信のためのインターモジュール・プログラミング・インターフェースとを実装する。 - 特許庁

The electrode arrangement structure of the LCD is equipped with a comb-shaped common electrode 14 formed by patterning a bottom-metal layer, a comb-shaped pixel electrode 26 formed by patterning an inter-metal layer, and a connecting layer 38 formed by patterning a top-metal layer.例文帳に追加

ＬＣＤの電極配列構造は、底部金属層をパターン化することにより形成されたくし型コモン電極１４と、中間金属層をパターン化することにより形成されたくし型画素電極２６と、頂部金属層をパターン化することにより形成された接続層３８とを備える。 - 特許庁

On a chip capacitor 20 incorporated in a core substrate 30, a relatively large via hole 52 is formed, and in an inter-layer insulating layer 60 on the core substrate 30, via holes 69 connected to the via hole 52 are arranged.例文帳に追加

コア基板３０に内蔵されたチップコンデンサ２０上に、相対的に大きなビア５２を形成し、コア基板３０上の層間絶縁層６０に、ビア５２へ接続された複数個のビア６９を配設する。 - 特許庁

To provide a film for a solar battery back sheet which is excellent in a production efficiency, and also is excellent in inter-layer adhesiveness since white pigment uniformly exists in a layer, and also to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

生産効率に優れると共に、白色顔料が層中に均一に存在し、各層間の密着性に優れた太陽電池バックシート用フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing occurrence of trouble such as degradation of a manufacturing yield of the semiconductor device due to peeling-off of an inter-layer insulation film formed on a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層上に成膜された層間絶縁膜の剥離による、半導体装置の製造歩留まりの低下等の不具合発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-layer wiring substrate which can simultaneously attain a low dielectric constant and high heat transmissivity of inter layer insulation by providing a thermal via of a low dielectric constant, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

低比誘電率の熱ビアを提供し、もって層間絶縁の低誘電率化と高熱伝導率化を同時に実現することができる多層配線基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The pixel selection transistor TR1 having an active layer 12, a gate insulation film 13 and a gate electrode 14 is formed on a substrate 10, and an inter-layer insulation film 16 and a passivation film 17 are stacked thereon.例文帳に追加

基板１０上に、能動層１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４を備えた画素選択トランジスタＴＲ１が形成され、この上に層間絶縁膜１６、パッシベーション膜１７が積層されている。 - 特許庁

An n-channel MOSFET and p-channel MOSFET of salicide structure are integrated on a silicon substrate 1, on which a metal wiring layer 12 is formed through an inter-layer insulating film 10.例文帳に追加

シリコン基板１にサリサイド構造のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴが集積形成され、この上に層間絶縁膜１０を介して金属配線層１２が形成される。 - 特許庁