「junction characteristic」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DETERMINATION METHOD OF CHARACTERISTIC CONFINEMENT ELEMENT CELL OF MULTI-JUNCTION TYPE PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

多接合型光電変換素子の特性制限要素セルの判定方法 - 特許庁

The second tunneling junction possesses an anti-fuse characteristic different from the first tunnel junction, which is short-circuitted with a write process.例文帳に追加

第２のトンネル接合は、第１のトンネル接合とは異なるアンチ・ヒューズ特性を有し、これが、書き込みプロセスによって短絡させられる。 - 特許庁

To provide a junction type actuator having a displacement characteristic comparable with a stacked actuator by making use of manufacturing advantage of the junction.例文帳に追加

接合型の製造上の利点を生かしながら、積層型に比肩できる変位特性を有する接合型アクチュエータを提供する。 - 特許庁

Then, the correlation curve between shear strength and a shear position that are detected for each shearing operation is obtained, an integral value corresponding to the thickness of the lead in the correlation curve is set to be a junction characteristic value, and the junction state of an alloy junction section is evaluated quantitatively according to the junction characteristic value.例文帳に追加

そして、各剪断操作毎に検出されるシェア強度と剪断位置との相関曲線を求め、相関曲線におけるリードの厚さ分の積分値を接合特性値とし、この接合特性値をもって合金接合部の接合状態を定量的に評価する。 - 特許庁

In the temperature measurement method, the measured turn off characteristic time is converted into the junction temperature of the SiC GTO, based on the relational characteristic between previously measured accumulated time ts and junction temperature.例文帳に追加

すなわち、この温度測定方法では、予め測定した蓄積時間ｔｓと接合温度との関係特性に基づいて、測定したターンオフ特性時間を、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度に換算している。 - 特許庁

To enhance a soft recovery characteristic by reducing the possibility of generation of a defect in a Schottky junction interface.例文帳に追加

ショットキー接合界面に欠陥が生じてしまうおそれを低減し、ソフトリカバリー特性を向上させる。 - 特許庁

To suppress dispersion of a cutoff characteristic and junction leak of a selection transistor while improving the cutoff characteristic of the transistor even when miniaturization advances.例文帳に追加

微細化が進んだ場合であってもトランジスタのカットオフ特性を改善しつつ、選択トランジスタのカットオフ特性のバラツキ及びジャンクションリークを抑制する。 - 特許庁

To provide a superconducting junction using a high temperature superconductor, which permits evaluation of junction characteristics based on I/V characteristic and the reduction of a substrate region, and a method for manufacturing the superconducting junction.例文帳に追加

本発明は、Ｉ−Ｖ特性に基づく接合特性の評価と基板面積の縮小化が可能な高温超電導体を用いた超電導接合及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To improve the operation characteristic of a semiconductor element by minimizing the resistance of an impurity junction region.例文帳に追加

不純物接合領域の抵抗を最小化することにより、半導体素子の動作特性を向上させる。 - 特許庁

The present invention relates to a heat characteristic estimation device for estimating a heat characteristic of a semiconductor device comprising thermal protection means for reducing a load on the semiconductor device when a junction temperature exceeds a limit temperature, and a temperature estimation device for estimating the junction temperature of the semiconductor device by using the heat characteristic.例文帳に追加

本発明は、ジャンクション温度が制限温度を超えると、当該半導体装置の負荷を低下させる熱保護手段を備えた半導体装置の熱特性を推定する熱特性推定装置と、熱特性を利用して半導体装置のジャンクション温度を推定する温度推定装置に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having Schottky junction structure superior in backward direction characteristic, without sacrificing the forward direction characteristic, a Schottky barrier diode, and a semiconductor substrate for forming a Schottky junction for forming the diode.例文帳に追加

順方向特性を犠牲にすることなく、優れた逆方向特性を備えたショットキー接合構造を有する半導体素子およびショットキーバリアダイオードと、これを形成するためのショットキー接合形成用半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where not only a junction leak current but a forward current characteristic are raised.例文帳に追加

接合リーク電流だけでなく順方向の電流特性が向上した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To obtain a heat characteristic in a state in which a semiconductor device is mounted on a device and apply it to estimation of a junction temperature.例文帳に追加

半導体装置が装置に実装された状態での熱特性を求めて、ジャンクション温度の推定に適用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in such a manner that element characteristic can be improved by restraining the increase in a junction leakage current and junction capacitance.例文帳に追加

接合リーク電流や接合容量の増大を抑制し、素子特性を向上させることができるように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide an oxide superconductor and an oxide superconductor conducting element having small change in junction characteristic by improving the junction strength between the oxide superconductor and a metal.例文帳に追加

酸化物超電導体と金属との接合強度を改善し、接合特性変化の小さい酸化物超電導体及び酸化物超電導体電流通電素子を提供する。 - 特許庁

To provide a junction type semiconductor device of a device structure capable of realizing a high-performance junction type device having a normally-off characteristic required for automobile motor control, and a method of manufacturing the junction type semiconductor device.例文帳に追加

自動車のモータ制御用などで求められるノーマリオフ特性を有する高性能の接合型デバイスを容易な製造工程で実現できるデバイス構造の接合型半導体装置および接合型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide bonding copper wire having good junction characteristic, which prevents surface oxidation during storage and surface oxidation by heat during bonding.例文帳に追加

保管中の表面酸化、ボンディング時の熱による表面酸化を、ともに防止した、接合性の良好な銅ボンディングワイヤー。 - 特許庁

To provide a capacitance type pressure sensor having sufficient junction strength between substrates, and capable of exhibiting a sufficient sensor characteristic, even when an extraction electrode exists in a junction area between the substrates.例文帳に追加

基板間の接合領域に引き出し電極が存在していても、基板間で十分な接合強度を有し、十分なセンサ特性を発揮できる静電容量型圧力センサを提供すること。 - 特許庁

To provide a new forming method of a high-temperature superconducting Josephson junction wherein the formation of the Josephson junction having a highly excellent characteristic is realized simply and rapidly without requiring an expensive fine-processing apparatus.例文帳に追加

高価な微細加工装置を必要とせず、簡便かつ迅速に高い特性を持つジョセフソン接合の形成を実現する新たな高温超伝導ジョセフソン接合形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element whose luminescence characteristic is improved by improving the lattice matching of the junction interface of pi junction or pn junction comprising a light emitting layer in the light emitting element having the light emitting layer formed of a zinc oxide system semiconductor.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる発光層を有する発光素子において、該発光層を含むｐｉ接合またはｐｎ接合の接合界面の格子整合性を向上させることによって、発光特性を向上させた発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suitably controlling carrier lifetime by suppressing variation in withstand voltage characteristic of a pn junction of a diode.例文帳に追加

ダイオードのｐｎ接合の耐圧特性の変化を小さく抑え、最適なキャリアライフタイムの制御が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

This device has a rectifying characteristic which is equivalent to that of an ordinary semiconductor p-n junction, and exhibits the function of a diode or a transistor.例文帳に追加

本デバイスは、通常の半導体ｐｎ接合と同等の整流特性を有しダイオード若しくはトランジスタとしての機能を発揮する。 - 特許庁

To obtain a smooth characteristic at junction of broken lines when approximating gamma correction and knee correction by using a plurality of broken lines.例文帳に追加

ガンマ補正、ニー補正を複数の折れ線を用いて近似する場合に、折れ線の接続点で滑らかな特性を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor having a high withstand voltage characteristic excellent in a high destructive breakdown voltage which is required in association with increase in output.例文帳に追加

高出力化に付随して要求される破壊耐圧に優れた高耐圧化特性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a junction gate field effect transistor having a reduced parasitic capacitance in a gate electrode and an satisfactory high-frequency characteristic.例文帳に追加

ゲート電極に寄生する寄生静電容量の容量が小さく、良好な高周波特性を示す接合ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

It is characteristic that a part of the junction type field effect transistor and a part of the resetting transistor are made to face each other.例文帳に追加

本発明は、接合型電界効果トランジスタのゲート領域の一部と、リセット用トランジスタのゲートの一部とを互いに対向させたことを特徴とする。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device can be obtained which can suitably control carrier lifetime by preventing significant variation in withstand voltage characteristic of the pn junction diode.例文帳に追加

これにより、ダイオードのｐｎ接合の耐圧特性の変化を小さく抑え、最適なキャリアライフタイムの制御が可能な半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

A junction-characteristic detecting circuit 20 detects characteristics of a joined portion of the metal junction and predicts deterioration of the joined portion using a threshold VL determined from a relation between an increase in a resistance RT8 caused by deterioration and a life time of the joined portion.例文帳に追加

接合部特性検出回路２０は、金属接合の接合部の特性を検出し、接合部の劣化による抵抗ＲＴ８の上昇と寿命の関係から決定したしきい値ＶＬを用いて、接合部の劣化を予測する。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode and its manufacturing method whereby a metal layer and a low-resistance epitaxial layer form a Schottky junction, thereby improving the backward current characteristic, without degrading the forward voltage characteristic.例文帳に追加

金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser which can prevent a change in a polarization characteristic because of junction-down mounting while avoiding reduction of a heat dissipation, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor laser.例文帳に追加

放熱性を悪化させることなく、ジャンクションダウン組み立てによって偏光特性が変化するのを防ぐことができる半導体レーザ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To restrain characteristic changes due to hot carriers, while a high current capability is being maintained, and to prevent a reduction in a junction capacitance and drop in the drain breakdown strength in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにおいて、高い電流能力を保ちつつ、ホットキャリアによる特性変動の抑制と接合容量の低減及びドレイン耐圧の低下の防止を図る。 - 特許庁

To provide a glass junction structure, an electrode member for a cold-cathode fluorescent lamp, a cold-cathode fluorescent lamp, and a reed switch that have an excellent adhesion characteristic between a lead part and a glass.例文帳に追加

リード部とガラスとの密着性に優れるガラス接合構造、冷陰極蛍光ランプ用電極部材、冷陰極蛍光ランプ、及びリードスイッチを提供する。 - 特許庁

To enable suppression of junction leak resulting from a manufacturing process and acquisition of a high breakdown voltage characteristic of a gate oxide film.例文帳に追加

製造プロセスに起因する接合リークの発生を抑えかつ高いゲート酸化膜耐圧特性を得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To bring down the contact resistance value of the junction part between the electrode terminal of a semiconductor element and a bump, and to improve the electric characteristic of a flip chip mounting type semiconductor device.例文帳に追加

フリップチップ実装型半導体装置において、半導体素子の電極端子とバンプとの接合部のコンタクト抵抗値を低くし、電気特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which can reduce junction leakage and can improve a DRAM cell refreshing characteristic by decreasing an electric field in a source region.例文帳に追加

ソース領域の電界を減少させることで接合漏洩を減少させ、ＤＲＡＭセルのリフレッシュ特性を改善する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction element exerting a better magnetization characteristic, coping with the need for high recording density and high integration, and having a high reliability.例文帳に追加

より良好な磁化特性を発現し、高記録密度化や高集積化に対応可能であると共に高い信頼性を有する磁気トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode connected in Schottky junction on a silicon wafer, and a method of forming the electrode, in which precision of evaluation of electrical characteristic can be more improved than before, in evaluating the electrical characteristic of a semiconductor silicon wafer.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハの電気的特性を評価するにあたり、電気的特性の評価の精度を従来に比べ向上させることが可能なシリコンウェーハ上にショットキー接合された電極とその電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

The thickness of a semiconductor layer which constitutes a spacer layer of the CPP-GMR element is set within such a range of thickness that a first non-magnetic metal layer/semiconductor layer/second non-magnetic metal layer-junction may shows a conduction characteristic between an ohmic conduction characteristic and a semiconductor conduction characteristic.例文帳に追加

ＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層を構成する半導体層の厚さは、当該半導体層と前記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層との接合関係において、オーミック伝導特性と半導体伝導特性との間の伝導特性を示す遷移領域の膜厚範囲に設定される。 - 特許庁

It is furthermore constituted so that terminal characteristic of the connection terminal 23A provided to the second semiconductor element 23 shows characteristic of mirror inversion to terminal characteristic of the connection terminal 22A of the first semiconductor element 22, and the connection terminal 23A is subjected to flip chip junction on the connection terminal 22A which is subjected to wire connection.例文帳に追加

かつ、第２の半導体素子２３に設けられる接続端子２３Ａの端子特性が第１の半導体素子２２の接続端子２２Ａの端子特性に対してミラー反転した特性を示すよう構成し、この接続端子２３Ａをワイヤー接続された接続端子２２Ａ上にフリップチップ接合した構成とする。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor allowing a ledge part to be easily formed into a thin layer without degrading an emitter electron transport characteristic and emitter injection efficiency, and suitable for miniaturization.例文帳に追加

エミッタ電子輸送特性やエミッタ注入効率を劣化させることなく、レッジ部を薄層化することが容易で、微細化に適したヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a tunnel junction device having good under-damp characteristic and a method of fabricating the same.例文帳に追加

アンダーダンプ特性を有するトンネル接合デバイス及びその製造方法に関し、良好はアンダーダンプ特性を有するトンネル接合デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the interface region between the pad film 12 and the anode side region 13 as a p-n junction interface, hardly causes a large electric field encounter etching damages, a high breakdown voltage characteristic can be obtained.例文帳に追加

大電界が生じるｐｎ接合界面であるパッド膜１２とアノード側領域１３との界面領域には、ほとんどエッチングダメージがないので、高耐圧特性が得られる。 - 特許庁

To provide a detection element capable of restraining a thermal electron emission characteristic (influence of Fermi-level pinning), in a Schottky junction part for detecting high frequencies such as terahertz waves.例文帳に追加

テラヘルツ波等の高周波を検出するためのショットキー接合部において、熱電子放出電流特性（フェルミレベルピニングの影響）を抑制することができる検出素子を提供する。 - 特許庁