「lateral diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The punch through preventing region effectively reduces the extension of diffusion in the lateral direction in a drain region for high withstand voltage as compared with the extension of the diffusion in the depthwise direction.例文帳に追加

パンチスルー防止領域により、高耐圧用のドレイン領域の横方向の拡散の伸びを深さ方向に比べ効果的に小さくした。 - 特許庁

A plurality of curved grooves 321d1 are provided into a waveform along the lateral direction in the diffusion range.例文帳に追加

拡散領域に横寸法方向に沿って波形状に曲線溝３２１ｄ１を複数設ける。 - 特許庁

Underneath this P+ diffusion region, an N region 85 having the same lateral extent is provided.例文帳に追加

このＰ＋拡散領域の下に同じ横方向の大きさを有するＮ領域（８５）が設けられる。 - 特許庁

A groove 13 is formed toward a lateral direction where a diffusion sheet 4 is stretched.例文帳に追加

溝１３は、拡散シート４の張られた横方向に向かって形成されている。 - 特許庁

To provide a boat for a lateral diffusion furnace, which can suppress a slip of a heat-treated semiconductor wafer.例文帳に追加

熱処理される半導体ウェハへのスリップを抑制し得る横型拡散炉用ボートを提供する。 - 特許庁

Here, the intervals between adjoining, in the lateral direction, diffusion layers 14 are all identical to (c).例文帳に追加

なお、横方向で隣り合う拡散層１４同士の間隔は、いずれもｃで同一である。 - 特許庁

LATERAL DOUBLE-DIFFUSION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING SAME例文帳に追加

横型二重拡散型電界効果トランジスタおよびそれを備えた集積回路 - 特許庁

Here, the intervals between adjoining in the lateral direction, diffusion layers 14r are all identical to cr1.例文帳に追加

横方向で隣り合う拡散層１４ｒ同士の間隔は、いずれもｃｒ１で同一である。 - 特許庁

A p-type extension diffusion layer 14 is formed under the lateral side of the gate electrode 12, and a p-type source-drain diffusion layer 15 is formed under the lateral side of the side wall 13.例文帳に追加

そして、ゲート電極１２の側方下にはＰ型エクステンション拡散層１４が形成され、サイドウォール１３の側方下にはＰ型ソース・ドレイン拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

A frame has slits 42 where both ends in a lateral direction of a diffusion sheet 20 and both ends in a lateral direction of a rectangular region 26 of the diffusion plate 18 are inserted.例文帳に追加

フレームは、拡散シート２０の横方向の両端部及び拡散板１８の矩形領域２６の横方向の両端部が差し込まれるスリット４２を有する。 - 特許庁

To provide a light diffusion film which has the anisotropy in light diffusion characteristic in the longitudinal and lateral directions, prevents dusts from sticking to the light diffusion film and a mold during production and hardly degrades the anisotropy of diffusion angle even in a long-term use in user, and to provide a screen using the light diffusion film.例文帳に追加

縦横方向で光拡散特性に異方性を持ち、かつ製造時の光拡散フィルム、金型へのごみ付きを防ぎ、またユーザーにおける長期の使用においても拡散角異方性の低下の少ない光拡散フィルムを提供し、該光拡散フィルムを用いたスクリーンを提供する。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラＩＣに横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置１において、横型ＰＮＰトランジスタ部Ｂ直下の埋め込み拡散層８に用いる不純物は、制御回路部Ａ直下の埋め込み拡散層５に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

An air diffuser 10 in the aeration tank 1 is divided into one diffusion part 10b and another diffusion part 10a, and a flexible pipe joint 17 having an on-off valve function is provided through a lateral pipe 11 on the border of both the diffusion parts.例文帳に追加

曝気槽１内の散気装置１０を一方の散気部１０ｂと他方の散気部１０ａに分割し、両散気部の境のラテラル管１１に開閉弁機能を有する自在管継手１７を介設する。 - 特許庁

This underwater diffusion preventing device for polluted water includes: a diffusion preventive film 7 provided under the water extending in the vertical direction and lateral direction A; and a support 9 provided on the over water side for supporting the upper edge part of the diffusion preventive film 7 to hang the diffusion preventive film 7.例文帳に追加

水中における汚濁水の拡散防止装置は、上下方向かつ左右方向Ａに延びて水中に設けられる拡散防止膜７と、水上側に設けられ、拡散防止膜７を吊り下げるようこの拡散防止膜７の上縁部を支持する支持体９とを備える。 - 特許庁

This underwater diffusion preventing device for polluted water includes: a diffusion preventive film 7 provided under the water extending in the vertical direction and lateral direction to partition between both water areas adjacent to each other; and a support 9 provided on the over water side for supporting the upper edge part of the diffusion preventive film 7 to hang the diffusion preventive film 7.例文帳に追加

水中における汚濁水の拡散防止装置は、上下方向かつ水平方向に延びて水中に設けられ、相隣る両水域を仕切る拡散防止膜７と、水上側に設けられ、拡散防止膜７を吊り下げるようこの拡散防止膜７の上縁部を支持する支持体９とを備える。 - 特許庁

To suppress lateral diffusion of impurities and permit microfabrication of a semiconductor integrated circuit when thermally diffusing impurity areas in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の中の不純物領域を熱拡散する際に、その横方向拡散を抑制して半導体集積回路の微細化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high reliability by surely suppressing source/drain lateral direction diffusion so as to satisfy requirements of further micronization and high performance.例文帳に追加

ソース／ドレインの横方向拡散を確実に抑止し、更なる微細化及び高性能化の要請を満たし、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

To suppress lateral diffusion of impurities and permit microfabrication of a semiconductor integrated circuit when thermally diffusing separation areas in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の中に分離領域を熱拡散により形成する際に、その横方向拡散を抑制して、半導体集積回路の微細化を実現する。 - 特許庁

To provide a lateral diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A diffusion member 40 is disposed in the gas chamber 30, and extends through the lounge frame 17 in the ship lateral direction Y.例文帳に追加

拡散材４０は、気体室３０内に配置され、ロンジフレーム１７をまたいで船幅方向Ｙに延びる。 - 特許庁

An impurity concentration of the reverse portion diffusion region 62 increases in a lateral direction from the side of a body region 88 to the side of a collector region 72.例文帳に追加

裏面部拡散領域６２の不純物濃度は、横方向に沿って、ボディ領域８８側からコレクタ領域７２側に向けて増加する。 - 特許庁

To develop a plate preventing lateral diffusion in the case of carrying out a thin-layer chromatography (TLC) process, and develop a method adaptable for quantitative / qualitative analyses of compounds such as docosahexaenoic acid (DHA).例文帳に追加

薄層クロマトグラフィーを行う際に、横方向に拡散しないプレートの開発を課題とする。 - 特許庁

The lateral diffusion furnace is made to start dropping in temperature at the same time when the semiconductor wafers are started to be unloaded from the furnace, by which the furnace can be improved in temperature-fall follow-up properties.例文帳に追加

横型拡散炉の降温と半導体ウェハの搬出を同時に開始することにより、降温追従性が向上する。 - 特許庁

Main spray E diffused by the first spray hole 41 only in the vertical direction and having a fixed thickness in the lateral direction is formed and diffusion spray F having a diffusion angle α only in the lateral direction by the pair of right and left second spray holes 43 and having a fixed thickness in the vertical direction is formed.例文帳に追加

第１噴口４１によって縦方向のみに拡散し、横方向に一定の厚みを有する主噴射Ｅが形成されるとともに、左右一対の第２噴口４３によって横方向のみに拡散角αを有し、縦方向に一定の厚みを有する拡散噴射Ｆが形成される。 - 特許庁

Therefore, to determine the minimum clearance (d) between an n + source drain region and a p + source drain region, the lateral diffusion distance of the N well region needs not be considered but only a lateral diffusion distance 1' of the P well region 54 might as well be considered.例文帳に追加

したがって、Ｎ型ソースドレイン領域とＰ型ソースドレイン領域との間の最小間隔ｄを決める際に、Ｎウエル領域の横方向拡散距離を考慮する必要がなく、このＰウエル領域５４の横方向拡散分ｌ’だけを考慮すればよい。 - 特許庁

The radiation position detector has reflection characteristics for promoting diffusion in the lateral direction of emission, by inserting a reflecting material 20 at a part between the sides of the light-receiving elements (10A, 10B, 22A, 22B) of the light-emitting elements (12, 13) in the lateral direction.例文帳に追加

発光素子（１２、１３）の受光素子（１０Ａ、１０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂ）側面の間の一部に、横方向に反射材２０を挿入することにより、発光の横方向への拡散を促進するための反射特性を持たせる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing ELO (Epitaxial Lateral Over Growth) in which high breakdown voltage characteristics are realized by growing high purity GaN while suppressing diffusion of Si from a selective mask material.例文帳に追加

ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Over Growth）を用いる半導体装置において、選択マスク材料からＳｉの拡散を抑えつつ高純度のＧａＮを成長させて、高耐圧特性を有する半導体素子を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing a diffusion in a lateral direction at the time of forming a diffusion region in a compound semiconductor layer, and suppressing a leakage current between electrodes.例文帳に追加

化合物半導体層内に拡散領域を形成する場合に横方向の拡散を抑制すること、または、電極間のリーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The lid of a lateral diffusion furnace is opened at the same time when the furnace is made to start dropping in temperature, and a quartz fork is inserted into the diffusion furnace to unload semiconductors wafers from the furnace.例文帳に追加

横型拡散炉内の降温を開始すると同時に、横型拡散炉の蓋体を開放し、石英フォークを横型拡散炉内に挿入して半導体ウェハの搬出を開始する。 - 特許庁

To obtain a lateral type diffusion furnace for a manufacturing process of a semiconductor element which has a high yield and can carry out a diffusion process without generating a failure product; and a semiconductor element of the high yield.例文帳に追加

不良品を発生させることなく歩留まりの高い拡散処理が可能な半導体素子の製造プロセス用横型拡散炉並びに、歩留まりの高い半導体素子を得ること。 - 特許庁

Then, the nonvolatile semiconductor memory device includes a diffusion layer (3) that is formed in the semiconductor substrate (2) at a position corresponding to a lateral side of the second insulating layer (14), and a silicide layer (11) that is formed to cover the diffusion layer (3) and first gate (6).例文帳に追加

そして、第２絶縁層（１４）の側方に対応する位置の半導体基板（２）内に形成された拡散層（３）と、その拡散層（３）及び第１ゲート（６）を覆うように形成されたシリサイド（１１）とを備えている。 - 特許庁

To improve a lateral diffusion furnace in temperature-fall follow-up properties, to enable semiconductor wafers to have a diffusion time equally, and to manufacture the semiconductor wafers of uniform characteristics.例文帳に追加

横型拡散炉における降温追従性を向上させ、半導体ウェハの拡散時間のバラツキをなくし、特性が均一の半導体ウェハを製造する。 - 特許庁

The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加

また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁

The diffusion areas 15a and 15b increase in lateral diffusion width perpendicular to the depth toward an ohmic contact area 11.例文帳に追加

深部膨張形拡散領域１５ａ，１５ｂは、オーミックコンタクト領域１１に近づくに従い、深さ方向に垂直方向の横方向の拡散幅が広くなるようにされている。 - 特許庁

To provide an absorbent article which can intercept the lateral diffusion of the liquid such as the menstrual blood or the like in an absorber when the liquid such as the menstrual blood or the like is poured in a liquid receiving range and can show the diffusion of the menstrual blood to be narrow when visually observed.例文帳に追加

受液領域に経血などの液が与えられたときに、吸収体内での液の横方向の拡散を遮蔽でき、目視したときに経血の拡散が狭く見える吸収性物品を提供する。 - 特許庁

By this structure, the lateral diffusion width of a P-type diffusion layer 13 in the separation region 1 is suppressed, and the formation region of the separation region and the device size of the MOS transistor are reduced.例文帳に追加

この構造により、分離領域１のＰ型の拡散層１３の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びＭＯＳトランジスタのデバイスサイズが低減される。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加

第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁

Further, the substrate has, in the substrate, a first conductivity type source region 121 formed below the first upper surface, a second conductivity type drain region 121 formed below the second upper surface, and a second conductivity type lateral diffusion region 123 formed between the step lateral face S3 and the source region 121.例文帳に追加

さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 - 特許庁

Since a p-type base layer 3 is formed by diffusion on the entire surface of an element portion above a p-type epitaxial layer becoming a p-type pillar layer and then it is divided when a trench 5' is formed and left on the p-type pillar layer 2, diffusion hardly take place in the lateral direction.例文帳に追加

ｐ型ベース層３は、ｐ型ピラー層となるｐ型エピタキシャル層上の素子部全面に拡散により形成させ、その後トレンチ５’の形成時に分断されてｐ型ピラー層２の上に残った層として形成されるため、横方向に殆ど拡散されない。 - 特許庁

The lateral MOS transistor includes a substrate 100, an active layer 101, the Locos oxide film 102, diffusion layers 103, 104 and 105, a gate oxide layer 106, a drain region 107, a source region 108, a body diffusion layer 109, and a gate polycide electrode 110.例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタは、基板１００、活性層１０１、Ｌｏｃｏｓ酸化膜１０２、拡散層１０３、１０４、１０５、ゲート酸化層１０６、ドレイン領域１０７、ソース領域１０８、ボディ拡散層１０９、ゲートポリサイド電極１１０を備える。 - 特許庁

The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.例文帳に追加

前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

Further, a heat diffusion area within the rectangular surface can be used effectively by providing a difference of the heat conductivity between in the longitudinal direction and in the lateral direction.例文帳に追加

また、長手方向と短手方向の熱伝導率の差を設けることで、長方形の面内において熱の拡散領域を有効に利用することができる。 - 特許庁