「lateral diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.例文帳に追加

前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

Since a P-type implantation layer 14 eliminates compensation, lateral diffusion is accelerated in the channel regions of the N-type source layer 11 and N-type drain layer 12 of a high breakdown strength transistor.例文帳に追加

このため、Ｐ型注入層１４によってコンペンセーションが生じなくなり、高耐圧トランジスタのＮ−型ソース層１１、Ｎ−型ドレイン層１２のチャネル領域における横方向の拡散が促進される。 - 特許庁

Further, the substrate has, in the substrate, a first conductivity type source region 121 formed below the first upper surface, a second conductivity type drain region 121 formed below the second upper surface, and a second conductivity type lateral diffusion region 123 formed between the step lateral face S3 and the source region 121.例文帳に追加

さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 - 特許庁

Thus high resolution images having a high brightness through fine-pitched microlens arrays are attained, and a directional light diffusion layer sheet having different radiation angles in lateral and vertical directions is employed to be able to easily and arbitrarily adjust the vertical viewing angle while maintaining a wide lateral viewing angle.例文帳に追加

これにより、高い輝度を有しマイクロレンズアレイの微細ピッチ化を通じて高解像度の映像を得ることができ、水平及び垂直方向に相違する放射角特性を有する方向性光拡散層シートを適用して広い水平視野角を維持しながら、垂直視野角の制御を容易かつ任意に調節することができる。 - 特許庁

By selecting an impurity concentration of the second selective impurity introduction region 18, the first conductivity type in the region expanded by a lateral impurity diffusion from the first selective impurity introduction region 17 is cancelled to suppress a practical expansion of the element isolation region 16 in a lateral direction.例文帳に追加

第２の選択的不純物導入領域１８の不純物濃度の選定によって第１の選択的不純物導入領域１７からの不純物の横方向拡散による広がり領域における第１導電型の打消しを行って、素子分離領域１６の横方向の実質的広がりを抑制する。 - 特許庁

The light emitting element 10 is formed so as to emit light with a diffusion angle large in lateral direction then that in vertical direction, and the emission light is made to be efficiently incident on a back face 34a of an inner lens 34.例文帳に追加

発光素子１０を、上下方向よりも左右方向に大きい拡散角度で光を出射させる構成とし、その出射光を横長のインナレンズ３４の後面３４ａに効率良く入射させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor.例文帳に追加

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polyester film for the diffusion plate is a simultaneously biaxially stretched polyester film and characterized in that the difference Δn between the refractive index in the longitudinal direction of the film and that in the lateral direction of the film is 25×10^-3 or below.例文帳に追加

同時二軸延伸されたポリエステルフィルムであって、フィルム縦方向の屈折率とフィルム横方向の屈折率との差Δｎが２５×１０^−３以下であることを特徴とする拡散板用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces are coated with a protective film.例文帳に追加

アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、対向する二つの側面を保護膜で覆う。 - 特許庁

The air blowing from an air supply pipe 22 into the gas chamber 30 is hit against the diffusion member 40 and diffused in the ship lateral direction Y and blows into water through air outlets 34a formed in the bottom surface 34 of the gas chamber 30.例文帳に追加

空気供給管２２から気体室３０内に吹き出した空気は、拡散材４０に当たって船幅方向Ｙに拡散したのち、気体室３０の底面３４に形成された空気吹き出し孔３４ａから水中に吹き出す。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal.例文帳に追加

障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。 - 特許庁

To simultaneously prevent a crosstalk between pixels in a solid-state image sensing device owing to reflection (cause (I)) on the surface of a semiconductor chip or on metal wirings arranged on the outside of the surface, and owing to lateral diffusion (cause (II)).例文帳に追加

固体撮像素子において、半導体チップ表面、又は表面の外側の金属配線での反射に起因する画素間のクロストーク（原因（Ｉ））と、横方向拡散（原因（ＩＩ））に起因する画素間クロストークを同時に防ぐ。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。 - 特許庁

The anisotropic diffusion sheet 1 in which a light diffusing capacity in the lateral direction A is different from that in the depth direction B shows anisotropy whose half-power angle difference between luminous intensity distribution in the depth direction B in the outgoing light characteristics when light is made incident vertically and luminous intensity distribution in the lateral direction A is between 15° or more and 90° or less.例文帳に追加

左右方向Ａの光拡散能と前後方向Ｂの光拡散能とが異なる異方性拡散シート１であって、垂直に光線を入射した場合の出光特性における前後方向Ｂの光度分布と左右方向Ａの光度分布との半値角差が１５°以上９０°以下の異方性を示すことを特徴とするものでである。 - 特許庁

To solve problems of yellow coloring of display light (diffusion light) and of lowering of diffusibility with respect to light incident from lateral directions inherent in a light diffusion body with anisotropy of diffusibility of emitted light varying corresponding to an incident angle of incident light in optical films (sheets) utilized to control a viewing angle of various display devices.例文帳に追加

各種表示装置の視野角制御に用いられる光学フィルム（シート）のうち、入射光の入射角度に依存して出射光の拡散性が変化する異方性を有する光拡散体に固有な表示光（拡散光）が黄色く着色する問題、横方向からの入射光に対しての拡散性が小さくなるという問題を解消する。 - 特許庁

In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces of the aluminum support are chamfered.例文帳に追加

アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、アルミニウム支持体の対向する二つの側面を面取り処理する。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, which is capable of efficiently producing the epitaxial wafer in which plural epitaxial layers are stacked through buried ion implanted layers and by which the silicon epitaxial wafer small in diffusion of the formed ion implanted layers in the lateral direction can be obtained.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing liquid for forming a material to be recorded, which quickly absorbs an ink, of which no ink flows out, in which the lateral diffusion of an ink dot is small and no bleeding develops and on which an ink receiving layer excellent in the water resistance of an image and characters can be formed.例文帳に追加

インクを速やかに吸収し、インクが流れ出さずインクドットの横方向への拡散が少なく滲みがなく、また画像や文字の耐水性にも優れたインク受理層を形成し得る記録材料形成用塗布液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

An improved n-channel integrated lateral DMOS (10), in which an embedded main body region (30) placed beneath a source (18) and a normal main body diffusion part, and being self-aligned to them, provides a low impedance path for holes emitted at a drain region (16).例文帳に追加

ソース（１８）及び通常の本体拡散部の下方にあって、それに対してセルフアラインである埋込み本体領域（３０）が、ドレイン領域（１６）で放出された正孔に対する低インピーダンス通路となる改良されたｎチャンネル集積横形ＤＭＯＳ（１０）。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

Then, source cells SC and drain cells DC are allotted respectively and alternately to the transversal rows and lateral rows of the lattices divided into the shape of the lattice in respective element regions EA, whereby a horizontal type diffusion MOS (LDMOS) transistor is formed in the element region EA.例文帳に追加

そして、それら素子領域ＥＡ内に格子状に区画された各領域に、同格子の縦列および横列についてそれぞれ交互に、ソースセルＳＣとドレインセルＤＣとを割り当てることによって、同素子領域ＥＡ内に横型拡散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）トランジスタが形成される。 - 特許庁

In the lateral direction of the element region 2, the impurity concentration of a specific region 2a occupying the area from a first boundary location 15 to a second boundary location 16 is lower than that of a main region 2b occupying the area from the body diffusion region 3 to the first boundary location 15.例文帳に追加

素子領域２のうち、横方向に関して、ボディ拡散領域３から第１境界位置１５までを占める主領域２ｂの不純物濃度に比して、第１境界位置１５から第２境界位置１６までを占める特定領域２ａの不純物濃度が低い。 - 特許庁

An annular thermal oxide film 17 is formed though the thermal oxidation process under the condition that the silicon nitride films 11, 11a are left and moreover a deep N well 3 is also formed at the lower entire surface of the silicon nitride film 11a like an island with the lateral diffusion of phosphorus through the annealing process (b).例文帳に追加

シリコン窒化膜１１，１１ａを残した状態で熱酸化処理を施して環状の熱酸化膜１７を形成し、さらにアニール処理を施してリンの横方向拡散によって島状のシリコン窒化膜１１ａの下部全面にもディープＮウエル３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

Concerning the compound semiconductor device with which a diffusing area containing a second electro-conductive impurity is cyclically located on the surface area of a first electro-conductive compound semiconductor, a diffusion blocking area containing a second electro-conductive impurity different from the impurity contained in the diffusing area is provided in the lateral periphery and/or on the bottom of the diffusion area.例文帳に追加

第１の電気伝導型の化合物半導体の表面領域に第２の電気伝導型の不純物を含む拡散領域が周期的に配列された化合物半導体素子において、前記拡散領域の、横方向周囲および／または底部に、前記拡散領域に含まれる不純物とは異なる第２の電気伝導型の不純物を含む拡散阻止領域が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The gas sensor element comprises an oxygen ion-conductive solid electrolyte, a measured gas side electrode and a reference gas side electrode, respectively provided on one surface and the other surface of the solid electrolyte, a diffusion resistance layer 12 which allows a measured gas to be transmitted while covering the measured gas side electrode, and a catalyst support trap layer 2 supporting catalyst 22 formed on lateral surface 120 of the diffusion resistance layer 12.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、被測定ガス側電極を覆うと共に被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２と、該拡散抵抗層１２の外側面１２０に形成された触媒２２を担持させた触媒担持トラップ層２とを有するガスセンサ素子。 - 特許庁

The photon energy transmission characteristics of the structure 40 are laterally modified along the incident surface of the structure 40 and the diffusion member 30 emits diffused light 32 so as to be expanded on the incident surface of the structure 40 along one direction containing the direction not crossing the lateral modification direction of the photon energy transmission characteristics at a right angle or many directions.例文帳に追加

構造４０の光子エネルギ透過特性はその入射面沿いで横変しており、部材３０は、光子エネルギ透過特性の横変方向と直交していない方向を含む一方向又は多方向沿いに構造４０の入射面上で光が拡がるよう拡散光３２を発生させる。 - 特許庁

A gate oxide film 107 of the lateral high-dielectric-strength MOSFET100 of a 1st conductivity type is formed to such a thickness that an electric field value to the maximum operating voltage between the source and drain is ≤4 MV/cm and a drain diffusion layer 114 is so formed that its impurity total amount is ≥2×10^12/cm^2.例文帳に追加

第１導電型の横型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ100のゲート酸化膜107の膜厚を、ソース・ドレイン間の最大動作電圧に対する電界値が４ＭＶ／ｃｍ以下となる厚さに形成し、前記ドレイン拡散層114をその不純物総量が２×１０^12／ｃｍ^2以上となるよう形成する - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element capable of achieving uniformity of current density by promoting current diffusion in a semiconductor film in a lateral direction and a stacked direction and capable of easily controlling color mixture of light using a phosphor, in the semiconductor light-emitting element in which an n-electrode and a p-electrode are provided on the same surface side of the semiconductor film.例文帳に追加

ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Then, the deep p-type implantation region is annealed up to a surface of the silicon carbide surrounding the shallow n-type implantation region at temperature and time sufficient for lateral diffusion without vertically diffusing the embedded deep p-type implantation region up to the silicon carbide substrate surface through the shallow n-type implantation region.例文帳に追加

その後、前記深いｐ型注入領域を前記浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコン表面まで、該埋め込まれた深いｐ型注入領域を該浅いｎ型注入領域を通って炭化シリコン基板表面まで縦方向に拡散させることなく、側方拡散させるのに十分な温度及び時間でアニールする。 - 特許庁

Consequently, the on-resistance can be reduced such that the contact resistance can be reduced by contacting with all the side walls of each contact trench Tc and besides the rise of the channel impurity concentration of a p-type well region 4 caused by the lateral direction diffusion of impurities effectively in forming an additional p^+-type region 8 of the bottom may be suppressed.例文帳に追加

これにより、各コンタクトトレンチＴｃの側壁すべてでコンタクトがとれるようになるためコンタクト抵抗を低減することができ、さらにその底面の追加ｐ^+型領域８形成時の不純物の横方向拡散によるｐ型ウェル領域４のチャネル不純物濃度の上昇を効果的に抑え、オン抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁

The memory elements are formed on parts of word lines 1104 formed as gate electrodes on a semiconductor substrate 1101 through gate insulating films 1103 and on the lateral sides of the gate electrodes; and contain memory function groups 1105a and 1105b having charge holding functions, channel regions 1110 disposed under the gate insulating films 1103, and diffusion regions 1107 disposed on both sides of the channel regions 1110.例文帳に追加

メモリ素子は、半導体基板１１０１上にゲート絶縁膜１１０３を介して形成されたゲート電極としてのワード線１１０４の一部と、このゲート電極の側方に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体１１０５ａ，１１０５ｂと、ゲート絶縁膜１１０３下に配置されたチャネル領域１１１０と、チャネル領域の両側に配置された拡散領域１１０７とを含んでいる。 - 特許庁