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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > layer- thicknessの意味・解説 > layer- thicknessに関連した英語例文

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layer- thicknessの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 13314



例文

In the conductive fine particle wherein the conductive layer and the low melting-point metal layer are formed in sequence on the surface of the base material fine particle, thickness of an intermetal diffusion layer between the conductive layer and the low melting-point metal layer is 20% to the total of thickness of the conductive layer and thickness of the low melting-point metal layer after heating at 150°C for 300 hours.例文帳に追加

基材微粒子の表面に、導電層及び低融点金属層が順次形成されている導電性微粒子であって、150℃で300時間加熱した後における導電層と低融点金属層との間の金属間拡散層の厚みが、導電層の厚みと低融点金属層の厚みとの合計に対して20%以下であることを特徴とする導電性微粒子。 - 特許庁

An Au particle layer 12 is layered on a non-magnetic substrate 11 with a prescribed thickness and a Fe particle layer, having a prescribed thickness and a Pt particle layer having a prescribed thickness are layered on the layered Au particle layer 12, and then a FePt regular alloy particle layer 13 is formed on the non-magnetic substrate 11 by a high-speed heating method.例文帳に追加

非磁性基板の上部に所定の厚さでAu粒子層12が積層され、積層されたAu粒子層12の上部に、所定の厚さのFe粒子層と、所定の厚さのPt粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により非磁性基板11上にFePt規則合金粒子層13が形成されてなる。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板1上に、歪み量子井戸層2を含む活性層3と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層4とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層2の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚h_cよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

In a manufacturing method of a layer arrangement of the present invention, a first layer (203) having a thickness larger than a minimum thickness for the epitaxial growth of a second layer (408) is formed, a second layer (408) is epitaxially grown on the first layer (203), and a third layer (409) is formed on the second layer (408).例文帳に追加

本発明の層配置の製造方法においては、基板上であって基板の第1の面上に、第2の層(408)のエピタキシャル成長のための最小厚さより大きい厚さを有する第1の層(203)が形成され、第1の層(203)上に第2の層(408)がエピタキシャル成長させられ、第2の層(408)上に第3の層(409)が形成される。 - 特許庁

例文

In the transparent gas-barrier film roll having an inorganic oxide layer and a heat-sealable resin layer, in the positional relationship among the oxide layer, the base film of the oxide layer, and the resin layer, the resin layer is arranged at least on the side of the oxide layer, and the maximum film thickness of the oxide layer is 1.5 times or below as large as the minimum film thickness.例文帳に追加

無機酸化物層とヒートシール性樹脂層を有する透明ガスバリアフィルムロールにおいて、無機酸化物層、該無機酸化物層のベースフィルム及びヒートシール性樹脂層の3者の位置関係において、ヒートシール性樹脂層がすくなくとも、無機酸化物層側にあり、かつ、該無機酸化物層の膜厚の最大値が最小値の1.5倍以下であることを特徴とするガスバリアフィルムロール。 - 特許庁


例文

In the information recording medium having a first substrate, a first recording layer, a second recording layer and a second substrate, the first recording layer has a first dyestuff layer and a first reflection layer from a light incident side, the second recording layer has a second dye layer and a second reflection layer from the light incident side and the thickness of the second dye layer is thicker than that of the first dye layer.例文帳に追加

第1の基板、第1の記録層、第2の記録層、及び第2の基板を有し、 第1の記録層は、光入射側から第1の色素層及び第1の反射層を有し、第2の記録層は、光入射側から第2の色素層及び第2の反射層を有し、第2の色素層は、その厚さが、第1の色素層の厚さよりも厚い。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes a first electrode, positive-hole injection layer, positive-hole transportation layer, light-emitting layer, and a second electrode, wherein the thickness ratio of the positive-hole injection layer to the positive-hole transportation layer is between 1:1 and 1:10.例文帳に追加

有機発光素子は,第1電極,正孔注入層,正孔輸送層,発光層および第2電極を含み,正孔注入層と正孔輸送層の厚さ比が1:1〜1:10であることを特徴とする。 - 特許庁

The magnetic recording medium includes at least a magnetic layer, a protective layer and a lubricant layer on a non-magnetic substrate and further, includes a moisture adsorbing layer, having ≥0.3 nm thickness on the lubricant layer.例文帳に追加

本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑剤層からなり、該潤滑剤層上に水分吸着層を0.3nm以上設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified.例文帳に追加

コンタクト層6だけをストライプとして形成し、ストライプ幅L_1、長さL_2、コンタクト層と上部クラッド層5界面から活性層4までの厚さL_3、活性層の幅L_4を規定している。 - 特許庁

例文

The lid material is formed of a laminate consisting of at least a base layer formed of a paper layer, an intermediate layer and a heat-seal layer, and the thickness of the heat-seal layer is ≥3 μm to <20 μm.例文帳に追加

少なくとも紙層からなる基材層、中間層、ヒートシール層との積層体で形成されると共に、ヒートシール層の厚みが、3μm以上20μm未満の範囲の蓋材であることを特徴とする。 - 特許庁

例文

In the optical recording medium having at least a recording layer containing an organic dye, the intermediate layer and a cover layer on a substrate, the intermediate layer has 80 to 300 nm layer thickness.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、有機色素を含有する記録層と、中間層と、カバー層とを有する光記録媒体であって、前記中間層の層厚が80〜300nmであることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

A ceramic layer constituting the ceramic substrate or the multilayer ceramic substrate is constituted of a ceramic single layer region formed in a prescribed thickness and an electrode layer forming region where an electrode layer and a ceramic layer are laminated.例文帳に追加

セラミック基板、あるいは多層セラミック基板を構成するセラミック層は、所定の厚さで形成されたセラミック単層領域と、電極層とセラミック層とが積層された電極層形成領域とから構成されている。 - 特許庁

The layer thickness of the light shielding layer 33 is smaller than that of the light shielding layer 20, and an opening width of an opening OP1 formed at the light shielding layer 33 is smaller than that of an opening OP2 formed at the light shielding layer 20.例文帳に追加

遮光層33の層厚は、遮光層20の層厚よりも薄く、遮光層33に形成された開口OP1の開口幅は、遮光層20に形成された開口OP2の開口幅よりも狭い。 - 特許庁

A 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of 1 nm to 10 μm is formed on the Si single crystal substrate 2, and a C-BP single crystal layer 4 having a thickness of 1 nm to 10 μm and a compound semiconductor single crystal layer 5 having a thickness of 1 nm to 500 μm are formed in order on the 3C-SiC single crystal layer.例文帳に追加

Si単結晶基板2上に厚さ1nm〜10μmの3C−SiC単結晶層3が形成され、この3C−SiC単結晶層上に厚さ1nm〜10μmのC−BP単結晶層4及び厚さ1nm〜500μmの化合物半導体単結晶層5がこの順で形成されている。 - 特許庁

The film thickness measuring method forms a laminated film L0 by integrating an adhesion layer L1 comprising film thickness T1 on a substrate S including a mask pattern M by forming the mask pattern M on the substrate S, a measuring object layer Lm, and a protection layer L2 comprising film thickness T2 by having higher mechanical strength than the measuring object layer Lm in order.例文帳に追加

基板Sの上にマスクパターンMを形成し、マスクパターンMを含む基板Sの上に膜厚T1からなる密着層L1と、測定対象層Lmと、測定対象層Lmよりも高い機械的強度を有して膜厚T2からなる保護層L2とを順に積層して積層膜L0を形成した。 - 特許庁

A layer thickness maintaining blade 30 for scraping the hot meltable resin from an image release layer 20 is provided with a slit 50 for movement and the toners containing the hot meltable resin deposited in the regulating region is expelled through the slit 50 for movement, thereby, the layer thickness of the image release layer 20 can be surely maintained at a desired thickness.例文帳に追加

熱溶融性樹脂を画像剥離層20から掻き取る層厚維持ブレード30に移動用スリット50を設けて、規制領域に堆積した熱溶融性樹脂を含むトナーを移動用スリット50を通じて排除することで、画像剥離層20の層厚を所望の厚さに確実に維持できる。 - 特許庁

The refractive layer of the antireflection film is constituted such that the total film thickness of the first to third refractive layers is 180 to 220 nm, the film thickness of the first refractive layer is 10 to 50 nm, the film thickness of the third refractive layer is 150 to 190 nm and, further, only the first to third layer are deposited under ion beam assisted irradiation.例文帳に追加

この反射防止膜の屈折率層の構造は第1〜第3の屈折率層の膜厚の総和を180〜220nmとし、第1の屈折率層の膜厚を10〜50nmとし、第3の屈折率層の膜厚を150〜190nmとし、更に第1層〜第3層のみをイオンアシスト照射下で蒸着させる。 - 特許庁

Then a 1st silicide layer 261 with a 1st thickness is formed in the upper surface of the deep source/drain region, and a 2nd silicide layer 262 extending from the 1st silicide layer but with a 2nd thickness thinner than the 1st thickness of the 1st silicide layer is formed in a part of the surface part of the upper part of the extending source/drain region.例文帳に追加

次に、ディープソース/ドレイン領域の上部表面には第1厚さの第1シリサイド層261が形成され、ソース/ドレイン延長領域の上部の一部表面には第1シリサイド層から延びるが、第1シリサイド層の第1厚さよりも薄い第2厚さをもつ第2シリサイド層262が形成される。 - 特許庁

For example, the constitution which is provided with a fiber reinforced plastic layer 2 of 0.1 to 5 mm in thickness consisting of the fiber reinforced plastic sheet on a base layer 1 of 10 to 30 mm thickness consisting of the lumber and is provided with a surface layer 3 of 0.1 to 5 mm in thickness consisting of the lumber on this fiber reinforced plastic layer 2 is possible.例文帳に追加

例えば、木材からなる厚さ10〜30mmの基層1の上に、繊維強化プラスチックシートからなる厚さ0.1〜5mmの繊維強化プラスチック層2を設け、さらにこの繊維強化プラスチック層2の上に、木材からなる厚さ0.1〜5mmの表面層3を設けた構成が可能である。 - 特許庁

The sum of the product of the first magnetization M1d and the first film thickness t1d and the product of the second magnetization M1b and the second film thickness t1b is smaller than the product of magnetization M3a of the recording layer and the film thickness t3a of the recording layer.例文帳に追加

第1の磁化M1dおよび第1の膜厚t1dの積と第2の磁化M1bおよび第2の膜厚t1bの積との和は、記録層の磁化M3aと記録層の膜厚t3aとの積よりも小さい。 - 特許庁

A height from the suction surface 2a of the stopper 4 is the total or less of a thickness regulated by the adhesive layer and the porous body 3 and a thickness of an object 5, and is 70% or more of the thickness regulated by the adhesive layer and the porous body 3.例文帳に追加

ストッパー4の吸着面2aからの高さは、接着層および多孔質体3で規定される厚さと対象物5の厚さの合計以下、接着層および多孔質体3で規定される厚さの70%以上である。 - 特許庁

A color layer 13 formed on the counter substrate 10 has a first part having a prescribed film thickness and a color layer 14 formed on the counter substrate 10 has a second part having a film thickness thinner than the prescribed film thickness.例文帳に追加

対向基板10上に形成される色層13が、所定の膜厚を有する第1部分を有し、対向基板10上に形成される色層14が、所定の膜厚よりも小さな膜厚を有する第2部分を有する。 - 特許庁

The developing device includes: the layer thickness regulating blade 32 which is in slidable contact with a developer carrier and regulates the thickness of developer on a developer carrier; and the blade back seal 64 which is disposed between the layer thickness regulating blade 32 and a developing unit housing.例文帳に追加

現像装置は、現像剤担持体と摺接して現像剤担持体上の現像剤の厚さを規制する層厚規制ブレード32と、層厚規制ブレード32と現像器筐体との間に配設されるブレード裏シール64とを備える。 - 特許庁

When the film thickness of the second layer is L_1 and the film thickness of the first layer is L_2 which are different thicknesses, there is a relation of L_1<L_0<L_2 with a film thickness L_0 of a general organic light emitting device of a conventional technique.例文帳に追加

なお、これらの異なる膜厚の厚さのうち、第2の層の膜厚をL_1とし、第1の層の膜厚をL_2とするとき、従来技術にかかる一般的な有機発光素子の膜厚L_0との間には、L_1<L_0<L_2の関係がある。 - 特許庁

The total thickness of the quartz crucible 1 and the thickness of the foamed layer 12b of the quartz crucible 1 are detected and other parameter values are substituted in the Lambert application expression to calculate the thickness of a composite quartz glass layer 11 of the quartz crucible 1.例文帳に追加

石英坩堝1の総厚み,石英坩堝1の有泡層12bの厚みt_3 が検出され、その他のパラメータ値がランベルト応用式に代入され、石英坩堝1の合成石英ガラス層11の厚みt_1 が算出される。 - 特許庁

It includes measurement of a thickness A of the semiconductor wafer before the epitaxial growth process, measurement of a thickness B of the epitaxial wafer obtained after the epitaxial growth process and calculation of the thickness of the epitaxial layer as a difference (B-A) between the thickness B and the thickness A.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みAを測定すること、エピタキシャル成長工程後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みBを測定すること、前記厚みBと厚みAとの差分(B−A)として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。 - 特許庁

The rare earth containing layer 301 is a layer, prepared by adding the rare earth or Er to a silica base material and having a thickness of 0.3nm.例文帳に追加

希土類含有層301は、例えば、シリカ系材料に希土類としてErを添加した膜厚0.3nmの層である。 - 特許庁

The node coupling means couples each mesh node of the surface layer with the mesh node of the base layer which is adjacent in the plate thickness direction.例文帳に追加

節点結合手段は、表皮層の各メッシュ節点を、板厚方向に隣接する基材層のメッシュ節点に結合する。 - 特許庁

An electrode, formed by successively laminating an activator layer having film thickness of 30μm or less and a current collector layer, is provided.例文帳に追加

電解質側から膜厚が30μm以下の活物質層と、集電体層とを順次積層した電極を備える。 - 特許庁

A layer for a material for an embossing process is coated with a thin repelling film having a thickness of a molecular size prior to the imprint of the layer.例文帳に追加

エンボス加工用材料層を、その層のインプリントに先立ち、分子の大きさの程度に薄い離型膜でコーティングする。 - 特許庁

The width or film thickness of the electroluminescent layer is determined depending on a distance of a connecting point between the lead and the transparent layer.例文帳に追加

本願発明は、リードと電極層からの接続点に応じてエレクトロルミネッセンス層の幅又は膜の厚みを決定している。 - 特許庁

The electromagnetic wave absorption layer has at least one window 3 which pierces part of the upper surface of the reflection layer in the thickness direction.例文帳に追加

電波の吸収層は、反射層の上面の一部に厚さ方向に抜かれた少なくとも1つの窓部3を有する。 - 特許庁

Making the thickness of the cap layer 132 in this range decreases the carrier loss in the cap layer 132 to improve the efficiency of light emission.例文帳に追加

キャップ層132の厚さをこのようにすると、キャップ層132でのキャリアロスが低減され、発光効率が向上する。 - 特許庁

It is preferable to laminate a hard coat layer with a film thickness of 1.0-10.0 μm between the polyester film and the high refractive index layer.例文帳に追加

ポリエステルフィルムと高屈折率層との間には、膜厚1.0〜10.0μmのハードコート層が積層されていることが好ましい。 - 特許庁

To provide a solution for a semiconductor layer with which the semiconductor layer having a desired thickness can be easily and excellently fabricated.例文帳に追加

所望の厚みの半導体層を容易にかつ良好に作製することが可能な半導体層用溶液を提供すること。 - 特許庁

To form a barrier layer in the bottom part or the like of a through hole, and moreover, to uniformize the film thickness of a barrier layer in the upper part or the like of the through hole.例文帳に追加

スルーホールの底部等にバリア層を形成し、さらにスルーホールの上部等でのバリア層の膜厚を均一にする。 - 特許庁

To obtain an inter-layer insulation layer covering an upper electrode, collectively realizing low taper angle, increase of film thickness, and security of Na blocking property.例文帳に追加

低テーパー角、厚膜化、Naブロック能力の確保が同時に実現する上部電極を被覆する層間絶縁層を得る。 - 特許庁

The catalyst layer 24 and the diffusing layer 27 are provided with penetrating parts 28 which penetrate into each other in a thickness direction.例文帳に追加

触媒層24と拡散層27とは、厚さ方向で互いに貫入し、親水性を呈する貫入部28を備えている。 - 特許庁

The second heat generating layer 23b is formed so that layer thickness or/and volume resistivity may differ according to the position in a width direction.例文帳に追加

そして、第2発熱層23bは、層厚又は/及び体積抵抗率が幅方向の位置によって異なるように形成される。 - 特許庁

The magnetization fixed layer 3a is required to have the thickness of degree of 10 times or more of that of the magnetization free layer 3c, if it is a single material.例文帳に追加

磁化固定層3aは、単一材料であれば、磁化自由層3cの10倍程度以上の厚さを必要とする。 - 特許庁

This allows reduction in wear of a surface layer of the developing roller 100 due to the layer thickness regulating blade 32.例文帳に追加

このように構成することにより、層厚規制ブレード32による現像ローラ100の表層の摩耗を低減することができる。 - 特許庁

The protecting layer 11 is made adjacent to one side of the internal electrode area layer 10, and provided with a thickness T2 capable of giving a shaving allowance.例文帳に追加

保護層11は、内部電極領域層10の片側にのみ隣接し、削り代を与え得る厚みT2を有している。 - 特許庁

The total thickness of metal layers 3 on both sides of a first resin insulating layer 4 is set to be greater than that of the first resin insulating layer.例文帳に追加

第1樹脂絶縁層4両面の金属層3の合計厚みを、第1樹脂絶縁層の厚みより厚く設定する。 - 特許庁

This ensures that the bulky dielectric layer is formed in the favorable shape, and that the dielectric layer is formed uniformly with a fixed film thickness.例文帳に追加

良好な形状の嵩上げ誘電体層を確実に形成でき、誘電体層を一定の膜厚で均一に形成できる。 - 特許庁

To homogenize the thickness of a light emitting layer when a light emitting device is manufactured by forming the light emitting layer by applying a material.例文帳に追加

発光層を材料の塗布により形成して発光装置を製造する場合に、発光層の厚みの均質化を実現する。 - 特許庁

A protective layer 22 provided with slits 22a passing through the layer in its thickness direction is formed on the emitter electrode 20.例文帳に追加

エミッタ電極20の上に、厚み方向に貫通しているスリット22aが設けられている保護層22が形成されている。 - 特許庁

The thickness of the transparent resin layer is 5-50 μm and 1/5-2 times as large as the average particle size of a coloring agent used in the ink layer.例文帳に追加

透明樹脂層の厚みが5〜50μmであり、インキ層に用いられる着色剤の平均粒径の1/5〜2倍である。 - 特許庁

Preferably, the film thickness of a reflection layer is in a range of 120-180 nm and the groove width of the reflection layer is in a range of 85-150 nm.例文帳に追加

また、反射層の膜厚を120〜180nmとし、反射層の溝幅を85〜150nmとすることが好ましい。 - 特許庁

A sole 2 of the footwear is composed of an upper layer part 3 and a lower layer part, which have elasticity together, and have uniform thickness as a whole.例文帳に追加

履物の底2はいずれも弾性を有する上層部と下層部とから成り、全体で均一な厚さとなっている。 - 特許庁

例文

Hereby, electric resistances of the positive electrode active material layer 14 and the negative electrode active material layer 18 in the film thickness direction can be reduced.例文帳に追加

これにより、正極活物質層14及び負極活物質層18の膜厚方向の電気抵抗を低減できる。 - 特許庁




  
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