「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The thickness T of the silver layer 6 is adjusted so that the mean thickness value of the silver layers 6 of a plurality of capacitor elements may become 20-50 μm.例文帳に追加

前記前記銀層６における膜厚さＴを、複数個の各コンデンサ素子についての膜厚さの平均値で２０〜５０ミクロンにする。 - 特許庁

The flattened substrate 40 is mechanically polished, thereby reducing the thickness of the conductive layer 42 to a specified thickness.例文帳に追加

本方法では、平坦になった基板４０に対して機械研磨を行うことにより、導電層４２の膜厚を所要の厚さに減少させる。 - 特許庁

When the thickness of the sticking preventive layer is defined as X[μm] and the thickness of the semiconductor chip is defined as Y[μm], the relation of X/Y≤0.5 is fulfilled.例文帳に追加

前記付着防止層の厚さをＸ［μｍ］、前記半導体チップの厚さをＹ［μｍ］としたとき、Ｘ／Ｙ≦０．５の関係を満足する。 - 特許庁

The thickness of the residual adhesive layer 3 excluding the scraped-off portion is preferably 70% or less of the thickness before the laser irradiation.例文帳に追加

前記の削り取られている部分を除く、残存した粘着剤層３の厚さがレーザ照射前と比べ、７割以下であることが好ましい。 - 特許庁

The p-type buried layer 26 has a thickness reduction part 24 in which a thickness is reduced from a source electrode 10 side toward a drain electrode 2 side.例文帳に追加

ｐ型埋込み層２６は、ソース電極１０側からドレイン電極２側に向けて厚みが減少する厚み減少部２４を有している。 - 特許庁

The thickness H2 of the front surface 21b of the lower core layer 21 is made smaller than the thickness H1 of the rear section 21e over the whole area.例文帳に追加

前記下部コア層２１の前端面２１ｂの膜厚Ｈ２は、その全域にて、後方部２１ｅの膜厚Ｈ１より薄く形成されている。 - 特許庁

An anti-ferromagnetic layer 7 of a spin valve film 1 is film- formed to a thickness equal to a critical film thickness which has been known.例文帳に追加

スピンバルブ膜１における反強磁性層７を成膜するときに、先ず従来から知られている臨界膜厚と同じ厚さで形成する。 - 特許庁

The rubber tube 10 for the squeeze type pressure feed pump comprises an inner rubber layer 12, a steel code layer 14 and an outer rubber layer 16, and has a thin wall part in which thickness of an inner rubber layer in at least one end part side is thinner than thickness of the inner rubber of a pressure feed part formed therein.例文帳に追加

内側ゴム層１２、スチールコード層１４及び外側ゴム層１６とからなり、少なくとも一方の端部側の内側ゴム層の厚さが圧送部の内側ゴムの厚さよりも薄い薄肉部が形成されているスクイーズ式圧送ポンプ用ゴムチューブ１０とする。 - 特許庁

A layer structure examining means 2 examines whether the layer structure is symmetrical with respect to the center line showing the middle of the plate thickness of the plate-shaped articles, having the layer structure designated by the layer structure designating means 1 on the cross-section of the plate thickness direction of the plate-shaped articles.例文帳に追加

層構造調査手段２により、層構造指定手段１が受けて指定された層構造を有する板状物品の板厚方向の断面上で、この板厚の中間を示す中心線を軸にして層構造が対称であるか否かを調査する。 - 特許庁

Total thickness X of a fourth upper cladding layer 26 and a second contact layer 27 of the second semiconductor laser 29 is set smaller than the total thickness Y of a second upper cladding layer 16 and a first contact layer 17 of the first semiconductor laser 19.例文帳に追加

第２の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚Ｘが第１の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。 - 特許庁

Thereby, since a soluble part which dissolves when applying the solvent such as xylene on the hole injection material layer becomes small, the layer thickness of an intermediate layer after dissolution can be thickened, and the film thickness of the hole injection layer can be thickened.例文帳に追加

これにより、正孔注入材料層上に当該キシレンなどの溶剤を塗布したときに溶解する可溶性部分が少なくなるため、溶解後の中間層の層厚を厚くすることができ、正孔注入層の厚膜化を実現することができる。 - 特許庁

The thickness of a portion of the cover insulating layer 13 above a region R1 of the base insulating layer 11 in which the lead wire S for plating is formed is set smaller than the thickness of a portion of the cover insulating layer 13 above other regions of the base insulating layer 11.例文帳に追加

めっき用リード線Ｓが形成されるベース絶縁層１１の領域Ｒ１上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みは、ベース絶縁層１１の他の領域上におけるカバー絶縁層１３の部分の厚みよりも小さく設定される。 - 特許庁

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress.例文帳に追加

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。 - 特許庁

Rubber thickness D1 from a rib bottom of the V-rib 14 of the inside rib rubber layer 12 to the core line 18 of the adhesive rubber layer 11 and rubber thickness D2 from a rib bottom of the V-rib 16 of the outer rib rubber layer 13 to the core line 18 of the adhesive rubber layer 11 are same.例文帳に追加

内側リブゴム層１２のＶリブ１４のリブ底から接着ゴム層１１の心線１８までのゴム厚さＤ１と外側リブゴム層１３のＶリブ１６のリブ底から接着ゴム層１１の心線１８までのゴム厚さＤ２とが同一である。 - 特許庁

A liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 is formed on the passivation film 64 in the reflection region 50B and the pixel electrode 55 is formed on the passivation film 64 of the transmission region 50A and on the liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 of the reflection region 50B.例文帳に追加

反射領域５０Ｂのパッシベーション膜６４上には、液晶層厚調整層６５が形成され、透過領域５０Ａのパッシベーション膜６４上、および反射領域５０Ｂの液晶層厚調整層６５上に、画素電極５５が形成される。 - 特許庁

When a color filter is manufactured, the following relation holds; Bft=k(B×Aft/A), wherein dry etching rate and layer thickness of the colored layer are respectively A (μm/min) and Aft (μm), and dry etching rate and layer thickness of a photosensitive resin layer are respectively B (μm/min) and Bft (μm).例文帳に追加

カラーフィルタを作製する際に、着色層のドライエッチング速度Ａ（μｍ／ｍｉｎ）及び層厚Ａｆｔ（μｍ）、並びに感光性樹脂層のドライエッチング速度Ｂ（μｍ／ｍｉｎ）及び層厚Ｂｆｔ（μｍ）が、Ｂｆｔ＝ｋ（Ｂ×Ａｆｔ／Ａ）の関係式を満たす。 - 特許庁

A calculation part 112 calculates the wear amount (layer thickness decrease amount) of the photosensitive layer 92 by using variation (value of tilt α: relation information) of the saturation charge amount Q of the image holding body 22 to the wear (layer thickness decrease of 1 μm) of 1 μm of the protective layer 98.例文帳に追加

演算部１１２は、保護層９８の１μｍの摩耗（１μｍの層厚減少）に対する像保持体２２の飽和電荷量Ｑの変化量（傾きαの値：関係情報）を用いて感光層９２の摩耗量（層厚減少量）を算出する。 - 特許庁

Values of basis weight and thickness of outside parts partitioned by the pair of upper layer slits 40 of the upper layer absorptive body 23U are made larger than values of basis weight and thickness of the upper layer absorptive body 23U sandwiched by the pair of upper layer slits 40.例文帳に追加

上層吸収体２３Ｕのこれら一対の上層スリット４０により区画された外側部分の目付け及び厚みの値は、一対の上層スリット４０により挟まれた上層吸収体２３Ｕの部分の目付け及び厚みの値より、大きくされる。 - 特許庁

A film thickness of a seed layer 6 in the center of a semiconductor wafer 1 is more thinned in comparison with a film thickness of a seed layer 6 of the circumferential portion, thereby removing the seed layer 6 of the circumference and the seed layer 6 of the center about at the same time, and reducing the etching time.例文帳に追加

半導体ウェハ１の中央部のシード層６の膜厚を外周部のシード層６の膜厚に比べ薄くすることで、ウェットエッチング時に外周部のシード層６と中央部のシード層６がほぼ同時に除去され、エッチング時間を短縮できる。 - 特許庁

By forming an inclined section 19a thereon, the cover lay 15 is formed so that a layer thickness C of an adhesive layer 17 at an end 19 is smaller than a layer thickness B of the adhesive layer 17 at sections other than the circuit 13 except the end 19.例文帳に追加

カバーレイ１５は、傾斜部１９ａが形成されることにより、端部１９における接着剤層１７の層厚さＣが、端部１９以外で回路１３上を除く部分の接着剤層１７の層厚さＢよりも薄くなるように形成されている。 - 特許庁

The cover tape includes a biaxially oriented film layer, an intermediate layer of a polyolefin based resin and a heat seal layer of an ethylene-vinyl acetate based copolymer wherein a thickness of the heat seal layer is 2 μm or more, and the cover tape has a modulus in tension of 1,100 to 1,900 Mpa and a thickness of 70 μm or less.例文帳に追加

二軸延伸フィルム層、ポリオレフィン系樹脂の中間層およびエチレン酢酸ビニル系共重合体のヒートシール層を有し、ヒートシール層の厚みが２μｍ以上、引張弾性率が１１００〜１９００ＭＰａ、厚みが７０μｍ以下であるカバーテープ。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a transmissive display region T and a reflective display region R, wherein layer thickness dr of a liquid crystal layer 50 in the reflective display region R is larger than layer thickness dt of the liquid crystal layer 50 in the transmissive display region T.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有し、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚ｄｒが透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚ｄｔよりも大きい。 - 特許庁

In the silica glass crucible, an opaque layer containing many closed pores is characterized in that the thickness is 4-6 when the thickness of a transparent layer at the inner surface side is set to be 1, the viscosity at 1,350°C is ≥11.0 poise, and the deflection amount of the opaque layer to that of the transparent layer is within ±15%.例文帳に追加

本シリカガラスルツボは、内表面側の透明層の厚さを１としたとき、多数の閉気孔を含んだ不透明層が、その厚さ４〜６、１３５０℃における粘度が１１．０ポイズ以上、透明層のたわみ量に対し、±１５％以内のたわみ量を有する。 - 特許庁

A cleaning roll 100, which cleans the electrifying roll 14, is set so that 0.05 mm≤T≤0.25t is satisfied, where (t) is the layer thickness of a sponge layer 100B, bonded and fixed on an outer circumferential surface of a shaft 100A, and T is the layer thickness of an adhesive layer 100.例文帳に追加

帯電ロール１４をクリーニングするクリーニングロール１００では、シャフト１００Ａの外周面に接着固定されるスポンジ層１００Ｂの層厚をｔとし、接着層１００Ｃの層厚をＴとしたときに、０．０５ｍｍ≦Ｔ≦０．２５ｔを満足するように設定する。 - 特許庁

As the second-layer resistor layer of the two layers of the resistor layers is formed in the nickel-copper alloy plated resistor layer formed by a nickel-copper alloy plating method without forming a resistor layer constituting the second-layer resistor layer as the calcined resistor layer, a control of the resistance value of the component and a low resistance is facilitated by adjusting the thickness of a plated film.例文帳に追加

二層の抵抗体層の二層目を構成する抵抗体層を焼成抵抗体とすることなく、ニッケル・銅合金メッキ法で形成したニッケル・銅合金メッキ抵抗体層としたから、メッキ膜厚の調整制御によって低抵抗値での抵抗値の制御が容易になる。 - 特許庁

A thermal transfer material is provided with at least an intermediate layer and an image forming layer formed on a substrate, and the intermediate layer and/or the image forming layer contains a heat fusion substance having its individual average particle diameter larger than the total layer thickness of the intermediate layer and the image forming layer.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも中間層及び画像形成層を有する熱転写材料であって、前記中間層及び／又は画像形成層が、その個数平均粒子径が中間層及び画像形成層の合計の層厚より大きい熱溶融性物質を含有する熱転写材料。 - 特許庁

In the fixing roller 12, an elastic layer 17 having an inside layer 17A and an outside layer 17B is laminated on a base body 16, the hardness of the outside layer 17B is set larger than that of the inside layer and the thickness of the outside layer 17B is set thinner than that of the inside layer 17B.例文帳に追加

定着ローラ１２を基体１６の上に、内側層１７Ａと外側層１７Ｂを有する弾性層１７を積層し、外側層１７Ｂの硬度を内側層の硬度よりも高くし、かつ外側層１７Ｂの厚さを内側層１７Ａの厚さよりも薄くする。 - 特許庁

A lower electrode 2, a multilayered dielectric layer 3, and an upper electrode 4 are layered in order on a substrate 1, the multilayer structure of the dielectric layer 3 has a dielectric layer 3b as the uppermost layer, of relative permittivity smaller than that of a lower layer 3a, and the thickness of the uppermost layer 3b is formed thinner than the lower layer.例文帳に追加

基板１上に、下部電極２，多層の誘電体層３，上部電極４を順に積層し、誘電体層３は多層構造にして最上層を、下層３ａよりも比誘電率の小さい誘電体層３ｂとし、かつ最上層３ｂの厚さは下層よりも薄く形成する。 - 特許庁

An adhesion layer, a reflection layer essentially comprising Ag and a protective layer made of light-transmissive dielectric layer are formed on the surface of a plastic base in the order from the plastic base side, wherein a mixture layer of aluminum oxide and lanthanum oxide is used as the adhesion layer and the layer thickness is in the range of 10 to 120 nm.例文帳に追加

プラスチック基体の表面に、基体側から順に、密着層、Ａｇを主成分とする反射層、透光性誘電体層からなる保護層を形成し、密着層として酸化アルミニウムと酸化ランタンの混合物層を用い、その層厚を１０〜１２０ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

This surface acoustic wave device is provided with a diamond layer or a substrate layer and a diamond layer, a ZnO piezoelectric film layer, an interdigital electrode layer and short-circuit electrode layer and then especially includes (2π.H/λM)=3.0-10.0 when the thickness of the ZnO layer is H and the wavelength of a surface acoustic wave is λM.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、ダイヤモンド層あるいは基板層とダイヤモンド層と、ZnO圧電体膜層と櫛形電極層と短絡電極層とを備え、ZnO層の厚みをＨ、表面弾性波の波長をλMとした時、（2π・Ｈ／λM）=３．０〜１０．０が含まれる事を特徴とする。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer, gap layer and upper magnetic pole layer are preliminarily formed in the groove 11a of an insulating layer 11 so that a resist layer 21 can be formed with uniform thickness and that inclined faces 11c of a specified form can be formed in the insulating layer 11 with good reproducibility by using the resist layer.例文帳に追加

絶縁層１１の溝部１１ａ内に予め下部磁極層、ギャップ層、上部磁極層を形成することで、レジスト層２１の膜厚を均一に形成でき、前記レジスト層を利用して、前記絶縁層１１に所定形状の傾斜面１１ｃを再現性良く形成できる。 - 特許庁

To provide an electroplating apparatus by which a plated layer having a uniform film thickness can be formed.例文帳に追加

均一な膜厚のめっき層を形成することができる電解めっき装置を提供すること。 - 特許庁

In this case, at least one layer satisfies conditions of the thermal conductivity and thickness.例文帳に追加

この場合、少なくとも１層が上述の熱伝導率および厚さの条件を満足している。 - 特許庁

A metallic coating layer 7 having the thickness of 1 to 10 μm is laminated on a surface of the board body 2.例文帳に追加

基板本体２の表面に、厚さ１〜１０μｍのメタリックコーティング層７が積層されている。 - 特許庁

The thickness direction thread 7 is aligned so as to be folded back on the side of the liner 2 of the fiber layer 6.例文帳に追加

厚さ方向糸７は繊維層６のライナ２側で折り返すように配列されている。 - 特許庁

In this case, the thickness of the dielectric layer 7 is variably adjusted in accordance with the microwave band to be absorbed.例文帳に追加

吸収しようとするマイクロ波帯域に応じて誘電体層の厚さを可変調整する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING LEVEL OF MOLTEN METAL AND THICKNESS OF SLAG LAYER BY MEANS OF MICROWAVE LEVEL GAUGE例文帳に追加

マイクロ波レベル計による溶融金属レベル及びスラグ層厚の測定方法及び装置 - 特許庁

A thickness of a thickest part in the recess part 2 of the substrate 1 is thicker than that of the glass fiber layer 11.例文帳に追加

基板１の凹部２の中の最薄部の厚さは、ガラス繊維層１１の厚さよりも大きい。 - 特許庁

Preferably, in the tire 2, thickness of the cover layer is 0.3 to 0.7 mm.例文帳に追加

好ましくは、このタイヤ２では、上記被覆層の厚さは、０．３ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a liquid crystal cell with uniform thickness of liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶層の厚みが均一な液晶セルを効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The thickness of the temporary protective layer is equivalent to about 0.5 nm.例文帳に追加

少なくとも二つの単一層に等しい一時的な保護層の厚みは、約０．５ｎｍに対応する。 - 特許庁

Preferably, in the tire 2, thickness of the support layer is 0.5 to 1.4 mm.例文帳に追加

好ましくは、このタイヤ２では、上記支持層の厚さは、０．５ｍｍ以上１．４ｍｍ以下である。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING AND EVENING THICKNESS OF SEMICONDUCTOR LAYER ON ELECTRICAL INSULATION MATERIAL SURFACE例文帳に追加

電気絶縁材料の表面上の半導体層の厚さを減少しかつ均一化する方法 - 特許庁

To form a transparent layer for separating signal layers at high speed with less fluctuation of the film thickness thereof.例文帳に追加

信号層間を分離するための透明層を膜厚の変動を少なく高速に形成する。 - 特許庁

The light guide layer 16 has a thickness of 0.15 mm or larger, from the top face of the semiconductor light-emitting element 13.例文帳に追加

導光層１６は、半導体発光素子１３の上面からの厚さが0.15mm以上である。 - 特許庁