「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The cholesteric liquid crystal layer has a non-uniform pitch along the thickness direction of the layer and includes a crosslinked polymer material that substantially fixes the cholesteric liquid crystal layer.例文帳に追加

コレステリック液晶層は層厚方向にそって不均等なピッチを有しており、コレステリック液晶層を実質的に固定する架橋ポリマー物質を含んでいる。 - 特許庁

The method for manufacturing the Si semiconductor device having the quantum well structure comprises steps of forming an Si insulating layer 120 on an Si substrate 110, and further forming a thin metal layer 130 having a thickness of 10 nm or less on the layer 120.例文帳に追加

Ｓｉ系基板１１０の上にＳｉ系絶縁層１２０を形成し、さらにその上に、厚みが１０ｎｍ以下の薄い金属層１３０を形成する。 - 特許庁

The magnetoresistive film 3 comprises a free layer 19, a nonmagnetic layer 17, and a pinned layer 15 having at least two ferromagnetic films 21 and 25 of different thickness.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜３は、フリー層１９と、非磁性層１７と、相互に膜厚の異なる二つの強磁性膜２１、２５を少なくとも有するピンド層１５とを備える。 - 特許庁

The hole injection layer 3b and the conductive layer 3a are laminated in order from the cathode 2 side, and the thickness of the conductive layer 3a is 10 nm or less.例文帳に追加

陰極２側から順に前記ホール注入性層３ｂ及び導電層３ａが積層しており、前記導電層３ａの厚みが１０ｎｍ以下である。 - 特許庁

Since each organic buffer layer is formed by coating, the small thickness of each organic buffer layer results in a small angle of the outermost end of each organic buffer layer.例文帳に追加

各有機緩衝層は塗布により形成されるものであるから、各有機緩衝層の薄さは各有機緩衝層の最外端の角度の小ささにつながる。 - 特許庁

The thickness of a p-side well layer nearest the p-type semiconductor layer is 4 nm or more and the thicknesses of all the well layers except for the p-side well layer are less than 4 nm.例文帳に追加

ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ｎｍ以上であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層の厚さは４ｎｍ未満である。 - 特許庁

The laminated sheet 100 includes three layers that are an A-layer 10, a B-layer 20 and a C-layer 30 from the surface, and the total thickness is in a range of 55-300 μm.例文帳に追加

表面からＡ層１０、Ｂ層２０、Ｃ層３０の３層を備え、総厚みが５５μｍ以上３００μｍ以下の範囲である積層シート１００とする。 - 特許庁

The undoped AlGaN layer 16 is disposed more towards the active layer 14 side than the p-type AlGaN layer 17 and formed to have a thickness of 2 nm or less.例文帳に追加

そして、アンドープＡｌＧａＮ層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層１７より活性層１４側に配されているとともに、２ｎｍ以下の厚みに形成されている。 - 特許庁

The level difference part 29 made of the skin layer 23 is formed in the plate thickness direction in the boundary between the solid layer 27 of the vertical wall base part outside edge vicinity 19 and the expansion layer 25.例文帳に追加

縦壁基部外縁近傍部１９のソリッド層２７と膨張層２５との境界にスキン層２３からなる段差部２９を板厚方向に形成する。 - 特許庁

Further, the total of the layer thickness of each refractive index layer formed at the outside than the high refractive index layer formed of a transparent electrically conductive material is desirably controlled to ≤140 nm.例文帳に追加

さらに透明導電材料で形成された高屈折率層よりも外側に形成される各屈折率層の層厚の総和を１４０ｎｍ以下とするのが望ましい。 - 特許庁

That is, the barrier layer (1) is an aluminum foil layer with a thickness of 9-200 μm and hot water modifying treatment is applied to the surface on the side of the sealant layer or both surfaces of the aluminum foil.例文帳に追加

（１）バリア層；厚さ９〜２００μｍからなるアルミニウム箔層であり、このアルミニウム箔のシーラント層側もしくは両面に熱水変成処理が施されている層。 - 特許庁

The injection guide part is formed by alternately disposing the black color layer and another color layer having smaller film thickness than that of the black color layer.例文帳に追加

この注入ガイド部は、黒色着色層と、この黒色着色層よりも膜厚の薄い他の着色層とを混合配置することにより形成されている。 - 特許庁

The total thickness of the noble metal layer 13f is large enough to maintain the rough surface 13R of the nickel layer 13c with the surface of the noble metal plating layer 13f.例文帳に追加

該貴金属めっき層１３ｆの合計厚みは、貴金属めっき層１３ｆの表面がニッケル層１３ｃの粗面１３Ｒを維持する程度の厚みとなっている。 - 特許庁

A positive-hole transport layer 32 formed between the luminous layer 31 and a pixel electrode 25 is formed to have film thickness so that a surface contacting the luminous layer 31 is flat.例文帳に追加

発光層３１と画素電極２５の間に形成された正孔輸送層３２を、発光層３１と接する面が平坦になるような膜厚に形成している。 - 特許庁

Since the prism layer 11 is reinforced by providing the backing layer 12, the thickness dimension P1 of an expensive acrylic resin part (prism layer 11) can be reduced and cost can be reduced.例文帳に追加

また、裏打ち層１２を設けることでプリズム層１１が補強されるから、高価なアクリル樹脂部分（プリズム層１１）の厚さ寸法Ｐ１を小さくでき、コストを削減できる。 - 特許庁

At the bottom of the grooves 5a, 5b and 5c of the semiconductor layer 3, lower layer resistors 9a, 9b and 9c formed by the same thickness as the upper layer resistors 7a and 7b are formed.例文帳に追加

半導体層３の溝５ａ，５ｂ，５ｃの底部に、上層抵抗層７ａ，７ｂと同じ厚みで形成された下層抵抗体９ａ，９ｂ，９ｃが形成されている。 - 特許庁

Each of the linear regions 7a is formed in the core layer 3b by modifying one portion of the core layer 3b, and the line diameter is smaller than the thickness dimension of the core layer 3.例文帳に追加

各線状領域７ａはコア層３ｂの一部を改質することでコア層３ｂ内に形成されており、線径がコア層３の厚み寸法よりも小さ。 - 特許庁

A means for knowing the thickness after treatment is provided on the first layer of the sample and thereby the distance between the first layer and the second layer which is thereafter formed can be measured.例文帳に追加

また、試料の第１の層上に処理後の厚さがわかる手段を儲けることで、その後に形成する第２の層と第１の層との距離を測定できるようにする。 - 特許庁

To suppress the dispersion of the concentration of an impurity injected in a semiconductor layer even when the thickness of the semiconductor layer formed on an insulating layer is dispersed.例文帳に追加

絶縁層上に形成された半導体層の膜厚がばらついた場合においても、半導体層に注入される不純物濃度のばらつきを抑制できるようにする。 - 特許庁

The polyester laminated film is composed of a polyethylene terephthalate resin layer (A) and a layer (B) comprising a mixture of polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate and characterized in that the thickness of the layer (B) is 5-30 μm.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート樹脂層（Ａ）とポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレートの混合物の層（Ｂ）からなり、（Ｂ）層の厚みが５〜３０μｍである積層フィルム。 - 特許庁

As the result, the humor is pulled quickly from the surface layer into the liquid guiding layer, and absorbed in the direction of thickness without being spread to the absorbing and holding layer.例文帳に追加

その結果、体液は表面層から液案内層に急速に引き込まれ、さらに吸収保持層に拡散することなく厚さ方向へ向けて吸収される。 - 特許庁

To provide an electro-optical device in which occurrence of display unevenness is prevented by making layer thickness of an electro-optical material layer, such as a liquid crystal layer, fixed.例文帳に追加

液晶層等といった電気光学物質層の層厚を一定にすることによって表示にムラが発生することを防止できる電気光学装置を提供する。 - 特許庁

The barrier layer 12 is adapted in a thickness of 2-10 μm and applied to the core layer together with an intermediate adhesive layer 14 comprising an adhesive polymer such as an olefin copolymer containing a glycidyl methacrylate monomer unit by coextrusion.例文帳に追加

バリヤー層（１２）は、グリシジルメタクリレートモノマー単位を含むオレフィンコポリマーなどの接着性ポリマーの中間接着層（１４）と一緒にコア層上に共押出しする。 - 特許庁

The lure 10 is equipped with a substrate 11 in which the surface layer is a reflective layer and a transparent coated layer 12 formed in uneven film thickness on the surface of the substrate 11.例文帳に追加

ルアー１０は、表層が反射層である基体１１と、この基体１１の表面に不均一な膜厚で形成された透明被膜層１２とを備えている。 - 特許庁

The height of the magnetic domain control layer 13 and the refill insulation film 12 is made higher than the top surface of the free layer 31 in order to increase the thickness of the magnetic domain control layer 13.例文帳に追加

磁区制御層１３の膜厚を大きくするために、磁区制御層１３とリフィル絶縁膜１２の高さは、自由層３１の上面より高くなっている。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that a material of the conductor layer contains Cu as a main component, a main material of the covering layer is CuO, and the thickness of the covering layer is not less than 0.6 μm.例文帳に追加

また、導体層の材質をＣｕを主成分とするものとし、被覆層の主たる材質をＣｕＯとし、被覆層の厚さを０．６μｍ以上とするとよい。 - 特許庁

Removal of the surface layer is performed so as to make thickness t of the surface layer to be removed satisfy t/r≥0.02 when one half of the wire diameter ϕ of the wire before removing the surface layer is set up to be r.例文帳に追加

この表面層の除去は、表面層の除去前の線材の線径φの1/2をrとするとき、除去する表面層の厚さtがt/r≧0.02を満たすように行う。 - 特許庁

By forming a hard bias layer 6 on an antiferromagnetic layer 1, a horizontal surface 6' can be formed in a part higher than a lower surface 4' of a free magnetic layer 4 with small film thickness.例文帳に追加

反強磁性層１上にハードバイアス層６が形成されることによって、薄い膜厚で水平面６′をフリー磁性層４の下面４′よりも上方に形成できる。 - 特許庁

The adhesive sheet is produced by laminating a releasing agent layer, a resin layer curable with ionizing radiation and having a thickness of 3-30 μm and a tacky adhesive layer of 1-30 μm thick on one surface of a plastic film.例文帳に追加

プラスチックフィルムの一方の表面に、離型剤層、厚さ３〜３０μｍの電離放射線硬化樹脂層、及び厚さ１〜３０μｍの粘着剤層を積層する。 - 特許庁

The etching selectivity of the contact layer to the active layer is high and hence in a channel etching process the thickness of the active layer can be made uniform in the substrate plane.例文帳に追加

さらに、コンタクト層と活性層のエッチング選択比が大きいため、チャネルエッチングプロセスにおいて、活性層の厚さを基板面内で均一にすることが可能となる。 - 特許庁

An adhesive layer (14) with a thickness of 5 μm or below may be interposed between the water absorbing and retaining layer (12) and the paper (13) as well as between the plastic film (11) and the water absorbing and retaining layer (12).例文帳に追加

吸保水層（１２）と紙（１３）の間、プラスチックフィルム（１１）と吸保水層（１２）の間に、それぞれ厚さ５μｍ以下の接着剤層（１４）を介在させても良い。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film layered product excelling in conductivity even if the thickness of a conductive film layer is small, and excelling in adhesiveness of the conductive film layer to a transparent substrate layer.例文帳に追加

導電膜層の膜厚が薄くても導電性に優れ導電膜層と透明基板層との密着性に優れる透明導電膜積層体を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a substrate capable of precisely controlling the thickness of a semiconductor layer in a substrate with a partial insulation layer under a thin semiconductor layer.例文帳に追加

薄い半導体層の下に部分的な絶縁層を有する基板における該半導体層の厚さを精密に制御可能な基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The carrier block layer 2 is a wide gap semiconductor to the sub collector layer, and the sub-collector layer 3 has sufficiently high density and a sufficient thickness so as to reduce collector resistance.例文帳に追加

キャリアブロック層２は、サブコレクタ層に対するワイドギャップ半導体であり、サブコレクタ層３は、コレクタ抵抗を低減するために十分高濃度かつ十分な厚さを有している。 - 特許庁

The white dielectric layer 13 and the transparent dielectric layer 24, each contains a filler having a particle diameter of 30 to 60% of the thickness of each layer for maintaining their shapes.例文帳に追加

また、白色誘電体層１３及び透明誘電体層２４は、その形状を維持するために、粒径が層厚の３０〜６０％であるフィラーを含んでいる。 - 特許庁

At a distance from an active layer and in the direction of thickness, a tuning layer is arranged, which has a transition wavelength which is shorter than the wavelength of simulated emission from the active layer.例文帳に追加

活性層から厚さ方向にある間隔を隔てて、活性層からの誘導放出光の波長よりも短い遷移波長を有するチューニング層が配置されている。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer are mutually joined while sandwiching a depletion layer of a thickness which an electron and positive hole can transmit by a direct tunnel phenomenon.例文帳に追加

電子及び正孔が、ダイレクトトンネル現象により透過可能な厚さの空乏層を挟んでｐ型半導体層及びｎ型半導体層が相互に接合されている。 - 特許庁

After phosphorus is diffused in the polysilicon layer 13, a natural oxide film 14 is formed over the whole polysilicon layer 13 to arbitrary film thickness before a next resist layer is applied.例文帳に追加

ポリシリコン層１３の燐拡散後、次にレジスト層の塗布へと移行するまでにポリシリコン層１３上全体に任意の膜厚で自然酸化膜１４が形成される。 - 特許庁

A three-layer MEA of CEL (Catalyst Electrode Layer), PEM (Proton Exchange Membrane), and the second catalyst electrode layer is obtained, and effect capable of controlling the thickness of the membrane-electrode assembly is also obtained.例文帳に追加

これにより、ＣＥＬ＋ＰＥＭ＋第２の触媒電極層の三層式ＭＥＡが得られ、また、膜／電極接合体の肉厚を制御できる効果が得られる。 - 特許庁

The grindstone body 2 comprises an abrasive grain layer 6 which is circular and planar, and a first embedded plated layer 7 which covers an entire surface in the thickness direction of the abrasive grain layer 6.例文帳に追加

砥石本体２は、円環平板形状をなす砥粒層６と、砥粒層６の厚み方向の一面を覆う第一埋め込みめっき層７とによって構成する。 - 特許庁

In this case, preferably, the covering layer is a TiN layer covered by a physical vapor deposition process (PVD process), or, the thickness of the covering layer is controlled to 2 to 20 μm.例文帳に追加

この場合に、前記被覆層を物理蒸着法（ＰＶＤ法）により被覆されたＴｉＮ層とする、または、被覆層の厚みを２μｍ〜２０μｍとすることが好ましい。 - 特許庁

Heat of the recording layer generated by light irradiation is diffused in a film thickness direction at a light incident side of the recording layer 4 by the heat conductive layer 3 having a high heat conductivity.例文帳に追加

光照射により発生する記録層の熱は、熱伝導率の高い熱伝導層３により記録層４の光入射側で膜厚方向に拡散される。 - 特許庁

In the pneumatic tire having a tread comprising two layers of a surface layer and an inner surface layer, thickness of at least a part of the surface layer is made to 10 μm to less than 500 μm.例文帳に追加

表面層及び内面層の２層からなるトレッドを有する空気入りタイヤにおいて、前記表面層の少なくとも一部の厚さを10μm以上500μm未満にする。 - 特許庁

The pinned layer 35 comprises a laminate wherein a nickel chromium alloy layer 32 is interposed between a cobalt iron alloy layer 31 and a cobalt iron alloy layer 33, and especially, the pinned layer 35 is so constituted that the thickness of the cobalt iron alloy layer 31 which is positioned on a near side to a spacer layer 24 becomes about the twice of the cobalt iron alloy layer 33.例文帳に追加

コバルト鉄合金層３１とコバルト鉄合金層３３との間にニッケルクロム合金層３２が挿入された積層体を含み、特に、スペーサ層２４に近い側のコバルト鉄合金層３１の厚みがコバルト鉄合金層３３の厚みの約２倍となるようにピンド層３５を構成する。 - 特許庁

The louver layer 20 is integrally formed by alternately stacking a light transmitting layer 21 and a light shielding layer 22, the joined surface of the light transmitting layer 21 and the light shielding layer 22 is inclined at a prescribed angle to the thickness direction of the louver layer 20 and the louver layer 20 is tightly adhered through the mirror finished elastomer layer 30 to the liquid crystal panel 40.例文帳に追加

ルーバー層２０を、光透過層２１と光遮光層２２とを交互に積層して一体形成し、光透過層２１と光遮光層２２の接合面をルーバー層２０の厚さ方向に対し所定の角度で傾斜させ、ルーバー層２０を液晶パネル４０に鏡面エラストマー層３０を介して密着させる。 - 特許庁