「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The thickness ratio of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin layer is 30-90%.例文帳に追加

エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の層の厚みにおける比率が３０〜９０％である。 - 特許庁

The wirings 114 and 126 each consist of a TiSi layer with about 2 μm thickness, for example.例文帳に追加

配線１１４と配線１２４は共に例えば厚さ約２μｍのＴｉＳｉ層から成る。 - 特許庁

The thickness of the outer layer 32 at the easy-to-curve parts A is thicker than the other part.例文帳に追加

湾曲容易部Ａにおける中間層３３の厚さは、その他の部分より厚くなっている。 - 特許庁

The thickness of the resin film layer is ≤10 μm, and a polyester film is preferable as a resin film.例文帳に追加

該樹脂フィルム層の厚みが１０μｍ以下で、樹脂フィルムとしてはポリエステルフィルムが好ましい。 - 特許庁

The evaporated titanium is deposited on the base material 1 to form the titanium layer 2 of 0.3 to 0.5 μm thickness.例文帳に追加

気化したチタンが基材１上に堆積し、０．３〜０．５μｍのチタン層２を形成する。 - 特許庁

Also, a layer including the spherical cellulose deposited on the separator has a thickness of 2-40 μm.例文帳に追加

また、セパレーター上に付着させた球状セルロースを含む層の厚さは２〜４０μmである。 - 特許庁

In the resin pattern layer, a part or the whole of the thickness may be embedded in the base material sheet.例文帳に追加

また、樹脂模様層はその厚みの一部又は全部を基材シート中に埋没させても良い。 - 特許庁

The reaction-inhibiting layer 2 is made from nickel (Ni), and has a film thickness in a range of 0.1 to 5 μm.例文帳に追加

反応抑制層２は、ニッケル（Ｎｉ）からなり、０．１〜５μｍの範囲の膜厚を有する。 - 特許庁

Consequently, a negative birefringent layer suppressive in the variation of the thickness-directional phase difference value can be formed.例文帳に追加

これによって、厚み方向位相差値のバラツキが抑制された負の複屈折層が形成できる。 - 特許庁

A side surface of the flange portion 14 is provided with a concave portion 16 having a depth corresponding to a thickness of the elastic layer 17.例文帳に追加

フランジ部14の側面に、弾性層17の厚みに相当する深さの凹所16が設けられている。 - 特許庁

To improve a yield by uniforming film thickness of a receptive layer as well as improving an outward appearance.例文帳に追加

受理層の膜厚をより均一にして歩留まりを向上すると共に見栄えを良くする。 - 特許庁

Thus the sealing layer 444 of high dimensional stability with less variations in thickness can be formed.例文帳に追加

このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。 - 特許庁

The thickness of an adhesive layer 43 is to be not less than 10 μm and not more than 100 μm.例文帳に追加

接着剤層43の厚みが１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。 - 特許庁

In some embodiments, the in-plane light-emitting layer has a thickness greater than 50 Å.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、面内発光層は、５０Åよりも大きい厚みを有する。 - 特許庁

This head is a CPP type head in which a sense current is made to flow in the thickness direction of the free layer 46.例文帳に追加

また、フリー層４６の厚さ方向にセンス電流が流されるＣＰＰ型のヘッドである。 - 特許庁

In addition, the ratio of the film thickness of the etching stopper layer 24 to that of the first insulating film 20 is adjusted to 1 to 3.例文帳に追加

また、エッチングストッパ層２４と第１の絶縁膜２０との膜厚比を１乃至３にする。 - 特許庁

Total thickness of the adhesive material layer 6 is made at least half the diameter or more of the cable.例文帳に追加

上記粘着材層の合計の厚さを、ケーブルの線径の少なくとも半分以上とする。 - 特許庁

Besides, by changing the thickness of the active layer of the separating membrane, the inter-membrane differential pressure can be controlled.例文帳に追加

また、分離膜の活性層の厚みを変えることにより膜間差圧を制御することができる。 - 特許庁

The hardness of the intermediate layer 5 is from 35 to 50 and the thickness is not more than 1.2 mm.例文帳に追加

中間層５は、３５以上５０以下の硬度と、１．２ｍｍ以下の厚みとを備えている。 - 特許庁

To provide a display device with a uniform film thickness of a charge transport layer and its manufacturing method.例文帳に追加

電荷輸送層の膜厚が均一な表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method of forming an oxide layer composed of three parts which are different from each other in thickness.例文帳に追加

３つの異なる厚さを持つ酸化物層を形成するための新たな方法を提供する。 - 特許庁

The polysilicon layer having a thickness of 1-15μm is formed on an insulating film 12 for covering the main surface of one side of a semiconductor substrate 10, and thereafter, resist layers 16a-16c having a thickness of 1-1.5 times of that of the polysilicon layer are formed on the polysilicon layer.例文帳に追加

半導体基板１０の一方の主面を覆う絶縁膜１２の上に１〜１５μｍの厚さのポリシリコン層を形成した後、ポリシリコン層の上にその厚さの１〜１．５倍の厚さのレジスト層１６ａ〜１６ｃを形成する。 - 特許庁

Since the thickness of the rubber layer 26 is made equal to or greater than the thickness of the reinforcing layer 24, a buffer effect by this rubber layer 26 is sufficiently obtained and a cut (crack) due to an impact from a road surface is prevented from occurring in the pneumatic tire 10.例文帳に追加

また、ゴム層２６の厚みが補強層２４の厚み以上にされているので、このゴム層２６による緩衝効果が充分に得られ、路面からの衝撃によるカット（亀裂）が空気入りタイヤ１０に生じ難くなる。 - 特許庁

To simultaneously, highly accurately, and surely measure a film thickness of a surface layer into which fine particles of filler are dispersed and a film thickness of a photosensitive layer containing a surface layer into which fine particles of filler are dispersed in a photoconductive photoreceptor.例文帳に追加

光導電性感光体におけるフィラー微粒子を分散させた表面層の膜厚及びフィラー微粒子を分散させた表面層を含む感光層の膜厚を、同時に且つ精度良く確実に測定すること。 - 特許庁

The semiconductor structure has an Si substrate, an SiGe layer of a thickness equal to or smaller than the critical thickness which is formed on it and contains a Ge composition ≥20% and ≤80%, and a Ge epitaxial layer which is formed on the SiGe layer.例文帳に追加

この半導体構造は、Ｓｉ基板と、その上に形成された臨界膜厚以下の厚さのＧｅ組成が２０％以上８０％以下のＳｉＧｅ層と、ＳｉＧｅ層上に形成されたＧｅエピタキシャル層とを有する。 - 特許庁

The fiber reinforced plastic layer is formed by a filament winding method combining a hoop winding with a helical winding and/or an in-plane winding and the fiber reinforced layer thickness formed of the hoop winding is set to 50-75% of the whole fiber reinforced layer thickness.例文帳に追加

さらに、繊維強化プラスチック層を、フープ巻きとヘリカル巻き及び／又はインプレーン巻きとを組み合せたフィラメントワインディング法により形成し、フープ巻きで形成された強化繊維層厚を全強化繊維層厚の５０〜７５％とする。 - 特許庁

To provide a full depleted SOI semiconductor device provided with a back gate electrode, where a semiconductor layer (SOI layer) just under a gate electrode is small in thickness, and other semiconductor layers other than the SOI layer are large in thickness and low in resistance.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層（ＳＯＩ層）の厚さが薄く、それ以外の半導体層の部分の厚さが厚く、抵抗が低く、しかも、裏面ゲート電極を有する完全空乏型のＳＯＩ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

Further, the sum of the depth-directional thickness of the N^- drift layer 1 and the depth-directional thickness of the field stop layer 3 is smaller than the diffusion length of electrons and holes when the Frenkel defect density of the N^- drift layer 1 is the heat balancing density.例文帳に追加

また、Ｎ^-ドリフト層１の深さ方向の厚さとフィールドストップ層３の深さ方向の厚さとの和は、Ｎ^-ドリフト層１のフレンケル欠陥密度が熱平衡密度である場合の電子および正孔の拡散長よりも小さい。 - 特許庁

(1) This mandrel bar for hot seamless tubes is provided with the scale layer containing Fe oxides and having the thickness of 3-20 μm and the nitrided diffusion layer having the thickness of 50-500 μm under this scale layer on the surface.例文帳に追加

（１）その表面に、Ｆｅ酸化物を含有し厚みが３〜２０μｍであるスケール層と、このスケール層の下に、厚みが５０〜５００μｍである窒化拡散層とを備えることを特徴とする熱間継目無製管用マンドレルバーである。 - 特許庁

The conductive release layer is a layer based on siloxane and the thickness of the adhesive layer is preferably 0.1-10 μm and the synthetic resin film is preferably a polyester resin film with a thickness of 12-50 μm.例文帳に追加

この導電性の離型層がシロキサンを主成分とする層であり、接着剤層の厚さが０．１〜１０μｍの範囲にあることが好ましく、合成樹脂フィルムが厚さ１２〜５０μｍのポリエステル樹脂フィルムであることが好ましい。 - 特許庁

The laminated resin body in which acrylic resin layer is laminated on at least one of the surfaces of polycarbonate resin layer and the thickness of the polycarbonate resin layer is 50% or more of the total thickness is used as a coating member of a button switch.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂層の少なくとも一方の面にアクリル樹脂層が積層されてなり、ポリカーボネート樹脂層の厚みが全体の厚みの５０％以上である積層樹脂体を、ボタンスイッチの被覆部材として使用する。 - 特許庁

In order to solve the above problem, optimality treatment is performed on qualification wherein all layers of the Mo/Si mutual layer 20 is made into design thickness of at least 1.5 nm, and the Mo/Si mutual layer 20 of uneven thickness structure is realized wherein impact by a boundary layer is little.例文帳に追加

そこで、Ｍｏ／Ｓｉ交互層２０のすべての層を１．５ｎｍ以上の設計膜厚とする条件で最適化処理し、境界層による影響の少ない不均一膜厚構造のＭｏ／Ｓｉ交互層２０を実現する。 - 特許庁

An inner insulating layer 3 and an outer insulating layer 4 are formed in the circumference of a conductor 2; and the thickness (s) [mm] of the insulating layer 4 with respect to the total coating thickness (t)[mm] of the insulating layers is made to satisfy a relationship of 0.02≤s≤2t/3.例文帳に追加

導体２の外周に、内側絶縁層３と、外側絶縁層４とを設け、絶縁層の合計の被覆厚さｔ[ｍｍ]に対し、外側絶縁層４の厚さｓ[ｍｍ]を０．０２≦ｓ≦２ｔ／３の関係を満たすようにする。 - 特許庁

The velocity barrier layer preferably (1) reduces the velocity of an impinging gas stream by at least 50% across the thickness of the velocity barrier layer and (2) also preferably reduces the velocity of the impinging gas stream to less than 1 meter per second across the thickness of the velocity barrier layer.例文帳に追加

速度障壁層は、（１）速度障壁層の厚みを横切る衝突ガス流の速度を少なくとも５０％低減し、また（２）速度障壁層の厚みを横切る衝突ガス流の速度を１メートル毎秒未満に低減する。 - 特許庁

An MQW structure active layer 5 is formed by total lamination of five layers of a well layer 51 made of an In_0.30Ga_0.70N with a film thickness of about 3.5 nm and a barrier layer 52 made of a GaN with a film thickness of about 7 nm.例文帳に追加

ＭＱＷ構造の活性層５は膜厚約３．５ｎｍのＩｎ_0.30Ｇａ_0.70Ｎから成る井戸層５１と膜厚約７ｎｍのＧａＮから成るバリア層５２とが交互に合計５層積層することにより形成されている。 - 特許庁

The at least part of the inductor conductor segment extends through an insulating layer disposed between conductive layers, or is embedded in the insulating layer, wherein the part of the inductor conductor segment has a thickness one-half or more the thickness of the insulating layer.例文帳に追加

インダクタ導体部の少なくとも一部が、導体層間に設けられた絶縁基材を貫通するか、或いは導体層間に設けられた絶縁基材に埋め込まれかつ該絶縁基材の厚さの２分の１以上の厚さを有する。 - 特許庁

When it is defined that a wavelength of a primary mode elastic standing wave in the piezoelectric layer 32 is λ[nm] and the thickness of the piezoelectric layer 32 is t[nm], the thickness t[nm] of the piezoelectric layer 32 is set so as to satisfy 0.03λ ≤ t ≤ 0.15λ.例文帳に追加

圧電層３２中における１次モードの弾性定在波の波長をλ〔ｎｍ〕、圧電層３２の厚さをｔ〔ｎｍ〕とするとき、０．０３λ≦ｔ≦０．１５λを満足するように圧電層３２の厚さｔ〔ｎｍ〕が設定されている。 - 特許庁

On the remainings 11b-13b, a base layer 14 with a film thickness of 0.5-100 μm is formed; and on the base layer 14, a photocatalyst layer 15 with a film thickness of 0.15-50 μm is formed.例文帳に追加

残存部１１ｂ〜１３ｂ上には膜厚が０．５μｍ以上１００μｍ以下の下地層１４が形成されており、下地層１４上には膜厚が０．１５μｍ以上５０μｍ以下の光触媒層１５が形成されている。 - 特許庁

In this method, the base of the container is structured of at least two layers such as a layer 20 occupying a main thickness and a layer 10 occupying a subordinate thickness, laminated together with an adhesive layer 16.例文帳に追加

主たる厚みを占める層２０と、従たる厚みを占める層１０との少なくとも２層を接着層１６により貼着して基材を形成する構成において、基材の屈折位置において、不貼着領域１５を形成する。 - 特許庁

That is, the recording layer is deposited by performing the operation at least one time, wherein during deposition of the recording layer, when the thickness of the recording layer reaches a predetermined thickness, the deposition is temporarily interrupted and restarted, after a predetermined time passing.例文帳に追加

すなわち、記録層の成膜中に、記録層の膜厚が所定の膜厚になったときに、成膜を一時的に中断し、所定時間経過後、再び成膜を開始する操作を少なくとも一回実行して記録層を成膜する。 - 特許庁

The heat-sealable film is composed of a substrate layer of a polyester with a refractive index in the thickness direction of at least 1.500 and a heat-seal layer which is 4-40 μm in thickness, made of a polymer of at least 15,000 in number average molecular weight, and contacted with the substrate layer.例文帳に追加

厚み方向の屈折率が１．５００以上のポリエステル基材層と、これに接する数平均分子量１５０００以上のポリマーからなる厚み４〜４０μｍのヒートシール層とから構成される、ヒートシール性フィルム。 - 特許庁

A P-type second clad layer 20 whose thickness is almost 0.4 μm and which is composed of P-type Al0.07Ga0.93N, and a P-type contact layer 21 whose thickness is almost 0.1 μm and which is composed of P-type GaN, are grown on the etching stop layer 19A.例文帳に追加

続いて、エッチング停止層１９Ａの上に、厚さが約０．４μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｐ型第２クラッド層２０と、厚さが約０．１μｍのｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層２１を成長する。 - 特許庁

The thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right above the tunnel junction layer 105 is thinner than the thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right below the first electrode 110.例文帳に追加

トンネル接合層１０５の直上領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さが、第１の電極１１０の直下領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さよりも薄い。 - 特許庁

Further, a buffer layer 20 of AlGaN having a thickness of about 300 nm is grown on the ion implanted surface of the Si substrate 10, and a GaN layer 30 being an objective semiconductor crystal and having a thickness of about 200 μm is grown on the buffer layer 20.例文帳に追加

上記のＳｉ基板１０のイオン注入面上に、ＡｌＧａＮより成るバッファ層２０を約３００ｎｍ成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム（ＧａＮ）層３０を約２００μｍ成長する。 - 特許庁

A tunnel barrier layer 6 is provided at an n-electrode 15 side of the quantum well layer 7, while a tunnel barrier layer 8 provided at a p-electrode 14 side, with the thickness of the former and the latter being different.例文帳に追加

また、量子井戸層７のｎ電極１５側にトンネルバリア層６、ｐ電極１４側にトンネルバリア層８を配し、前者と後者の厚みを相異ならせる。 - 特許庁