「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

A threshold set when the internal defect of the bandlike body S is detected is set to be varied along a plate thickness direction of the bandlike body S, and a threshold in a surface layer position in the plate thickness direction is thereby made small compared with the center position in the plate thickness direction.例文帳に追加

帯状体Ｓの内部欠陥を検出する際に設定するしきい値を、帯状体Ｓの板厚方向において変化するように設定して板厚中心位置に比べ板厚表層位置でのしきい値を小さくする。 - 特許庁

A material layer of the target thickness is correctly deposited on the substrate by adjusting the deposition speed by controlling the moving speed of a crucible 18, the heating state of a heater 20 or the like according to the calculated thickness of the film thickness monitoring unit 52.例文帳に追加

算出された膜厚モニタ部５２の厚さに応じて、るつぼ１８の移動速度やヒータ２０の加熱状態などを制御して堆積速度を調整することで、目的とする厚さの材料層を基板上に正確に形成する。 - 特許庁

The plane configuration of an electrode is constituted so as to have at least two projection type curved sides and at least one straight line side to propagate thickness longitudinal vibration mode (thickness-extensional TE mode) along the thickness of the layer.例文帳に追加

電極の平面形状を、少なくとも２つの凸状の曲線辺および少なくとも１つの直線辺を有するように構成し、厚み縦振動モード（ＴＥモード）が、前記層の厚みに沿って伝搬するようになっている。 - 特許庁

The hose includes at least one permeation resistant layer, an elastomeric layer overlaying each at least one permeation resisting layer, at least one reinforcement layer overlaying an elastomeric layer, and a cover layer overlaying the at least one reinforcement layer, wherein the at least one permeation resistant layer includes a plurality of sublayers of at least two different thermoplastics wherein the sublayers have a thickness of less than 2,500 nanometers.例文帳に追加

少なくとも１つの透過抵抗層、少なくとも１つの透過抵抗層をそれぞれ覆うエラストマー層、エラストマー層を覆う少なくとも１つの強化層、および少なくとも１つの強化層を覆うカバー層を含み、少なくとも１つの透過抵抗層が少なくとも２つの異なる熱可塑性物質の複数の下位層を有し、下位層の厚さが２５００ナノメートル未満であるホース。 - 特許庁

In the optical recording medium having a reflection layer, a recording layer containing a dye and a transparent resin layer in this order on a substrate, a barrier layer is provided between the recording layer and the resin layer, a material used for the barrier layer has ≥70 W/(m K) heat conductivity M at 300 K as bulk and the barrier layer has <5 nm film thickness t.例文帳に追加

基板上に、反射層、色素を含む記録層、透明樹脂層を、この順で有する光記録媒体であって、前記記録層と前記樹脂層との間にバリア層を設けるとともに、前記バリア層に用いる材料のバルクとしての３００Ｋでの熱伝導率Ｍが７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、前記バリア層の膜厚ｔが５ｎｍより小さいようにする。 - 特許庁

Thereby, no influence is exerted on an increase in resistance due to reduction of the thickness of the p-type semiconductor layer by forming the surface plasmon layer between the n-type semiconductor layer and the active layer or between the active layer and the p-type semiconductor layer, and optical characteristics can be improved by inducing a resonance phenomenon between the surface plasmon layer and the active layer.例文帳に追加

従って、ｎ型半導体層と活性層との間または活性層とｐ型半導体層との間に表面プラズモン層を形成することによってｐ型半導体層の厚さ減少による抵抗増加に影響を受けることなく、表面プラズモン層と活性層との間に共鳴現象を誘導することによって光特性を改善させることができる。 - 特許庁

A method for forming holes into a circuit wiring board provided with a conductive layer 11 and an insulating layer 12 includes a step of forming a metallic mask layer 13 having a thickness of ≤2 μm on an insulator layer 12, a step of etching the insulator layer 12 by using the mask layer 13 as a mask, and a step of removing the mask layer 13.例文帳に追加

導電体層１１と絶縁体層１２とを備える回路配線板に孔を形成する方法であって、絶縁体層１２上に、厚みが２μｍ以下のメタルマスク層１３を形成する工程と、メタルマスク層１３をマスクとして絶縁体層１２をエッチングする工程と、メタルマスク層１３を除去する工程とを含む。 - 特許庁

The packaging material with the hidden release layer is provided with a hidden information layer, a transparent release layer and the masked release layer formed in the above order on one face of an opaque base layer and also a heat bonding resin layer laminated on the other face, and the hidden release layer is formed into the thickness of 2-8 μm in which a black ink is used.例文帳に追加

不透明基材層の一方の面に順に隠蔽情報層と透明離型層と隠蔽剥離層とが順に形成されるとともに他方の面に熱接着性樹脂層が積層された構成からなり、隠蔽剥離層が暗黒色インキを使用して２〜８μｍの厚さに形成された構成からなる隠蔽剥離層付き包装材料である。 - 特許庁

The organic electroluminescent element has a luminescence layer 4 and an electron carrier layer 5 between an anode 2 and a cathode 6, and between the luminescent layer 4 and the electron carrier layer 5, an intermediate layer 7 having a thickness 10-200 Å is provided, the intermediate layer is formed from material having larger ionization potential than that of the material used for the luminescent layer 4.例文帳に追加

陽極２と陰極６との間に少なくとも発光層４および電子輸送層５を有する有機ＥＬ素子の発光層４と電子輸送層５との間に、発光層４に用いられている材料よりも大きいイオン化ポテンシャルを有する材料からなる１０〜２００Åの膜厚の中間層７を設ける。 - 特許庁

To flatten an insulating resin film layer and a wiring layer to have a uniform thickness thereof in a step of exposing the wiring layer by grinding the insulating resin film layer and the wiring layer in a method of manufacturing the wiring circuit board having the insulating resin film layer and the wiring layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に絶縁樹脂膜層と配線層とが形成された配線基板の製造方法であって、前記絶縁樹脂膜層と前記配線層とを研削して前記配線層を露出させる工程において、絶縁樹脂膜層及び配線層の膜厚が均一になるように平坦化を図ることができる方法を提供する。 - 特許庁

In the multilayer wiring board comprising a structure in which a ground layer 1 or a power supply layer and the signal layer 3 are arranged via an insulation layer 2, the insulation layer 2 is constituted of a porous layer whose porosity is different in its thickness direction, and a face 2a on a side on which the porosity of the porous film is high is arranged on the side of the signal layer 3.例文帳に追加

グランド層１又は電源層と信号層３とが絶縁層２を介して配置された構造を有する多層配線基板において、前記絶縁層２を厚み方向で空孔率が異なる多孔質膜で構成すると共に、その多孔質膜の空孔率が高い側の面２ａを前記信号層３側に配置してあることを特徴とする。 - 特許庁

The hybrid material layer 14 consists essentially of inorganic glass and a photopolymer, the heat- or ultraviolet-cured photopolymer layer 16 is located on the dried hybrid material layer 14 in such a way that the total thickness of the photopolymer layer 16 and the hybrid material layer 14 is made uniform, and the second substrate 18 is fixed by adhesion with the photopolymer layer 16 as an adhesive layer.例文帳に追加

ハイブリッド材料層１４は無機ガラスとフォトポリマーを主成分とし、乾燥したハイブリッド材料層１４上に、このハイブリッド材料層１４と合わせた厚さが均一となるように、熱又は紫外線硬化されたフォトポリマー層１６を設け、このフォトポリマー層１６を接着層として前記第２の基板１８が接着固定されている。 - 特許庁

The light enhancement element is composed of a substrate, a high reflection layer formed on the substrate, a dielectric layer formed on the high reflection layer, and an enhanced electromagnetic field formation layer including multiple metallic fine particles formed on the dielectric layer, in which the thickness of the dielectric layer is 50 nm and more.例文帳に追加

この光増強素子は、基板と、この基板上に形成された高反射層と、この高反射層上に形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成された、多数の金属微粒子による増強電磁場形成層とよりなり、誘電体層の厚みが５０ｎｍ以上とされている。 - 特許庁

A soft magnetic laminate, having ≤500 Å thickness and constituted of a soft magnetic layer and a non-magnetic layer or a first soft magnetic layer and a second soft magnetic layer, having a crystal structure different from that of the first soft magnetic layer is provided between a non-magnetic substrate and a perpendicalar magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板と、垂直磁気記録層との間に、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層から構成されるか、あるいは第１の軟磁性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構成される軟磁性積層体を設ける。 - 特許庁

Thicknesses of the first adsorption layer (36)-the fourth adsorption layer (39) are made thicker in order of the first adsorption layer (36), the second adsorption layer (37), the third adsorption layer (38) and the fourth adsorption layer (39), and a thickness ranging over from the upstream of an air flow to the downstream thereof is substantially uniformized, when the adsorbent (35a) is swollen by absorbing the moisture.例文帳に追加

そして、第１吸着層（36）〜第４吸着層（39）の厚みは、第１吸着層（36）、第２吸着層（37）、第３吸着層（38）、第４吸着層（39）の順に大きくなっており、吸着剤（35a）が吸湿により膨潤すると、空気流の上流側から下流側にかけての厚みが略均一となる。 - 特許庁

When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

The second semiconductor layer 4 is thin to the extent that a depletion layer 7 generated on the interface between the Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 is extended in the thickness direction of the second semiconductor layer 4, for reaching the first semiconductor layer 3 when voltage is applied to cause the reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

To coat an adhesive layer to a uniform thickness in the data area of an optical recording medium partially having a structure in which after a layer including at least one light reflective layer is laminated on an optical transmissive substrate, forming an organic dye recording layer thereon, a dye protective layer is further laminated, and an adhesive layer is coated thereon.例文帳に追加

光透過性基板上に光反射層を少なくとも一層含む層を積層後、その層上に有機色素記録層を作製し、さらに色素保護層を積層し、その上に接着層を塗布した構造を一部に持つ光記録媒体のデータエリアにおいて、均一な膜厚で接着層の塗布を行う。 - 特許庁

The photosensitive film has a cushion layer, a photosensitive layer of 1-50 μm thickness and a cover film in this order on a base film, and the interlayer adhesive power of the cushion layer and photosensitive layer is lower than that of the base film and cushion layer but higher than that of the photosensitive layer and cover film.例文帳に追加

本発明の回路形成用感光性フィルムは、ベースフィルムの上に逐次クッション層、厚みが１〜５０μｍの感光層、カバーフィルムを有し、クッション層と感光層との層間接着力が、ベースフィルムとクッション層との層間接着力より小さくかつ感光層とカバーフィルムとの層間接着力より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁

The reflection film of the reflector is composed of an undercoating layer of a thickness 0.5 to 5 μm formed on the surface on the reflection surface side of a reflector substrate, a metallic thin-film layer laminated with a metallic thin film on the undercoating layer and a protective layer consisting of ceramics laminated on the upper layer of the metallic thin-film layer.例文帳に追加

リフレクタの反射膜を、リフレクタ基体の反射面側の表面に形成された０．５μｍ以上５μｍ以下の厚さのアンダーコート層と、該アンダーコート層の上層に金属薄膜が積層された金属薄膜層と、該金属薄膜層の上層に積層されたセラミックからなる保護層とからなる構成とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element comprises an SQW emission layer (active layer) 1 having a quantum well structure including a well layer 1a and a barrier layer 1b wherein the band gap energy of the well layer 1a is varied asymmetrically to the center of the well layer 1a in the thickness direction so that inclination of band due to a piezoelectric field is suppressed.例文帳に追加

この半導体発光素子は、井戸層１ａと障壁層１ｂとを含む量子井戸構造を有するＳＱＷ発光層（活性層）１を備え、井戸層１ａのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層１ａの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。 - 特許庁

To provide a magnetic tape which controls the thickness of a magnetic layer and interface fluctuations in an interface between the magnetic layer and an intermediate layer-combined layer just under the magnetic layer as a simultaneous layer-overlapping coated magnetic tape, consequently reduces PW 50 values of a solitary waveform and modulation noise and shows an excellent C/N characteristic.例文帳に追加

同時重層塗布型の磁気テープとして、磁性層の厚みと、磁性層と直下の中層結合層との界面における界面変動を制御することができ、その結果、孤立波形のＰＷ５０値の低減と変調ノイズの低減とが図られて良好なＣ／Ｎ特性を示す磁気テープを提供する。 - 特許庁

The retroreflective sheet is provided with a surface layer (1) consisting of at least one layer, a focusing layer (2) containing glass balls (3), and a metallic reflective layer (4) on the rear side of the focusing layer (2), and glass balls (3) are arranged at random in the thickness direction of the focusing layer (2).例文帳に追加

本発明の再帰反射シートは、少なくとも１層からなる表面層（１）と、ガラス球（３）を包含する焦点層（２）と、前記焦点層（２）の裏面側に金属反射層（４）を設けた再帰性反射シートにおいて、前記ガラス球（３）は、前記焦点層（２）の厚さ方向のアトランダムな位置に配置されている。 - 特許庁

Furthermore, doped polysilicone doping phosphorus is grown at the same concentration as that of the polysilicone lower layer 19 by an epitaxial device to add a polysilicone upper layer 20 having a thickness of 12 μm to the polysilicone lower layer 19 in order to form the polysilicone layer S by the polysilicone lower layer 19 and the polysilicone upper layer 20.例文帳に追加

さらに、リンをドープしたドープドポリシリコンをポリシリコンの下層１９と同じ濃度でエピタキシャル装置により成長させて、１２μｍの厚さのポリシリコンの上層２０をポリシリコンの下層１９に付加させることにより、ポリシリコンの下層１９とポリシリコンの上層２０とでポリシリコン層Ｓを成膜する。 - 特許庁

The ceramic layer interposed between the laminated layers 24 functions as the insulating layer between the electrodes, has a thick ceramic layer 23 having a large thickness at a substantially central position of the electrode layer, and has a thin ceramic layer 22 as a dielectric of the opposed electrode layer 23 at the other position.例文帳に追加

この積層された電極層２４間のそれぞれに介在するセラミック層は、電極間の絶縁層として機能し、厚みの厚い厚肉セラミック層２３を電極積層のほぼ中央位置に有し、他の箇所では、対向する電極層２４の誘電体となる薄厚のセラミック層２２とされている。 - 特許庁

The organic EL element has a transparent conductive film lamination layer that includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and consisting of metal other than silver, and a silver thin film layer consisting of silver or a silver alloy installed on the underlying layer, in which a film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄い透明導電膜積層体を有することを特徴とする。 - 特許庁

A film for a semiconductor includes a composite metal layer which includes a first metal layer 1 and a second metal layer 2 having a thickness of 0.01 μm or more and 3 μm or less, and at least a resin layer A5; and is laminated so that the resin layer A5 and the second metal layer 2 are in contact.例文帳に追加

半導体用フィルムは、第１の金属層１と、厚さが０．０１μｍ以上３μｍ以下の第２の金属層２との少なくとも二層からなる複合金属層、および少なくとも樹脂層Ａ５からなり、該樹脂層Ａ５と前記第２の金属層２とが接するように積層されて構成されている。 - 特許庁

In the antireflection laminated body, the refractive index of the low refractive index lower layer is lower by 0.03-0.30 than that of the low refractive index upper layer, and the thickness ratio d_(upper layer)/d_(lower layer) of the low refractive index upper layer to the low refractive index lower layer is within a range of 0.2-1.5.例文帳に追加

また、前記低屈折率下層の屈折率が前記低屈折率上層の屈折率よりも０．０３〜０．３０低いことを特徴とし、また前記低屈折率下層と前記低屈折率上層との厚み比が、ｄ_上層／ｄ_下層＝０．２〜１．５の範囲にあることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

In the laminated structure 30, the crystallizability of the InP layer 34 is made better than the InP layer on the conventional GaAs substrate, and a surface shape is made better than the InP layer by interposing the layer 34 having the film thickness having a ratio of 0.35 to the critical film thickness between the substrate 32 and the layer 34 as a buffer layer as the example.例文帳に追加

本化合物半導体積層構造３０は、本実施形態例では、臨界膜厚に対する比率が０．３５の膜厚を有するＧａＡｓ_０．９５Ｐ_０．０５層３４をＧａＡｓ基板３２とＩｎＰ層３４との間にバッファ層として介在させることにより、従来のＧａＡｓ基板上のＩｎＰ層に比べて、ＩｎＰ層３４の結晶性を向上させ、表面形状を良好にしている。 - 特許庁

The luminous layer is less in film thickness on the light pattern layer than at the circumference of the pattern layer, so the pattern layer is visible in a dark place by generating a difference in intensity of light emission by the difference in film thickness of the luminous layer and is hidden behind the luminous flux when no light is emitted the pattern layer is made invisible in a light place.例文帳に追加

明るい絵柄パターン層上に形成した蓄光層の膜厚が絵柄パターン層周囲の蓄光層の膜厚に比べて薄くすることで、暗い場所では蓄光層の膜厚の差により発光の強度に差を生じさせて絵柄パターン層を視認でき、かつ非発光時は蓄光層が絵柄パターン層を隠蔽するように形成することで、明るい場所では絵柄パターン層が視認できないようにできる。 - 特許庁

This transparent conductive film laminate includes a substrate, an underlying layer installed on the substrate and made of metal except silver, and the silver thin film layer installed on the underlying layer and composed of silver or silver alloy, and film thickness of the underlying layer is thinner than that of the silver thin film layer.例文帳に追加

本発明の透明導電膜積層体は、基板、該基板上に設けられた銀以外の金属からなる下地層と、該下地層上に設けられた銀または銀合金からなる銀薄膜層を含み、下地層の膜厚が銀薄膜層の膜厚よりも薄いことを特徴とする。 - 特許庁

The polarizing plate structure has a black dye layer formed of black dye, and this black dye layer is disposed on a protection layer and absorbs light emitted by a polymer thin-film layer, the thickness of the black dye layer determines saturation of the absorption.例文帳に追加

偏光板構造は、黒色染料で形成された黒色染料層を具え、この黒色染料層が保護層の上に位置し、且つこの黒色染料層が高分子薄膜層が放射した光を吸収し、更に、この黒色染料層の厚さがその吸収の飽和度を決定する。 - 特許庁

Interdigital structures 11 and 12 are formed by alternately arranging the conductive layer and the dielectric layer of a nano scale controlled in a deposition process, and are obtained by a cross section substantially vertical to a deposition layer by alternately depositing the conductive layer and the dielectric layer in the thickness of the nano scale by a deposition method such as CVD.例文帳に追加

ＣＶＤなどの堆積法により導電層と誘電体層を交互にナノスケールの厚さに堆積し、堆積層に略垂直な断面により、これら堆積過程で制御されたナノスケールの導電層と誘電体層が交互に配置されたすだれ状の構造１１，１２を得る。 - 特許庁

The electrolyte membrane 2 has an inner electrocatalyst layer 20 having conductivity, and a cathode side electrolyte membrane 21 which is installed between the inner electrocatalyst layer 20 and the cathode catalyst layer 3, electrically connects the inner electrocatalyst layer 20 and the cathode catalyst layer 3, and has conductivity in the thickness direction.例文帳に追加

電解質膜２は、導電性をもつ内部電極触媒層２０と、内部電極触媒層２０とカソード触媒層３との間に設けられ内部電極触媒層２０とカソード触媒層３とを電気的に繋ぐ導電性をもつカソード側電解質膜２１とを厚み方向に有する。 - 特許庁

To provide a CBD bath for forming an InS layer as a buffer layer between a p type semiconductor layer and an n type semiconductor layer constituting a compound solar cell by a CBD method by forming an InS layer with predetermined thickness without repeating the same operation several number of times.例文帳に追加

化合物太陽電池を構成するｐ型半導体層とｎ型半導体層との間にバッファー層としてのＩｎＳ層をＣＢＤ法で形成する際に、同一操作を複数回繰り返すことなく所定厚さのＩｎＳ層を形成できるＣＢＤ浴を提供する。 - 特許庁

In the film forming step S13, the tarnish layer having estimated characteristics is set as a first layer on the basis of the refractive index and the physical thickness of the tarnish layer, and a multilayer dielectric film is formed so that the first layer and the multilayer dielectric film formed on the first layer serve as an antireflective film.例文帳に追加

成膜ステップＳ１３では、ヤケ層の屈折率及び物理膜厚に基づいて、この特性のヤケ層を第１層目として設定し、この第１層目とその上に形成する誘電体多層膜とで反射防止膜として機能するように、誘電体多層膜を成膜する。 - 特許庁

The tubular body includes a laminated body of outer layer 121 and an inner layer 122, and includes a region exhibiting higher conductivity than other regions (the inner layer 122 region and the outer layer 121 region other than a conductivity point uneven distribution region 124A) in the thickness direction in the inner layer 122.例文帳に追加

外層１２１及び内層１２２の積層体からなる管状体であって、内層１２２には、厚み方向において、他の領域（導電点偏在領域１２４Ａ以外の内層１２２領域、及び外層１２１領域）よりも導電性が高い領域を有する、管状体である。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium having a Co-Cr- Pt perpendicular magnetic layer or a Co-Cr-Pt-B perpendicular magnetic layer with a Ti-Cr base layer interposed on a nonmagnetic substrate, a base layer and a perpendicular magnetic layer having specific film thickness and composition ratios are formed.例文帳に追加

非磁性基板上に、Ｔｉ−Ｃｒ下地層を介して設けられたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ垂直磁性層またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、特定の膜厚および組成比を有する下地層および垂直磁性層を設ける。 - 特許庁

Since the insulating region serves as a barrier layer of holes injected to the n-type semiconductor layer from the p++ type semiconductor layer, even if impurity concentration of the p++ type semiconductor layer is high and its thickness is thick, the amount of holes injected into the n-type semiconductor layer can be controlled (suppressed).例文帳に追加

絶縁領域がｐ＋＋型半導体層からｎ−型半導体層に注入されるホールのバリア層となるので、ｐ＋＋型半導体層の不純物濃度が高く厚みが厚い場合でも、ｎ−型半導体層中のホール注入量を制御（抑制）可能となる。 - 特許庁

To provide an asbestos-treatment-liquid injection device and method, which can, unfailingly and in a short time, inject a liquid for asbestos-layer treatment into an asbestos layer and allow the liquid to penetrate thoroughly the asbestos layer even when the thickness of the asbestos layer or its coating layer is not uniform.例文帳に追加

アスベスト層及びその被覆層の厚みが一定でなくても、アスベスト層を処理する液体をアスベスト層内に確実に短時間で注入して浸透させることができるアスベスト処理用液体注入装置およびアスベスト処理用液体注入方法を提供する。 - 特許庁

To prevent unevenness of a wall thickness caused by a melt viscosity difference of each layer in coextruding fuel system hose of a plurality-layer provided with a fluororesin layer of high fuel barrier performance in its inside layer and to prevent the lowering of fuel barrier performance and inferior adhesion to an outer layer.例文帳に追加

内層に燃料バリア性の高いフッ素樹脂層を備える複層構造の燃料系ホースを共押出しする際の、各層の溶融粘度差に起因する壁部厚さの不均一を防止し、ひいては燃料バリア性の低下や外層との接着不良を防止する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a catalyst layer capable of forming the catalyst layer at normal temperature, simply controlling a thickness of the catalyst layer, forming the catalyst layer at a desired place of a small space at a low cost and providing a good adhesiveness of a base plate and the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層を常温で形成することができ、触媒層の厚さを簡単に制御することができ、微小空間の所望の場所に触媒層を低コストで形成することができるとともに、良好な基板と触媒層との密着性も提供できる触媒層の調製方法を得る。 - 特許庁

The buffer layer 19 is formed by oxidizing an oxidized layer 19D (not shown) formed with a material and thickness which increase oxidation speed relative to the upper DBR layer 15 and a lower DBR layer 11, and decrease the oxidation speed relative to an oxidized layer 18D (not shown).例文帳に追加

バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a GaN substrate and a lower clad layer, active layer, upper clad layer, and GaN contact layer, which are deposited on the substrate in this order, The thickness of the GaN contact layer is between 0.07 μm and 80 μm.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、ＧａＮコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記ＧａＮコンタクト層の膜厚が、０．０７μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁