「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

A protection film layer of a film thickness about 5 to 50 μm by acrylic urethanes paint, etc. is formed on the metal thin film layer, and made as a two-layer structure in order to protect the metal thin film layer 16 formed on the surface of the outer cover 9.例文帳に追加

アウタカバー９の表面に形成した金属薄膜層１６を保護するために、アクリルウレタン系塗料などによる膜厚５〜５０μｍ程度の保護膜層を金属薄膜層上に形成して２層構造とする。 - 特許庁

A wiring layer 13 formed of a metal is extended from an electric connection position with the detection part to the upside of an insulating layer with a thinner film thickness than the SOI layer, and the electrode pad 14 is connected to the tip part of the wiring layer.例文帳に追加

金属で形成された配線層１３が前記検出部との電気的な接続位置から前記絶縁層上に前記ＳＯＩ層より薄い膜厚で延出し、前記配線層の先端部に電極パッド１４が接続されている。 - 特許庁

The second semiconductor layer 104 is configured that when the electric field is applied to the second semiconductor layer 104, a region having a higher potential of a conduction band end than that of both edges is formed in a center part of the second semiconductor layer 104 in a layer thickness direction.例文帳に追加

また、第２半導体層１０４には、電界が印加されると、第２半導体層１０４の層厚方向の中央部に両脇より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。 - 特許庁

The periodic structure layer 13 may be a periodic structure of the AlGaN layer and the GaN layer so that the relationship of t≤0.000422*X^-2.821 is met, where X is an average aluminum composition ratio of the periodic structure layer 13 and t is a total thickness.例文帳に追加

周期構造層１３を、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造とし、周期構造層１３の平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとを、ｔ≦０．０００４２２＊Ｘ^-2.821の関係を満たすようにしてもよい。 - 特許庁

The diffusion layer 11b of brazing filler metal 8 into a secondary plating 11 layer is made ≥1 μm, and the thickness of a layer 11a into which the component of the brazing filler metal 8 in the second plating 11 layer is not diffused is made ≥1 μm.例文帳に追加

２次メッキ１１層中へのロウ材８の拡散層１１ｂが１μｍ以上でかつ前記２次メッキ１１層におけるロウ材８成分の拡散していない層１１ａの厚みが表面から１μｍ以上とする。 - 特許庁

In addition, the luminiscent metallic coating film 10 is composed of the phosphorescent pigment or the fluorescent layer containing the fluorescent pigment and a metallic layer which is formed on the phosphorescent layer 12 or the fluorescent layer and is made of a metal, with a thickness of 5 to 150 nm.例文帳に追加

または、発光メタリック塗膜が、蓄光顔料を含む蓄光層または蛍光顔料を含む蛍光層と、該蓄光層または蛍光層の上に形成され、金属からなり、厚さが５〜１５０ｎｍである金属層とを有する。 - 特許庁

The electrostatic chuck adheres a ceramic layer 103 on the disk of prescribed thickness through an adhesive layer on a disk-like metal board 101, and a high purity insulation material layer 105 is formed on the ceramic layer 103.例文帳に追加

静電チャックは、円板状金属基板１０１上に接着剤層を介して所定厚さの円板上のセラミック層１０３が接着され、セラミック層１０３の上には高純度絶縁材料層１０５が形成されている。 - 特許庁

Then, the anode side catalyst layer 120a is formed having a thinner thickness than that of the cathode side catalyst layer 120c, while the anode side catalyst layer 120a contains a carrier having higher catalyst support density than that of the cathode side catalyst layer 120c.例文帳に追加

そして、アノード側触媒層１２０ａは、カソード側触媒層１２０ｃよりも、厚さが薄く形成されており、アノード側触媒層１２０ａは、カソード側触媒層１２０ｃよりも、触媒の担持密度が高い担体を含んでいる。 - 特許庁

The relation of a distance Ls between a base layer (5), formed on the surface of a drift layer (3) and an n-type buffer layer (2) and film thickness t of a semiconductor substrate (10) formed contacting the drift layer (3), is set at Ls≤t≤2×Ls.例文帳に追加

ドリフト層（３）表面に形成されるベース層（５）とｎ型バッファ層（２）との間の距離Ｌｓと、このドリフト層（３）に接して形成される半導体基板（１０）の膜厚ｔとの関係を、Ｌｓ≦ｔ≦２・Ｌｓに設定する。 - 特許庁

In the case of applying focusing control to a target information recording layer in the recording medium, a spherical aberration correction state is set to a state matching the thickness of a light transmission protection layer (cover layer) of the target information recording layer.例文帳に追加

記録媒体において目的とする情報記録層に対して合焦制御を行う場合に、まず球面収差補正状態を目的とする情報記録層での光透過保護層（カバー層）の厚さに合わせた状態に設定する。 - 特許庁

A heat conducting layer 56 is positioned under the edge 53a of the lead layer 53, and an insulting layer 59 with such a thickness as heat conduction is not blocked is laid on between the heat conducting layer 56 and the end face 11c of the slider body 11.例文帳に追加

リード層５３の端部５３ａの下には導熱層５６が位置しており、この導熱層５６とスライダ本体１１の端面１１ｃとの間に、熱伝達を妨げない厚さの絶縁層５９が設けられている。 - 特許庁

When the thickness of the multilayer thin film measured by an ellipsometer of single wavelength is evaluated, the relationship is grasped in advance between a "measured value" as the thickness in terms of a single layer when the thickness of the thin film for constituting the multilayer thin film is changed and a "capacitance conversion value" which converts further a capacity value as electrical characteristics of this multilayered thin film into single layer conversion thickness.例文帳に追加

単一波長のエリプソメータにより測定される多層薄膜の膜厚評価に際し、予め、多層薄膜を構成する薄膜の膜厚をそれぞれ変化させたときの単層換算膜厚としての「測定値」と、同多層薄膜の電気的特性としての容量値を単層換算膜厚に更に換算した「容量換算値」との関係を把握する。 - 特許庁

To be specific, the semiconductor substrate preferably has a thickness of 20 μm to 40 μm and most preferably has a thickness of 30 μm immediately below the operation layer, and the semiconductor substrate preferably has a thickness of 50 μm to 120 μm and most preferably has a thickness of 70 μm to 100 μm in the part other than the part immediately below the operation layer.例文帳に追加

具体的には、動作層直下部分の半導体基板の厚さを、好ましくは２０μｍ以上４０μｍ以下、最も好ましくは３０μｍにし、動作層直下部分以外の半導体基板部分の厚さを、好ましくは５０μｍ以上１２０μｍ以下、最も好ましくは７０μｍ以上１００μｍ以下にする。 - 特許庁

In the flexible tube of a two-layer structure of an inner tube and an outer tube molded to a bellows shape, a plate thickness of the outer tube 2 is set to a thickness capable of ensuring a predetermined number of years of durability at a corrosion resistant property and a plate thickness of the inner tube 1 is set to a thinner thickness than that of the outer tube 2.例文帳に追加

蛇腹状に成形された内管１と外管２との二層構造のフレキシブルチューブにおいて、外管２の板厚が耐腐食性において所定の耐久年数を確保可能な厚さに設定され、内管１の板厚が外管２の板厚より薄い厚さに設定される。 - 特許庁

In case an anode active material layer 2 contains an anode active material having silicon as a structuring element, an anode collector 1 made of a belt-like metal foil includes a first thickness part P1 (thickness T1) and a second thickness part P2 (thickness T2) which is thinner than the P1.例文帳に追加

負極活物質層２がケイ素を構成元素として有する負極活物質を含有する場合に、帯状の金属箔からなる負極集電体１が第１の厚さ部分Ｐ１（厚さＴ１）とそれよりも薄い第２の厚さ部分Ｐ２（厚さＴ２）とを有している。 - 特許庁

The magnetic recording medium includes at least a non-magnetic substrate 11 having 5-10 μm thickness, a magnetic film 12 provided on the non-magnetic substrate 11 and having 100-300 nm thickness, a lower layer carbon protective film 13 disposed on the magnetic film 12 and having 3-12 nm thickness and an upper layer carbon protective film 14 disposed on the lower layer carbon protective film 13.例文帳に追加

５乃至１０μｍ厚の非磁性基板１１と、この非磁性基板１１の上部に配置された１００乃至３００ｎｍ厚の磁性膜１２と、この磁性膜１２の上部に配置された３ｎｍ以上１２ｎｍ以下の下層カーボン保護膜１３と、この下層カーボン保護膜１３の上部に配置された上層カーボン保護膜１４とを少なくとも含む。 - 特許庁

The laminated sheet is made by laminating an acrylic resin layer on at least one surface of an acrylonitrile-styrene copolymer resin layer, wherein haze of the laminated sheet is 0.3% or less, thickness of the laminated sheet is 0.3 to 3 mm and thickness of the acrylic resin layer is 50% or less of the thickness of the laminated sheet and is 60 to 200 μm.例文帳に追加

アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂層の少なくとも片面に、アクリル樹脂層が積層されてなる積層板であって、前記積層板のヘイズが０．３％以下であり、前記積層板の厚さが０．３〜３ｍｍであり、前記アクリル樹脂層の厚さが前記積層板の厚さの５０％以下、かつ６０〜２００μｍである。 - 特許庁

In this oxidizing process, constriction portions 107 which are constricted in a layer thickness direction are formed nearby the inside of curved line-shaped border portions corresponding to two opposite curved line-shaped edges of the opening 104, and at the constriction portions 107, the silicon layer 102 becomes less in film thickness to form a tunnel barrier through quantum size effect in the layer thickness direction.例文帳に追加

この酸化工程により、開口部１０４の対向する２つの曲線状の縁部に対応する曲線状の境界部の内側近傍において、層厚方向にくびれるくびれ部１０７が形成され、くびれ部１０７においては、シリコン層１０２の層厚がより薄くなり、層厚方向の量子サイズ効果によりトンネルバリアが形成されるようになる。 - 特許庁

The developing device is equipped with: the developer carrier which carries the supplied developer; the layer thickness regulating member which comes in contact with the developer carrier to regulate the developer layer thickness; a holding means which holds the layer thickness regulating member movably in the axial direction of the developer carrier; and a moving means which moves the holding means.例文帳に追加

供給された現像剤を担持する現像剤担持体と、現像剤担持体と当接することで現像剤の層厚を規制する層厚規制部材と、層厚規制部材を現像剤担持体の軸方向に移動可能に保持する保持手段と、保持手段を移動させる移動手段とを備えることを備えることを特徴とする現像装置。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit manufacturing method creates an SOI layer thickness data base corresponding to actually measured data of thicknesses of SOI layers with respect to each identification data of the SOI substrates to extract the actually measured data of each SOI substrates from the SOI layer thickness data base and performs layer thickness regulating surface treatment for each SOI substrates on the basis of the extraction.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路製造方法は、ＳＯＩ基板の識別データ毎にＳＯＩ層の厚さの実測データを対応付けたＳＯＩ層厚データベースを作成し、当該ＳＯＩ層厚データベースからＳＯＩ基板毎の実測データを抽出して、これに基づいてＳＯＩ基板毎の層厚調整表面処理をなす。 - 特許庁

A chromium brazing filler metal layer 21 is formed after applying the Cr electroplating of a plating thickness of 15 μm on both end faces of first and second forming stainless steel plates 1 and 2 alternately stacked on each other in the thickness direction, and then a nickel brazing filler metal layer 22 is formed after applying the Ni-P plating of a plating thickness of 35 μm on the chromium brazing filler metal layer 21.例文帳に追加

板厚方向に複数交互に積層されるステンレス鋼よりなる各第１、第２成形プレート１、２の両端面に１５μｍの鍍金厚さの電気Ｃｒ鍍金してクロム系ろう材層２１を形成した後に、そのクロム系ろう材層２１上に３５μｍの鍍金厚さのＮｉ−Ｐ鍍金を施してニッケル系ろう材層２２を形成する。 - 特許庁

The resin beads 9 restrict thickness of the moistureproof agent layer 7 and the moisturepoof agent coated in the step of preparing the laminated paper 1 is not impregnated into the first paper layer 3 and the second paper layer 5.例文帳に追加

この樹脂ビーズ９が防湿剤層７の厚みを規制しているので、積層紙１の製造段階で塗工された防湿剤が第１紙層３と第２紙層５とに含浸することがない。 - 特許庁

In this case, mean foaming ratio of the whole speaker diaphragm contg. the skin layer 2 being the unfoamed layer is in a range of 1.1-3.0 and the thickness of the skin layer is in a range of approximately 0.05-0.20 mm.例文帳に追加

ここで、未発泡層であるスキン層２を含めたスピーカ振動板１全体の平均の発泡倍率を略１．１〜３．０倍の範囲、スキン層２の厚さを略０．０５ｍｍ〜０．２０ｍｍの範囲にする。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask having no black defect in a light shielding layer or in a phase shift layer and no decrease in the transmittance due to gallium stain, and no change in the phase difference due to a decrease in the thickness of the phase shift layer.例文帳に追加

遮光層及び位相シフト層の黒欠陥のない、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層の厚み低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

Thus, even if in the low-oxygen silicon wafer 10, the DZ layer 11 having an uniform width in the direction of thickness is formed on the surface layer of the wafer, and the wafer where the IG layer 12 is formed inside is attained.例文帳に追加

よって低酸素のシリコンウェーハ１０であっても、ウェーハ表層に厚さ方向の幅が均一なＤＺ層１１が形成され、ウェーハ内部にＩＧ層１２が形成されたウェーハが得られた。 - 特許庁

To make the film thickness of a dye recording layer uniform in a short drying time and to make the throughput of an information recording medium higher by uniformly passing clean air through the dye recording layer, thereby drying the dye recording layer.例文帳に追加

清浄な空気を色素記録層に均一に流通させて乾燥することにより、短い乾燥時間で色素記録層の膜厚を均一にし、情報記録媒体のスループットの向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which suppress contamination of a silicon layer of source/drain regions caused by the sidewall formation of the MOSFET and reduction of the thickness of the silicon layer even in an SOI layer.例文帳に追加

ＳＯＩ層においてもＭＯＳＦＥＴのサイドウォール形成に伴うＳ／Ｄ領域のＳｉ層の汚染、厚み減少を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

However, dependent on the thickness or the like of the optical absorption layer 3, the detecting light is not absorbed sufficiently by the optical absorption layer and occasionally transmitted through the optical absorption layer 3.例文帳に追加

しかしながら、光吸収層３の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層３で十分に吸収されることなく、かかる光吸収層３を透過してしまうことがある。 - 特許庁

The flat insulation covering layer 2 is formed by an extruded covering layer of polybutyleneterphthalate, and its covering thickness at the existence part of the flat conductor of the flat insulation covering layer 2 is within the range of 0.1 mm to 0.25 mm.例文帳に追加

フラット絶縁被覆層２はポリブチレンテレフタレートの押出し被覆層により形成し、且つフラット絶縁被覆層２のフラット導体１の存在箇所での被覆厚さを0.1 ｍｍ〜0.25ｍｍの範囲とする。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 44 is comprised of a protruding portion 47 closer to the first P-type semiconductor layer 43 in a thickness direction Z and a saved portion 46 closer to the second P-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

第２のＮ型半導体層４４は、厚み方向Ｚにおいて第１のＰ型半導体層４３寄りの突出部４７と、第２のＰ型半導体層４５寄りの退避部４６とから成る。 - 特許庁

Alternatively, the plurality of members are arranged such that the electron conductivity Ea of the electrode layer on the interfacial surface between the electrode layer and the electrolyte membrane is set lower than the average electron conductivity Eavg in the thickness direction of the electrode layer.例文帳に追加

又は、電極層と電解質膜との界面における電極層の電子導電率Ｅａが電極層の厚み方向の平均電子導電率Ｅａｖｇより低くなるように配置する。 - 特許庁

The decorative layer 1 has an adhesive penetrated portion 1a which the adhesive penetrates from the adhesive layer 2, and the thickness of the adhesive penetrated portion 1a is 1/5 to 1/3 of that of the decorative layer 1.例文帳に追加

装飾層１は、接着剤層２から接着剤が浸透した接着剤浸透部１ａを含み、接着剤浸透部１ａの厚さは、装飾層１の厚さの１／５以上１／３以下である。 - 特許庁

A soft magnetic laminate having the thickness of 500 angstrom or thinner and comprising a soft magnetic layer and a non-magnetic layer, is provided between a non-magnetic substrate and a Co-Pt-Cr-O system perpendicular magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板と、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｏ系垂直磁気記録層との間に、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層から構成される軟磁性積層体を設ける。 - 特許庁

Next, a first resist layer 27 opening on the fuse layer 18T is used as a mask to etch the second passivation film 26 to a midpoint in the thickness direction of a third insulating film on the fuse layer 18T.例文帳に追加

次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。 - 特許庁

A wiring layer 17 obtained by patterning a conductor layer having a uniform film thickness such as a copper foil into a predetermined wiring pattern is bonded on one main surface of a base film 16 with an adhesive layer 18 disposed therebetween.例文帳に追加

ベースフィルム１６の一方の主面に銅箔等の均一な膜厚の導体層を所定の配線パターンにパターニングして得られる配線層１７が接着剤層１８により貼着されている。 - 特許庁

A low temperature growth buffer layer 20 comprises a first buffer layer 21 formed by depositing silicon nitride for 100 sec at 500°C, and a GaN layer 22 having film thickness of 25 nm grown epitaxially at the same temperature.例文帳に追加

低温成長バッファ層２０は、窒化シリコンを５００℃で１００秒間積層した第１バッファ層２１と、同温で結晶成長させた膜厚２５ｎｍのＧａＮ層２２との２層から成る。 - 特許庁

The polishing sheet 1 is formed of a surface layer 1a having predetermined thickness formed on the side of the polishing plane P over the whole surface of the polishing plane P, and an inner layer 1b as a part except the surface layer 1a.例文帳に追加

研磨シート１は、研磨面Ｐ側に研磨面Ｐの全面に亘り形成された所定厚を有する表面層１ａと、表面層１ａを除く部分である内部層１ｂとで形成されている。 - 特許庁

After the plated layer of Sn or Sn alloy is formed on a surface of a base material in the thickness of ≤1.5 μm, a stress more than the yield stress of the metallic layer material is added to the plated layer.例文帳に追加

母材表面に厚さ１．５μｍ以下のＳｎまたはＳｎ合金のめっき層を形成した後に、形成しためっき層に、めっき層材料の降伏応力以上の応力を加える。 - 特許庁

In this copper-clad laminate composed by reforming a surface of a polyimide film and sequentially laminating a nickel-based seed layer and a copper-plated layer thereon, the thickness of the nickel-based seed layer is set to 40-80 nm.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの表面を表面改質してニッケル系シード層及び銅めっき層を順次積層した銅張積層板であって、前記ニッケル系シード層の厚さを４０〜８０ｎｍとする。 - 特許庁

The method of surface treatment includes: preparing a substrate; and forming a ceramic layer on a surface of the substrate by atomic layer deposition (ALD), wherein the ceramic layer has a thickness of 1 to 1,000 nm.例文帳に追加

基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。 - 特許庁

The transparent film 10 includes a base material layer 12 made of a transparent resin material and a back layer 14 which is formed on the first surface 12A of the base material layer 12 and has a thickness of 1 μm or below.例文帳に追加

本発明により提供される透明フィルム１０は、透明な樹脂材料からなる基材層１２と、その第一面上１２Ａに設けられた厚み１μｍ以下の背面層１４とを有する。 - 特許庁

To provide an optical compensation film composed of: an optical compensation layer which is composed of a coating layer having large retardation existing in a layer thickness direction as a result of application and having small wavelength dependence; and a stretched film.例文帳に追加

塗工により膜の厚み方向に大きな位相差を有し、その位相差の波長依存性の小さな塗工膜からなる光学補償膜と延伸フィルムからなる光学補償フィルムを提供する。 - 特許庁

The sensor has a first silicon nitride layer having the thickness of about 1 to 5 nm on side edges of the sensor and on regions of a bottom shielding layer adjacent to the sensor below a ferromagnetic bias layer of the sensor.例文帳に追加

センサは、センサの側縁上で、およびセンサの強磁性バイアス層の下でセンサに隣接する下遮蔽層の領域上で、約１〜５ｎｍの厚さを有する第１の窒化ケイ素層を有する。 - 特許庁

The metalized plastic molding comprises, at least one transparent thermoplastic material layer 1, at least one metal layer 2 of 5-250 nm thickness, and an electroluminescent compound layer 3.例文帳に追加

少なくとも１つの透明な熱可塑性材料層１、５〜２５０ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの金属層２、および電界発光性化合物含有層３を具有する金属化プラスチク成形品。 - 特許庁

A core layer 110 is formed on a lower clad layer 101, etching is performed by using a resist 111 as a photomask, and a core 103 and a portion 115 which becomes the embedding layer are formed so as to have an identical thickness.例文帳に追加

下部クラッド層１０１の上にコア層１１０を形成し、レジスト１１１をフォトマスクとしてエッチングを行い、コア１０３と埋設層となる部分１１５とを同じ厚みとなるように形成する。 - 特許庁