「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

Another embodiment has a peak in the distribution in the layer thickness direction of the p-type impurity and/or the n-type impurity at the position of the hetero interface, formed by the p-type layer (4) and the n-type layer (5).例文帳に追加

一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 - 特許庁

In measuring the film thickness of the surface layer dispersed with the fillers by using an opto-thermal conversion effect, the coefficient of absorption of the surface layer dispersed with the fillers is determined and the presence or absence of the film quality which is the target for the film thickness measurement is checked.例文帳に追加

フィラーを分散した表面層の膜厚を光熱変換効果を用いて測定するにあたり、フィラーを分散した表面層の吸収係数を求め、膜厚測定の対象となる膜質の有無を確認する。 - 特許庁

A thickness of a cathode active material layer 21B is ≥100μm and ≤130μm, and a thickness of an anode active material layer 22B is ≥85μm or more and ≤120μm, with a volume density of ≥1.7g/cm^3 and ≤1.85g/cm^3.例文帳に追加

正極活物質層２１Ｂの厚みは１００μｍ以上１３０μｍ以下であり、負極活物質層２２Ｂの厚みは８５μｍ以上１２０μｍ以下、体積密度は１．７ｇ／ｃｍ^３ 以上１．８５ｇ／ｃｍ^３ 以下である。 - 特許庁

The resin multilayered film is constituted by laminating a first layer with a thickness of 10-100 μm comprising the styrenic resin and a second layer with a thickness of 10-100 μm comprising an acrylic resin composition compounded with a rubber particles.例文帳に追加

スチレン系樹脂からなり、厚みが１０〜１００μm である第１層と、ゴム粒子が配合されたアクリル系樹脂組成物からなり、厚みが１０〜１００μm である第２層とが積層されている樹脂多層フィルムが提供される。 - 特許庁

This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside.例文帳に追加

最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。 - 特許庁

The film thickness t2 of an orientation film 22 formed on the side of a counter substrate 20 from a liquid crystal layer 50 is thinner than the film thickness t1 of an orientation film 16 formed on the side of a TFT array substrate 10 from the liquid crystal layer 50.例文帳に追加

液晶層５０から見て対向基板２０の側に形成された配向膜２２の膜厚ｔ２は、液晶層５０から見てＴＦＴアレイ基板１０の側に形成された配向膜１６の膜厚ｔ１より薄い。 - 特許庁

Specifically, the thickness is reduced on the rear surface of the semiconductor device 12 so that the thickness of the metal layer 14 can be increased on the peripheral region, thereby also decreasing the stress acting to the metal layer 14 to improve the durability.例文帳に追加

特に、半導体素子１２の裏面側で薄くすると、金属層１４の厚みを周辺領域で厚くすることができ、それによっても金属層１４に作用する応力を低下して耐久性を向上させることができる。 - 特許庁

A thickness of the first index matching layer 70 in an area corresponding to the first alignment mark 81 provided in the inactive area Aa2 is different from a thickness of the first index matching layer 70 in the active area Aa1.例文帳に追加

ここで、非アクティブエリアＡａ２内に設けられた第１アライメントマーク８１に対応する領域における第１インデックスマッチング層７０の厚みは、アクティブエリアＡａ１における第１インデックスマッチング層７０の厚みと異なっている。 - 特許庁

The lower limit of the distance D1 from the end of the effective display region V to the end of an over layer in the proximity side is specified by a predetermined formula based on the thickness D2 of the over layer and the thickness D3 of a photo spacer.例文帳に追加

有効表示領域Ｖの端部から、それに近接する側のオーバーレイヤーの端部までの距離Ｄ１の下限値を、オーバーレイヤーの厚さＤ２及びフォトスペーサの厚さＤ３に基づく所定の式によって規定する。 - 特許庁

Therefore, the sealing layer 444 is formed of the active matrix substrate 450, the spacer 442 and the cover member 440, and thickness of the sealing layer 444 is determined by thickness of the spacer 442 disposed between the active matrix substrate 450 and the cover member 440.例文帳に追加

このため、封止層444は、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440により形作られ、封止層444の厚みは、アクティブマトリックス基板450と蓋部材440の間に配置されることになるスペーサー442の厚みにより決定される。 - 特許庁

The foams 4 are formed so that a foam formation direction in the upper layer Ph is uniformly inclined in a predetermined direction with respect to the thickness direction and that the foam formation direction in the lower layer Pr extends along the thickness direction.例文帳に追加

発泡４は、上部層Ｐｈでの発泡形成方向が厚み方向に対して一定方向に一様に傾斜するように形成されており、下部層Ｐｒでの発泡形成方向が厚み方向に沿うように形成されている。 - 特許庁

The layer thickness regulating member 24 includes a blade 100 regulating the layer thickness of toner on the outer peripheral surface of the developing roller 22 by coming into contact with the outer peripheral surface of the developing roller 22, and a supporting member 101 supporting the blade 100.例文帳に追加

層厚規制部材２４は、現像ローラ２２の外周面に接触することによって現像ローラ２２の外周面上のトナーの層厚を規制するブレード１００と、ブレード１００を支持する支持部材１０１とを含んでいる。 - 特許庁

An example for explanation is given wherein the angle of alignment shift is set in the rage of 0.05-0.50 degrees and the thickness of the base layer is set in the rage of 6.5-9.5 μm, although both the angle of alignment shift and the thickness of the base layer can be further increased.例文帳に追加

位置合わせずらし角度およびベース層の厚さの両方をさらに大きくできるが、位置合わせずらし角度を０.０５〜０.５０度の範囲内とし、ベース層の厚さを６.５〜９.５μｍの範囲内とした説明例が与えられる。 - 特許庁

To provide a method of estimating a thickness of a hydrate layer, capable of obtaining a more accurate hydrate layer thickness than by conventional methods by performing a reflection survey by means of low and high frequencies and processing the survey results.例文帳に追加

低周波数と高周波数による反射法地震探査を行い、探査結果を処理することにより、従来方法と比較して精度の高いハイドレート層厚を得ることができるハイドレート層の層厚推定方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a field plate electrode is provided between a gate electrode and a drain electrode, the thickness of an operating layer is adjusted by setting the thickness of a surface protective film provided between the field plate electrode and the operating layer at a predetermined value.例文帳に追加

ゲート電極とドレイン電極との間にフィールドプレート電極を設けるとともに、このフィールドプレート電極と動作層との間にある表面保護膜の膜厚を所定の値とすることによって動作層の厚さを調節する。 - 特許庁

Here, the thickness of the layer 1c extending over from the vicinity of the outer peripheral edge of the region 2 in the direction of the region 3 is formed into the thickness about half the layer 1c in the vicinity of the region 4.例文帳に追加

ここで、ｐ型ウェル領域２の外周縁近傍からｎ＋型ドレイン領域３の方向にかけての半導体層１ｃの厚みを、ｎ＋型ソース領域４近傍の半導体層１ｃの厚みの約半分としている。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer manufacturing method capable of effectively preventing a skin layer from becoming smaller in thickness than a target thickness when it is cooled in a case wherein the skin layer formed of a group III nitride compound is formed.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物からなる表面薄層を形成する場合において、冷却時における表面薄層の目標層厚からの不足を効果的に防止できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent degradation of recording/reproducing quality caused by variation in layer thickness between inner and outer circumferences when a spherical aberration is corrected in a radial direction only at one place, since there is a difference in layer thickness between the inner and the outer circumferences in an optical disk.例文帳に追加

光ディスクでは内周と外周で層厚に差が生じるため、球面収差の補正を半径方向に対して一箇所のみで行う場合、内外周での層厚ばらつきにより記録再生品質が劣化する。 - 特許庁

For the antimony-doped tin oxide, it is preferable that the thickness of the first print layer is more than 0.4 μm to less than 25 μm, and the thickness of the second print layer is more than 0.5 μm to less than 35 μm.例文帳に追加

ここで、アンチモンドープ酸化錫は、前記第一印刷層の層厚が０．４μｍを超え２５μｍ未満であることが好ましく、さらに、第二印刷層の層厚は０．５μｍを超え３５μｍ未満であることが好ましい。 - 特許庁

When the thickness of the surface non-defect layer of the annealing wafer is evaluated, the surface of the annealing wafer is etched by an etchant, and an etching allowance up to the observation of a defect on a wafer surface is evaluated as the thickness of the non-defect layer.例文帳に追加

アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価するようにした。 - 特許庁

Due to this, the thickness of the insulating layer, consisting of the insulation- to-earth layer 12 and the semiconductive layers 13 and 15, is determined by the existing insulating techniques, but the thickness of the entire winding 10 is increased with the amount equivalent to the placed spacer 14.例文帳に追加

このため、対地絶縁層１３及び半導電層１３，１５でなる絶縁層厚さは、現在の絶縁技術で決まる厚さとなるが、スペーサ１４を介在させた分だけ、巻線１０の全体の厚さは厚くなる。 - 特許庁

A luminous semiconductor device is formed in the active area of a group III nitride and in the vicinity of the area, and contains a group III nitride layer having a thickness exceeding a critical thickness to loosen strain in the group III nitride layer.例文帳に追加

発光半導体デバイスが、ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、該活性領域の近くに形成され、ＩＩＩ族窒化物層内の歪みの緩和のために臨界厚さを超える厚さを有するＩＩＩ族窒化物層とを含む。 - 特許庁

The thickness of a resin layer 5 is so set that the light converging capability of a phosphorescent material forming a base 1 becomes maximum and the thickness of the resin layer 5 is made nearly uniform except its edge part as shown in the figure.例文帳に追加

樹脂層５の肉厚の値は、基台１を構成する蓄光材の集光能力が最大になるような値に設定されていると共に、樹脂層５の肉厚は、図示のように、その辺縁部を除いて略均一に成形されている。 - 特許庁

Non-magnetic layers 16 are formed on the inner part of the recessed part H and an upper part of the resist mask R respectively and the film thickness of the non-magnetic layer 16 formed on the recessed part H and the film thickness (the depth of the recessed part H) of the storage layer 15 are made nearly equal to each other.例文帳に追加

次いで、凹部Ｈの内部と、レジストマスクＲの上部と、にそれぞれ非磁性層１６を形成し、凹部Ｈに形成する非磁性層１６の膜厚と、記憶層１５の膜厚（凹部Ｈの深さ）と、を略同じ厚さにした。 - 特許庁

Preferably the ratio Rth_1/Rthp, between an absolute value Rthp of phase difference in a thickness direction of the protective layer and an absolute value Rth_1 of phase difference in a thickness direction of the 1st birefringence layer, lies within a range of 1.1 to 4.例文帳に追加

好ましくは、上記保護層の厚み方向の位相差の絶対値Ｒｔｈｐと該第１の複屈折層の厚み方向の位相差の絶対値Ｒｔｈ_１との比Ｒｔｈ_１／Ｒｔｈｐが、１．１〜４の範囲である。 - 特許庁

When a product of the film thickness of the Si oxide granular layer 5 and saturation magnetization, and a product of the film thickness of the Ti oxide granular layer 6 and the saturation magnetization are represented by tMs_1 and tMs_2, respectively, they satisfy a relationship of tMs_1:tMs_2=0.25:0.75.例文帳に追加

Ｓｉ酸化物グラニュラ層５の膜厚と飽和磁化との積をｔＭｓ_1と表し、Ｔｉ酸化物グラニュラ層６の膜厚と飽和磁化との積をｔＭｓ_2と表すと、「ｔＭｓ_1：ｔＭｓ_2＝０．２５：０．７５」の関係が成り立っている。 - 特許庁

The magnetic pole S1 of the magnet 17 arranged in the developing sleeve 13, which is opposed to the layer thickness regulation member 14, is rotated with the lapse of time so that the thickness of the developer layer on the developing sleeve 13 is approximately fixed.例文帳に追加

現像スリーブ１３内に配した磁石１７における層厚規制部材１４に対向した磁極Ｓ１を、現像スリーブ１３上の現像剤層厚が略一定となるよう時間と共に回動させるようにした。 - 特許庁

When the film thickness of the light-transmissive material layer is T (nm), the wavelength of incident light is λ (nm) and the refractive index of the light-transmissive material layer is (n), the film thickness T satisfies the relation T<λ/(2n).例文帳に追加

前記透光材料層の膜厚をＴ（nm）、入射する光の波長をλ（nm）、前記透光材料層の屈折率をｎとするとき、前記膜厚（Ｔ）が、Ｔ＜λ／(2ｎ)の関係式を満足する偏光子を提供する。 - 特許庁

In the Cu-Sn alloy covering layer, an exposing area rate of the material surface is 3 to 75%, the average thickness is 0.1 to 3.0 μm, also, the Cu content is 20 to 70at%, and the average thickness of the Sn covering layer is 0.2 to 5.0 μm.例文帳に追加

前記Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の材料表面露出面積率が３〜７５％、平均の厚さが０．１〜３．０μｍ、かつＣｕ含有量が２０〜７０ａｔ％、Ｓｎ被覆層の平均の厚さが０．２〜５．０μｍである。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition, which can alleviate ununiformity of film thickness of a vapor deposited substance formed on a substrate to be vapor deposited, and can narrow a width of a non-opening part of a mask layer, by reducing the thickness of the mask layer.例文帳に追加

被蒸着基板上に形成される蒸着物の膜厚の不均一を緩和することが可能で、かつ、マスク層の厚みを薄くしてマスク層の非開口部の幅を小さくすることが可能な蒸着用マスクを提供する。 - 特許庁

The substrate processing equipment is provided with the etching equipment in which a semiconductor substrate is held by a maintenance portion and a semiconductor layer of the substrate is etched with chemical, and a film thickness measuring apparatus for measuring film thickness of the semiconductor layer of the substrate.例文帳に追加

半導体基板が保持部に保持され、化学薬液によってこの半導体基板の半導体層をエッチングするエッチング装置と、この半導体基板の半導体層の膜厚を測定する膜厚測定装置と、を備える。 - 特許庁

The superabrasive grain layer 3 and the metallic base 5 are formed as an interface surface in a tapered surface of inclining at the same angle to the axis, and the thickness of an adhesive layer is set to 30 μm to 200 μm, and a variation in the thickness is set within 10 μm.例文帳に追加

超砥粒層３および金属製基台５は、軸に対して同じ角度で傾斜するテーパ面が接合面となっており、接着剤層の厚みが３０μｍ〜２００μｍ、かつ、厚みのバラツキが１０μｍ以内とする。 - 特許庁

The product of the modulus of longitudinal elasticity and thickness of the heat radiating fin of this semiconductor module is adjusted to the threefold of the product of the modulus of longitudinal elasticity and thickness of a conductive layer or smaller, by using a material having a larger coefficient of linear expansion than the conductive layer has for the fin.例文帳に追加

半導体モジュールの放熱フィンに導電層よりも線膨張係数の大きな材料を用い、フィンの縦弾性係数と板厚の積を導電層の縦弾性係数と板厚の積の３倍以下とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device of which the gap between substrates is uniformized inside surfaces of the substrates, in which deviation between the designed liquid crystal layer thickness and the actual liquid crystal layer thickness hardly takes place and in which a display defect is hardly generated.例文帳に追加

基板間隔を基板面内で均一化することが可能であるとともに、設計した液晶層厚と現実の液晶層厚との間にズレが生じ難く、表示不良が発生し難い液晶装置を提供する。 - 特許庁

The high elastic modulus layer has a thickness of 10 to 50 μm and a elastic modulus of 200 to 12,000 MPa at room temperature, and the low elastic modulus layer has a thickness of 5 to 30 μm and a elastic modulus of 10 to 1,000 MPa.例文帳に追加

なお、高弾性率層の厚さが１０〜５０μｍ、弾性率が常温で２０００〜１２０００ＭＰaであること、低弾性率層の厚さが５〜３０μｍ、弾性率が常温で１０〜１０００ＭPaであることも含まれる。 - 特許庁

An electrode land is rearranged on the surface of an effective circuit, on a bare chip IC through a conductor layer (rewired electrode 4) having a thickness larger (such as at least 5 μm or higher) than a prescribed thickness to aim at making the land function as a protective layer to the area array part of the circuit.例文帳に追加

ベアチップＩＣの実効回路表面上に、所定以上（例えば少なくとも５μｍ以上）の厚みを持つ導体層により電極ランドを再配列し、エリアアレイ部分に対する保護層として機能させるようにする。 - 特許庁

To provide a dielectric separation type semiconductor device which has high dielectric strength while having its dielectric strength limited depending upon the thickness of a dielectric layer and the thickness of a 1st semiconductor layer.例文帳に追加

この発明は、誘電体層の厚さと第１半導体層の厚さとに依存して半導体装置の耐圧が制限されることを防ぎつつ、高耐圧を実現した誘電体分離型半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To precisely detect the thickness of a waste layer and permit stable combustion in the detected thickness of the waste layer, in a rotary stoker type incinerator.例文帳に追加

回転ストーカ式ごみ焼却炉で、ごみ層厚を的確に検出すると共にその検出したごみ層厚で安定した燃焼を行うことができる炉内ごみ層厚検出方法及び層厚による空気配分制御方法を提供する。 - 特許庁

An electric bias is applied between the toner layer thickness control/charging blade 4 and the developing roll 2, and an electron emission quantity represented by a current between the toner layer thickness control/charging blade 4 and the developing roll 2 is measured by an ammeter 8.例文帳に追加

トナー層厚規制／帯電ブレード４と現像ローラ２との間に電気的バイアスを印加し、トナー層厚規制／帯電ブレード４と現像ローラ２との間の電流で表される電子放出量を電流計８で測定する。 - 特許庁

This allows the thickness of an anode gas channel 25a disposed in contact with an anode electrode layer 24a to be greater than the thickness of a cathode gas channel 25c disposed in contact with a cathode electrode layer 24c.例文帳に追加

このようにすることによって、アノード電極層２４ａに接するように配置されたアノードガス流路体２５ａの厚みより、カソード電極層２４ｃに接するように配置されたカソードガス流路体２５ｃの厚みを厚くすることができる。 - 特許庁

The lower part electrode film 34a, the piezoelectric film 31, the upper electrode film 34b, and the reflection film 33 are all formed by films whose thickness are uniform, but the center part of a film thickness adjusting layer 32 is thin and the peripheral part of the layer 32 is thick.例文帳に追加

下部電極膜３４ａ、圧電膜３１、上部電極膜３４ｂ、反射膜３３はすべて膜厚が均一な膜で形成されるが、膜厚調整層３２は中央部で薄く、周辺部で厚い膜厚になっている。 - 特許庁

Since the normal component of the magnetic flux density is larger until passage through the downstream side layer thickness control range, the developer G is raised and it is made difficult for the developer G to pass under the developer control roll 50, whereby layer thickness becomes uniform.例文帳に追加

下流側層厚規制範囲を通過するまで、磁束密度の法線方向成分が大きいので、現像剤Ｇが持上げられることで現像税規制ロール５０をくぐり抜けにくくするため、層厚が均一に絞られる。 - 特許庁

The translucent thin-film positive electrode 110 comprises a first translucent thin-film positive cobalt (Co) electrode layer 111 having its film thickness of about 15 Å and joined to the contact layer 107, and a second translucent thin-film positive gold (Au) electrode layer 112 having its film thickness of about 60 Å and joined to Co.例文帳に追加

透光性薄膜正電極１１０は、コンタクト層１０７に接合する膜厚約15Åのコバルト(Co)より成る薄膜正電極第１層１１１と、Coに接合する膜厚約60Åの金(Au)より成る薄膜正電極第２層１１２とで構成されている。 - 特許庁

The imaging material has a blue-violet laser photosensitive resist material layer on a substrate to be processed, and is characterized in that the resist material layer has ≥10 μm film thickness and ≤0.3 absorbance per 1 μm film thickness at the wavelength of the exposure light for the resist material layer.例文帳に追加

被加工基板上に青紫色レーザー感光性レジスト材層を有する画像形成材であって、該レジスト材層の膜厚が１０μｍ以上であり該感光性レジスト材層の露光波長における吸光度が膜厚１μｍ当たり０．３以下であることを特徴とする画像形成材。 - 特許庁

The polyamide type biaxially oriented laminated film is characterized in that at least one outer layer is formed by a polyamide type resin layer (a) containing 0.01-0.5 wt.% of a hindred phenolic oxidation inhibitor and the thickness of the layer (a) is 10-below 80% of the whole thickness of the film.例文帳に追加

ヒンダードフェノール系酸化防止剤を０．０１〜０．５重量％含有するポリアミド系樹脂層（ａ）が少なくとも一方の外層を形成する積層フィルムであって、前記（ａ）層の厚みが全体厚みの１０％以上８０％未満であるポリアミド系二軸延伸積層フィルムとする。 - 特許庁