「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(131ページ目) - Weblio英語例文検索

The protective insulating film 14 is formed from an upper part of the semiconductor substrate 11 to an upper surface of the lower layer electrode 13 and forms an aperture part.例文帳に追加

保護絶縁膜１４は、半導体基板１１の上から下層電極１３の上面の上に亘って設けられ、開口部を形成している。 - 特許庁

The top face of the solder resit layer 31 is formed higher than the top face of the pad 21 and lower than the top faces of the solder resist layers 32, 33.例文帳に追加

そして、ソルダレジスト層３１は、その上面がパッド２１の上面よりも高く、且つソルダレジスト層３２，３３の上面よりも低く形成されている。 - 特許庁

A lower-part electrode thin film 9 is formed on a first inter-layer insulating film 8 on a silicon substrate 4, over which a ferroelectric thin film 10 is formed.例文帳に追加

シリコン基板４上の第１層間絶縁膜膜８上に下部電極薄膜９を形成し、その上に強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

This external additive of the electrophotographic toner is a fine particle having a core shell structure having silica compound in a shell layer, and the specific gravity is 1.8 or lower.例文帳に追加

外殻層にシリカ化合物を有するコアシェル構造を持つ微粒子であって、比重が１．８以下であることを特徴とする電子写真用トナーの外添剤。 - 特許庁

The concentration of hydrogen atoms contained in the p-type layer 15 is 1×1016 atoms/cm3 or higher and 1×1019 atoms/cm3 or lower.例文帳に追加

ｐ型層１５に含まれる前記水素元素の濃度は、１×１０^16ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上１×１０^19ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下である。 - 特許庁

The antireflection film 10 has a two-layer structure including lower and upper silicon nitride films (p-SiN films) 11, 12 deposited by a plasma CVD method.例文帳に追加

反射防止膜１０は、プラズマＣＶＤ法で形成される下層及び上層シリコン窒化膜（ｐ−ＳｉＮ膜）１１，１２を含んで成る２層構造を有している。 - 特許庁

The lower resistor layer 18 is formed by screen printing using a carbon paste with grain diameter having normal distribution and a screen with coarse mesh size.例文帳に追加

抵抗体下層部１８は、粒径分布が正規分布のカーボンペーストを使って、メッシュサイズが粗いスクリーンを用いてスクリーン印刷により成形されている。 - 特許庁

A plurality of lower electrodes 12 are formed on one surface of an insulating substrate 11, and then a non-dope polycrystalline silicon layer 3 is formed [Fig. (a)].例文帳に追加

絶縁性基板１１の一表面上に複数の下部電極１２を形成した後、ノンドープの多結晶シリコン層３を成膜する（図１（ａ））。 - 特許庁

This current will flow into the internal circuit 12 from the inside of the substrate 11 whose depth is deeper than a predetermined depth from a lower layer of the protective circuit 13 of the substrate 11.例文帳に追加

この電流は、基板１１の保護回路１３の下層から一定の深さよりも深い該基板１１の内部から、内部回路１２へ流れ込もうとする。 - 特許庁

In this case, a p-electrode 8 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 5 and an n-electrode 9 is formed on the lower side of the MgxZn1-xO substrate 1.例文帳に追加

そして、ＺｎＯ系半導体層５上にはｐ電極８が、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

A lower electrode 60 of a touch electrode 6 is provided with a spherical core part 61 and a conductive coating layer 62 coating this and has elasticity.例文帳に追加

タッチ電極６の下部電極６０は、球状のコア部６１とそれを覆う導電性の被覆層６２とを有しており、かつ弾力性を有している。 - 特許庁

The turning air flows in a grains layer to be dried heaped in the grains housing chamber 4 from an upper surface to a lower surface thereof.例文帳に追加

穀物収容室４内に堆積させた被乾燥穀物層Ａに、その下面から上面に旋回風を流通させるように構成されている。 - 特許庁

To normally operate a reproducing element even if the unidirectional anisotropy of a magnetization pinned layer of the reproducing element disappears due to a rise in temperature not lower than a blocking temperature.例文帳に追加

ブロッキング温度以上の昇温によって再生素子の磁化固定層の一方向異方性が消失したときにも、再生素子を正常に動作させる。 - 特許庁

Thus, a damage layer 35 of constant depth is formed at a position deeper than the channel region 33 on the lower side of the gate electrode 29.例文帳に追加

それにより、ゲート電極２９の下側においてチャネル領域３３よりも深い位置に、均一な深さのダメージ層３５を形成することができる。 - 特許庁

The liquid sample measuring apparatus comprises a sensor 5 having the enzyme layer, and an upper casing 3 and a lower easing 4 sandwiching the sensor 5 from above and below.例文帳に追加

酵素層を備えたセンサ５と、センサ５を上下から挟む上部筐体３および下部筐体４により液体試料測定装置を構成する。 - 特許庁

The flux guide 10 has saturation magnetization lower than that of the ferromagnetic free layer 20 and thus the resistance change ratio and the flux guide efficiency can be improved.例文帳に追加

フラックスガイド１０は、強磁性フリー層２０よりも小さい飽和磁化を有しており、抵抗変化率およびフラックスガイド効率を向上できるようになっている。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulation film 108 and the anti-diffusion insulation film 107 are removed, and a contact hole 109 is formed extending to the lower layer wiring 103.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０８及び拡散防止絶縁膜１０７を除去し、下層配線１０３に到達するコンタクトホール１０９を形成する。 - 特許庁

A semiconductor part 12a, such as an IC or a general passive part 12b, is both side mounted on the upper and lower surface layer faces of the ceramic multilayer substrate 10.例文帳に追加

セラミック多層基板１０の上下の表層面にＩＣ等の半導体部品１２ａや一般受動部品１２ｂが両面実装されている。 - 特許庁

A ground wire layer 36 is formed from the upper part to the lower part of the central part of a semiconductor chip 18 provided to an RF power module 14.例文帳に追加

ＲＦパワーモジュール１４に設けられた半導体チップ１８の中央部には、上方から下方にかけてグランド配線層３６が形成されている。 - 特許庁

A corner electrode 22c is formed around the through hole 2c on the lower surface of the substrate, and a side wiring layer 28 is formed inside the through hole 2c.例文帳に追加

基板下面のスルーホール２ｃの周囲にはコーナー電極２２ｃが形成されており、スルーホール２ｃの内部には側面配線層２８が形成されている。 - 特許庁

A first insulating film including a vacancy forming material and comprising a low permittivity material is formed on a diffusion protective film 2 formed on a lower layer interconnection 1.例文帳に追加

下層配線１上に形成された拡散防止膜２の上に、空孔形成材を含み低誘電率材料からなる第１の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Parts of rainwater infiltrating from a ground surface within the back- filling range are stored temporarily in the water-permeable bags 20, and infiltrated to a lower-layer ground.例文帳に追加

この埋め戻し範囲の地表面から浸透する雨水の一部を透水性バッグ２０内で一時的に貯留し、さらに下層地盤に浸透させる。 - 特許庁

Then, second dry etching is carried out on the first insulating film 2 with the third insulating film 4 as a mask to form a wiring groove up to the lower layer wiring 1.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜４をマスクとして第１の絶縁膜２に第２のドライエッチングを行い、下層配線１に至る配線溝を形成する。 - 特許庁

Also, by performing the priority control by a PPPoE layer which is lower than an RTP, the speed enhancement of processing and simplified processing can be expected.例文帳に追加

また、ＲＴＰよりも下位のレイヤであるＰＰＰｏＥレイヤで優先制御を行うことで、処理の高速化、簡略化に繋がることが期待できる。 - 特許庁

The connection layer 12 includes a third heat-meltable material having a melting point lower than melting points of the first and the second heat-meltable materials.例文帳に追加

接続層１２は、第１および上記第２の熱融解可能材料の融点よりも低い融点をもつ第３の熱融解可能材料を含む。 - 特許庁

Rewiring is formed of a conductive film (Ti film/Pd film from a lower layer) used as a foundation film (UBM (Under Bump Metal) film) of an Au bump.例文帳に追加

Ａｕバンプの下地膜（ＵＢＭ（Ｕnder Ｂｕｍｐ Ｍetal）膜）として使用している導電膜（下層からＴｉ膜／Ｐｄ膜）で再配線を形成する。 - 特許庁

The pH adjusted sludge is stagnated in a calcium carbonate separation tank 5 to separate sludge high in calcium carbonate content of a lower layer to draw the same out of the system.例文帳に追加

ｐＨ調整された汚泥を炭酸カルシウム分離槽５に滞留させることで下層の炭酸カルシウム濃度の高い汚泥を分離して系外へ引き出す。 - 特許庁

The intermediate layer is made of alloy which contains at least one constituent element of the oxygen barrier film and at least one constituent element of the lower electrode.例文帳に追加

中間層は、酸素バリア膜の少なくとも１つの構成元素と、下部電極の少なくとも１つの構成元素とを含む合金で形成される。 - 特許庁

To provide a top emission-type organic EL display in which a chemically stable conductive film containing ITO can be used in a lower electrode of an organic EL layer.例文帳に追加

トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ層の下部電極にＩＴＯを含む化学的に安定導電膜を使用できるようにする。 - 特許庁

To provide an internal layer pattern position detecting method of a multilayer printed board easy to maintain and capable of constituting a device at lower cost and provide its device.例文帳に追加

保守が容易で、装置をさらに安価に構成することができる多層プリント基板の内層パターン位置検出方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

The lower electrode 12 in the MIM capacitor 15 and the barrier film 8b of the second layer wiring 10b is simultaneously formed using a common barrier film.例文帳に追加

そして、ＭＩＭキャパシタ１５の下部電極１２と第２層配線１０ｂのバリア膜８ｂは共通のバリア膜を用いて同時に形成されたものである。 - 特許庁

In comparison with a lower pressure sputtering gas, the frequency of the abnormal discharge generation can be reduced to half and the layer of chromium oxide can be formed on a glass substrate.例文帳に追加

スパッタガスがより低圧の場合に比較して、異常放電の発生頻度を半減させて酸化クロム層をガラス基板上に形成することができる。 - 特許庁

METHOD OF GENERATING BACKSCATTERING INTENSITY BASED ON LOWER LAYER STRUCTURE IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE APPLYING THE SAME例文帳に追加

荷電粒子ビーム露光における下層構造に基づく後方散乱強度の生成方法及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 - 特許庁

A reflective film 10 is formed under a lower electrode 11, and light from an organic EL layer 14 is emitted through an upper electrode 15.例文帳に追加

下部電極１１の下には反射膜１０が形成されており、有機ＥＬ層１４からの光は上部電極１５を通って放出される。 - 特許庁

Another method for forming layers having tapered edges includes the deposition of a layer in which the upper portion is etchable at a faster rate than the lower portion.例文帳に追加

テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。 - 特許庁

The improved ground A is formed by performing rolling processing on its upper surface 10 after mixing sand 2, an improving material 2 or a solidifying material in the ground 1 of a lower layer.例文帳に追加

下層の地盤１に、砂２及び改良材３又は固化材を混合した後、その上面１０を転圧処理して改良地盤Ａを形成する。 - 特許庁

For the infringement on an upper region (203b) of a foil layer (203) by a laser beam (204), a lower region (203a) is remained to be undamaged.例文帳に追加

レーザービーム（２０４）により、ホイル層（２０３）の上部領域（２０３ｂ）が侵害されるのに対し、下部領域（２０３ａ）では損傷無しの状態を維持する。 - 特許庁

The first lens wafer has a planar lower wafer surface adjacent and parallel to the planar upper surface of the upper substrate layer of the electro-active lens assembly.例文帳に追加

第１レンズウエハは、電気駆動レンズアセンブリの上側の基板層の上側の平表面に平行で近接する、下側のウエハ平表面を有する。 - 特許庁

Further, a p-electrode 10 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 6, and n-electrode 9 is formed on the lower side of the Mg_xZn_1-xO substrate 1.例文帳に追加

そして、ＺｎＯ系半導体層６上にはｐ電極１０が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。 - 特許庁

To suppress the effect, which a semiconductor film receives from a pattern of its lower layer, from affecting the electrical performance of the semiconductor film when the semiconductor film is poly-crystallized.例文帳に追加

半導体膜を多結晶化させる際に半導体膜がその下層のパターンから受ける影響が半導体膜の電気的性能に及ぶのを抑制する。 - 特許庁

The dielectric constant of the dielectric material constituting the dielectric structure 30 is lower than the dielectric constant of the liquid crystal material constituting the liquid crystal layer.例文帳に追加

誘電体構造体３０を構成する誘電体材料の誘電率は、液晶層を構成する液晶材料の誘電率よりも低い。 - 特許庁

Namely, the lower capacitive electrode 71 relays an electric connection between a high-density drain area 1e and the pixel electrode 9a together with the relay layer 93.例文帳に追加

即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。 - 特許庁

Furthermore, a negative electrode 1 is formed on the lower surface of the semiconductor substrate 2 and a conductor layer 7 is formed on the upper surface of a multilayer film substrate 31.例文帳に追加

さらに、半導体基板２の下面に負電極１が生成され、多層膜基板３１の上面には導電体層７が生成されている。 - 特許庁

A layer 15 of an Sr oxide forming the site A of perovskite structure is provided to cover the exposed surface of the lower electrode 11a.例文帳に追加

下部電極１１ａの露出表面を覆うように、ペロブスカイト型結晶構造のＡサイトを形成するＳｒの酸化物の層１５を設ける。 - 特許庁