| 意味 | 例文 |
lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11223件
A fuse forming area 14 includes a wiring layer 13 in the other via or wiring area formed in the same process as a lower electrode 131.例文帳に追加
ヒューズ形成領域14は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層13を下部電極131として含む。 - 特許庁
To reduce the service disruption, upon detecting a need for handoff, the lower layers inform the application layer of the forthcoming handoff.例文帳に追加
サービスの混乱を減少させるために、ハンドオフの必要性を検出したときに、下位レイヤがアプリケーションレイヤに対してやがて来るハンドオフについて知らせる。 - 特許庁
A lens 50 is centered and arranged on a lower die, and ultraviolet-curing resin required for forming a resin layer 52 is supplied on one surface side of the lens 50.例文帳に追加
レンズ50を下金型に芯出しして配置し、レンズ50の一面側に樹脂層52を形成するために必要な紫外線硬化樹脂を供給する。 - 特許庁
To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.例文帳に追加
下層Cuの配線上にCuの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁
Each layer includes the passed and their corresponding compressed bit streams from the minimum set of the passes corresponding to the predicted visual quality level not included in any lower visual quality layers.例文帳に追加
各階層は低い階層には含まれないレベルに対応する識別された最小の組からのパスと対応する圧縮ビットストリームを含む。 - 特許庁
A capacitor formation region 14 includes a wiring layer 13 in other vias and wiring regions formed in the same process as a lower electrode 131.例文帳に追加
容量形成領域14は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層13を下部電極131として含む。 - 特許庁
The lowest layer substrate 11 includes lower surface terminals 111 connected to all electrodes 1100 of a wafer level CSP 1000 through pogo pins 2000.例文帳に追加
最下層基板11は、ウェーハレベルCSP1000の電極1100の総てがポゴピン2000を介して接続される下面端子111を備える。 - 特許庁
Under a compression load in thickness direction, the unvulcanized compound layer 4 protrudes from both sides to release the stress, resulting in lower load value.例文帳に追加
厚さ方向に圧縮荷重がかかったとき、未加硫のコンパウンド層4は両方の側面から膨出するため、応力を緩和でき、荷重値を低くすることができる。 - 特許庁
Only when the RF signal level after focus-in is not lower than the third threshold, tracking servo is performed, so that overrun of the tracking servo in an unrecorded layer is prevented.例文帳に追加
フォーカスイン後のRF信号レベルがしきい値以上である場合のみトラッキングサーボを実行することで、未記録層でのトラッキングサーボの暴走を防止する。 - 特許庁
Here, the lower layer film 102 contains a fluorine-based surfactant or inorganic nano-particles as an additive and the resistance against oxygen-based plasma is imparted thereto.例文帳に追加
ここで、下層膜102は、フッ素系の界面活性剤又は無機のナノパーティクルを添加物として含み、酸素系プラズマに対する耐性が付与されている。 - 特許庁
The keytop is formed by integrating the light-hardened resin by die forming on the decoration layer provided at the lower face of the keytop body.例文帳に追加
キートップは、キートップ本体の下面に設けられた装飾層上に、光硬化性樹脂を型成形によって一体化させることによって形成される。 - 特許庁
The resist lower layer film forming composition includes (A) a resin including a group represented by general formula (1) and an aromatic hydrocarbon group and (B) a solvent.例文帳に追加
(A)下記一般式(1)で示される基、及び芳香族炭化水素基を有する樹脂と、(B)溶剤と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 - 特許庁
For example, a network compares the value of the timer or its function with a threshold, so that number of handoff times is at a level or lower at each cell layer.例文帳に追加
例えばネットワークはタイマーの値あるいはその関数をしきい値と比較して、ハンドオフの回数が各セルレイヤーで、あるレベル以下となるようにしている。 - 特許庁
At the lower DBR 14, a plurality of holes 30 reaching the semiconductor oxidized layer 32 from the surface are formed on the outer side of the post P.例文帳に追加
下部DBR14には、ポストPの外側において、その表面から半導体被酸化層32に到達する複数の孔30が形成されている。 - 特許庁
A first methyl group content silicon nitride film 15a is arranged on a lower layer insulating film 12 where first Cu wiring 14a is formed.例文帳に追加
たとえば、第一のCu配線14aが形成された下層絶縁膜12上には、第一のメチル基含有窒化珪素膜15aが設けられている。 - 特許庁
A tantalum nitride film 7 is formed on the surface of the through hole 6 and the lower layer wiring 2, and a tantalum film 8 is formed thereon.例文帳に追加
貫通孔6の表面上と下層配線2の上面上とにはタンタルナイトライド膜7が形成されており、その上にはタンタル膜8が形成されている。 - 特許庁
A memory material layer held between upper and lower line state electrodes is formed by using a material of which impedance is varied in accordance with energy externally given.例文帳に追加
上下線状電極に挟まれるメモリ材料層を、外部から与えられるエネルギーに応じてインピーダンスが変化する材料を用いて形成する。 - 特許庁
At this time, the concentration of P (phosphorus) is controlled to be lower than 1×10^16 atomicity cm^-3 in an interface with the window layer 27 of the nitride semiconductor laser device 10.例文帳に追加
このとき窒化物半導体レーザ素子10の窓層27との界面のP(リン)濃度は1×10^16原子数・cm^-3以下であるものとする。 - 特許庁
A barrier layer comprises a carbine film or a boride film, and extends covering a plug upper surface or an entire of the bottom of the lower electrode of a capacitor.例文帳に追加
バリア層は、炭化物膜またはホウ化物膜を含み、プラグ上面を覆って、あるいは、キャパシタの下部電極の底面全体を覆って延びる。 - 特許庁
The resin case 1 is sandwiched above and below by an upper yoke 2 and a lower yoke 3, on the surfaces of which a resin layer made from a thermosetting resin is respectively formed.例文帳に追加
この樹脂ケース1は、それぞれ表面に熱硬化樹脂による樹脂層が形成された上部ヨーク2と下部ヨーク3とで上下から挟み込まれている。 - 特許庁
The intermediate layer 21 contains diamond abrasive grains 21a and micro capsules 21b to lower grinding performance of the grinding wheel 1 by a cushioning effect.例文帳に追加
中間層21はダイヤモンド砥粒21a及びクッション性によって研削砥石1の研削能力を低下させるためのマイクロカプセル21bを含有している。 - 特許庁
A lower spacer layer 61 is formed at a position on the piezoelectric sheet 41 point-symmetric to the land 36 about the center of the discrete electrode 35.例文帳に追加
圧電シート41上において個別電極35の中心に対してランド36と点対称の位置には、下スペーサ層61が形成されている。 - 特許庁
A first photoelectric conversion element 101 includes a first lower electrode 111, a first photoelectric conversion layer 121, and a first upper electrode 131.例文帳に追加
第1光電変換素子101は、第1下部電極111、第1光電変換層121、及び第1上部電極131を備えている。 - 特許庁
Moreover, a lower layer electrode film 21 made of Ti (or a Ti alloy) is provided between the piezoelectric substrate 2 and the electrode film (or Cu alloy electrode film) 22.例文帳に追加
また、圧電基板2と、Cu電極膜(又はCu合金電極膜)22との間に、Ti(又はTi合金)からなる下層電極膜21を設ける。 - 特許庁
The photocatalyst is excited by sunlight, and the surface of a photocatalyst-containing layer becomes hydrophilic to have a contact angle of the surface consequent upon water of lower tan 10°.例文帳に追加
光触媒は太陽光によって光励起され、光触媒含有層の表面は水との接触角が10゜以下になる程度に超親水化される。 - 特許庁
As a result, at least the lower electrode 5 and the piezoelectric thin film 3 taking over the crystal azimuth of the buffer layer 6 and grown are configured of the epitaxial film.例文帳に追加
その結果、バッファ層6の結晶方位を引き継いで成長した、少なくとも下電極5および圧電薄膜3について、これらをエピタキシャル膜とする。 - 特許庁
A foundation part 12 of a pier 10 comprises a footing 14 and a foundation 16 which extends from a lower surface of the footing to the depth of a bearing layer 30.例文帳に追加
橋脚10の基礎部12は、フーチング14と、このフーチングの下面から支持層30の深さまで到達する基礎16とにより構成される。 - 特許庁
Then, the upper surface of the Si substrate 1 facing the inside of the cavity 25 and the lower surface of the Si layer 5 are thermally oxidized to form an SiO_2 film 27.例文帳に追加
そして、空洞部25の内部に面するSi基板1の上面及びSi層5の下面をそれぞれ熱酸化してSiO_2膜27を形成する。 - 特許庁
To a fixed layer of the TMR elements 10, lower wiring 12 extended in the X direction and functioning as a write wiring and a read wiring is connected.例文帳に追加
TMR素子10の固定層には、書き込み配線及び読み出し配線として機能するX方向に延びる下部配線12が接続される。 - 特許庁
The brush 10 includes a laminate having three layers in which a lower conductive high resistance layer 11 than other part at a center.例文帳に追加
本発明のブラシ10は、中央部に他の部位よりも導電性が低い高抵抗層11を配した3層からなる積層体をなして構成されている。 - 特許庁
The material for forming the insulating layer comprises a resin composite having insulating property and the viscosity of the same at 25°C is lower than 50mPa s.例文帳に追加
本発明の絶縁層形成用材料は、絶縁性を有する樹脂組成物を含有しており、且つ、25℃における粘度が50mPa・s以下である。 - 特許庁
Compressed air is supplied to the air space layer to eject the air from the whole surface of the sheet plate and a suction means is provided on the lower floor surface of the coating chamber.例文帳に追加
前記空気層には圧縮エアを供給してシート板の全面よりエアを噴出させ、塗装室の下部床面には吸引手段を設ける。 - 特許庁
GENERATING METHOD FOR BACKWARD SCATTERING INTENSITY BASED ON LOWER-LAYER STRUCTURE IN CHARGED-PARTICLE BEAM EXPOSURE, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD UTILIZING SAME GENERATING METHOD例文帳に追加
荷電粒子ビーム露光における下層構造に基づく後方散乱強度の生成方法及びその方法を利用した半導体装置の製造方法 - 特許庁
To stably supply media stacked in a multi-layer in taking a medium from a lower section in a paper feeder.例文帳に追加
本発明は、給紙装置に関し、媒体を下方から取り出す場合において多層に積載された媒体を安定に供給することを目的とする。 - 特許庁
To obtain a compact and low-cost DC-DC converter which has no need of an insulating material between a lower later winding and an upper layer winding to output a high voltage.例文帳に追加
下層巻線と上層巻線との巻線間の絶縁材を不要として、高電圧を出力するDC−DCコンバータを小型かつ安価に得る。 - 特許庁
The lower header 4 is surrounded by an adiabatic body 20 and the adiabatic body 20 is configured by a cold insulator having a air layer and a gastightness sheet sealing the cold insulator.例文帳に追加
下部ヘッダ4は断熱体20により覆われ、断熱体20が、空気層を有する保冷材と、保冷材を密封する気密性シートから構成されている。 - 特許庁
The low melting point alloy layer 4 uses, as its composition, 85-96 wt.% Zn (zinc), 10-15 wt.% Sn (tin), 1.0-1.5 wt.% Mg and a melting point is 400°C or lower.例文帳に追加
前記低融点合金層4の組成としては、Zn(亜鉛):85〜96wt%、Sn(錫):10〜15wt%、Mg:1.0〜1.5wt%で、融点が400℃以下のものを用いている。 - 特許庁
To form through holes with a good shape and low electric resistance without deteriorating a lower interconnection layer and an insulation film.例文帳に追加
下部配線層及び絶縁膜に劣化を生じさせることなく、良好な形状のスルーホールを形成し、電気抵抗の低いスルーホールを形成することを課題とする。 - 特許庁
This method for controlling the pest insects is to eject the medicinal liquid toward the leaf layer of the tea trees from the lower direction of the tea trees in right angle direction against the length direction of tea ridges.例文帳に追加
茶畝の長さ方向に対して直交する方向において、茶樹の下方から該茶樹の葉層へ向かって薬液を噴出させる。 - 特許庁
A material 31 of lower abrasion resistance than the metal layer 22 with abrasion resistance is filled up in as high as the surface of the coated block 20 on the horizontal rib 12.例文帳に追加
横リブ12の上に、耐磨耗性金属層22より耐磨耗性が低い材料31を被覆ブロック20の表面とほぼ同じ高さに充填する。 - 特許庁
Then, the grout is injected in a lower layer ground 23 within an injection area virtually surrounded by the supporting steel pipes, and a supporting injection section 31 is formed.例文帳に追加
次に前記支持用鋼管で仮想的に囲まれた注入領域内の下層地盤23に注入材を注入し、支持注入部31を形成する。 - 特許庁
In particular, a plurality of layers of the heat insulation materials 12 are installed on the lower surface of the substrates 10, and joints 21 of the insulation materials 12 in each layer are set at different positions.例文帳に追加
特に、下地材10の下面に複数層の断熱材12を取り付け、各層の断熱材12の継目21を互いに異なる位置に設定する。 - 特許庁
According to this method, more moisture is removed at a lower temperature and within a shorter period of time than in the case of heating and drying only the alignment layer.例文帳に追加
この方法によれば、単に配向膜のみを加熱乾燥するよりも、より低い温度で短時間に多くの水分を除去することができる。 - 特許庁
A notch 14 is formed on the substrate 10 so that the lower-surface electrode layer 40 may also reach the end face side of the substrate 10.例文帳に追加
絶縁基板10には、切欠き14が形成されていて、下面電極層40が絶縁基板10の端面側にも回り込むようになっている。 - 特許庁
The material is exposed by using an exposure mask having an aperture for half exposure consisting of a number of slits in a portion to be the lower layer of the diffusion reflection electrode and is cured.例文帳に追加
拡散反射電極の下層となる部分に多数のスリットからなるハーフ露光用開口部を有する露光マスクを用いて露光し、硬化させた。 - 特許庁
A plurality of holes 30, reaching the current constricting layer 32 from the active region 16 are formed in the lower DBR 14 on the outside of the post P.例文帳に追加
下部DBR14には、ポストPの外側において、活性領域16から電流狭窄層32に到達する複数の孔30が形成されている。 - 特許庁
A third wire 18 forming the lower layer mesh member 22 is arranged in the y-axis direction, and a fourth wire 19 is arranged in the x-axis direction.例文帳に追加
一方、下層メッシュ部材22を形成する、第3のワイヤ18は、y軸方向に向けて配置され、第4のワイヤ19は、x軸方向に向けて配置される。 - 特許庁
A process for forming the intermediate layer portion 30 includes: a process for forming the first wiring 31 on the first circuit forming region 110; a process for forming a film of the second insulating part 32 to cover the lower layer portion 10; and a process for removing the second insulating part 32 on the first region 120 so that an outer circumferential part 10a of an upper surface of the lower layer portion 10 is exposed.例文帳に追加
中間層部30を形成する工程は、第1配線31を第1回路形成領域110に形成する工程と、下層部10を覆うように第2絶縁部32を成膜する工程と、下層部10の上面の外周部10aが露出するように、第1領域120上の第2絶縁部32を除去する工程とを備える。 - 特許庁
Although a first piezoelectric layer 71 on a vibration plate 52 is removed at a step of a photolithography etching process with remaining a region where a lower electrode 60 is formed, a second piezoelectric layer 72 containing lead zirconate titanate having a thickness equal to or more than 4 nm and equal to or less than 20 nm is formed over the first piezoelectric layer 71, the lower electrode 60, and the vibration plate 52 after the photolithography etching process.例文帳に追加
フォトリソエッチ工程の段階で、下電極60が形成される領域を残して、振動板52上の第1圧電体層71が除去されるが、フォトリソエッチ工程後に、第1圧電体層71、下電極60および振動板52にわたって、4nm以上、20nm以下の厚みのチタン酸ジルコン酸鉛を含む第2圧電体層72を形成する。 - 特許庁
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