「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

The auxiliary capacitance elements 27 are formed by laminating, in the following order, an interlayer insulting layer (2nd insulating layer) 29 formed by laminating a lower electrode 28, an inorganic insulating film 30 and an organic insulating film 31 on the insulating layer 24, and an upper electrode which is a pixel electrode 26.例文帳に追加

補助容量素子２７は絶縁層２４上に下部電極２８、無機絶縁膜３０と有機絶縁膜３１とを積層して構成される層間絶縁層（第２の絶縁層）２９および画素電極２６である上部電極をこの順番に積層して構成される。 - 特許庁

The transistor includes: a channel layer composed of upper and lower layers having different mobilities and composed of different oxides; source and drain electrodes which are disposed so as to be in contact with the channel layer at both opposite ends, respectively; and a gate configured to apply an electric field to the channel layer.例文帳に追加

トランジスタであって、相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有する。 - 特許庁

This light emitting element is provided with: a substrate 1; an organic electroluminescent element 9 composed by sandwiching an organic layer 3 involved in a light emitting function between electrodes 2 and 4 arranged adjacently to both its upper and lower surfaces; and a gas barrier layer 10 comprising a layer structure with a plurality of layers stacked therein.例文帳に追加

発光素子は、基板１と、発光機能に関与する有機層３をその上下両面に隣接して配した電極２，４で挟み込んでなる有機エレクトロルミネッセント素子９と、複数の層が積層された層構造体からなるガスバリア層１０と、を備えている。 - 特許庁

A recess 54 using a pair of second regions 58 as the bottom surface is formed on a surface of one organic insulation layer 52 or the organic insulation layer 52 closest to the wire 62 facing the liquid crystal layer 18 so that the pair of second regions 58 lower than a first region 56 is formed on both sides of the first region 56.例文帳に追加

１層の又は最も配線６２に近い有機絶縁層５２の、液晶層１８を向く面には、第１領域５６を挟んで第１領域５６よりも低い一対の第２領域５８が形成されるように、一対の第２領域５８を底面とする凹部５４が形成されている。 - 特許庁

An interval d of high concentration p-type conductive layers 3, 4 is set to the interval for depletion of the area between the high concentration p-type conductive layer 3 and high concentration p-type conductive layer 4 at the low concentration n-type conductive layer 2 when the desired voltage lower than the breakdown voltage BV is applied.例文帳に追加

高濃度ｐ型導電層３，４の間隔ｄを、降伏電圧BV以下の所望の電圧を印加したときに、低濃度ｎ型導電体層２における高濃度ｐ型導電層３と高濃度ｐ型導電層４との間の部分が空乏化する間隔に設定する。 - 特許庁

The temperature history management sheet is formed by laminating an upper sheet layer 3 providing a printing part 2 constituting a discrimination symbol, a melting substance layer 4 formed of a melting substance melted at a prescribed temperature, and a lower sheet layer 5 colored at the same color or a near color tone as the printing part 2.例文帳に追加

識別記号を構成する印刷部２を設けた上部シート層３と、所定温度で溶融する溶融物質で形成された溶融物質層４と、上記印刷部２と同色又は近似の色調で着色された下部シート層５とを積層して形成される。 - 特許庁

The magnetic shield layer wherein a sticking matter is more easily stuck to its sliding surface between a lower magnetic shield layer 3 and an upper magnetic shield layer 12 when a tape recording medium slides is arranged on a side where the tape recording medium is inserted when mounted on a rotating drum.例文帳に追加

回転ドラムに搭載するときに、下部磁気シールド層３及び上部磁気シールド層１２のうち、テープ状記録媒体を摺動させたときに、摺動面に対して付着物が付着しやすい磁気シールド層の方が、テープ状記録媒体が挿入する側となるよう配設にする。 - 特許庁

This printed board has an insulating layer 5, in which at least one via hole 3 is formed, a spherical metal 1 which is inserted into the via hole 3 and has at least a size equal to the thickness of the insulating layer 5 and electrode layers 2 which are formed on the upper and lower sides of the insulating layer 5.例文帳に追加

プリント基板７は，少なくとも１つのビアホール３が形成された絶縁層５と，ビアホール３内に挿入され少なくとも絶縁層５の厚み以上の大きさを有する導電体からなる球状金属１と，絶縁層５の上下両面に形成された電極層２とを有する。 - 特許庁

At this time, since a part of the insulating layer film 10B is buried in the opening 10AK, the position of the surface of the part of the insulating layer part 10B corresponding to the opening area 10AK is lower than that when the opening 10AK is not formed in the insulating layer part 10A.例文帳に追加

このとき、絶縁層部分１０Ｂの一部が開口１０ＡＫに埋め込まれるため、絶縁層部分１０Ｂのうちの開口領域１０ＡＫに対応する部分の表面の位置が、絶縁層部分１０Ａに開口１０ＡＫを形成しない場合よりも低くなる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate (21), lower-layer buried oxide films (42), a stress reducing film (43, 53), an upper-layer buried oxide film (44), and the SOI film (25) are formed sequentially and the coefficient of thermal expansion of the stress reducing film (43) is larger than the coefficient of thermal expansion of the upper-layer buried oxide film (44).例文帳に追加

半導体基板（２１）の上に、下層埋め込み酸化膜（４２）、応力緩和膜（４３、５３）、上層埋め込み酸化膜（４４）、ＳＯＩ膜（２５）の順に形成され、応力緩和膜（４３）の熱膨張係数が上層埋め込み酸化膜（４４）の熱膨張係数より大きい。 - 特許庁

Electrode paste, whose binder is a resin with a thermosetting temperature lower than a thermosetting temperature of binder resin of the resistor layer 21 and a glass transition temperature, is subjected to pattern formation in the surface of the resistor layer 21 and the resin is thermally set, thus forming an electrode layer 22.例文帳に追加

次に前記抵抗体層２１のバインダー樹脂の熱硬化温度およびガラス転移温度よりも低い熱硬化温度を有する樹脂をバインダーとした電極ペーストを、前記抵抗体層２１の表面にパターン形成し、前記樹脂を熱硬化させて電極層２２を形成する。 - 特許庁

Preferably, the illuminance equalization element 20 contains a single core layer 21 formed with a first translucent material, and a cladding layer 22 formed with a second translucent material having a lower refractive index than the first translucent material, and covering a periphery of the core layer 21.例文帳に追加

照度均一化素子２０は、第１の光透過性材料で形成された単一のコア層２１と、第１の光透過性材料よりも屈折率が低い第２の光透過性材料で形成され、且つ、コア層２１の周囲を覆うクラッド層２２とを備えているのが好ましい。 - 特許庁

Then, a plating process of forming a Ni layer on a lower base electrode by a plating process by electrolytic plating, and forming an upper base electrode by forming a Sn-plated layer on a surface of the Ni layer by applying a Sn plating process by electrolytic plating onto it is executed.例文帳に追加

次に、下地電極の上に電解めっきによるめっき処理によりＮｉ層を形成し、更に、その上に電解めっきによるＳｎめっき処理を施すことによりＮｉ層の表面にＳｎめっき層を形成して上地電極を形成するめっき工程を行う。 - 特許庁

An eave 109a which extends to the outside from a region where the ledge structure 105a is formed, and forms a space between the first insulation layer 108 and a base layer 104 at a side of the ledge structure 105a is formed at a lower end of the second insulation layer.例文帳に追加

第２絶縁層の下端部には、レッジ構造部１１０５ａが形成されている領域より外側に延在し、第１絶縁層１０８およびレッジ構造部１０５ａの側方のベース層１０４との間に空間を形成する庇部１０９ａが形成されている。 - 特許庁

Namely, the invented capacitor 10 has large electrostatic capacity because the dielectric layer 16 is provided with the Si_3N_4 layer 22 having a high dielectric constant, and improves adhesion between the dielectric layer 16 and the lower electrode 14A as compared with the conventional capacitor.例文帳に追加

すなわち、本発明に係るキャパシタ１０は、誘電体層１６が高い誘電率を有するＳｉ_３Ｎ_４層を備えているため大きな静電容量を有しており、且つ、従来キャパシタに比べて誘電体層１６と下部電極１４Ａとの間の密着性が向上している。 - 特許庁

The lower-layer capacitor electrode 141 and pixel electrodes 131 are formed of a single conductive film and the upper-layer capacitor electrode 143 and common electrode 133 are formed of a single conductive film, so that the capacitor 130 is layered on TFT 120N and 120P of a circuit layer 120.例文帳に追加

下層キャパシタ電極１４１および画素電極１３１を単一の導電膜から形成し、上層キャパシタ電極１４３および共通電極１３３を単一の導電膜から形成することにより、キャパシタ１４０が回路層１２０のＴＦＴ１２０Ｎ，１２０Ｐ上に積層される。 - 特許庁

Before dielectric precursor layer formed on the wafer W is baked, it is maintained for predetermined time at the temperature higher than the temperature at which solvent in the dielectric precursor layer is volatilized and lower than the temperature at which the dielectric precursor layer starts crystallization to vaporize residual solvent.例文帳に追加

さらに、ウエハＷ上に形成された誘電体前駆体層を焼成する前に、誘電体前駆体層の溶剤の揮発温度より高く、かつ誘電体前駆体の結晶化開始温度よりも低い温度で、所定の時間保持して残留溶剤を蒸発させる。 - 特許庁

The imaging element comprises an imaging layer and a practical imaging sheet bonded to a carrier sheet with a pressure-sensitive adhesive and comprising paper having a resin coat on each surface, wherein the carrier sheet comprises at least one polyester core layer and a rough lower surface layer.例文帳に追加

画像形成層と、感圧接着剤でキャリヤシートに接着された、各面上に樹脂コートを有する紙を含む実用的画像形成シートとを含んでなり、該キャリヤシートが、少なくとも１層のポリエステルのコア層と、粗い下面層とを含むことを特徴とする画像形成要素。 - 特許庁

Current is poured into the organic EL layer 120 through a front electrode film 110, and this current flows into the semiconductor substrate 200 through the organic EL layer 120, the EL lower electrode 126, the drain electrode 125, a semiconductor activity layer, the source electrode 128, and the electrode 129 for grounding.例文帳に追加

有機ＥＬ層１２０には，前面電極膜１１０を介して，電流が注入され，この電流は，有機ＥＬ層１２０，ＥＬ下部電極１２６，ドレイン電極１２５，半導体活性層，ソース電極１２８，接地用電極１２９を介して半導体基板２００に流入する。 - 特許庁

The electrode terminal pad 10 of the semiconductor integrated circuit is constituted of an uppermost wiring layer 14d having a portion exposed on the surface of the circuit and a lower wiring layer 18 electrically connected to the wiring layer 14d through via holes 19.例文帳に追加

半導体集積回路の電極端子パッド１０を、半導体集積回路表面に露出する部分を有する最上層の配線層１４ｄ、およびこの配線層１４ｄとビア１９によって電気的に接続された下層側の配線層１８によって構成する。 - 特許庁

This optical waveguide substrate is constituted by forming the optical waveguide of the organic system having a layer consisting of an organic optical material having a hydroxyl group or alkyl group as a lower clad layer 3 on the aluminum oxide substrate 1 via an intermediate layer 2 consisting of silicon nitride or silicon interposed therebetween.例文帳に追加

窒化アルミニウム基板１上に酸化珪素または珪素から成る中間層２を介在させて、水酸基またはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層３とした有機系の光導波路を形成した光導波路基板である。 - 特許庁

To increase the flexibility of combination of screen display contents of an additional program and a receiving side program, such as interposing a parent layer between child layers or the like, by substituting a simulation image, in a specific layer, for a display object located at a lower layer but to be displayed at the foreground.例文帳に追加

下層に移動させるが表示上は手前に見せたいレイヤーの表示物を特定レイヤーにおいて模擬画像で代替することにより、子レイヤー間に他の親レイヤーを挟むなど、付加プログラムと受入側プログラムの画面表示内容の組合せ態様の自由度を拡大すること。 - 特許庁

The image carrier 2 comprises a charge injection layer 2c having an electric resistance exhibiting anisotropy such that the resistance in the longitudinal direction orthogonal to the plane direction of the charge injection layer 2c is lower than the resistance in the plane direction of the charge injection layer 2c (lateral direction).例文帳に追加

その場合、像担持体２は電荷注入層２ｃを備えており、この電荷注入層２ｃの電気抵抗が、電荷注入層２ｃの面方向に直交する縦方向の抵抗＜電荷注入層２ｃの面方向（横方向）の抵抗となる異方性を有している。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring structure in which even if an insulating film on a lower layer side of a wiring layer is not partially completely removed or particularly thinned, a large step caused by an intersection part between the wirings does not occur on an upper layer side, a semiconductor device, an electrooptical device and an electronic apparatus.例文帳に追加

配線層の下層側の絶縁膜を部分的に完全除去、あるいは著しく薄くしなくても、配線同士の交差部分に起因する大きな段差が上層側に発生しない多層配線構造、半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

Excess carbon atom 2 is supplied among each single-layer graphite 3a in an ion implantation method, and the like; and when the distance between each single-layer graphite is compressed at heating, the supplied surplus carbon atom 2 is subjected to chemical bonding with a carbon atom 1, which constitutes the single layer graphite 3a on upper and lower sides.例文帳に追加

イオン注入などの方法により単層グラファイト３ａ間に余剰炭素原子２を供給し、加熱しつつ単層グラファイト間距離を圧縮すると、供給された余剰炭素原子２は、上下の単層グラファイト３ａを構成する炭素原子１と化学結合される。 - 特許庁

The pixel region has the TFT 11 having a source electrode 105, a drain electrode 100, a gate electrode 104, a gate insulating film 103 and an active layer 102; a light-emitting layer 108; and a lower electrode 107 and an opposite electrode 109 sandwiching the light-emitting layer 108.例文帳に追加

この画素領域に、ソース電極１０５、ドレイン電極１００、ゲート電極１０４、ゲート絶縁膜１０３、及び活性層１０２を有するＴＦＴ１１と、発光層１０８と、この発光層１０８を挟む下部電極１０７及び対向電極１０９とを有する。 - 特許庁

The pattern deviation detector 36 includes a through-hole land 37a formed on an upper surface 11a of a substrate layer 11 of the wiring board 31, a through-hole land 37b formed on a lower surface 11b of the substrate layer 11, and a through-hole 38 formed on the substrate layer 11.例文帳に追加

パターンずれ検出部３６は、配線基板３１の基材層１１の上面１１ａに形成されたスルーホール用ランド３７ａと、基材層１１の下面１１ｂに形成されたスルーホール用ランド３７ｂと、基材層１１に形成されたスルーホール３８とを有している。 - 特許庁

To obtain a thin film magnetic head and its manufacturing method which enable track width restricting grooves which is formed, particularly, in an insulating layer to be formed so as to reach surely a lower core layer, and hence enable the magnetic pole layer to be properly grown by plating in the groove and recording characteristics to be improved.例文帳に追加

下部コア層上に形成される絶縁層は、その膜厚が厚く形成されているために、前記絶縁層にトラック幅規制溝を形成する際に、エッチングの制御を適性に行なうことが難しく、前記トラック幅規制溝の下には、絶縁層の一部が残されやすい。 - 特許庁

To provide a method for creating a composite pile of soil cement, which can ease consolidation settlement of a soft soil layer and make the settlement of a structure fall within a range of allowable settlement, even though a soft cohesive soil layer exists in ground and even though a lower end does not reach a bearing layer.例文帳に追加

軟弱粘性土層が存在する地盤であっても下端を支持層に達していなくとも軟弱土層の圧密沈下を緩和し、構造物の沈下量を許容沈下量の範囲内に収めることができるソイルセメント合成杭の造成法を提供すること。 - 特許庁

The servo signal is recorded in the lower layer part 2a of the magnetic layer 2 of this magnetic recording medium 20, by using a master carrier in which a pattern corresponding to the servo signal to be recorded in the part 2a of the layer 2 of the medium 20 is written by mastering method and conducting magnetic transfer.例文帳に追加

磁気記録媒体20の磁性層２の下層部２ａに記録すべきサーボ信号に応じたパターンをマスタリング方法により書き込まれたマスター担体を用い、磁気転写を行うことにより、磁気記録媒体20の磁性層２の下層部２ａにサーボ信号を記録する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method using an organic resist capable of development and peeling by an alkaline solution, of a Cr/Cu/Cr wiring struc tural body having a small exposure quantity of an undercut in a lower layer Cr (chromium) film and a Cu (copper) layer on the upper layer, and a plasma display panel using it as an electrode.例文帳に追加

下層Ｃｒ膜のアンダーカットと上面でのＣｕ層の露出量が少ないＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ配線構造体とそれを電極に用いたプラズマディスプレイパネルの、アルカリ性溶液による現像と剥離が可能な有機レジスト用いた製造方法を提供すること。 - 特許庁

The transflective liquid crystal display device has an alignment layer with division alignment in which aligning ability is imparted to the alignment layer by forming grooves extended in a prescribed direction on the lower face of the alignment layer, with the prescribed direction set to be different between in the reflective display part and in the transmissive display part.例文帳に追加

半透過型液晶表示装置は、配向膜の下面を所定方向に延長する溝形状として配向膜に配向能を付与し、前記所定方向は、反射表示部と透過表示部とで異なるように設定された、分割配向の配向膜を備える。 - 特許庁

This steel plate integrated solar cell module has a fluorine-based resin coating layer on at least one surface of a steel plate, at least one side of the fluorine-based resin coating layer is subjected to corona discharge treatment, and the fluorine-based resin coating layer is bonded to the lower surface part of a sheet type solar cell module.例文帳に追加

鋼板の少なくとも一方の表面に、フッ素系樹脂被覆層を有し、該フッ素系樹脂被覆層の少なくとも片面がコロナ放電処理されてなり、フッ素系樹脂被覆層とシート型太陽電池モジュールの下面部分とを接着して、鋼板一体型太陽電池モジュールとする。 - 特許庁

A flexible substrate 201 includes a copper foil layer all over the surface, and comprises, at its both terminal portions, a coverlay opening 207 for connecting the copper foil layer to a metal shield or the like of the upper substrate, and a coverlay opening 208 for connecting the copper foil layer to a metal shield or the like of the lower substrate.例文帳に追加

フレキシブル基板２０１は、全面に銅箔層を有する構成であり、その両端部には、上側基板の金属シールド等に銅箔層を接続させるカバーレイ開口部２０７と、下側基板の金属シールド等に銅箔層を接続させるカバーレイ開口部２０８とが設けられている。 - 特許庁

This elastic pavement material is a thick plate-material of a porous structure having a thin surface layer 1 formed by hardening rubber chips with a binder and a thick base layer 2 formed by hardening rubber chips made of crushed waste tire with a binder, and a number of water permeable holes 24 opened to the lower surface side are formed at suitable spaces in the base layer 2.例文帳に追加

ゴムチップをバインダーで固めて成る薄い表層１と、廃タイヤを粉砕して得たゴムチップをバインダーで固めて成る厚い基層２とから成る多孔構造の厚板状のものであり、前記基層２には下面側に開放する透水孔24を適宜間隔で多数形成してある。 - 特許庁

The dielectric thin-film capacitor is constituted so as to have the first and/or the second conductive lead-out conductor equipped with the conductive oxide layer and a metal layer, and the conductive oxide layer arranged so that the bonded surfaces of the lower electrode and/or the upper electrode with the first and/or the second lead-out conductor are covered.例文帳に追加

第１および／または第２の引き出し導体が、導電性酸化物層と金属層とを備え、かつ、導電性酸化物層が、下部および／または電極の、第１のおよび／または第２の引き出し導体との接合面を覆うように配設された構成とする。 - 特許庁

A junction electric field transistor according to this invention, when the a pn junction of a gate is formed in a selection regrowth, a low-concentration doped regrowth layer 13 doped at lower concentration than a p+ type high-concentration doped regrowth layer 14 is inserted directly under the p+ type high-concentration doped regrowth layer 14.例文帳に追加

本発明の接合電界トランジスタは、選択再成長によりゲートのｐｎ接合を形成する際、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４の直下に、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４よりも低濃度にドーピングされた低濃度ドーピング再成長層１３を挿入する。 - 特許庁

A glass layer (3) is fixed on a glass member (4) by fusing the glass layer (3) by irradiation with a laser beam L1 along a scheduled region for fusion bonding, with the irradiation power of the laser beam L1 being so controlled as to keep the glass layer (3) at a temperature which is higher than the melting point and lower than the crystallization temperature.例文帳に追加

溶着予定領域に沿ってレーザ光Ｌ１を照射してガラス層３を溶融させる際、ガラス層３の温度が融点よりも高く且つ結晶化温度よりも低い温度となるようにレーザ光Ｌ１の照射パワーを制御して、ガラス部材４にガラス層３を定着させる。 - 特許庁

The semiconductor optical element of the waveguide type with the high mesa ridge structure has a semi-insulating substrate and a ridge part which is formed on the semi-insulating substrate and includes a lower clad layer, a core layer, and an upper clad layer layered in order on the semi-insulating substrate.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子が、半絶縁性基板と、半絶縁性基板上に形成されたリッジ部であって、半絶縁性基板上に順次積層された下部クラッド層、コア層、及び上部クラッド層とを含むリッジ部とを備える。 - 特許庁

A portion of light beam L2 made incident on the thin film transistor array substrate without being orthogonal to the light transmissive substrate is never made incident on a polycrystalline silicon film 5 forming a TFT by reflected by an upper light shielding layer 12 and the like since the lower light shielding layer has a width wider than that of the upper light shielding layer 12.例文帳に追加

光透過性基板に直交せずに薄膜トランジスタアレイ基板内に入射した光Ｌ２は、下部遮光層が上部遮光層１２よりも幅広であるため、上部遮光層などで反射されてＴＦＴを成す多結晶シリコン膜５に入射することがない。 - 特許庁

Then the solder bumps 25 and 26 of the intermediate substrates 24 are placed upon another with the solder bump 25 having the low-melting point solder layer 30 on the bottom side and melt-connected to each other under a temperature condition where the lower solder layer 30 melts and the upper solder layer 28 does not melt.例文帳に追加

融点が低い半田層３０を有する半田バンプ２５を下側として、２枚の中間基板２４，２４の半田バンプ２５と半田バンプ２６とを重ねて、下側の半田層３０が溶融する一方上側の半田層２８が溶融しない温度条件で溶融接続する。 - 特許庁

A weight section 7, a support 5 and a thin beam section 6 connecting these former ones are formed by a SOI substrate 1 which sandwiches an intermediate layer 3 fabricated with a second etching gas instead of a first etching gas between an upper layer 2 and a lower layer 4 both fabricated with the first etching gas.例文帳に追加

第１のエッチングガスにより加工される上部層２と下部層４との間に、第１のエッチングガスにより加工されず第２のエッチングガスにより加工される中間層３を挟んだＳＯＩ基板１により、錘部７と支持部５と、これらを連結する肉薄の梁部６を形成する。 - 特許庁

Through laser machining employing irradiation with a laser beam, an opening 13 is bored in a lower-layer insulating film 1 and an adhesion layer 3 at a part corresponding to a reverse-surface center portion of a connection pad portion 10a of wiring 10 of the semiconductor constitution body 2 by using a mask metal layer 52 having an opening 53 as a mask.例文帳に追加

レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部５３を有するマスク金属層５２をマスクとして、半導体構成体２の配線１０の接続パッド部１０ａの下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜１および接着層３に開口部１３を形成する。 - 特許庁

A first magnetic domain control part 122 interposes an upper layer part 20B including the magnetosensitive layer 34 in accordance with a first width W1, and a second magnetic domain control part 121 interposes a lower layer part 20A that forms a second width W2 larger than the first width W1.例文帳に追加

第１の磁区制御部分１２２が第１の幅Ｗ１に対応して感磁層３４を含む上層部分２０Ｂを挟むと共に、第２の磁区制御部分１２１が第１の幅Ｗ１よりも広い第２の幅Ｗ２をなす下層部分２０Ａを挟むように構成する。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two-layer resist system.例文帳に追加

高感度であり、０．２μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁