「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

A first overlapping error measurement mark 100 having a recessed lower mark 11A and a first upper layer mark 13A, and a second overlapping error measurement mark 200 having a projecting lower layer mark 11B and a second upper layer mark 13B are arranged on the same substrate 10, and first and second overlapping error measurement marks 100 and 200 measure the overlapping error.例文帳に追加

同一の基板１０上に、凹型下層マーク１１Ａと第１の上層マーク１３Ａとを有する第１の重ね合わせ誤差測定マーク１００と、凸型下層マーク１１Ｂと第２の上層マーク１３Ｂとを有する第２の重ね合わせ誤差測定マーク２００とを設け、第１および第２の重ね合わせ誤差測定マーク１００，２００により重ね合わせ誤差を測定する。 - 特許庁

The electron source A irradiates electron tunneling through a surface electrode 3 from the electron passing layer 4 by making an electric field act on the electron passing layer 4, by impressing a voltage between the surface electrode 3 formed on a main surface of the electron passing layer 4 and a lower electrode 2 facing the surface electrode 3 in a manner of making the voltage of the surface electrode 3 higher than that of the lower electrode 2.例文帳に追加

電子源Ａは、電子通過層４の主表面に設けた表面電極３と表面電極３と対向する下部電極２との間に表面電極３を下部電極２よりも高電位とするように電圧を印加し電子通過層４に電界を作用させることにより電子通過層４から表面電極３をトンネルする電子を放射する。 - 特許庁

A BTO ferroelectric thin film 36 is grown epitaxially on an Si substrate 31 through the intermediary of a lower electrode, and an SRO upper electrode 37 is formed on the ferroelectric thin film 36 for the formation of a ferroelectric capacitor, where the lower electrode is formed of a three- layered epitaxial film composed of a (Ti, Al) N film layer 33, an Ir layer 38, and an SOR layer 365.例文帳に追加

Ｓｉ基板３１上に下部電極を介してＢＴＯ強誘電体薄膜３６がエピタキシャル成長され、強誘電体薄膜３６上にＳＲＯ上部電極３７が形成された強誘電体キャパシタにおいて、下部電極を、Ｓｉ基板３１側から（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜層３３，Ｉｒ層３８，ＳＲＯ層３５の３層構造のエピタキシャル膜で形成した。 - 特許庁

In the semiconductive member, in which a plurality of semiconductive elastic layers are formed on the outer periphery of a conductive support body, at least the outermost surface layer among the plurality of semiconductive elastic layers is a foamed layer, and the Asker C hardness of the semiconductive member constituted of the lower layers other than the outermost surface layer as the semiconductive elastic layer is lower than the Asker C hardness of the semiconductive member main body.例文帳に追加

導電性支持体の外周に複数の半導電性弾性体層が形成されてなる半導電性部材であって、複数の半導電性弾性体層の内の少なくとも最表面層が発泡層であり、且つ半導電性部材本体から最表面層の半導電性弾性体層を除いた下層からなる半導電性部材のアスカーＣ硬度が、半導電性部材本体のアスカーＣ硬度より低硬度である。 - 特許庁

After one and the other are collectively subjected to rubbing, heat treatment is made at a temperature higher than the glass transition temperature of the other and under a glass transition temperature of one, whereby the other alignment layer is made lower in alignment regulating force for aligning liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30 than one alignment layer.例文帳に追加

一方と他方とが一括してラビング処理された後に他方のガラス転移温度以上一方のガラス転移温度未満の温度で熱処理されたことにより、他方は液晶層３０の液晶分子を配向させる配向規制力が一方よりも弱くなっている。 - 特許庁

This method of manufacturing the solid electrolyte battery has a laminate forming process to form a laminate wherein a lower collector layer 12, an intermediate layer 13, and an upper collector layer 14 are laminated in this order on a substrate 11, and a process to apply a voltage to the laminate.例文帳に追加

この固体電解質電池の製造方法は、基板上１１に、下部集電体層１２と中間層１３と上部集電体層１４とがこの順で積層された積層体を形成する、積層体形成工程と、積層体に対して電圧を加える工程とを有する。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

Since the active layer is formed in the p-type semiconductor and the n-type semiconductor is formed on the active layer, a region by the side of a lower layer which is a region in which good quantum dot is formed among the active layers becomes a region nearer at the p-type semiconductor of the active layers.例文帳に追加

ｐ形半導体に活性層が形成されており、活性層上にｎ形半導体が形成されているため、活性層のうちで良質な量子ドットが形成される領域である下層側の領域は、活性層のうちのｐ形半導体に近い領域となる。 - 特許庁

An embedded oxide layer 112 serving as a lower clad is provided on a substrate part 111, and a silicon thin line core 105 and an upper clad layer 106 formed so as to embed the silicon thin line core 105 are formed on an emission region on the embedded oxide layer 112, and thereby the light waveguide is constituted.例文帳に追加

基板部１１１の上には下部クラッドとなる埋め込み酸化層１１２が設けられ、埋め込み酸化膜１１２の上の発光領域には、シリコン細線コア１０５と、シリコン細線コア１０５を埋めるように形成された上部クラッド層１０６が形成され、光導波路が構成されている。 - 特許庁

A lower mirror layer 14 having a p-type AlGaAs system DBR structure, an active layer 24 having a GaAs/AlGaAs system MQW structure, and an upper mirror layer 28 having an n-type AlGaAs system DBR structure are formed on a p-type GaAs substrate 12 to constitute a vertical resonator.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の下部ミラー層１４、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のＭＱＷ構造の活性層２４、及びｎ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の上部ミラー層２８等が積層され、垂直共振器を構成している。 - 特許庁

The light emitting portion group 12 of second color temperature lower than the first color temperature has an LED chip 2, a first phosphor layer 9 sealing these LED chips 2, and a second phosphor layer 10 arranged on the first phosphor layer 9 and containing a second phosphor.例文帳に追加

第２の色温度の発光部群１２は、第１の色温度よりも低い色温度であって、ＬＥＤチップ２と、これらＬＥＤチップ２を封止する第１の蛍光体層９と、第１の蛍光体層９上に配置され第２の蛍光体を含む第２の蛍光体層１０とを有する。 - 特許庁

In addition, the cylindrical air electrode of a three-layered structure consists of a catalytic layer 1, a current collector layer 2 and a water-repellent fluororesin porous membrane layer 3, and its lower part is inserted into a resin mold 19 coated with a sealer 18 and sealed by an positive electrode can 11 being pressurized.例文帳に追加

なお、３層構造の円筒状空気極は触媒層１，集電体層２，撥水性フッ素樹脂多孔膜層３からなり、その下部は封止剤１８が塗布された樹脂成形体１９に挿入され、正極缶１１を押圧することで封口されている。 - 特許庁

The sample chuck 2 supporting the semiconductor sample 13 is provided with an upper side layer 6 formed of a semiconductor material and having a holding face 18 holding the sample, and a lower side layer 4 formed of a conductive material and laminated on the contrary side to the holding face of the upper side layer.例文帳に追加

半導体サンプル１３を支持するサンプルチャック２は、半導体材料から形成されかつ前記サンプルを保持する保持面１８を有する上側層６と、導電材料から形成されかつ前記上側層の前記保持面とは反対側に積層された下側層４とを備えている。 - 特許庁

An inter-network interconnection apparatus of the present invention comprises: an interface board which includes a plurality of input/output ports and performs lower-layer processing on traffic; a higher-layer processing board for performing higher-layer processing; and an inter-board connection board interposed for information transfer therebetween.例文帳に追加

本発明の網間相互接続装置は、複数の入出力ポートを有し、トラフィックに対する低位レイヤの処理を行うインタフェースボードと、高位レイヤの処理を行う高位レイヤ処理ボードと、これらボード間の情報転送に介在するボード間接続用ボードとを備える。 - 特許庁

The filter medium for an air filter comprised of a filter medium layer with a reinforcement layer heat-bonded thereto is characterized in that the filter medium layer is constituted of a nonwoven fabric made from a heat-bondable fiber comprising a heat-bondable adhesive component having a melting temperature lower than a heat bonding temperature by 30°C or more.例文帳に追加

ろ材層に補強層を加熱接着してなるエアフィルタ用ろ材であって、ろ材層が熱接着繊維からなる不織布であり、前記熱接着繊維の熱接着成分の融点が加熱接着する温度よりも３０℃以上低いものであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of ideally applying a bonding technology for bonding a support substrate to a semiconductor substrate even if forming a layer comprising the support substrate and other materials at the lower layer side of a ground insulating layer, and to provide an electro-optical device and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

下地絶縁層の下層側に支持基板と別の材料からなる層を形成する場合でも、支持基板と半導体基板との貼り合わせ技術を好適に適用することのできる半導体装置、電気光学装置、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of chipping, peeling, or scuffing of a nitrided layer of a lower layer even when an initial running-in layer is rapidly worn out in an internal combustion engine working under a high temperature and high load condition like a diesel engine.例文帳に追加

ディーゼルエンジンのように高温・高負荷条件下で作動する内燃機関に使用することにより初期馴染み層が早く摩滅しても、下層の窒化処理層に欠け、剥離又はスカッフ等の不具合が生じない内燃機関用ピストンリング、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electroconductive GL (glass lining) composed of at least three glass lining layers of: a lower glass lining layer fired without adding an electroconductive substance to glass frit; an upper ordinary glass lining layer; and an upper electroconductive glass lining layer fired by adding an electroconductive substance to glass frit is produced.例文帳に追加

ガラスフリットに導電性物質を添加せずに焼成した下引きグラスライニング層及び上引き通常グラスライニング層と、ガラスフリットに導電性物質を添加して焼成した上引き導電性グラスライニング層の少なくとも三層のグラスライニング層から構成される導電性ＧＬを作製した。 - 特許庁

A container is formed of a three-layer structure constituted of a two-throw type Tofu packaging container 2 with a connecting section 6 formed of two unit containers 4 with edges arranged facing each other and connected together, an intermediate polystyrene resin layer 14 and polypropylene resin layers 16 and 18 laminated respectively on both upper and lower faces of the polystyrene resin layer.例文帳に追加

２個の単位容器４を並べて、対向する縁を繋げて連結部６とした２連型豆腐包装容器２を、中間のポリスチレン樹脂層１４と、その上下両面にそれぞれ積層されたポリプロピレン樹脂層１６、１８とからなる３層構造で構成する。 - 特許庁

The capacitative element includes: a lower electrode formed of a silicon film of the same layer as the control gate electrode CG; a capacitative insulator film formed of the insulator film of the same layer as the insulator film 5; and an upper electrode formed of the silicon film of the same layer as the memory gate electrode MG.例文帳に追加

容量素子は、制御ゲート電極ＣＧと同層のシリコン膜で形成された下部電極と、絶縁膜５と同層の絶縁膜で形成された容量絶縁膜と、メモリゲート電極ＭＧと同層のシリコン膜で形成された上部電極とを有している。 - 特許庁

The cooling mechanism 94 is equipped with a nozzle member 94a and cooling air is supplied to the photosensitive resin layer 29 from the nozzle member 94a to lower the temperature of the photosensitive resin layer 29 while increasing the viscosity thereof to impart predetermined rigidity to the photosensitive resin layer 29.例文帳に追加

冷却機構９４は、ノズル部材９４ａを備え、このノズル部材９４ａから感光性樹脂層２９に冷却風を供給することにより、前記感光性樹脂層２９の温度が低下して粘度が高くなり、該感光性樹脂層２９が所定の剛性を有する。 - 特許庁

A vertical transfer register 120 is provided with a transfer electrode 122 formed of metal electrode with a single-layer structure, and a horizontal transfer register 130 is provided with a lower-layer transfer electrode 132 made of polysilicon film and an upper-layer transfer electrode 133 formed of metal electrode made of tungsten or the like.例文帳に追加

垂直転送レジスタ１２０は、単層構造のメタル電極よりなる転送電極１２２を有し、水平転送レジスタ１３０は、ポリシリコン膜よりなる下層転送電極１３２と、タングステン等のメタル電極よりなる上層転送電極１３３を有している。 - 特許庁

The pantyhose comprises a panty part 1 and a stocking part 2; wherein the stocking part 2 is formed into a two-layer structure comprising an upper layer side stocking part 4 having harsh texture and knitted with thick knitting yarns 3, and a lower layer side stocking part 6 having fine texture and knitted with yarns 5 thinner than those used for the upper side stocking part 4.例文帳に追加

パンティ部１とストッキング部２を備えたパンティストッキングにおいて、太い編み糸３で編み目の粗い上層側ストッキング４と、前記上層側ストッキング４に比べて細い編み糸５で編み目の細かい下層側ストッキング部６との２層構造により前記ストッキング２を形成する。 - 特許庁

In a genetic analyzer, a mineral oil 39, a PC reaction solution 38 and the mineral oil 39 are sucked in this order into an injection chip by a nozzle 28, and three layers composed of the mineral oil 39 in the upper layer and the PCR reaction solution 38 in the intermediate layer and the mineral oil 39 in the lower layer are formed in the injection chip.例文帳に追加

ノズル２８により分注チップ内にミネラルオイル３９、ＰＣＲ反応液３８及びミネラルオイル３９の順に吸引し、分注チップ内では上層にミネラルオイル３９、中間層にＰＣＲ反応液３８、下層にミネラルオイルの３層になる状態にする。 - 特許庁

The optical function film 20 is formed by laminating sequentially a lower layer 22 comprising silicon nitride of high density, an intermediate layer 23 comprising silicon nitride of low density, and a surface layer 24 comprising silicon nitride of high density, by a plasma CVD method, on the surface of an organic light-emitting element of a display panel 10.例文帳に追加

表示パネル１０の有機発光素子の表面に、プラズマＣＶＤ法により、高密度の窒化シリコンよりなる下部層２２と、低密度の窒化シリコンよりなる中間層２３と、高密度の窒化シリコンよりなる表面層２４とを順に積層して光学機能膜２０を形成する。 - 特許庁

An FD-SOI having a thin-film buried oxide film layer is used, a lower-layer semiconductor region of the thin-film buried oxide film layer serves as a back gate, and in a logic circuit block, a voltage of the back gate is controlled from outside the block for a logic circuit with a light load in accordance with block activation.例文帳に追加

薄膜埋め込み酸化膜層を持つＦＤ−ＳＯＩを使用し、薄膜埋め込み酸化膜層の下層半導体領域をバックゲートとし、論理回路ブロックにおいてブロック中の負荷の軽い論理回路にはバックゲートの電圧をブロック活性化に合わせてブロック外から制御する。 - 特許庁

The method for cultivating garlic comprises: burying a garlic piece (A1) taken from a bulbous garlic (A) into a gravel layer S spread all over the inside of a cultivation box 2; and thereafter supplying nutrient solution W containing components (organic fertilizer) necessary for growth of the garlic piece (A1) to the lower layer side of the gravel layer S.例文帳に追加

栽培箱２の内部に敷き詰められた砂礫層Ｓの中に、球根状の大蒜Ａから取り出した大蒜片Ａ１を埋め込んだ後、大蒜片Ａ１が生長するのに必要な成分（有機肥料）が含まれる養液水Ｗを砂礫層Ｓの下層側へ供給する。 - 特許庁

The upper electrode layer 9 has a geometric plane in such a shape that area of the plane enlarges from the incident plane side toward the outgoing plane side, to cover the polarization inversion region 5b of the core layer 5, and the lower electrode layer is connected electrically to an external electrode part 10 on the incident plane side.例文帳に追加

上部電極層９はコア層５の分極反転領域５ｂを被覆するようにして入射面側から出射面側に向かって面積が拡大する幾何学的面を有し、下部電極層は入射面側で外部電極部１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive sheet includes a substrate layer including a film which contains at least a urethane polymer, and a pressure-sensitive adhesive layer disposed on at least one side of the substrate layer, in which the pressure-sensitive adhesive sheet has residual stress of 23 N/cm or lower after having been held in a 10% elongated state for 60 seconds.例文帳に追加

粘着シートは、少なくともウレタンポリマーを含有するフィルムを備えた基材層と、少なくとも片面に粘着剤層とを有し、この粘着シートは１０％伸張した状態で６０秒間保持した後の残留応力が２３Ｎ／ｃｍ以下である。 - 特許庁

To provide an EL display device having good color balance in an EL display device in which light emission luminance of an EL material constituting a red color light emission layer is lower than light emission luminance of an EL material constituting blue color light emission layer and an EL material constituting green color light emission layer.例文帳に追加

赤色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度が青色発光層を構成するＥＬ材料及び緑色発光層を構成するＥＬ材料の発光輝度よりも低いＥＬ表示装置において、色バランスの良いＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

A COT layer B4 for forming a resist film on a substrate, a BCT layer B5 for forming an antireflection film on a lower side of the resist film, a TCT layer B3 for forming an antireflection film above the resist film, and DEV layers B1, B2 for performing development processing are layered on each other.例文帳に追加

基板にレジスト膜を形成するためのＣＯＴ層Ｂ４と、レジスト膜の下側に反射防止膜を形成するためのＢＣＴ層Ｂ５と、レジスト膜の上に反射防止膜を形成するためのＴＣＴ層Ｂ３と、現像処理を行うためのＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２とを互に積層する。 - 特許庁

In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side).例文帳に追加

この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

Thus, in the case of forming the wiring of different potential below the external terminal 8 in a semiconductor assembling process, the cracks generated in the insulation film 5 formed between the electrode 4 of an upper layer and the wiring layer 3 of a lower layer by the stress at the time of wire bonding are suppressed.例文帳に追加

このため、半導体組立プロセスにおいて外部端子８下に異電位の配線を有する場合、ワイヤボンド時の応力により発生する上層の電極４と下層の配線層３の層間にある絶縁膜５中に発生するクラックを抑制することが可能である。 - 特許庁

The catalyst is a two-layer structural catalyst consisting of a lower catalyst coat layer 2 containing a catalyst powder, wherein Pd is supported on a carrier containing at least a Ce-Zr composite oxide, and a upper catalyst coat layer 3 containing a catalyst powder, wherein Rh is supported by a carrier consisting of at least one of zirconia and the Ce-Zr composite oxide.例文帳に追加

少なくともCe−Zr複合酸化物を含む担体にPdが担持された触媒粉末を含む下触媒コート層２と、ジルコニア及びCe−Zr複合酸化物の少なくとも一方からなる担体にRhが担持された触媒粉末を含む上触媒コート層３と、からなる二層構造の触媒とした。 - 特許庁

The optical fiber 100 with low bending loss includes a core 110, an internal layer 121 arranged outside the core, having a refractive index lower than the refractive index of the core, and gradually reducing the refractive index as it separate from the core, and a trench layer 122 arranged outside the internal layer and having the lowest refractive index.例文帳に追加

低曲げ損失光ファイバ１００は、コア１１０と、このコアの外側に配置され、コアの屈折率より低い屈折率を有し、コアから遠くなるほど屈折率が徐々に減少する内部層１２１と、内部層の外側に配置され、最低屈折率を有するトレンチ層１２２とを含む。 - 特許庁

The composite chemical-mechanical polishing pad 300 has a polishing layer 304 with a first compressibility, an intermediate layer 312 with a second compressibility less than the first compressibility, and a lower layer 314 with a third compressibility greater than the second compressibility and less than the first compressibility.例文帳に追加

複合ケミカルメカニカル研磨パッド３００は、第一の圧縮性を有する研磨層３０４と、第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層３１２と、第二の圧縮性よりも高く、第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層３１４とを有する。 - 特許庁

The dielectric film includes: a first dielectric layer 10 of which a base material is a first resin film 11; and a second dielectric layer 20 which is arranged on the first dielectric layer 10, and contains ceramic particles 23 with lower specific permittivity than a second resin film 21 in the second resin film 21.例文帳に追加

第１の樹脂フィルム１１を基材とする第１の誘電体層１０と、該第１の誘電体層１０上に設けられ、第２の樹脂フィルム２１中に、該第２の樹脂フィルム２１よりも比誘電率の低いセラミック粒子２３を含む第２の誘電体層２０とを有する。 - 特許庁

The plasma display panel provided with an upper panel and a lower panel facing each other with barrier ribs in between is composed of a first dielectric layer formed on the upper panel and a second dielectric layer which is formed on the above first dielectric layer by patterning and contains black pigment.例文帳に追加

隔壁を介して相対向する上部パネルと下部パネルを備えるプラズマディスプレイパネルにおいて、上部パネルに形成された第１誘電体層と、前記第１誘電体層上にパターニングされて形成され、ブラック顔料が含まれた第２誘電体層と、を備える構成とした。 - 特許庁

In this display device 10, at least one of a scanning wiring 2 and a signal wiring 3 is a multilayer wiring having a first conductive layer 3a and a second conductive layer 3b and the multilayer has a lower lamination region 3' where the second conductive layer 3b is not formed.例文帳に追加

走査配線２および信号配線３の少なくとも一方は、第１導電層３ａおよび第２導電層３ｂを有する多層配線である表示装置１０であって、多層配線３は、第２導電層３ｂが形成されていない低積層領域３’を有する。 - 特許庁

Moreover, the node supervises a data amount which is input or output and a fault of communication, and changes the connection relation between the high rank layer nodes, or the connection relation between the communication node outside of the cluster node and the high rank layer node by changing switching setting of lower rank layer nodes based on the supervised data amount.例文帳に追加

また、流入出されるデータ量または通信の異常を監視し、監視したデータ量に基づき、下位レイヤノードの切替設定の変更により、上位レイヤノード間の接続関係、または、クラスタノード外の通信ノードと上位レイヤノードとの間の接続関係を変更する。 - 特許庁

The fixing belt 102 includes: a heat generation layer 128 that generates heat by its being electromagnetically induced by a magnetic field generated by an excitation coil 110; and a temperature sensitive layer 130 having Curie temperature (180°C) not lower than a fixing set temperature but not higher than the heat resistant temperature of the heat generating layer 128.例文帳に追加

定着ベルト１０２は、励磁コイル１１０で発生する磁界により電磁誘導され発熱する発熱層１２８と、定着設定温度以上で且つ発熱層１２８の耐熱温度以下であるキュリー温度（１８０℃）を有する感温層１３０とを備えている。 - 特許庁

In a thermal storage type road structure, microcapsules 9, wherein a paraffin 10 as a thermal storage material is contained, are dispersed in concrete 8 or a resin, which forms at least either of a surface layer 7b of a paved floor slab 4, 11, 16 or 17 of a bridge and a lower layer 7a under the surface layer 7b.例文帳に追加

橋梁の舗装付き床版４，１１，１６，１７の表層７ｂおよびその表層の下の下部層７ａの少なくとも一方を形成するコンクリート８または樹脂中に、蓄熱材としてのパラフィン１０を入れたマイクロカプセル９を分散させてなる、蓄熱式道路構造である。 - 特許庁

The pressure-resistant container preferably has a temperature regulating section such as a heating means placed in the thermal shield layer, and a heat insulating layer made from a material such as quartz having a lower thermal conductivity than the pressure-resistant container placed between the thermal shield layer and the inner wall of the pressure-resistant container.例文帳に追加

この場合、熱的シールド層内に加熱手段等の温度調整部を設けることが好ましく、また熱的シールド層と耐圧容器の内壁との間に耐圧容器の材質よりも熱伝導率の小さい石英などの断熱層を設けることが好ましい。 - 特許庁

On the upper surface 12 and lower surface 13 of a magnetic body layer 11 formed by laying two magnetic body sheets 20 and 30 in layer, a first coil 15 and a second coil 16 being connected electrically through a through hole 14 are formed by lateral bifilar winding orthogonal to the thickness of the magnetic body layer 11.例文帳に追加

２枚の磁性体シート２０，３０を積層してなる磁性体層１１の上面１２及び下面１３に、スルーホール１４を介して電気的に接続される第１コイル１５及び第２コイル１６が磁性体層１１の厚さと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されている。 - 特許庁

After that, the first and second conductor layers 48a and 48b are patterned to form a conductor layer 48, and then, a lower semiconductor layer made of polycrystalline silicon or the like forming a semiconductor region for a source and a drain for an load MISFET of an SRAM is formed so as to contact with the conductor layer 48.例文帳に追加

その後、第１、第２導体層４８ａ、４８ｂをパターニングして導体層４８を形成後、その導体層４８に接するように、ＳＲＡＭの負荷ＭＩＳＦＥＴ用のソースおよびドレイン用の半導体領域を形成する多結晶シリコン等からなる下部半導体層を形成する。 - 特許庁