「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

A liquid crystal panel 150 is an active matrix type TFT liquid crystal panel having a lower polarizing plate 135, a lower glass substrate 130, a liquid crystal layer 125, an upper glass substrate 115, a CF barrier 110, and an upper polarizing plate 105.例文帳に追加

液晶パネル１５０は、下部偏光板１３５、下部ガラス基板１３０、液晶層１２５，上部ガラス基板１１５，ＣＦバリア１１０、上部偏光板１０５を有するアクティブマトリクス方式のＴＦＴ液晶パネルである。 - 特許庁

After forming a plurality of partitions 10 for generating a first stress in a first direction onto a lower substrate 5, a reflecting layer for generating a second stress in a second direction onto a lower substrate 5 is formed.例文帳に追加

下部基板５上において、下部基板５に第１方向の第１応力を発生させる複数個の隔壁１０を形成した後、下部基板上において、下部基板に第２方向の第２応力を発生させる反射層を形成する。 - 特許庁

In the memory device 100, a resistance memory lower electrode 102, a resistance memory substance 104, a resistance memory upper electrode 106, an MSM lower electrode 108, a semiconductor layer 110, and an MSM upper electrode 112 are stacked in this order.例文帳に追加

メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。 - 特許庁

The lower marking part 99A of the marker 99 is arranged at a position with a distance corresponding to a suitable layer thickness of mixed rice, and the upper marking part 99B is arranged at a position higher than the lower marking part by one grain.例文帳に追加

層厚マーカー９９の下段マーク部９９Ａは、混合米の好適な層厚に対応した離間寸法位置に配置され、上段マーク部９９Ｂは、下段マーク部９９Ａよりも一粒分だけ上方位置に配置されている。 - 特許庁

Thereby, a large level difference is not generated on the element substrate 20 even in such a state that a thick insulating layer 72 for capacitance is formed on the surface of the lower electrode 62 for capacitance, since the film thickness of the lower electrode 62 for capacitance is thin.例文帳に追加

従って、容量用下電極６２の表面に厚い容量用絶縁層７２が形成された状態においても、容量用下電極６２の膜厚が薄いので、素子基板２０上に大きな段差が発生しない。 - 特許庁

The mask for charged particle beam exposure includes: an upper wafer having a patterned membrane region; and a lower wafer having a patterned membrane region; and has a two-layer structure with the upper wafer and the lower wafer jointed to each other.例文帳に追加

パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 - 特許庁

The piezoelectric layer 6 has a film thickness gradually decreasing portion 6a extending over the multilayer region of the lower electrode 5 while decreasing its film thickness gradually, and the upper electrode 7 is led out along the film thickness gradually decreasing portion 6a coplanarly with the lower electrode 5.例文帳に追加

圧電層６は、その膜厚を漸減しながら下電極５の積層領域を越えて延在する膜厚漸減部６ａを有し、上電極７は、膜厚漸減部６ａに沿って下電極５と同一平面に引き出される。 - 特許庁

A pattern to be the liquid flow path to be formed on a substrate 2011 with a heater is formed by a positive photosensitive material in a two-layered structure of upper and lower layers, with the lower layer used for forming the liquid flow path after being thermally crosslinked.例文帳に追加

ヒーターを形成した基板２０１１上に形成する液流路となる型パターンを、下層及び上層の２層構造にポジ型感光性材料から形成し、下層については熱架橋化してから液流路の形成に用いる。 - 特許庁

Mounting position accuracy of the solar cell is improved by the dent formed in the lower surface sealing material, and also reliability of electrical connection between the circuit layer and the solar cell is improved by the conductive connection material penetrating through the lower surface sealing material.例文帳に追加

下面封止材に形成された窪みにより太陽電池セルの実装位置精度が向上し、更に導電性接続材が下面封止材を突き抜けることで、回路層と太陽電池セルの電気接続信頼性が向上する。 - 特許庁

Sweating electrodes (37a, 37b) are provided at positions adjacent to each of the recessed portions (33), a sweating promoter (41) is provided on the lower surface of the sweating electrode (37a), and an adhesive layer (42) is provided on the lower surface of the sweating electrode (37b).例文帳に追加

また、各凹部３３に隣接する位置には、発汗電極３７ａ、３７ｂを設け、発汗電極３７ａの下面に発汗促進剤４１を設けておき、発汗電極３７ｂの下面に粘着剤層４２を設けておく。 - 特許庁

In a lower thread 15 of the lower thread layer 14, a polyester thread is used with a tensile strength of ≥6.9 kg per unit digitex and a ductility of 2.6±1.0% under a load of 2.7g, and a braiding angle with respect to a hose axial direction is 59±2°.例文帳に追加

上記下糸層１４の下糸１５は、単位デシテックス当たりの、引張り強さが６．９ｇ以上、２．７ｇ荷重時における伸度が２．６±１．０％のポリエステル糸を用い、ホース軸方向に対する編角が５９±２゜である。 - 特許庁

A polyester thread having tensile strength of 6.9g or more per unit decitex and elongation of 2.6±1.0% under load of 2.7g is used as a lower thread 15 of the lower thread layer 14, and a knitting angle to the axial direction of the hose is 59±2°.例文帳に追加

上記下糸層１４の下糸１５は、単位デシテックス当たりの、引張り強さが６．９ｇ以上、２．７ｇ荷重時における伸度が２．６±１．０％のポリエステル糸を用い、ホース軸方向に対する編角が５９±２゜である。 - 特許庁

Insulating paste is applied onto the ceramic board 11 covering the lower conductor pattern 1a and then rinsed out with a solvent, until the upside of the lower conductor pattern 1a is exposed, and an inter-line insulating layer 23 is formed.例文帳に追加

下部導体パターン層１ａを覆ってセラミック基板１１の上に絶縁ペーストを付与し、該絶縁ペーストを少なくとも下部導体パターン層１ａの上面が露出するまで溶剤で洗い流し、ライン間絶縁層２３を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresixtive element, which is small in a static magnetic connecting force of a magnetic layer as roughness of a lower electrode, a lower wiring, or the like is very low, and can obtain a superior output signal within the range of a desirable magnetic field.例文帳に追加

下部電極あるいは下部配線等のラフネスが非常に小さいので磁性層の静磁結合力が小さく、所望の磁界範囲内で良好な出力信号を得ることが可能な磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁

When the extrusion-molded article 4 is extruded from the extrusion outlet 3, a crack is generated between the upper part and the lower part in the extrusion-molded article 4 by air pressure of this air layer 9 and the extrusion-molded article 4 is divided into the upper and the lower two bodies to obtain moldings 5.例文帳に追加

押出口３から押出成形物４が押出されると、この空気層９の空気圧によって押出成形物４には上部と下部との間に割れ目が生じ、上下２体に分れ、成形体５が得られる。 - 特許庁

When strain εa in the axial direction is larger than strain εb in the peripheral direction, a Th lower limit value being a lower limit value of the whole thickness of the helical winding layer capable of holding the tank shape by a high pressure tank having the design liner is calculated.例文帳に追加

周方向歪みεｂよりも軸方向歪みεａの方が大きい場合は、設計ライナを備えた高圧タンクがタンク形状を保持しうるヘリカル巻き層の全体厚さの下限値たるＴｈ下限値を算出する。 - 特許庁

The nonvolatile storage device according to an embodiment comprises a lower electrode film BE, an upper electrode film TE, and a resistance change layer RW sandwiched between the lower electrode film BE and the upper electrode film TE.例文帳に追加

実施形態によれば、不揮発性記憶装置は、下部電極膜ＢＥと、上部電極膜ＴＥと、前記下部電極膜ＢＥと前記上部電極膜ＴＥとの間に挟持される抵抗変化層ＲＷと、を備える。 - 特許庁

The nonvolatile memory element includes a lower electrode 12, an upper electrode 15, a recording layer 14 provided between the lower electrode 12 and the upper electrode 15 and including a phase change material, and bit lines 16 provided directly on the upper electrode 15.例文帳に追加

下部電極１２と、上部電極１５と、下部電極１２と上部電極１５との間に設けられ、相変化材料を含む記録層１４と、上部電極１５上に直接設けられたビット線１６とを備える。 - 特許庁

Further, the adhesion strength between a nickel alloy layer formed on the upper surface 1a or the lower surface 1b and the glass substrate can be improved because chemically strengthened layers are formed on neither of the upper surface 1a nor of the lower surface 1b.例文帳に追加

また、上面１ａ及び下面１ｂには化学強化層が形成されていないため、上面１ａ又は下面１ｂの上に形成されるニッケル合金層とガラス基板との密着強度を高めることが可能となる。 - 特許庁

Since the lower coat layer 2 mainly contains the oxide whose reactivity with the NOx occlusion material is lower than that of alumina, the solid solution of the NOx occlusion material is controlled, and a high NOx occlusion capacity is developed in a high temperature region of at least 500°C.例文帳に追加

また下コート層２はＮＯ_ｘ 吸蔵材との反応性がアルミナより低い酸化物を主としているため、ＮＯ_ｘ 吸蔵材の固溶が抑制され、 ５００℃以上の高温域において高いＮＯ_ｘ 吸蔵能が発現される。 - 特許庁

It includes lower electrodes (21a, 22a) of which at least a surface layer section is formed of amorphous or microcrystal metal, an dielectric film (23a) arranged on the lower electrodes, and an upper electrode (24a) arranged on the dielectric film.例文帳に追加

この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 - 特許庁

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen and then an insulating layer 14x is formed by anodizing the surface of the lower electrode 13x.例文帳に追加

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。 - 特許庁

After a layer of an adhesive 33 having fluidity is formed between the upper surface of the lower precast concrete member and the sheathing board 32 and the seal member 31, the upper precast concrete member is lowered on the lower precast concrete member.例文帳に追加

前記下側プレキャストコンクリート部材上面の堰板３２とシール部材３１との間に、流動性を有する接着剤３３の層を形成した後、上側プレキャストコンクリート部材を下側プレキャストコンクリート部材上に降下させる。 - 特許庁

The memory device comprises a lower electrode; an upper electrode; and the memory layer disposed between the upper electrode and the lower electrode, containing a mesoporous material and having the nanochannels including the metal nanoparticles or the metal ions.例文帳に追加

下部電極、上部電極、および前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備える、メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The method further has forming of an aperture window 301 for selectively exposing the top surface of the lower wiring 210 in the cap layer 300, and forming of a metal resistor 431' which contacts with the top surface of the lower wiring 210 through the aperture window 301.例文帳に追加

キャップ層３００に下部配線２１０の上面を選択的に露出させる開口窓３０１を形成し、開口窓３０１を通じて下部配線２１０の上面に接触する金属抵抗４３１’を形成する。 - 特許庁

A controller 120 of the relaying apparatus of this invention inhibits a module device 131 at a lower-order layer receiving a data packet to produce a request signal with respect to re-transmission of the data packet or limits a rate of the request signal with respect to re-transmission of the data packet by the module device 131 at the lower-order layer.例文帳に追加

中継装置１−１のコントローラ１２０はデータパケットを受信する下位層のモジュール装置１３１が当該データパケットの再送信に対する要求信号を生成することを禁止し、又は下位層のモジュール装置１３１が当該データパケットの再送信に対する要求信号を発生するレートを制限する。 - 特許庁

The semiconductor memory cell has a conductive layer 11 for filling therewith a contact hole 12, a lower electrode 21 connected electrically with the conductive layer 11 and having a recess 24, a dielectric film 22 formed on the lower electrode 21 along the recess 24, and an upper electrode 23 formed on the dielectric film 22.例文帳に追加

半導体記憶装置はコンタクトホール１２を充填する導電層１１と、導電層１１に電気的に接続された凹部２４を有する下部電極２１と、下部電極２１上に凹部２４に沿って形成された誘電体膜２２と、誘電体膜２２上に形成された上部電極２３を備える。 - 特許庁

This resist pattern formation method includes a process for forming a lower-layer film (103) having polymer containing fluorine on a wafer substrate (101), a process for forming a resist film (104) on the lower-layer film, and a process for allowing the resist film to be subjected to pattern exposure and processing for obtaining the resist pattern (105).例文帳に追加

ウェハー基板（１０１）上に、フッ素含有ポリマーを含む下層膜（１０３）を形成する工程と、前記下層膜上にレジスト膜（１０４）を形成する工程と、前記レジスト膜に対しパターン露光および現像処理を施して、レジストパターン（１０５）を得る工程とを具備するレジストパターン形成方法である。 - 特許庁

The rubber belt for transmitting power is an endless rubber belt for transmitting a power having no wadding to exert tension and consists of an upper layer part 11 formed of a high rigidity rubber material having rubber rigidity of 80° or higher in JISA, and a lower layer part 12 formed of a low rigidity rubber material having rubber rigidity relatively lower than that of the high rigidity rubber material.例文帳に追加

張力を付与するための芯糸を有さない動力伝達用の無端ゴムベルトであって、ゴム硬度がＪＩＳ Ａで８０°以上の高硬度ゴム材料で形成された上層部１１と、前記高硬度ゴム材料よりゴム硬度が相対的に低い低硬度ゴム材料で形成された下層部１２とからなる。 - 特許庁

The main pole layer has the magnetic pole end with a shortened structure which is not connected to the write shield layer, and an upper yoke pole section and/or lower yoke pole section with a larger size than the magnetic pole end, and has a joined structure wherein the upper yoke pole section and/or lower yoke section is joined to the magnetic pole end.例文帳に追加

主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きい上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部に上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部が接合された接合構造を有している。 - 特許庁

The method for wiring the semiconductor integrated circuit adopting an array structure of a general purpose logic array as a base comprises the steps of forming wirings capable of being commonly used without depending upon designing of a user circuit by a lower layer interconnection, commonly using and staticizing the commonly usable wirings by a plurality of designing, and further customizing the more significant interconnection of the lower layer interconnection.例文帳に追加

汎用ロジックセルのアレイ構造をベースとする半導体集積回路の配線方法において、ユーザ回路のデザインに依存せず共通化可能な配線を下層配線層で形成し、共通化可能な配線を複数のデザインで共通、且つ、固定化し、更に、下層配線層の上位の配線層をカスタマイズする。 - 特許庁

Furthermore, the cMUT cell (10) includes a diaphragm (22) disposed adjacent to the lower electrode (18) such that a gap having a first gap width is formed between the diaphragm and the lower electrode (18), wherein the diaphragm (22) comprises one of a first epitaxial layer (40) or a first polysilicon layer.例文帳に追加

さらにこのｃＭＵＴセル（１０）は、下側電極（１８）との間に第１のギャップ幅を有するギャップが形成されるように下側電極（１８）に隣接して配置させた隔壁（２２）を含んでおり、この隔壁（２２）は第１のエピタキシャル層（４０）または第１のポリシリコン層のうちの一方を備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric film element 1 comprises the steps of: forming a lower electrode 3 on a substrate 2; forming a piezoelectric film layer 4 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by formula (K_1-xNa_x)NbO_3 on the lower electrode 3; and wet-etching the piezoelectric film layer 4.例文帳に追加

圧電膜素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜層４を形成する工程と、圧電膜層４にウェットエッチングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a rainwater storage and infiltration facility for storing and/or infiltrating rainwater or the like underground, constructed to bury the whole facility underground and comprising a storage tank formed of two upper and lower layers and prevented from horizontal deviation between the lower layer and upper layer.例文帳に追加

地下に雨水等を貯留及び／又は浸透する施設であって、下部層と上部層の上下２層からなる貯留槽を備え、施設全体が地中に埋設された雨水貯留浸透施設において、下部層と上部層との水平方向のずれが防止された雨水貯留浸透施設を提供する。 - 特許庁

Gate wiring 40 has a two layer structure that includes lower gate wiring 40a formed of the same material as a pixel electrode 70 and located on the same layer as the pixel electrode 70 and upper gate wiring 40b laminated on the lower gate wiring 40b and formed of a material with higher electrical conductivity than that of a transparent conductive material.例文帳に追加

ゲート配線４０は、画素電極７０と同じ材料で形成され且つ画素電極７０と同じ層に位置する下ゲート配線４０ａと、当該下ゲート配線４０ｂに積層され、透明導電材料よりも導電率の高い材料で形成された上ゲート配線４０ｂと、を含む２層構造を有している。 - 特許庁

For the absorptive article 100, an absorber 3 is interposed between a liquid permeable top sheet 1 and a liquid impermeable back sheet 2, and a lower layer absorber 32 whose lower surface 32B is adhered to the back sheet 2 and an upper layer absorber 31 laminated on its upper surface 32A are provided as the absorber 3.例文帳に追加

透液性トップシート１と不透液性バックシート２との間に、吸収体３が介在された吸収性物品１００であって、吸収体３として、下面３２Ｂがバックシート２に接着された下層吸収体３２と、この上面３２Ａ上に積層された上層吸収体３１とが設けられる。 - 特許庁

When the activated carbon is withdrawn from the lower part of the activated carbon layer C, air is supplied through an air pipe 8 to the lower part of the airlift pipe 7, and a valve 2 is opened to make airlift auxiliary water flow upward from an introduction port 1b to the vicinity of the bottom end of the airlift pipe 7, so that the activated carbon layer in the vicinity thereof is loosened.例文帳に追加

活性炭層Ｃの下部から活性炭を取り出す場合、エアパイプ８からエアをエアリフト管７内の下部に供給すると共に、弁２を開き、エアリフト補助水を導入口１ｂから上向きに流出させてエアリフト管７の下端付近に供給し、その付近の活性炭層をほぐす。 - 特許庁

A semiconductor device 1B of the upper layer includes an external connection electrode 6b which is connected with the upper surface connection terminal 7a of the semiconductor device 1A of the lower layer and a recess 9b into which a plurality of resin extrusions 8a of the sealing resin portion 5a are inserted on the lower surface of the wiring substrate 2b.例文帳に追加

上層の半導体装置１Ｂは、その配線基板２ｂの下面に、前記下層の半導体装置１Ａの上面接続端子７ａに対向して接続した外部接続電極６ｂと、前記封止樹脂部５ａの複数の樹脂突起８ａが挿入された凹部９ｂとを有している。 - 特許庁

The front side movable frame 56 turns an arm part 58A for letting its longitudinal direction agree with a side frame 30 usually around a link pin 60 for the frame for sitting part so as to reduce tensile force of the lower layer seat 50 when tensile force exceeding a predetermined value acts on the lower layer seat 50.例文帳に追加

前川可動フレーム５６は、下層シート５０に所定値以上の張力が作用した場合に、通常はサイドフレーム３０に対し長手方向を一致させているアーム部５８Ａを、下層シート５０張力が低減するように座部用フレームに対しリンクピン６０廻りに回動させるようになっている。 - 特許庁

The transflective liquid crystal device is provided with: a liquid crystal layer 50 interposed between upper and lower substrates 30 and 20 disposed opposite to each other; a reflection display region 33 and a transmission display region 34 in one pixel region; and a reflection layer in the reflection display region 33 of the lower substrate 20.例文帳に追加

対向して配置された上基板３０と下基板２０との間に液晶層５０を挟持し、１つの画素領域内に反射表示領域３３と透過表示領域３４とを具備し、下基板２０の反射表示領域３３に反射層を備えた半透過反射型の液晶装置である。 - 特許庁

During listing and displaying the contents of a hierarchy of folders in which static image contents are stored, when a mixture of image file group and lower layer folder group to be laid right under the hierarchy of the folders exist, the image file group is virtually put together into an icon form and the lower layer folder group is listed and displayed in the same category together with representative icons.例文帳に追加

静止画コンテンツが格納されているフォルダ階層の内容をリスト表示させる際に、そのフォルダ階層直下に置かれる画像ファイル群と下層フォルダ群とが混在している場合、画像ファイル群を仮想的に一まとめにしてアイコン化し、下層フォルダ群をそれぞれ表すアイコンと共に同列的にリスト表示する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of forming a lower electrode 2 on a substrate 1 and of forming a ferromagnetic layer 3 and a tunnel insulating film 4 on the lower electrode 2, and a process of uniformly applying laser beams onto the surface of the tunnel-insulating film 4, to carry out heating treatment and for forming a ferromagnetic layer 5 on the tunnel-insulating film 4.例文帳に追加

基板１上に下部電極２を形成し、さらにその上に強磁性層３、トンネル絶縁膜４を順次形成する工程と、トンネル絶縁膜４の表面にレーザ光を一様に照射して加熱処理を行い、加熱処理後に、トンネル絶縁膜４上に強磁性層５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Vaporized gas remaining in an empty low temperature liquefied gas tank 1 from which stored liquid is extracted is replaced with vaporized gas in separate low temperature liquefied gas tank 1' in operation, next, gaseous nitrogen 9 is supplied from the lower part of the empty low temperature liquefied gas tank 1 and residual gas of an upper layer is replaced with gaseous nitrogen of a lower layer by a piston flow.例文帳に追加

貯蔵液を抜き出した空の低温液化ガスタンク１に残留する気化ガスを、運転中の別の低温液化ガスタンク１’の気化ガスで置換し、次いで空の低温液化ガスタンク１の下部から窒素ガス９を供給して上層の残留ガスを下層の窒素ガスでピストンフローにより窒素ガスに置換する。 - 特許庁

A mask M3 for forming gates is disposed on a lower surface of the substrate and light is applied from a lower portion, a shadow generated by a light-shielding region of the mask M3 and that generated by the source and drain electrodes 120, 130 become non-exposure regions of the resist layer 191, and a gate electrode layer is formed by patterning.例文帳に追加

基板下面にゲート形成用マスクＭ３を配置して下方から光を照射し、マスクＭ３の遮光領域によって生じる影とソース電極１２０およびドレイン電極１３０によって生じる影とが、レジスト層１９１の非露光領域となるような背面露光を行い、パターニングしてゲート電極層を形成する。 - 特許庁

This method comprises a step for preparing a substrate, a step for forming an MSM lower electrode on the substrate, a step for forming a ZnOx semiconductor layer wherein x is within a range of about 1 to about 2 on the MSM lower electrode, and a step for forming an MSM upper electrode on the ZnOx semiconductor layer.例文帳に追加

基板を用意する工程と、基板上にＭＳＭ下部電極を形成する工程と、ＭＳＭ下部電極上に、ｘが約１以上約２以下の範囲内であるＺｎＯｘ半導体層を形成する工程と、ＺｎＯｘ半導体層上にＭＳＭ上部電極を形成する工程とを有している。 - 特許庁