「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(138ページ目) - Weblio英語例文検索

In a package 1 for a surface acoustic wave branching filter where a surface acoustic wave filter F is mounted on a dial touch layer 3, phase matching circuit electrodes 34 and 35 are formed at the lower part of the dial touch layer 3 and at the upper part of a bottom layer 10 so as not to be overlapped with a land electrode 10a of the bottom layer 10 in the lamination direction.例文帳に追加

ダイアタッチ層３上に、弾性表面波フィルタＦが実装されることとなる弾性表面波分波器用パッケージ１において、ダイアタッチ層３の下方、かつ底面層１０の上方に、底面層１０のランド電極１０ａと積層方向において重ならないように位相整合回路電極３４，３５を形成した。 - 特許庁

A semiconductor crystal structure having a lower In composition than the first semiconductor layer is formed on at least a portion of side walls of the first semiconductor layer in which a plurality of narrow trenches are formed, by forming the plurality of narrow trenches in the second semiconductor layer and the first semiconductor layer and performing heat treatment under an atmosphere containing nitride elements.例文帳に追加

第２の半導体層および第１の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することにより、複数の細孔が形成された第１の半導体層の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低い半導体結晶構造を形成する。 - 特許庁

In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented on (110) surface.例文帳に追加

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が（１１０）面に配向している。 - 特許庁

This adhesive tape contains an at least three-layer structure comprising layer A: a thermally activable adhesive exhibiting a characteristic activation temperature of at least +30°C, layer B: a cross-linked polyurethane carrier material, and layer C: a polyacrylate PSA exhibiting a static glass transition temperature TG,C of +15°C or lower, arranged in the order of A, B, and C.例文帳に追加

接着テープに下記の層Ａ、ＢおよびＣ： 層Ａ：少なくとも＋３０℃の特徴的活性化温度Ｔ_Aを示す熱活性化可能接着剤、 層Ｂ：架橋したポリウレタン担体材料 層Ｃ：＋１５℃以下の静的ガラス転移温度Ｔ_G,_Cを示すポリアクリレート系ＰＳＡ、 をＡＢＣの層順で有する少なくとも３層の製品構造を含める。 - 特許庁

With respect to a method of manufacturing a semiconductor device and a sheet 105, the sheet 105 wherein a first layer 100 and a second layer 101 having a rigidity lower than that of the first layer 100 are laminated is bonded to a rear surface of a semiconductor wafer 11, and a breaking groove 114 facing a scribed groove 103 on a front surface of the semiconductor wafer 11 is formed in the first layer 100.例文帳に追加

半導体装置の製造方法およびシート１０５では、第一の層１００と、第一の層１００よりも剛性が小さい第二の層１０１とを積層したシート１０５を半導体ウエハ１１の裏面に接着し、この第一の層１００に、半導体ウエハ１１の表面のスクライブ溝１０３に対向する折り溝１１４を形成している。 - 特許庁

The substrate 1 for mounting a light emitting element is equipped with a light reflecting layer 3 and transparent insulating layer 4 formed on an insulating layer 2 in order, a mounting portion 5a for the light emitting element 6 formed on the transparent insulating layer 4, and a wiring conductor 5 formed from the surrounding of the mounting portion 5a to the side surface or lower surface of the insulating substrate 2.例文帳に追加

発光素子搭載用基板１は、絶縁基板２の上面に順次形成された光反射層３および透明絶縁層４と、透明絶縁層４上に形成された発光素子６の搭載部５ａと、搭載部５ａの周辺から絶縁基板２の側面または下面にかけて形成された配線導体５とを具備している。 - 特許庁

The two side reinforcing layers 11, 12 are formed of a first side reinforcing layer 11 and a second side reinforcing layer 12 with different bending rigidity, and the side reinforcing layer 12 with lower bending rigidity is formed so that the peripheral end thereof 12b is displaced outward in the tire radial direction by at least 3mm from the peripheral end 11b of the side reinforcing layer 11 with higher bending rigidity.例文帳に追加

２層のサイド補強層１１，１２は曲げ剛性が異なる第１サイド補強層１１と第２サイド補強層１２から構成され、曲げ剛性の低い方のサイド補強層１２を、その外周端１２ｂが曲げ剛性の高い方のサイド補強層１１の外周端１１ｂより少なくとも３ｍｍタイヤ径方向外側にずれるように配置する。 - 特許庁

The first common gate 10G is in a polymetal electrode structure in a first CMOS inverter 10, but in the second CMOS inverter 20, a gate insulating film 32 and a gate lower layer 33 are broken and a bimetal layer 34 and a gate upper layer 35 are electrically connected to a contact area 21dc of the p-type drain diffusion layer 21d.例文帳に追加

第１共有ゲート１０Ｇは、第１のＣＭＯＳインバータ１０においてはポリメタル電極構造であり、第２のＣＭＯＳインバータ２０においては、ゲート絶縁膜３２及びゲート下部層３３が途切れ、バリアメタル層３４及びゲート上部層３５がｐ型ドレイン拡散層２１ｄのコンタクト領域２１ｄｃと電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a reflectionproof film which is structured of a transparent substrate having a hard coat layer and a reflectionproof layer with a low refractive index laminated on the surface of the hard coat layer by coating and which features the outstanding resistance to scratch and staining of the reflectionproof layer cured in a short time at a comparatively lower temperature though a sol-gel chemical reaction of alkoxysilane.例文帳に追加

ハードコート層が設けられ透明基板のハードコート層の表面に、コーティングによって低屈折率の反射防止層が積層された反射防止フィルムであって、アルコキシシランのゾル−ゲル反応によって、比較的低温下における短時間の硬化によっても耐擦傷性、汚染性の良好な反射防止層が形成された反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

The laminated multicellular foamed glass 1 is manufactured by utilizing crushed or pulverized waste glass containing the impurities as a raw material and has laminated structure having a lower layer 2 constituted of a multicellular foamed glass layer containing relatively large impurities 5 and a surface layer 4 constituted of the multicellular foamed glass layer containing relatively small impurities or nearly no impurity.例文帳に追加

夾雑物を含有する廃ガラスの破砕ないし粉砕物を原料として製造された積層泡ガラスであって、比較的大きな夾雑物５を含む泡ガラス層よりなる下層２と、比較的小さな夾雑物を含むか或いは夾雑物を殆ど含まない泡ガラス層よりなる表層４との積層構造とされた積層泡ガラス１。 - 特許庁

To provide a surface layer suction leaching device for removing a large amount of salts by a small amount of water, from salts-accumulated soil, without letting salts accumulated on a soil surface layer flow into lower layer soil, or collecting soil in place, free from the need of troublesome regenerative work, and removing salts inexpensively, and to provide a method for suction leaching a surface layer.例文帳に追加

土壌表層に集積した塩を下層土壌に流下させることなく、原位置にて土壌を採取することなく、少量の水で多量の塩類を塩類集積土壌から除去することができ、面倒な再生作業を必要とせず、さらに安価に除塩できる表層吸引溶脱装置および表層吸引溶脱方法を提供すること。 - 特許庁

A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2.例文帳に追加

下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜４をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層２の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層２より基板の端部側にダレ防止用パターン３を設ける。 - 特許庁

Since it becomes possible to form a window area at a lower temperature than the conventional example by utilizing a 'blocking effect' and an 'extruding effect' by laminating a semiconductor layer doped with Si, etc., on another semiconductor layer containing an impurity for forming a window structure, the diffusion and intrusion of an impurity from a p-type clad layer to an active layer can be prevented.例文帳に追加

窓構造を形成するための不純物を含有した半導体層の上にＳｉなどをドープした半導体層を積層することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成することが可能となり、ｐ型クラッド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer 18 formed on an insulating layer 16, a gate electrode 22 formed on the semiconductor layer via a gate insulating film 20, a source/drain region 24 formed at the semiconductor layers of both sides of the gate electrode, and a semiconductor region 14 embedded in the layer 16 of the lower region of the gate electrode.例文帳に追加

絶縁層１６上に形成された半導体層１８と、半導体層上にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極の両側の半導体層に形成されたソース／ドレイン領域２４と、ゲート電極の下方領域の絶縁層１６に埋め込まれた半導体領域１４とを有している。 - 特許庁

The multilayer substrate comprises at least two kinds of insulation layer of crystallized glass ceramics laid in layer wherein the crystallization point of crystallized glass contained in a first insulation layer is lower than the softening point of crystallized glass contained in a second insulation layer and difference of thermal expansion coefficient between the first and second insulation layers is preferably 2×10^-6/°C or less.例文帳に追加

結晶化ガラスセラミックスからなる少なくとも２種の絶縁層の積層体からなり、第１絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第２絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とし、前記第１及び第２絶縁層の熱膨張係数の差が、２×１０^−６／℃以下であることが好ましい。 - 特許庁

A semiconductor layer in a VCSEL including an n-type lower DBR 104, an active layer 106, a p-type upper DBR 108, and a p-type contact layer 110 is laminated on a GaAs substrate 100; and a post structure P emitting laser light is separated from a pad forming region Q by a trench 114 formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型の第下部ＤＢＲ１０４、活性層１０６、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８、およびｐ型のコンタクト層１１０を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Ｐとパッド形成領域Ｑとが半導体層に形成された溝１１４によって分離されている。 - 特許庁

The decorative film 1 for a notebook computer comprises sequentially from a lower layer: a substrate resin layer 4 consisting of a polyester resin film containing a pigment; an adhesive resin layer 3 consisting of a polyester polyurethane resin containing a pigment; and a surface layer 5 consisting of a transparent polyester resin film which contains an antistatic agent so that the surface resistivity may become ≤10^13 Ω/square.例文帳に追加

下層から順次、顔料を含有したポリエステル樹脂フィルムからなる基材樹脂層４、顔料を含有したポリエステルポリウレタン樹脂からなる接着樹脂層３、表面抵抗率が１０^１３Ω／□以下になるように耐電防止剤を含んだ透明なポリエステル樹脂フィルムからなる表面層５とからなるノートパソコン用化粧フィルム１。 - 特許庁

Furthermore, the organic light emitting device is provided with not less than two of the light emitting organic material layers arranged between the first and the second electrodes, of which, the top layer of the organic material has durability against sputter adhesion than the lower part layer of the organic material has, and an electrode formed on the top layer of the organic material is a sputter layer.例文帳に追加

さらに、第１の電極と第２の電極との間に配置された２つ以上の発光性有機材料層を有し、有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッタ付着に対し耐性を有し、さらに前記有機材料の最上層の上に形成された電極がスパッタ層である有機発光デバイスについても開示する。 - 特許庁

A crystallization inhibition layer 11 which consists of a material reacting with a ferroelectric material for forming the ferroelectric layer 14 to increase a crystallization temperature of the ferroelectric material is provided so that at least one part may contact the ferroelectric layer 14, in a position not covering the lower electrode 12 between the base 10 and the ferroelectric layer 14.例文帳に追加

基体１０と強誘電体層１４との間で、下部電極１２を覆わない位置に、強誘電体層１４を形成するための強誘電体材料と反応することで、強誘電体材料の結晶化温度を高める材料からなる結晶化抑制層１１が、少なくも一部が強誘電体層１４に接して設けられている。 - 特許庁

A hologram layer 9 and a metallic reflection layer 8 are successively laminated on the lower surface of a transparent plastics film 10 as a hologram seal 6, and after forming a record consisting of a set of fine hole parts 8a on the reflection layer 8 by the laser or the like, the hologram seal 6 is laminated on a substrate 2 through a heat sensitive coloring layer 7 to form an information recording body.例文帳に追加

透明プラスチックフィルム１０の下面にホログラム層９、金属反射層８を順に積層してホログラムシール６とし、レーザー等により金属反射層８に微細な開孔部８ａの集合からなる記録を形成した後、下面側に感熱発色性層７を介して基材２上に積層して、情報記録体とした。 - 特許庁

As regards the thermal transfer image receiving support, a thermoplastic resin is provided on base paper, at least two thermoplastic resin layers are formed on the base paper on the side of an image receiving layer, the uppermost layer contains at least 13 mass % of a titanium dioxide pigment, and the melting point of the resin of the uppermost layer is higher than that of the resin of the lower layer.例文帳に追加

熱転写受像用支持体については、基紙上に熱可塑性樹脂を設けたもので、受像層側の基紙上に２層以上の熱可塑性樹脂を設け、最上層に二酸化チタン顔料を１３質量％以上高濃度に含有し、且つ、最上層の樹脂の融点が下層の樹脂の融点より高い温度にすることで、達成できる。 - 特許庁

In the ultrasonic transducer, an inner diaphragm layer 5a having a gap 4 thereinside is formed on a lower electrode 2 (first electrode) formed on a substrate 1, an upper electrode 3 (second electrode) and an outer diaphragm layer 5b are sequentially formed on the inner diaphragm layer 5a, and beams 7 connecting vertices facing each other of a diaphragm are formed on the outer diaphragm layer 5b.例文帳に追加

超音波トランスデューサは、基板１上に形成した下部電極２（第１の電極）の上に、内部に空隙４を有する内側ダイヤフラム層５ａを形成し、その上に上部電極３（第２の電極）、外側ダイヤフラム層５ｂを順に形成し、さらに外側ダイヤフラム層５ｂの上にダイヤフラムの対向する頂点間を結ぶ梁７を形成したものである。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes an upper substrate and a lower substrate which are disposed opposite each other, a liquid crystal layer formed between the upper substrate and lower substrate, a common electrode and a pixel electrode which are formed in a pixel area on the lower substrate in parallel to each other, and the polymer wall disposed between the upper substrate and lower substrate.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置はお互いに対向するように配置されている上部基板及び下部基板と、前記上部基板及び下部基板の間に形成された液晶層と、前記下部基板上の画素領域にお互いに平行に形成された共通電極及び画素電極、前記上部基板及び下部基板の間に位置するポリマー壁を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid crystal display device includes a step of providing the upper and lower substrates, a step of forming the common electrode and pixel electrode disposed on the lower substrate in parallel to each other, a step of bonding the upper and lower substrates together to form the liquid crystal layer, and a step of forming the polymer wall between the upper and lower substrates.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置の製造方法は上部及び下部基板を提供する段階と、下部基板上にお互いに平行に配置される共通電極及び画素電極を形成する段階と、前記上部及び下部基板を合着して、液晶層を形成する段階と、上部及び下部基板の間にポリマー壁を形成する段階を含む。 - 特許庁

The semiconductor package includes an upper electrode 18 and a lower electrode 20 formed in flat plate shapes; a dielectric layer 14 interposed between the upper electrode 18 and the lower electrode 20; and a coating component 24 composed of an insulating resin covering the outside of at least either the upper electrode 18 or the lower electrode 20.例文帳に追加

平板状に形成された上部電極１８および下部電極２０と、前記上部電極１８と下部電極２０とによって挟まれて配置された誘電体層１４と、前記上部電極１８および下部電極２０の少なくとも一方の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部２４とを備える。 - 特許庁

This semiconductor device is an electron source having a plurality of lower electrodes 2 on one surface of a support substrate 1 and equipped with a function layer 4 between the lower electrodes 2 and the surface electrodes 3 facing to them, and emits electrons tunneling the surface electrodes 3 when a voltage is applied between the surface electrodes 3 and the lower electrodes 2.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板１の一表面に複数本の下部電極２を有し、下部電極２に対向する表面電極３との間に機能層４を備える電子源であって、表面電極３と下部電極２との間に電圧を印加すると表面電極３をトンネルする電子を放射する。 - 特許庁

A lower clad 102 provided on a substrate 101, a core region 104 having a shape whose head gradually becomes narrow and which is provided on the lower clad 102, an upper clad 103 covers the lower clad 102 and the core region 104, and an optical resin layer 105 covers the upper clad 103 are provided.例文帳に追加

基板１０１上に設けられた下部クラッド１０２と、下部クラッド１０２上に設けられ先端が徐々に細くなる形状を有するコア領域１０４と、下部クラッド１０２及びコア領域１０４を覆う上部クラッド１０３と、上部クラッド１０３を覆う光学樹脂層１０５とを備える。 - 特許庁

Then, an upper polarizing plate 36 is provided on the outer surface side of the upper substrate 14, a lower polarizing plate 28 is provided on the outer surface side of the lower substrate 13, and a phase difference layer 20 having the phase difference of 1/4 wavelength is successively provided only in a reflection display area R on the inner surface side of the lower substrate 13.例文帳に追加

そして、上基板１４の外面側に上偏光板３６が設けられるとともに下基板１３の外面側に下偏光板２８が設けられ、下基板１３の内面側の反射表示領域Ｒのみに１／４波長の位相差を持つ位相差層２０が順次設けられている。 - 特許庁

A short depression of the lower key on the folder selection display 30A while reproducing music BBBBB belonging to folder "Group1" changes the display to the music selection display 40A of the folder lower layer music that the cursor CM moved from the reproducing music to the lower adjoining music CCCCC and the music at the cursor position is reproduced.例文帳に追加

フォルダ「Ｇｒｏｕｐ１」に属する曲ＢＢＢＢＢを再生中のフォルダ選択画面３０Ａにおいて下キーを短押しすると、カーソルＣＭが再生中の曲から下方隣接の曲ＣＣＣＣＣに移動した当該フォルダ下層の曲選択画面４０Ａに切り替わり、カーソル位置の曲が再生される。 - 特許庁

The ferroelectric memory device 1000 is such that memory cells are arranged in a matrix, and includes a memory cell array 100 which comprises lower electrodes 12, upper electrodes 16 arranged in a direction crossing the lower electrodes 12, and the ferroelectric layer 14 disposed at least in regions where the upper electrodes 16 and the lower electrodes 12 cross one another.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置１０００は、メモリセルがマトリクス状に配列され、下部電極１２と、下部電極１２と交差する方向に配列された上部電極１６と、少なくとも上部電極１６と下部電極１２との交差領域に配置された強誘電体層１４と、を含むメモリセルアレイ１００を有する。 - 特許庁

A MIM capacitor 11 (constituted of a lower electrode film 8a, a capacitor insulating film 9a, and an upper electrode film 10a) formed on a lower interlayer insulating film 3, can dispense with connection holes for the upper electrode, by being formed with a height same as that of a plug 14a connecting between a lower layer wiring 6 and an upper wiring 14c.例文帳に追加

下層層間絶縁膜３上に形成されたＭＩＭ型キャパシタ１１（下部電極膜８ａ、キャパシタ絶縁膜９ａ、上部電極膜１０ａからなる）は、下層配線６と上層配線１４ｃを接続するプラグ１４ａと同じ高さに形成することにより、上部電極用接続孔を必要としない。 - 特許庁

The flashing member 13 partitioning an upper external wall material 11 and a lower external wall material 12 of a building comprises a vent passage 45 allowing the air layer 31B between the lower external wall material 12 and a skeleton 10 to communicate with a space 50 outside the lower external wall material 12.例文帳に追加

建物における上部外壁材１１と下部外壁材１２との間を仕切る水切部材１３を備え、この水切部材１３は、下部外壁材１２と躯体１０との間の空気層３１Ｂと、当該下部外壁材１２の外側の空間５０とを連通する通気路４５を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The thickness of a porous member 60 impregnated with an antioxidant provided in a lid member 56 is formed to be a thickness such that when the lid member 56 is attached to the lower end of the lower holder 31 of a holder member, the top of the porous member 60 comes into contact with the printing part 48 of the lower layer of a printing material 3.例文帳に追加

蓋部材５６内に設けられる酸化防止剤が染み込んだ多孔質部材６０の厚みは、蓋部材５６をホルダ部材における下部ホルダ部３１の下端部に取り付けた時に、多孔質部材６０の上面が、印材３の下側層４７の印面部４８に当接する厚みに形成されている。 - 特許庁

A deposition film comprising a plurality of layers 302, 304 formed on a substrate 301 is subjected to scribing while determining the scribe position of the upper layer with reference to the scribe position 303 of the lower layer 302.例文帳に追加

基板３０１上に複数の層３０２，３０４が積層してなる堆積膜に対して、下部層３０２のスクライブ位置３０３を基準として上部層のスクライブ位置を決定しながらスクライブ加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a shaping method which suppresses the penetration of a binding liquid to a lower layer when an overhang part is formed in the shaping method for shaping a shaped article by coating a layer containing granules with the binding liquid and curing it.例文帳に追加

粒体を含む層に結着液を塗布して硬化させることにより造形物を造形する造形方法において、張り出し部の形成時における下層への結着液の浸透を抑制する造形方法を提供する。 - 特許庁

To provide an operation device for easily operating display return or display switching from a lower layer display to the highest layer display after a setting operation or for operation cancellation while adopting a pop-up display format.例文帳に追加

ポップアップ表示形式を採用したものでありながら、設定操作後や操作キャンセルのために下位層表示から最上位層表示へと表示復帰或いは表示切替を容易に操作することができる操作装置を提供する。 - 特許庁

In the display device, a thin-film transistor for driving a pixel electrode 31 is formed on a substrate 11, and conductive light shielding layers 27, 28 are formed in the position corresponding to the upper layer of the thin- film transistor and to the lower layer of the pixel electrode 31.例文帳に追加

表示装置は、基板１１上に画素電極３１の駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。 - 特許庁

Also, the board main surface 1A and the board back surface 1B are respectively turned to the coarse surfaces whose surface roughness is lower than the surfaces 12A and 14A of the main surface inner side resin insulation layer 12 and the back surface inner side resin insulation layer 14.例文帳に追加

また、基板主面１Ａ及び基板裏面１Ｂは、それぞれ、主面内側樹脂絶縁層１２及び裏面内側樹脂絶縁層１４の表面１２Ａ，１４Ａよりも表面粗さが小さい粗化面となっている。 - 特許庁

An upper layer metal film 5 containing tungsten (W) is dry- etched using a resist mask, whereby with the film 5 processed into a wiring shape, one part of the surface of a lower layer metal film 4 containing Ti is made to expose.例文帳に追加

レジストマスク７を用いて、Ｗを含む上層金属膜５をドライエッチングし、それによって、上層金属膜５を配線形状に加工するとともに、Ｔｉを含む下層金属膜４の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

To provide a method for ensuring the even adhesion of an insulator layer and a circuit conductor independent of influence from a circuit conductor at the lower tier of the insulator layer.例文帳に追加

本発明は、絶縁体層の下層にある回路導体の影響を受けずに絶縁体層と回路導体との密着性を均一にするプリント配線板、プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板を提供することである。 - 特許庁

Carrier confinement layers 16 and 20 formed by (AlGa)InP that is subjected to pull distortion are formed at upper and lower parts 20 and 16 of the channel layer 18, a carrier is confined to the channel layer 18, and a high breakdown voltage is given.例文帳に追加

引張ひずみをかけられた（ＡｌＧａ）ＩｎＰによって形成されるキャリア閉込め層１６，２０が、チャネル層１８の上部２０と下部１６の両方に形成されて、チャネル層１８にキャリアを閉じ込め、高い降伏電圧を与える。 - 特許庁

A heating means 3 comprises a sheet heater 21 laid between a base member 2 and a lower stage layer 5, cut-out switches 15, 17 provided on an upper stage layer 4, and a heat conductivity improving spacer 22 interposed between a mass flow controller 16 and the heater 21.例文帳に追加

加熱手段3は、ベース部材2と下段層5との間に介在された面状ヒータ21と、上段層4の遮断開放器15,17およびマスフローコントローラ16とヒータ21との間に介在された熱伝導向上用スペーサ22とからなる。 - 特許庁

The upper layer optical fiber 2a and the lower layer optical fiber 2b are almost parallel fixed onto planar substrates 3a and 3b closely to the crossing 51 of optical fibers 2 and have flexibility integrally with the substrates 3a and 3b.例文帳に追加

前記光ファイバ２の交差点５１近傍において上層光ファイバ２ａと下層光ファイバ２ｂがほぼ平行に平面状の基材３ａ、３ｂに固定されており、前記基材３ａ、３ｂと一体となって可撓性を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrooptical device enabling to remove an alignment layer composed of a polyimide resin at a low cost and further enabling to remove the alignment layer without deteriorating a color filter even in the case the color filter is formed on the lower side.例文帳に追加

ポリイミド樹脂からなる配向膜を低コストで除去でき、かつ、下層側にカラーフィルタが形成されていても、カラーフィルタを劣化させずに配向膜を除去することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The optical waveguide is provided with a recessed part 110 formed from an upper clad layer 104 up to a part of a lower clad layer 102 and a bent end face 103a to be the outside end face of a bend position of a core 103 is exposed.例文帳に追加

上部クラッド層１０４から下部クラッド層１０２の一部に達する凹部１１０を備え、そのコア１０３の屈曲箇所においてはその外側端面である屈曲端面１０３ａが露出された状態とする。 - 特許庁