「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

A transmission/reflection layer 3 is provided on the inner surface of a substrate of the light emission side of a scatter/transmission type liquid crystal cell 2, and a linear prism 12 is arranged and formed on its upper surface, and a light absorbing layer 5 is provided on the lower side of the liquid crystal cell 2.例文帳に追加

散乱透過型の液晶セル２の光出射側の基板７の内面に透過反射層３を設け、その上面にリニアプリズム１２を配列形成し、液晶セル２の下側に光吸収層５を設けた。 - 特許庁

An operation condition display part 1-1 displays the operation condition of a higher layer network and that of a lower layer network on a three-dimensional display picture of the same display part as a three-dimensional display image and a two-dimensional display image respectively.例文帳に追加

運用状況表示部１−１は、上位レイヤネットワークの運用状況を３次元表示イメージで、下位レイヤネットワークの運用状況を２次元表示イメージで、同一表示部の３次元表示画面上に表示する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head preventing magnetic flux from being leaked from an end edge of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read head element, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic disk drive and a manufacturing method of the thin film magnetic head.例文帳に追加

読出しヘッド素子の下部シールド層及び／又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the interlayer insulating films 10, the second interlayer insulating film 102 is provided in the interlayer of a region, where the lower layer wiring 11 is overlapped to the upper layer wiring 12, and other regions are occupied by the first interlayer insulating film 101.例文帳に追加

これら層間の絶縁膜１０のうち、下層配線１１と上層配線１２の重なり合う領域の層間では第２層間絶縁膜１０２が配され、その他の領域は第１層間絶縁膜１０１で占められている。 - 特許庁

A low friction layer 7 lower in friction coefficient than a sintered metal constituting a bearing body 3 is formed on the inner circumferential surface of the bearing body 3 so as to cover it, and the outer surface of the low friction layer 7 constitutes the bearing surface 5.例文帳に追加

軸受本体３の内周面には、軸受本体３を構成する焼結金属よりも摩擦係数の低い低摩擦層７が被覆形成されており、この低摩擦層７の外表面で軸受面５が構成されている。 - 特許庁

A light emitting semiconductor layer 3 having a light emitting junction 33 formed in a boundary between a first conductivity type clad 31 and a second conductivity type clad 32 arranged at lower and upper sites is formed on the layer 2.例文帳に追加

第１コンタクト層２上には、第１導電型クラッド３１と第２導電型クラッド３２が夫々下位と上位に配されてそれらの境界に発光接合部３３が形成された発光半導体層３が積層されている。 - 特許庁

Each through hole 8 has a tapered shape consisting of a small hole part 10 on the side of the upper layer 2 and a large hole part 11 on the side of the lower layer 3 and getting wider outwards so as to be able to receive vaporized matter from a vaporization source 4 over a wide angle.例文帳に追加

各通孔８は、上段層２側の小孔部１０と、下段層３側の大孔部１１とからなる外広がり状のテーパー形状とし、広い角度で気化源４からの気化物を受け入れられるようにする。 - 特許庁

A Schottky junction region 104 is formed on a region where an anode P layer 103 is not formed at an upper portion of the N- layer 102 by injecting impurities such as platinum of a barrier height lower than that of silicon.例文帳に追加

Ｎ−層１０２上部でアノードＰ層１０３が形成されていない領域に、シリコンに比べてバリアハイト（障壁の高さ）の低い、白金等の不純物を注入することにより、ショットキー接合領域１０４が形成されている。 - 特許庁

The capacitive element comprises an upper electrode 1, and a lower electrode 2 disposed beneath the upper electrode 1 through an insulating film layer 6 wherein a capacitor is formed at the insulating film layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる容量素子は、上部電極１と、この上部電極１との間に絶縁膜層６を介して配置された下部電極２を有し、この絶縁膜層６において容量を形成する容量素子に関するものである。 - 特許庁

The pixel electrode 10 is arranged in an upper layer while isolated from the thin film transistor positioned in a lower layer by an organic colored film 8 and a flattening film 9 and connected to the corresponding drain D directly or through a pad wiring 7.例文帳に追加

画素電極１０は下層に位置する薄膜トランジスタから有機着色膜８及び平坦化膜９により隔てられて上層に配されており直接又はパッド配線７を介して対応するドレインＤに接続している。 - 特許庁

An altitude distribution calculator 23 calculates the altitude after polishing of the layer which is the object of simulation, on the basis of the altitude of the lower layer and the convex occupancy which is calculated by the convex occupancy calculator 22 by using the Preston equation.例文帳に追加

標高分布算出部２３は、プレストン式を用いて、下層の標高と凸部占有率算出部２２によって算出された凸部占有率とに基づいてシミュレーション対象層の研磨後の標高を算出する。 - 特許庁

A solventless epoxy resin-based electrification preventive painting floor material 10 is used as a lower layer side electrification preventive painting floor material, and an aqueous epoxy resin-based electrification preventive painting floor material 12 is used as an upper layer side electrification preventive painting floor material.例文帳に追加

下層側帯電防止塗り床材として無溶剤形エポキシ樹脂系帯電防止塗り床材１０を用い、 上層側帯電防止塗り床材として水性形エポキシ樹脂系帯電防止塗り床材１２を用いた。 - 特許庁

The multilayer structure includes a plurality of second layers including nitride semiconductor containing Al and a first layer including nitride semiconductor provided between the plurality of second layers and having a lower Al composition ratio than that in the second layer.例文帳に追加

多層構造体は、Ａｌを含む窒化物半導体を含む複数の第２層と、複数の第２層の間に設けられ第２層におけるＡｌ組成比よりも低いＡｌ組成比を有する窒化物半導体を含む第１層と、を含む。 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor.例文帳に追加

インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−Ｖ化合物半導体層から成るIII−Ｖ化合物半導体層は、ＡｌＧａＮ半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。 - 特許庁

The lower part electrode film 34a, the piezoelectric film 31, the upper electrode film 34b, and the reflection film 33 are all formed by films whose thickness are uniform, but the center part of a film thickness adjusting layer 32 is thin and the peripheral part of the layer 32 is thick.例文帳に追加

下部電極膜３４ａ、圧電膜３１、上部電極膜３４ｂ、反射膜３３はすべて膜厚が均一な膜で形成されるが、膜厚調整層３２は中央部で薄く、周辺部で厚い膜厚になっている。 - 特許庁

By making the insertion direction Q guided by the suction box 15 as an inclined upper direction in the forwarding direction to the traveling direction of the first wet paper layer P_1, and the IC tag inlet 9 is supplied to the first wet paper layer P_1 from the lower end part of the supplying roll 14.例文帳に追加

サクションボックス15に案内されるインサート方向Ｑを第１湿紙層Ｐ_1の走行方向に対して順方向で斜め上方とし、前記供給ロール14の下端部からICタグインレット９を第１湿紙層Ｐ_1に供給する。 - 特許庁

For the upper layer sheet 2 and lower layer sheet 3 of an absorptive pad 1, front and rear ends 21 and 31 thereof and the front and rear ends 44 of an absorbent 4 are adhered by heat seal 8 and an adhesion area 81 by the heat seal 8 is formed.例文帳に追加

吸収パッド１の上層シート２と下層シート３は、前後端２１、３１と吸収体４の前後端４４との間はヒートシール８で接着されており、ヒートシール８による接着領域８１が形成されている。 - 特許庁

When a driving driver 9 is heated by repair temperatures (70°C to 170°C), the elastic modulus of a resin layer 14 is made lower than the elastic modulus of an ACF 10, and the adhesive force of the resin layer 14 and a wiring board 4 is partially made low.例文帳に追加

リペア温度（７０℃〜１７０℃）で駆動ドライバ９を加熱したとき、この樹脂層１４の弾性率がＡＣＦ１０の弾性率よりも低くなり、樹脂層１４と配線基板４との接着力が部分的に低くなる。 - 特許庁

The soft magnetic film whose composition is represented by the formula: (Fe_xNi_y)_aMo_b, is prepared, and a lower core layer 16 and/or an upper core layer is formed of the above soft magnetic film.例文帳に追加

組成式が（Ｆｅ_ｘＮｉ_ｙ）_ａＭｏ_ｂ（ただし、ｘ、ｙは質量％比で、０．６５≦ｘ≦０．７５、ｘ＋ｙ＝１、ａ，ｂは質量％で、０質量％＜ｂ≦５質量％、ａ＋ｂ＝１００質量％）の関係を満足するものである。 - 特許庁

An electrical wiring part is provided between the upper layer 35 and the lower layer 36 of the bottom plate part 32, such that a delay line, reactance component or a resistive component is added to at least one of the balance signal terminals 11 and 12.例文帳に追加

上記底板部３２の上部層３５と下部層３６との間に電気配線部を各平衡信号用端子１１、１２の少なくとも一方に遅延線、リアクタンス成分、または抵抗成分を付加するように設ける。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head, a magnetic head assembly and a magnetic disk drive device preventing leakage of magnetic fluxes from end edges of a lower shield layer and/or an upper shield layer of a read-out head element, and to provided a method of manufacturing the thin film magnetic head.例文帳に追加

読出しヘッド素子の下部シールド層及び／又は上部シールド層の端縁からの磁束漏れを防ぐことが可能な薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film layer composed of a specific number of layers is deposited on the upper side of the substrate 10, and a thin film layer of the same thickness is deposited on the lower side of the substrate 10, to balance film stresses of both sides of the substrate 10.例文帳に追加

所定の層数から構成される薄膜層を基板１０の上側に堆積させ、かつ、同様の厚さを有する薄膜層を基板１０の下側に堆積させ、基板１０の両側の膜応力のバランスをとる。 - 特許庁

Ozone is supplied into a reaction tower 1, in which a catalyst- packed layer 2 is provided at the upper stage and a catalyst-free layer 3 is provided at the lower stage, from an ozone supplying device 4 while the organic discharged water containing endocrine disrupters is trade to flow down into the reaction tower 1.例文帳に追加

上段を触媒充填層２とし下段を触媒無充填層３とした反応塔１に、環境ホルモンを含む有機性排水を下降流で流しながらオゾン供給器４からオゾンを供給する。 - 特許庁

The upper polysilicone layer of a capacity Ch(h-1) to Ch1 corresponding to a high-order bit (H-DAC) is all connected to a common node on the side of the high-order bit and each lower polysilicone layer is connected to analog switches SWh(h-1) to SWh1.例文帳に追加

上位ビット（Ｈ−ＤＡＣ）に対応する容量Ｃ_h(h-1)〜Ｃ_h1の上層ポリシリコンを全て上位ビット側の共通ノードに接続すると共に下層ポリシリコンの各々を対応するアナログスイッチＳＷ_h(h-1)〜ＳＷ_h1に接続する。 - 特許庁

The flow preventing structure of partial grounding type has an improved layer 10 in the liquefied ground LB under the pavement part PA, and the lower ends 11, 12 of the improved layer are grounded on the non-liquefied ground NL with an arbitrary grounding width.例文帳に追加

この部分着底型の流動防止構造は、舗装部ＰＡの下側の液状化地盤ＬＢに改良層１０を有し、改良層の下端部１１，１２が非液状化地盤ＮＬに任意の着底幅で着底している。 - 特許庁

To provide a honeycomb filter in which a raw material solution of a catalyst-containing layer is hardly left on an end face when dipping it into the raw material solution of the catalyst-containing layer and pulled up and which can prevent an opening of a flow channel in a lower end surface from being narrowed.例文帳に追加

触媒含有層の原料溶液に浸漬し、引き上げた際に、端面に触媒含有層の原料溶液が残りにくく、下端面における流路の開口が狭くなることを抑制できるハニカムフィルタを提供する。 - 特許庁

One layer part formed by extending the plane member of the plane part 21 is pinched between an upperside flange part 24a of a reinforce 24, which abuts on from under, and the lower surface of the rear parcel shelf 16 so as to form triple-layer structure, and welded fixedly.例文帳に追加

平板部２１の平板状部材を延設した一枚部分は、下方から当接されるレインフォース２４の上側フランジ部２４ａとリヤパーセルシェリフ１６の下面との間に挟持されて３枚重ねで溶接固定されている。 - 特許庁

Each core part 21, 22 are fixed in a state with the second core part 22 in the lower layer shifted at a phase angle of 20 degrees with respect to the first core part 21 in the upper layer so that teeth parts 21b, 22b are respectively arranged opposite to each magnet 13 exist during rectification.例文帳に追加

各コア部２１，２２は、整流時に各マグネット１３とそれぞれ対向するティース２１ｂ，２２ｂが存在するように、上層の第１コア部２１に対して下層の第２コア部２２が２０°の位相角でずらして固定される。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device that prevents the whisker- like protrusions of an upper layer film due to side etching of a lower layer film when the surface electrode wiring of a semiconductor device is to be formed, and to provide a method for manufacturing the reliable semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の表面電極配線を形成する際、下層膜がサイドエッチされることによる上層膜のヒゲ状張り出しのない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The reproduction element 12 of the magnetic head 1 has a magnetoresistance effect film (TMR film) 2 formed between a lower magnetic shield layer 14 and an upper magnetic shield layer 16; and a refill film 18 and a magnetic domain control film 19 on both sides of the TMR film 2.例文帳に追加

磁気ヘッド１の再生素子１２は、下部磁気シールド層１４と上部磁気シールド層１６の間に磁気抵抗効果膜（TMR膜）２が設けられ、TMR膜２の両脇にはリフィル膜１８と磁区制御膜１９が設けられている。 - 特許庁

The oriented film 40(60) is structured of an organic oriented film layer 42 which shows lower moisture-absorptive characteristics than an inorganic oriented film and is oriented in a direction where the inorganic oriented film is oriented on the surface, formed on an inorganic oriented film layer 41.例文帳に追加

配向膜４０（６０）は、無機配向膜層４１上に、その無機配向膜よりも吸湿性が低く、且つ無機配向膜の表面配向に沿って配向される有機配向膜層４２が形成された構成を具備している。 - 特許庁

A laminate comprising a lower layer side insulator thin film, a conductive thin film and an upper layer side insulator thin film is arranged on an upper face part of the substrate 1, and a wiring pattern 22 of the fixed electrodes is formed of the conductive thin film.例文帳に追加

基板１の上面部に、下層側絶縁体薄膜と導電性薄膜と上層側絶縁体薄膜との積層体が配置され、導電性薄膜により固定電極の配線パターン２２が形成されている。 - 特許庁

The thin film device 1 comprises a substrate 2, an insulating layer 3 laminated in order on this substrate 2, a plurality of lower conductor layers, a dielectric film 5, an insulating layer 6, a plurality of upper conductor layers and protection films 8, and 4 terminal electrodes.例文帳に追加

薄膜デバイス１は、基板２と、この基板２の上に順に積層された絶縁層３、複数の下部導体層、誘電体膜５、絶縁層６、複数の上部導体層および保護膜８と、４つの端子電極を備えている。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁

In this magnetic recording medium, a layer nonmagnetic layer containing at least carbon black and a radiation curing type binder resin are formed on a nonmagnetic base and an upper magnetic layer having a film thickness of ≤0.30 μm is formed on this lower layer nonmagnetic layer.例文帳に追加

非磁性支持体上に、少なくともカーボンブラックと放射線硬化型結合剤樹脂とを含む下層非磁性層が形成され、前記下層非磁性層上に膜厚０．３０μｍ以下の上層磁性層が形成され、前記上層磁性層は、少なくとも強磁性粉末と結合剤樹脂とモース硬度６以上でかつ前記上層磁性層膜厚よりも平均粒径が小さい研磨材とを含有する、磁気記録媒体。 - 特許庁

In the recording medium comprising a substrate and an ink receiving layer provided on the substrate, wherein the ink receiving layer is constituted of at least two layers and the outermost surface layer contains aluminum oxide particles as major components, at least one kind of an adhesive polymeric resin and at least one kind of a primary amine resin are contained in the lower layer of the ink receiving layer.例文帳に追加

基材と、該基材上に設けたインク受容層よりなる記録媒体であり 該インク受容層が少なくとも２層構成であり、最表層がアルミニウム酸化物粒子を主成分として含有することを特徴とする記録媒体において、該インク受容層下層に少なくとも接着性高分子樹脂の少なくとも１種と１級アミン樹脂の少なくとも１種とを含むことを特徴とする記録媒体。 - 特許庁

The silver halide photographic sensitive material having a silver halide emulsion layer on a supporting body and having a nonphotosensitive hydrophilic colloid layer on the silver halide emulsion layer, is characterized in that the nonphotosensitive hydrophilic colloid layer contains a polyurethane- based latex and the silver halide emulsion layer contains a polymer latex having the glass transition temperature lower than that of the above polyurethane-based latex.例文帳に追加

支持体上にハロゲン化銀乳剤層、及び該ハロゲン化銀乳剤層の上部に非感光性親水性コロイド層を有するハロゲン化銀写真感光材料において、前記非感光性親水性コロイドがポリウレタン系ラテックスを含有し、かつ前記ハロゲン化銀乳剤層が前記ポリウレタン系ラテックスよりガラス転移温度が低いポリマーラテックスを含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁

The solid secondary battery system comprises: a solid secondary battery comprising a positive electrode active material layer, a negative electrode active material layer, and a solid electrolyte layer between the positive electrode active material layer and the negative electrode active material layer; and an overdischarge treatment unit for discharging the solid secondary battery until the SOC of the solid secondary battery reaches a lower level than 0%.例文帳に追加

本発明は、正極活物質層、負極活物質層、並びに、上記正極活物質層および上記負極活物質層の間に形成された固体電解質層を有する固体二次電池と、上記固体二次電池のＳＯＣが０％よりも低い状態になるまで放電する過放電処理部と、を有することを特徴とする固体二次電池システムを提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate having a glass layer containing noble metal particles comprises preparing a structure provided with a glass layer and the noble metal particles each having a diameter of 1-10 μm and being provided on the glass layer in a contact state and then heating the structure at a temperature lower than the softening point of the glass layer, so that the noble metal particles are buried in the glass layer.例文帳に追加

基板の製造方法は、貴金属粒子を含むガラス層を備えた基板の製造方法であって、ガラス層と、該ガラス層に接触して該ガラス層上に設けられた１μｍ以上１０μｍ以下の直径を有する貴金属粒子とを備える構造体を用意し、前記ガラス層の軟化点より低い温度で前記構造体を加熱することで、前記貴金属粒子を前記ガラス層に埋め込む。 - 特許庁

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に形成された少なくともｐ型の活性層１３及とｎ型のクラッド層１４とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３と半導体基板１１との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板１１より二次発光強度が低い吸収層１２を形成することにより、発光ダイオード１０を構成した。 - 特許庁

Between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3, such a current block layer 5 as to let an electroresistance value become ≥2.5×10^5Ω, the electroresistance value being converted per electrode area 1 cm^2 between electrodes when an electric field of ≤20 kV/cm is applied at normal temperature between the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 3.例文帳に追加

圧電薄膜素子は、基板１上に、下部電極層２、圧電体薄膜層４および上部電極層３を有し、圧電体薄膜層４が、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ≦０．１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を主相とするペロブスカイト構造の結晶からなるものであり、下部電極層２と上部電極層３との間に常温で２０ｋＶ／ｃｍ以下の電界を印加したときの、電極間の電極面積１ｃｍ^２当たりに換算した電気抵抗値を２．５×１０^５Ω以上とするような電流ブロック層５を、下部電極層２と上部電極層３との間に備えている。 - 特許庁

The stage 10 is provided with a lower board 6, an upper board 7 which is slidable along the upper face of the lower board 6, and the upper board 7 is composed of a flat base material of an Al-Mg die cast alloy and an anodized aluminum layer formed on the surface of the flat base material.例文帳に追加

ステージ１０は、下板６と、下板６の上面に沿って移動可能な上板７とを備え、上板７は、Ａｌ−Ｍｇ系ダイキャスト合金の平板状母材と平板状母材の表面に形成されたアルマイト層とから成る。 - 特許庁

In the touch panel with the satin finished surface formed on at least one of the opposed surfaces of the upper insulating substrate and the lower insulating substrate, the support plate composed of a plastic plate is adhered all over a rear surface of the lower insulating substrate by a spread viscous agent layer.例文帳に追加

上部絶縁基板と下部絶縁基板の対向面のうち少なくとも一方に梨地面が形成されたタッチパネルが、その下部絶縁基板の裏面にプラスチック板からなる支持板が拡散粘着剤層により全面的に接着されている。 - 特許庁

Next, the bottom surface of a lower electrode 11 of a previously formed thin-film capacitive element 10 of a planar rectangle shape having the lower electrode 11, a ferroelectric film 12 and an upper electrode 13 are bonded on the top surface of the conductive adhesive layer 9.例文帳に追加

次に、下部電極１１、強誘電体膜１２および上部電極１３を有する、予め形成された平面方形状の薄膜容量素子１０の下部電極１１の下面を導電性接着層９の上面に接着する。 - 特許庁

In the image display device, a lower electrode 11 is formed on a main face of a first insulating substrate 10, and an electron accelerating layer 12 is formed on the surface of the lower electrode 11 with a maximum height of a surface ruggedness by oxidation of an anode of 23 nm to 25 nm.例文帳に追加

第１絶縁基板１０の主面に下部電極１１を形成して、当該下部電極１１の表面に陽極酸化により該表面凹凸の最大高さを略２３ｎｍ乃至２５ｎｍとした電子加速層１２を形成する。 - 特許庁