「m-pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask (M) is illuminated on the basis of the exposure light from a light source (1), and a pattern on the mask is exposed on the photosensitive substrate (W).例文帳に追加

光源（１）からの露光光に基づいてマスク（Ｍ）を照明し、マスク上のパターンを感光性基板（Ｗ）上に露光する。 - 特許庁

Moreover, in an M (2) layer, the electrodes of a shadow area serves as a lattice pattern, and an electrode terminals can be led out from the circumferential section.例文帳に追加

また、Ｍ（２）層では斜線部分の電極が格子パターンとなり外周部より電極端子を引き出すことができる。 - 特許庁

The mask M is equipped with: a film mask 120 on which the pattern Pa is formed; and a glass plate 122 onto which the film mask 120 is stuck.例文帳に追加

マスクＭは、パターンＰａが形成されるフィルムマスク１２０と、該フィルムマスク１２０が貼り付けられるガラス板１２２と、を備える。 - 特許庁

The circuit section (13) displays a mark (M) of a prescribed pattern on the non-display area (EE) around the image on the display screen (E).例文帳に追加

回路部（１３）は、表示画面（Ｅ）のうち画像の周辺の非表示領域（ＥＥ）に、所定パターンのマーク（Ｍ）を表示する。 - 特許庁

A mask M and the substrate P are synchronously moved and 1st patterns 53 and 55 and a 2nd pattern 54 are connected and exposed on the substrate P.例文帳に追加

マスクＭと基板Ｐとを同期移動して基板Ｐに第１パターン５３，５５と第２パターン５４とをつなぎ合わせて露光する。 - 特許庁

The beam is reflected by a collimator mirror 6 and made incident on a mask M having a stripe pattern formed therein held on a mask stage MS.例文帳に追加

この光はコリメータミラー６で反射され、マスクステージＭＳに保持されたストライプパターンが形成されたマスクＭに入射する。 - 特許庁

To form a good magnetized pattern on a magnetic medium the coercive force of which is equal to/higher than 398 kA/m (5000 Oe).例文帳に追加

磁性層の保磁力が３９８ｋＡ／ｍ（５０００Ｏｅ）以上である磁気記録媒体に良好な磁化パターンを形成する。 - 特許庁

The present invention displays a marker M so that a luminance level to be replaced with a specific pattern in the zebra display is specified on a histogram 80.例文帳に追加

本発明は、ゼブラ表示で特定パターンに置き換える輝度レベルをヒストグラム８０上で特定可能にマーカーＭを表示する。 - 特許庁

When a conveyor pallet 1 is conveyed, an aging pattern signal is output from a false signal generator 8 to a display device M.例文帳に追加

コンベアパレット1が搬送されているときは擬似信号発生器８からエージングパターン信号を表示装置Ｍに出力する。 - 特許庁

Thereafter, a mask layer M is formed by performing an etching process such that the organic films JM1 and JM2 and the resist pattern PRp are etched.例文帳に追加

その後、その有機膜ＪＭ１，ＪＭ２，レジストパターンＰＲｐをエッチングするエッチング処理を実施して、マスク層Ｍを形成する。 - 特許庁

This elastic pipe 4 expands to regulate the spacing between the pattern mask 1A and the vacuum frame 3, thereby suppressing the deformation and strain of the pattern mask 1A and the vacuum frame 3 when the pressure in the space M is reduced.例文帳に追加

この弾性管４は、空間Ｍ内が減圧される際に膨張し、パターンマスク１Ａと真空枠３との間隔を規制し、パターンマスク１Ａや真空枠３の変形や歪を抑える。 - 特許庁

After the exposed substrate WS is moved stepwise, the positional shift between the exposed substrate WS, and the exposure pattern of the mask M is measured by an exposure pattern positional shift detecting means 46.例文帳に追加

そして、露光済み基板ＷＳをステップ移動させた後、露光済みの基板ＷＳとマスクＭの露光パターンの位置ずれ量を露光パターン位置ずれ検出手段４６で計測する。 - 特許庁

In the transferring of the printed pattern M, a printed film F floated on a liquid L is submerged into the liquid by pressing with an object to be transferred, and the printed pattern is transferred on the object to be transferred by liquid pressure.例文帳に追加

この際、プリント模様Ｍの転写は、液体Ｌ上に浮かせたプリントフィルムＦを被転写物で押圧して液中に押し込み、液圧によって被転写物にプリント模様を転写する。 - 特許庁

The monochrome pattern 36 of the test pattern 34A has length covering all over the area in a light beam scanning direction and includes yellow(Y), magenta(M), cyan(C), black(K) and a secondary color pattern 36YC by the secondary color (superimposition) of yellow(Y) and cyan(C).例文帳に追加

テストパターン３４Ａの単色パターン３６は、光ビーム走査方向全域を覆う長さとなっており、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）、イエロー（Ｙ）とシアン（Ｃ）の二次色（重ねあわせ）による二次色パターン３６ＹＣを含んでいる。 - 特許庁

When the master pattern M is shifted from the object pattern P to the right side in a figure by 0.4 picture elements, further satisfactory coincidence is generated in the both pattern as shown in (c), and the gradation difference is reduced in the both patterns as shown in (d).例文帳に追加

これに対してマスターパターンＭをオブジェクトパターンＰに対して０．４画素分、図中右側へ揺すらせると（ｃ）に示すように両パターンがよりよい一致を示し、（ｄ）に示すように両パターンには階調差が少なくなっている。 - 特許庁

This decoration member is formed by vacuum molding or pressure molding of a thermoplastic resin sheet 42 of a prescribed thickness with a design pattern M on the surface or a transparent thermoplastic resin sheet 42 of a prescribed thickness with the design pattern M on the backside.例文帳に追加

表面に模様、図柄Ｍが施された所定厚さの熱可塑性樹脂シート４２、または裏面に模様、図柄Ｍが施された透光性を有する所定厚さの熱可塑性樹脂シート４２を真空成形又は圧空成形することにより成形される。 - 特許庁

The solvent vapor of a water-soluble solvent (such as NMP) is supplied to the surface of the resist pattern R coated with the water molecules m, and the surface of the resist pattern R is swollen by the solvent vapor combined with the water molecules m to achieve a smoothing process.例文帳に追加

水分子ｍが付着されたレジストパターンＲの表面に対し、水溶性を有するレジストの溶剤蒸気（例えばＮＭＰ）を供給し、水分子ｍに結合する溶剤蒸気によりレジストパターンＲの表面を膨潤させるスムージング処理を行う。 - 特許庁

The uniform printed pattern M is printed on a surface of a region including a heal guard 4 of an instep 2 of the shoe 1, a part on a heal side of the midsole 6 of a sole 3, and a part on the heal side of an outsole 7, so that the printed pattern M partially develops on the heal side of the shoe 1.例文帳に追加

靴１の胛被２のヒールガード４と、靴底３のミッドソール６の踵側一部と、アウトソール７の踵側一部の領域表面に一様なプリント模様Ｍを印刷することにより、靴１の踵側に部分的にプリント模様Ｍを現わすようにする。 - 特許庁

When both range signal patterns RngBufPos[0], RngBufPos[m] are coincident with the range signal pattern in failure, it is investigated whether or not the range signal of the contact for outputting the coincident range signal pattern is varied (S44), and when it is not varied, it is determined as a failure.例文帳に追加

そして両レンジ信号パターンＲｎｇＢｕｆＰｏｓ[0]，ＲｎｇＢｕｆＰｏｓ[m]が故障時レンジ信号パターンと一致ししているときは、一致したレンジ信号パターンを出力する接点のレンジ信号が変化しているか否かを調べ（Ｓ４４）、変化していないときは、故障と判定する。 - 特許庁

Moreover, the number of times m of detection of the prescribed pattern length in a prescribed period is counted (S6), and the transmission rate of the transmitted digital signal is judged from the judgment of the number of times m of detection (S8-S10).例文帳に追加

さらに、所定期間における所定パターン長の検出回数ｍを計数し（Ｓ６）、検出回数ｍの判別により、伝送されるディジタル信号の伝送レートを判別する（Ｓ８〜Ｓ１０）。 - 特許庁

According to a desired arpeggio type (n) (n=1 to N), conversion types Type[1] to Type[M] are set in a conversion type setting table TT by the tracks 1 to M of the partial pattern data OD1 to ODM (B).例文帳に追加

また、所望のアルペジオタイプｎ（ｎ＝１〜Ｎ）に応じて、各部分パターンデータＯＤ１〜Ｍのトラック１〜Ｍ毎に変換タイプＴｙｐｅ［１］〜［Ｍ］が変換タイプ設定テーブルＴＴで設定される（Ｂ）。 - 特許庁

A pattern formed on a mask M is scanned and exposed in plural exposed areas A1-A6 on a substrate P by synchronous moving of the mask M and the substrate P in a predetermined direction-X with respect to exposure light.例文帳に追加

マスクＭと基板Ｐとを露光光に対して所定の方向−Ｘに同期移動させて、マスクＭに形成されたパターンを基板Ｐ上の複数の露光領域Ａ１〜Ａ６に走査露光する。 - 特許庁

Consequently, without conveying the mask M out of the pattern drawing apparatus 1, it can be checked, cleaned, and stocked, thereby the contamination and damage of the mask M caused by the conveyance can be prevented.例文帳に追加

このため、マスクＭをパターン描画装置１の外部に搬送することなく検査、洗浄、および収納することができ、これにより、搬送に伴うマスクＭの汚れや損傷を防止することができる。 - 特許庁

A logical comparator circuit 84-L-K compares the data K(bitL) with the key pattern K(bitL) simultaneously as another bit data comparator circuit performs data comparison and outputs a comparison result M-K-L to a group of totaling circuits to be constituted of a plurality of AND circuits.例文帳に追加

論理比較回路84-L-Kは、データK(bitL)とキーパターンK(bitL)を、他のビットデータ比較回路と同時に比較し、比較の結果M-K-Lを複数のAND回路から構成される集計回路群に出力する。 - 特許庁

A half tone of (N-M) bits (M≤N-2) is artificially displayed with frame rate control on a display device having pixels, composed of sub-images of three primary colors aligned in a lateral direction, aligned in longitudinal and lateral directions and having a display gray scale of M bits by using a pattern group.例文帳に追加

横方向に配列された三原色の副画像からなる画素が、縦横に配列された、Ｍビットの表示階調を有する表示装置に、パターン群を用いて、Ｎ−Ｍビット（Ｍ≦Ｎ−２）分の中間調をフレームレートコントロールによって擬似的に表示する。 - 特許庁

Luminous and non-luminous combination pattern in the n-th to m-th subfields (m and n are positive integers smaller than the number of all subfields, and m>n) in 1st to 4th pixels P1 to P4 vertically and laterally adjacent to respective areas on a PDP are different from one another.例文帳に追加

ＰＤＰの各領域の上下左右に隣接する第１〜第４の画素Ｐ１〜Ｐ４におけるｎ〜ｍ（ｍおよびｎは全サブフィールド数より小さい正の整数であり、ｍ＞ｎである）番目のサブフィールドの発光および非発光の組み合わせパターンがそれぞれ異なる。 - 特許庁

The substrate transfer mechanism 20 used for an exposing device 1 for exposing a pattern P of a mask M on a substrate W by directing an exposing light EL via the mask M to the substrate W lifts up and supports the substrate W and conveys the same in the X direction.例文帳に追加

基板搬送機構２０は、基板Wに対してマスクMを介して露光用光ＥＬを照射し、基板ＷにマスクＭのパターンＰを露光する露光装置１に適用され、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板ＷをＸ方向に搬送する。 - 特許庁

The arrangement of the color components of the read image pattern consisting of pixel data after the interleaving indicates repetition of pixel data in the unit of matrices M each consisting of 2×2 pixels.例文帳に追加

間引いた後の画素データにより構成される読取画面の色成分の配列は２×２のマトリクスＭ単位で繰り返される。 - 特許庁

Thereafter, a substrate P is exposed sequentially by aligning each of the estimated shots S1 to S32 with a pattern image of a mask M.例文帳に追加

そして、順次、配列を推定したショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを位置合わせし、基板Ｐを露光していく。 - 特許庁

To provide a method of effectively forming a high-resolution pattern having a high aspect ratio while holding down a consumption of a function ink M.例文帳に追加

機能性インクＭの消費を抑えつつ、高アスペクト比を有する高解像度パターンを効率よく形成する方法を提供する。 - 特許庁

A density in each gradation of a basic dither pattern having M gradations is presumed to obtain a density variation quantity (S203, S204-1).例文帳に追加

Ｍ階調を有する基本ディザパターンの各階調における濃度値を推定し、濃度変化量を取得する（Ｓ２０３，Ｓ２０４−１）。 - 特許庁

To provide a test pattern where the deviation value between yellow Y, magenta M, cyan C and black K which are formed so as to be superposed can be clearly detected.例文帳に追加

重ね合わせて形成されるイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ）間での画像のずれ量が明確に検知されるテストパターン。 - 特許庁

An image for correction with the same pattern as an image for reference consisting of respective colors Y, M and C prepared in advance, is printed on the printing paper.例文帳に追加

予め用意されたＹ、Ｍ、Ｃ各色からなる参照用画像と同じパターンの補正用画像を印画用紙に印画する。 - 特許庁

The water molecules m and the solvent s stuck to the resist pattern R on the wafer W after the smoothing process are removed by drying.例文帳に追加

スムージング処理されたウエハＷ上のレジストパターンＲに付着する水分子ｍ及び溶剤ｓを乾燥により除去する。 - 特許庁

A metal plate is subjected to emboss processing to express stacked block or stacked brick patterns, parallel grooved pattern M based on two kinds of oblique lines are engraved in a projected region 3, a parallel groove pattern M portion based on oblique lines depending on seeing direction and a parallel groove pattern M portion based on oblique lines in a reversed direction are varied in color and others thereby creating a color changing effect.例文帳に追加

金属板をエンボス加工してブロック積み調またはレンガ積み調の模様を表現し、ブロックまたはレンガが表現される凸部領域３に２種類の斜線を基本とする平行溝模様Ｍを刻設し、見る方向によって一方側の斜線を基本とする平行溝模様Ｍ部分と、逆向きの斜線を基本とする平行溝模様Ｍ部分の色調等を変化させ、色変わりするような効果を発揮させる。 - 特許庁

A RAM 3 to store pattern data for forming an eyelet holing seam M with an eyelet part T and right and left side sewing parts S1, S2 and a CPU 1 to form the eyelet holing seam M based on seam data prepared based on the pattern data are equipped to form this button holing sewing machine 100.例文帳に追加

左右の側縫い部Ｓ１、Ｓ２を有する鳩目穴かがり縫い目Ｍを形成するためのパターンデータを記憶するＲＡＭ３と、パターンデータに基づいて作成された縫い目データに基づいて鳩目穴かがり縫い目Ｍを形成するＣＰＵ１を備えてボタン穴かがりミシン１００を構成する。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a work stage holding a substrate as an exposure object, a mask stage 1 holding a mask M having a mask pattern as opposing to the substrate, and an irradiating means (exposure illumination optical system) irradiating the substrate with light for mask pattern exposure through the mask M.例文帳に追加

この露光装置は、被露光材である基板を保持するワークステージと、マスクパターンを有するマスクＭを基板に対向させて保持するマスクステージ１と、マスクパターン露光用の光をマスクＭを介して基板に照射する照射手段（露光用照明光学系）とを備えている。 - 特許庁

When the pattern is found variable during the high probability playing (steps S500-S510), the value of the frequency of varying the pattern is incremented (step S520) and it is judged whether the incremented frequency N of varying the pattern is above a specified value M or not (step S530).例文帳に追加

高確率中に図柄が変動すると判断されると（ステップＳ５００〜Ｓ５１０）、図柄変動回数Ｎの値がインクリメントされ（ステップＳ５２０）、インクリメントされた図柄変動回数Ｎが所定値Ｍ以上か否か判断される（ステップＳ５３０）。 - 特許庁

The image generation means instructs generation of N pieces (N≤M, N is a positive integer) of second density pattern images different from the first density pattern images on the basis of the characteristic value of the first density pattern images detected by the detection means.例文帳に追加

画像発生手段は、前記検出手段が検出した前記第一の濃度パターン画像の特性値に基づいて、前記第一の濃度パターン画像とは異なるＮ個（Ｎ≦Ｍ、Ｎは正の整数）の第二の濃度パターン画像の生成を指示する。 - 特許庁

In the pattern drawing device, pattern groups (Ga1 and Ga2, Gb1 and Gb2, Gc1 and Gc2, and Gd1 and Gd2) having the same shape and substitutable each other are included in eight pattern groups Ga1 to Gd2 formed on the mask M.例文帳に追加

このパターン描画装置では、マスクＭ上に形成された８組のパターン群Ｇａ１〜Ｇｄ２の中に、同一の形状を有して互いに代替可能なパターン群（Ｇａ１とＧａ２，Ｇｂ１とＧｂ２，Ｇｃ１とＧｃ２，Ｇｄ１とＧｄ２）が含まれている。 - 特許庁

A third pattern ITO is aligned to a first pattern G formed in the mth layer (m: a positive integer), and second patterns S and D formed in the nth layer (n: a positive integer) on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐの第ｍ層（ｍは正の整数）に形成された第一パターンＧと、第ｎ層（ｎは正の整数）に形成された第二パターンＳ、Ｄとに対して第三パターンＩＴＯを位置合わせする。 - 特許庁

In a pseudo register pattern creating part 140, a pseudo register pattern is created by using M-pieces of feature vectors which are a part of N-pieces of feature vectors of a speech data inputted for registration.例文帳に追加

擬似登録パターン作成部１４０において、入力されたＮ個の登録用音声データの特徴ベクトルのうちの一部であるＭ個の特徴ベクトルを用いて擬似登録パターンを作成する。 - 特許庁

The operator selects a menu for originating repeat embroidery data repeating a unit of the embroidery pattern (S3) and inputs the repetition number of the embroidery pattern on a matrix of m-rows × n-columns (S4, S5).例文帳に追加

オペレータは、一単位の刺繍模様を繰返す繰返し刺繍データを作成するメニューを選択し（Ｓ３）、刺繍模様をｍ行×ｎ列のマトリックス上に繰返す数を入力する（Ｓ４，Ｓ５）。 - 特許庁

A similarity calculation part 150 calculates a pseudo person him-(her-)self similarity between the feature vectors of the pseudo register pattern and those of the remaining (N-M) pieces of speech data for registration which are not used for the pseudo register pattern creation.例文帳に追加

類似度計算部１５０では、その擬似登録パターンと擬似登録パターン作成に用いていない残りの（Ｎ−Ｍ）個の登録用音声データの特徴ベクトルとの間の擬似本人類似度を求める。 - 特許庁

A mask M, for forming an image of a pattern MP on a substrate P while rotating around a predetermined axis J, comprises; a pattern formation surface MF disposed around the predetermined axis J on which the pattern MP is formed; and a mark, formed in a predetermined positional relationship with the pattern MP in a predetermined area of the pattern formation surface MF, for acquiring positional information.例文帳に追加

所定軸Ｊ周りに回転しつつ基板Ｐ上にパターンＭＰの像を形成するためのマスクＭであって、パターンＭＰが形成され、所定軸Ｊ周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面ＭＦの所定領域にパターンＭＰに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。 - 特許庁