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m-patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 404件
In the exposure method, the pattern of a mask (M) disposed on the object surface of a projection optical system (PL) is exposed on the photosensitive substrate (W) disposed on the image surface of the projection optical system to form the pattern of a desired line width on the photosensitive substrate.例文帳に追加
投影光学系(PL)の物体面に設置されたマスク(M)のパターンを、投影光学系の像面に設置された感光性基板(W)上に露光して、感光性基板上に所望線幅のパターンを形成する露光方法。 - 特許庁
This apparatus is constituted so that a flux density pattern M formed for a photoreceptor drum 11 in the developing area E of a developing roll 41 in the two-component developing device may be a pattern having the same polarity and two peaks Q1 and Q2.例文帳に追加
二成分現像装置における現像ロール41の現像領域Eで感光ドラム11にむけて形成される磁束密度パターンMが同極性で2つのピークQ1,Q2をもつパターンとなるように構成した。 - 特許庁
This member 5A abuts the plate 33A and the ground pattern G of a motherboard M, and suppresses the radiation of electromagnetic waves generated in the CPU 3 by electrically connecting the plate 33A to the ground pattern G.例文帳に追加
この電磁波放射抑制部材5Aは、熱拡散板33A及びマザーボードMのグランドパターンGの双方に当接し、これらを電気的に接続することにより、CPU3で発生する電磁波の放射を抑制するものである。 - 特許庁
A CPU 3 estimates a probability density function to an M-dimensional pattern vector by use of a kernel function of a correlation group, and performs the clustering of the pattern vector by use of density distribution mode search algorithm on the basis of the estimated probability density function.例文帳に追加
CPU3は、コリレーション族のカーネル関数を用いて、M次元のパターンベクトルに対し、確率密度関数を推定し、推定した確率密度関数を基に、密度分布モード探索アルゴリズムを用いてパターンベクトルのクラスタリングを行なう。 - 特許庁
The aligner EX is provided with a lighting optical system IL for illuminating a mask M forming a pattern by exposure light EL from the light source 10, and a projection optical system PL for transferring a pattern image on a photosensitive substrate P.例文帳に追加
露光装置EXは、光源10からの露光光ELで、パターンが形成されたマスクMを照明する照明光学系ILと、パターンの像を感光基板P上に転写する投影光学系PLとを備えている。 - 特許庁
When a vehicle travels to 500 m before a course change spot on a guide path, a vibrator motor is controlled with a vibration pattern (A) (step SA7).例文帳に追加
車両の移動に伴って、現在位置が誘導経路上における進行方向変更地点の500m前になると、振動パターン(A)でバイブモータを制御する(ステップSA7)。 - 特許庁
A sewing machine M can sew a pattern to a cloth by moving a cloth supporting frame 16c supporting the cloth to a vertically movable sewing needle 22.例文帳に追加
ミシンMは、上下動可能な縫針22に対して加工布C3を支持する布支持枠16cを移動させることにより、加工布C3に模様を縫製できる。 - 特許庁
This aligner is equipped with the exposure main body part 1a exposing the pattern of a mask M on a substrate P, and an adjusting device 23 adjusting the condition of the atmosphere of the main body part 1a.例文帳に追加
マスクMのパターンを基板Pに露光する露光本体部1aと、露光本体部1aの雰囲気の状態を調整する調整装置23とを備える。 - 特許庁
Then, when a specified time has passed after an initial display pattern is displayed on the display 16, figure change operation of a combination of figure generation operation and figure disappearing operation is implemented to thereby changing the figure patterns displayed on the display 16 sucessively.例文帳に追加
そして、次の第2ステップパターンP(m-2) の表示では、図柄表示位置A1,B2にそれぞれ表示されていた図柄「1」「4」が消滅する(図柄消滅動作)。 - 特許庁
Pixel data surrounded in broken lines P shown in figure are interleaved from pixel data configuring a read image pattern where color components are repetitively arranged in the unit of matrices M each consisting of 2×2 pixels.例文帳に追加
2×2のマトリクスMの単位で繰り返し各色成分が配列される読取画面を構成する画素データから、破線Pで囲まれる画素データを間引く。 - 特許庁
A large droplet gathering pattern POD with a matrix shape is formed ((A) in the figure) by the nozzles of nozzles of the respective nozzle rows (K1, K2, C, M, Y) while scanning the recording head in a Y direction.例文帳に追加
各ノズル列(K1、K2、C、M、Y)のノズルで、Y方向に記録ヘッドを走査しながらマトリクス状の大玉集合パターンPODを形成する(図中(A))。 - 特許庁
The image detector has a light source for illuminating an inspection medium M, having a pattern constituted of the optical characteristics a, b constituting an image P and the camera arranged on a normal line L.例文帳に追加
画像Pを構成する光学特性a,bで構成された紋様を持つ検査媒体Mを照明する光源および法線L上に配置されたカメラを有する。 - 特許庁
Thereby, the optical relay part 4 located on the light reception region 100 can be discriminated on the basis of the second light intensity profile data V_Y(m) by making the pattern as a code.例文帳に追加
これにより、そのパターンをコードとして、第2光強度プロファイルデータV_Y(m)に基づき、受光領域100上に位置する光中継部4を識別することができる。 - 特許庁
A substrate specified to have the birefringence within a pattern region to no more than 1.2 nm/cm, 2 nm/cm or 4 nm/cm is used for the substrate of the mask M.例文帳に追加
マスクM用の基板として、パターン領域内における複屈折量が1.2nm/cm、2nm/cm、又は4nm/cm以下に規定された基板を使用する。 - 特許庁
Also, at judging of the excessively small/excessively large pattern length (S2, S3), the counting operation of the number of times m of detection is reset, and the measurement of the counting period is started new (S5).例文帳に追加
また、過少/過大パターン長を判別した場合(S2,S3)は、検出回数mの計数動作をリセットし、計数期間の計時をあらためて開始する(S5)。 - 特許庁
The IItype crystal of (±) 2-(dimethylamino)-1-{[O-(m-methoxyphenethyl)phenoxy]methyl}ethyl hydrogen succinate hydrochloride that can be characterized by the specific pattern in the powdery X ray diffraction peak shown by Figure.例文帳に追加
粉末X線回折スペクトルが図1に示すパターンを有する、(±)2−(ジメチルアミノ)−1−{〔O−(m−メトキシフェネチル)フェノキシ〕メチル} エチル 水素サクシナート塩酸塩のII形結晶。 - 特許庁
The I type crystal of (±) 2-(dimethylamino)-1-{[O-(m-methoxyphenethyl)phenoxy]methyl}ethyl hydrogen succinate hydrochloride that can be characterized by having the pattern shown in Figure in the powdery X ray diffraction peak.例文帳に追加
粉末X線回折スペクトルが図2に示すパターンを有する、(±)2−(ジメチルアミノ)−1−{〔O−(m−メトキシフェネチル)フェノキシ〕メチル} エチル 水素サクシナート塩酸塩のI形結晶。 - 特許庁
A photosensitive resin layer 11 is formed on a substrate, the photosensitive resin layer 11 is exposed to a synchrotron radiation SR using a mask M having a prescribed pattern and then developed.例文帳に追加
基板10に感光性樹脂層11を形成し、所定のパターンのマスクMを用いてシンクロトロン放射光SRにより感光性樹脂層11を露光し、現像する。 - 特許庁
Further, the uniform printed pattern M is continuously transferred on sides and a bottom of the midsole 6 of the shoe, and the transparent or semitransparent outsole 7 is laminated on the bottom side.例文帳に追加
更に、靴のミッドソール6の側面と底面に連続して一様なプリント模様Mを転写し、底面側に透明または半透明のアウトソール7を積層する。 - 特許庁
When a photoresist is patterned using the photomask M, a photoresist pattern 2 having beltlike slender openings GS is obtained and fine photoresist parts easy to peel do not remain.例文帳に追加
このフォトマスクMを用いてフォトレジストをパターニングすると、帯状の細長開口部GSを有するフォトレジストパターン2が得られ、剥離し易い微小なフォトレジストは残存しない。 - 特許庁
This wiring board manufacturing method comprises a first process of providing through-holes 1c to a sintered board 1 and wiring pattern grooves 1a and 1b to both the surfaces of the sintered board 1, a second process of filling the through-holes 1c and the wiring pattern grooves 1a and 1b with conductive paste M, and a third process of curing the conductive paste M.例文帳に追加
焼結した基板1にスルーホール1cと、前記基板1の両面に配線パターン用の溝1a、1bを形成する工程と、前記スルーホール1cと配線パターン用の溝1b、1cに導電ペーストMを充填する工程と、前記導電ペーストMを硬化させる工程とを有する配線基板の製造方法、によって解決される - 特許庁
This sheet-shaped mold position detector 183 used when the sheet-shaped mold M having the minute transfer pattern M1 formed thereon is transferred and positioned, includes a sheet-shaped mold position detection means 191 detecting a predetermined portion of the sheet-shaped mold M by detecting a light transmission rate in the sheet-shaped mold M.例文帳に追加
微細な転写パターンM1が形成されているシート状モールドMを移送して位置決めするときに使用されるシート状モールド位置検出装置183において、シート状モールドMにおける光の透過率を検出することによって、シート状モールドMの所定部位を検出するシート状モールド位置検出手段191を有する。 - 特許庁
The exposure device EX is provided with an exposure part S for exposing a pattern of mask M to a substrate P, a library LB which can keep a mask case C for storing the mask M used by the exposure part S, and a conveyance system H1 having an arm 20 for conveying to library LB while being able to hold each of the mask M and the mask case C.例文帳に追加
露光装置EXは、マスクMのパターンを基板Pに露光する露光部Sと、露光部Sで用いるマスクMを収納するマスクケースCを保管可能なライブラリLBと、マスクMとマスクケースCとのそれぞれを保持可能であるとともに、ライブラリLBに対して搬送するアーム部20を有する搬送系H1とを備えている。 - 特許庁
A single pattern sensor 18 can detect a belt rotation detection mark TM displayed on an image non-formation part of an intermediate transfer belt 16 and registration marks RM(K), RM(C), RM(M), and RM(Y) displayed on an image formation part of the intermediate transfer belt 16.例文帳に追加
中間転写ベルト16上の画像非形成部に設けられたベルト回転検出マークTMと、中間転写ベルト16上の画像形成部に設けられたレジストマークRM(K)、RM(C)、RM(M)、RM(Y)を、一つのパターンセンサ18で検出可能となっている。 - 特許庁
The pattern is transferred by using a UV-curable resin whose surface tension is 31 to 39 mN/m, and a stamper whose critical surface tension is 26 to 31 mN/m and that is molded by adding a release agent and injection molding, in combination.例文帳に追加
表面張力は31ないし39mN/mの紫外線硬化型樹脂と、臨界表面張力が26ないし31mN/mであり、離形剤が添加されて射出成形により成形されたスタンパとを組み合わせて使用し、パターン転写を行う。 - 特許庁
This exposure method, which transfers the pattern of a mask M onto the substrate P, includes a register process for registering the mask M and the substrate P and an addition process for adding the information of the register result in the register process onto the substrate P.例文帳に追加
マスクMのパターンを基板P上に転写する露光方法において、前記マスクMと前記基板Pとを位置合わせする位置合わせ工程と、前記位置合わせ工程における位置合わせ結果の情報を前記基板P上に付ける付加工程とを有する。 - 特許庁
Further a display control unit M that controls a required input and output related to each pattern display unit U is attached to the metal frame 22 from the back side and fixed with screws 66 screwed from the back side of the display control unit M.例文帳に追加
更に、前記金属枠22に、各図柄表示ユニットUに係る入出力制御をなす表示制御装置Mを後面側から装着し、該金属枠22と表示制御装置Mとを、該表示制御装置Mの後側から螺着したネジ66により固定する。 - 特許庁
The pattern forming method includes: forming a resist layer composed of an oxonol-based dye on a substrate; scanning a laser beam to the formed resist layer at a scanning speed of 1 m/s or more and 30 m/s or less; and developing the resist layer scanned by the laser beam with a developer containing alcohol as a main component.例文帳に追加
基板上に、オキソノール系色素からなるレジスト層を形成し、形成されたレジスト層上に走査速度1m/s以上30m/s以下でレーザー光を走査し、レーザー光が走査されたレジスト層を、アルコールを主成分とする現像液で現像する。 - 特許庁
A registration pattern in black is regarded as a reference color registration pattern 80, wherein a plurality of reference color marks M are arrayed at a first position interval X along a conveying direction (correctly, the front edges or the rear edges are arrayed at the first position interval).例文帳に追加
黒塗りのレジパターンは、基準色レジパターン80(とされ、複数の基準色マークMが搬送方向に沿って第1位置間隔Xで配列(正確には、前側エッジ或いは後側エッジが第1位置間隔で配列)されたパターンをなす。 - 特許庁
This machining apparatus comprises a restricting positioning unit 27 capable of clamping, moving and positioning the board 11 with the pattern, a positioning controller for positioning the board 11 based on a mark M, a unit for fixing the positioned board 1 with the pattern, and cutters 45, 46 for cutting two vertically-intersecting sides of the fixed board 11 along with the pattern.例文帳に追加
柄付きボード11をクランプして移動しかつ位置決め可能な拘束位置決め装置27と、柄付きボード11をマークMに基づいて位置決めする位置決め制御器と、位置決めした柄付きボード11の固定装置と、固定した柄付きボード11の直交する二辺を柄に沿って切断する切断装置45,46とを備える。 - 特許庁
In the other pattern, m-1 pieces of frequency components are extracted in an order of components of higher signal level, excepting the interference frequency component, and the interference frequency component is added to the extracted frequency components.例文帳に追加
他方のパターンでは、信号レベルの高いものから順に妨害周波数成分を除くm−1個の周波数成分を抽出し、これらに妨害周波数成分を加える。 - 特許庁
The surface 10a of an a-plane sapphire substrate 10 is subjected to ICP (inductively coupled plasma) etching to form stripe-pattern grooves 11 whose longitudinal direction is parallel to the m-axis direction of the sapphire substrate 10 (Fig.1(a)).例文帳に追加
a面サファイア基板10の表面10aに、ICPエッチングで長手方向がサファイア基板10のm軸方向に平行なストライプ状に凹部11を形成する(図1(a))。 - 特許庁
Contact detection units 101-1 to 101-M are attached to an information transfer device 100 in a predetermined arrangement pattern to detect direct/indirect contact.例文帳に追加
接触検知部101−1〜101−Mは、直接的/間接的な接触を検知する為に、予め定められた配置パターンでもって情報伝達デバイス100に取り付けられている。 - 特許庁
A range detected as the defect by image processing is defined by a marking pattern M by the projected image in the area RP among a surface of the workpiece W0 with regard to the projection.例文帳に追加
この投影により、ワークW0の表面のうち、画像処理により欠陥として検出された範囲が、領域RPの投影像によるマーキングパターンMにより明示される。 - 特許庁
A recognition part 15 recognizes a recognition target pattern included in the inputted image based on the dictionary information stored in the template storage part 18 and the distance vector D^M for the inputted image.例文帳に追加
識別部15は、テンプレート記憶部18に格納された辞書情報と、入力画像の距離ベクトルD^Mとに基づいて、入力画像に含まれる識別対象パターンを識別する。 - 特許庁
A printer controller 103 decides an output pattern corresponding to a gradation value to convert the image data into image data with the number of gradations r and the number of pixels n×m and a print section 104 prints out the converted image data.例文帳に追加
プリンタコントローラ103では、階調値に対応した出力パターンを決定して画素数がnxm、階調数rの画像データに変換し、印刷部104で印刷する。 - 特許庁
This aligner is provided with a projection optical system (PL) for forming a pattern image of a mask (M) on a photosensitive substrate (W) and a substrate stage for holding and moving the photosensitive substrate.例文帳に追加
マスク(M)のパターン像を感光性基板(W)上に形成するための投影光学系(PL)と、感光性基板を保持して移動するための基板ステージ(WST)とを備えた露光装置。 - 特許庁
An inspection part 72 compares an identification pattern made to correspond to a print image of an n-th page with identification patterns made to correspond to print images of preceding (n-1) to (n-m) pages.例文帳に追加
検査部72はnページ目の印刷画像に対応付けられた識別パターンを先行する(n−1)〜(n−m)ページの印刷画像に対応付けられた識別パターンと比較する。 - 特許庁
In this way, the movement amount T of the embroidery pattern image displayed on the liquid crystal display 22 relative to the input from the transfer key increases or decreases based on the zoom rate M.例文帳に追加
これにより、液晶ディスプレイ22に表示されている刺繍模様画像は、表示倍率Mに応じて移動キーからの入力に対する移動量Tが増大又は減少する。 - 特許庁
When some scheduling rule can produce a stable queue about the given traffic pattern of an arrival packet, the M-LWDF can be performed even though the channel state changes.例文帳に追加
何らかのスケジューリング規則が、到着パケットの所与のトラフィックパターンについて安定したキューを生じることができる場合には、チャネルの状態が変化していても、M−LWDFができる。 - 特許庁
In this exposure device which forms the pattern, scale conversion is performed to a deformed quadrangle M based on a predetermined correction amount L to determine a corrected quadrangle Z2 with similarity.例文帳に追加
パターンを形成する露光装置において、変形四角形Mをあらかじめ定められた補正量Lに基づいてスケール変換し、相似性のある補正四角形Z2を定める。 - 特許庁
A scramble pattern includes the information of orders needed to rearrange the m pieces of blocks constituting one group and is generated by using a constant key extracted by a prescribed arithmetic operation.例文帳に追加
攪乱パターンは、1グループを構成するmブロックの並べ変えを行なうのに必要な順位の情報を含み、所定の演算により抽出した定数鍵を用いて発生される。 - 特許庁
An alignment mark M for performing pattern formation by irradiating electron beam is formed so as not to penetrate an active Si layer 53 to prevent charge-up in a box layer 52.例文帳に追加
電子線照射によるパターン形成を行うためのアライメントマークMは、活性Si層53を貫通することのないように形成し、ボックス層52におけるチャージアップを防ぐようにした。 - 特許庁
Exposure light is used for allowing the pattern of the mask M to project onto the wafer W, and at the same time the wafer W and exposure light are relatively scanned for exposing an exposure region on the wafer W.例文帳に追加
マスクMのパターンを露光光を用いてウエハW上に投影するとともにウエハWと露光光を相対走査してウエハW上の露光領域を露光する。 - 特許庁
All offset parameters of an exposure device, a superposition measuring instrument, etc. are reset to 0, and a test wafer is precedently exposed by using a complementary divided mark, in which a design pattern is divided into M blocks.例文帳に追加
露光装置、重ね合わせ測定器等のオフセットのパラメータを全て0にリセットし、設計パターンがM個のブロックに分割された相補分割マークを使って試験ウエハに先行露光する。 - 特許庁
The page description language interpreting section 44 calculates the width of each of the bars forming the bar code by multiplying the calculated reference value M times of each of modules of the respective bars forming the bar code pattern corresponding to each number forming the data in the bar code printing command to calculate the width of each of the bars forming the bar code.例文帳に追加
M=(600×(m+1)/120−1)×dpi/600×bp/100 そして、ページ記述言語解釈部44は、算出した基準値Mをバーコード描画コマンド中のデータを構成する各数字に相当するバーコードパターンを構成する各バーのモジュール数倍することにより、バーコードを構成する各バーの幅を算出する。 - 特許庁
A query issuing part 14 generates the number of N×M-pieces of retrieval patterns by making a first node in the number of N-pieces of patterns for retrieving subgraphs in a graph G include the number of M-pieces of keywords different from one another (S11) and retrieves the subgraph agreeing with each retrieval pattern from the graph G (S15).例文帳に追加
クエリ発行部14は、グラフG内のサブグラフを検索するためのN個のパターンにおける第1ノードに対し、互いに異なるM個のキーワードを含ませて、N×M個の検索パターンを生成し(S11)、グラフGから各検索パターンに合致するサブグラフを検索する(S15)。 - 特許庁
A plurality of recessed and projected parts are alternately formed at a fixed cycle in an area different from an area where user information is recorded, and a clock generation pattern is formed to generate ±m-th order diffraction lights (m=0, 1, 2, etc.), when a vertically incident light is reflected.例文帳に追加
ユーザ情報が記録される領域とは異なる領域に、複数個の凹部及び凸部が一定周期で交互に形成され、かつ垂直入射した光を反射した場合に±m次回折光(m=0,1,2,…)を生成するクロック生成パターンが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
The exposure device SYS is provided with an exposure processing main body part EX which illuminates a mask M with exposing light EL to expose the pattern of the mask M to a photosensitive board P, and carrying systems MR and PR for carrying the mask and the photosensitive board P to the exposure processing main body part EX.例文帳に追加
露光装置SYSは、マスクMを露光光ELで照明し、マスクMのパターンを感光基板Pに露光する露光処理本体部EXと、露光処理本体部EXに対してマスク及び感光基板Pを搬送する搬送系MR、PRとを備えている。 - 特許庁
A level-frequency conversion section 107 of a transmission section 10 uses a level-frequency conversion table wherein a combination of optional n (n=1 to m) frequencies among prescribed m frequencies is cross-referenced with each value which can be taken by a level to convert a transmission pattern into a transmission spectrum.例文帳に追加
送信部10において、レベル-周波数変換部107は、レベルがとり得る値毎に、所定のm個の周波数のうちの任意のn個(n=1〜m)の周波数の組合せが対応付けられたレベル-周波数変換テーブルを用いて、送信パターンを送信スペクトルに変換する。 - 特許庁
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