「mask misalignment」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To simultaneously solve such problems of the variations in transistor characteristics and deterioration in transistor performance due to mask misalignment.例文帳に追加

合わせズレによるトランジスタの特性バラつきとトランジスタ性能の劣化の２点を同時に解決することを可能にする。 - 特許庁

To provide a photomask in which the presence or absence of misalignment of drawn images on a mask pattern can be easily checked visually.例文帳に追加

マスクパターン上に発生した描画ズレの有無を目視によって容易に検査することができるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a gray tone mask for quantitatively inspecting misalignment that can be produced in a manufacturing process of the gray tone mask that uses a light-semitransmissive film in a light-semitransmission portion.例文帳に追加

半透光部に半透光膜を用いたグレートーンマスクの製造段階で生じ得るアライメントずれを定量的に検査できるグレートーンマスクの検査方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a first judging step to calculate the misalignment quantity based on the distance between positioning marks of a substrate and of an exposure mask and to judge whether the calculated misalignment quantity is within the allowance or not.例文帳に追加

基板と露光マスクとの双方の位置合わせ用マーク間の距離に基づき位置ずれ量を算出し、算出された位置ずれ量が許容範囲内であるか否かを判定する第１の判定工程を備える。 - 特許庁

To reduce deformation of a resist film forming a superposition measurement mark when processing is carried out so as to accurately measure misalignment of a resist mask.例文帳に追加

重ね合わせ計測マークを構成するレジスト膜の現像処理時の変形を低減させて、レジストマスクの位置ずれの計測を正しく行う。 - 特許庁

In a photomask having a light shielding zone formed around a mask pattern region where a mask pattern is drawn by scanning by each of a specified drawing width, an inspection pattern for inspecting the misalignment of the drawn images in the mask pattern region is formed outside the light shielding zone.例文帳に追加

マスクパターンを所定の描画幅ずつ走査することによって描画したマスクパターン領域の外周に遮光帯を形成したフォトマスクにおいて、遮光帯の外側に、マスクパターン領域の描画ズレを検査するための検査パターンを形成した。 - 特許庁

To prevent misalignment of an exposure position due to the change of a mask position while preventing decrease in the accuracy of gap control in exposure by a proximity XY-step system.例文帳に追加

プロキシミティＸＹステップ方式の露光において、ギャップ制御の精度低下を防止しながら、マスクの位置の変化による焼付け位置のずれを防止する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus in which exposure of a mask pattern can be performed with high accuracy while preventing misalignment on exposing a substrate to be exposed.例文帳に追加

被露光基板に露光を行う際、アライメントにおけるズレの発生を防止してマスクパターンの露光を高精度に行うことができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

Even if misalignment of a metal mask occurs when forming the light emitting layer by vapor evaporation, mixing of different colors is unlikely to occur because distances in the horizontal direction are secured.例文帳に追加

発光層を蒸着する際のメタルマスクの合わせずれが生じても、水平方向の距離が確保されているので異なる色同士が混ざりにくい。 - 特許庁

Even though a misalignment of a metal mask occurs at the time of vapor-depositing the light-emitting layer, different colors are hard to be mixed with each other because the horizontal distance is secured.例文帳に追加

発光層を蒸着する際のメタルマスクの合わせずれが生じても、水平方向の距離が確保されているので異なる色同士が混ざりにくい。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus in which exposure of a mask pattern can be fast performed with high accuracy while preventing misalignment of exposure caused by expansion/contraction of an object substrate to be exposed or of a mask on exposing the object substrate.例文帳に追加

被露光基板に露光を行う際、被露光基板またはマスクの伸縮に起因する露光のズレの発生を防止してマスクパターンの露光を迅速に且つ高精度に行うことができる露光装置を提供すること。 - 特許庁

To guarantee the data retention property of a programmable memory which stores data depending on the charge accumulated in a floating gate without being affected by mask misalignment, or the like.例文帳に追加

フローティングゲートの蓄積電荷量によりデータを記憶するプログラム可能なメモリのデータ保持特性を、マスク位置合わせずれなどの影響を受けることなく、保証する。 - 特許庁

Since big concavity and convexity on GaAs surface such as trench and polyimide disappear, the distance margin taken misalignment of a mask into consideration is unnecessary, therefore, considerable shrinkage in the chip realizes.例文帳に追加

トレンチやポリイミドなどＧａＡｓ表面の大きな凹凸がなくなるので、マスクの合わせずれを考慮した距離のマージンを必要としないので、大幅なチップシュリンクが実現する。 - 特許庁

To suppress stripe irregularity on a light-receiving face of a solid-state imaging apparatus or on a display screen of an image display device caused by grid misalignment, which in turn is a periodical error or a systematic error appearing on an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク上に現れる周期的誤差あるいは系統的誤差であるグリッドずれに起因する固体撮像装置の受光面や画像表示装置の表示面のスジムラを抑制する。 - 特許庁

To provide a color picture tube capable of keeping visibility of a face panel, and excelling in luminance and uniformity of tube surface color without increasing a landing misalignment amount of an electron beam due to thermal expansion of a shadow mask.例文帳に追加

フェースパネルの視認性を維持し、且つ、シャドウマスクの熱膨張による電子ビームのランディング位置ずれ量を増加させることなく、輝度及び管面色の均一性に優れたカラー受像管を提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray diagnostic apparatus and a method of controlling the X-ray diagnostic apparatus which can take a subtraction image without misalignment between a position to take a mask image and a position to take a contrast image.例文帳に追加

マスク像を撮影する位置とコントラスト像を撮影する位置との間にずれのないサブトラクション像を撮影可能なＸ線診断装置及びＸ線診断装置制御方法を提供すること。 - 特許庁

After primary exposure by using the first mask layer, abnormal exposure in the primary exposure induced by misalignment and registration of a halftone film and a light shielding film can be corrected by secondary exposure by using the second mask layer comprising the binary pattern and the halftone pattern.例文帳に追加

バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第２マスクレイヤを使用することで、第１マスクレイヤを使用して１次露光した後、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される１次露光の異常露光を２次露光で補正することができる。 - 特許庁

To provide a method for measuring misalignment between patterns on both surfaces of a double-face mask with high accuracy, and to provide a method for preparing a double-face mask having a top-surface pattern and a back-surface pattern superposed with high accuracy, using this measurement method.例文帳に追加

両面マスクにおける両面のパターンのずれを高い精度で測定する方法を提供すること、および、その測定方法を使用して表面のパターンと裏面のパターンが高い精度で重ね合わせられた両面マスクを作成する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Further, the pattern of the conductive film for forming the third gate electrode 5a, serving as a mask for forming the isolation part 10 to be self-aligned, is formed without a misalignment with respect to a channel, inclusive of a case of a stack-type memory cell as well.例文帳に追加

また、スタック型のメモリセルの場合も含めて、分離部１０の自己整合形成のマスクとなる第３ゲート電極５ａ形成用の導体膜パターンは、チャネルに対して合わせずれ無しに形成される。 - 特許庁

A pair of the recesses 4, in a stage where the mask 1 and the glass substrate 10 are tightly stuck, prevents the phenomenon that both the end parts of the glass substrate 10 bent by gravity 9 interfere the external frame part 2b, and misalignment is generated.例文帳に追加

一対の凹み４は、マスク１とガラス基板１０とを密着させる工程において、自重によって撓んだガラス基板１０の両端部が外側フレーム部２ｂに干渉して位置ずれが発生するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gray tone mask by which a light shielding film and a translucent film are formed from film materials having approximate etching characteristics without providing an etching stopper film, and misalignment of a pattern in a translucent part is prevented.例文帳に追加

エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるグレートーンマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a halftone film type gray tone mask and its manufacturing method by which a light shielding film and a translucent film can be made from film materials having the same or similar etching characteristics without applying an etching stopper film and misalignment of patterns in a translucent portion can be prevented.例文帳に追加

エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が同じか或いは近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるハーフトーン膜タイプのグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate which can prevent variation of capacity and reduction of aperture ratio caused by misalignment of a mask pattern, when the substrate is used for a planar display device and which can maintain good display characteristics even in a large-size high-definition planar display device.例文帳に追加

平面表示装置用のアレイ基板及びその製造方法において、マスクパターンの位置合わせズレに起因する容量変動や開口率の低下を防止することができ、大型かつ高精細の平面表示装置にあっても良好な表示特性を確保できるものを提供する。 - 特許庁

Then, a reticle stage where the exposure mask is mounted, or a wafer stage where the reference wafer for alignment is mounted is finely adjusted so that patterns 12 and 12' for correction of misalignment in θ are superimposed on the positioning line 13 perpendicular to the orientation flat direction of the referential wafer.例文帳に追加

パターンが転写される半導体基板と同一の寸法を有する位置合わせ基準ウェハにおいて、位置合わせ基準ウェハの中心を通りオリエンテーションフラットに垂直な直線状の位置合わせマークと、位置合わせ基準ウェハの中心を示す位置合わせマークとを有する位置合わせ基準ウェハ。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole and a spacer capable of preventing a contact failure due to a mask misalignment, preventing void occurrences in an interlayer insulation film of an adjacent conducive patterns and reducing a parasitic capacitance between semiconductor devices.例文帳に追加

マスク誤整列によるコンタクト不良を防止し、隣接する導電膜パターン間の層間絶縁膜内にボイドが発生することを防止でき、導電膜パターン間の寄生キャパシタンスを減少させることのできる、半導体装置のコンタクト孔及びスペーサ形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

In the electron beam lithography device and the method for correcting the displacement amount, the backside shape distribution data of a place abutting on the pin of the pinch chuck are extracted from the backside shape distribution data of the EUV mask required for correcting the positional misalignment of a pattern, and the displacement amount is calculated only from the extracted backside shape distribution data.例文帳に追加

パターンの位置ずれ補正するために必要なＥＵＶマスクの裏面形状分布データのうち、前記ピンチャックのピンに接触する箇所の裏面形状分布データを抽出し、この抽出された裏面形状分布データのみから、前記位置ずれ量を算出する電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供する。 - 特許庁