「memory cell array」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a self-alignment method for forming a floating gate memory cell array with high programming and erasure efficiency in which the size of memory cell can be reduced, and an array formed by that method.例文帳に追加

メモリセルの小型化可能でプログラミング及び消去効率の高い浮遊ゲート・メモリセル配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造される配列が提供される。 - 特許庁

The width of the element separation area on the end of the memory cell array is larger than the inside (T1>T2), and an interval between the floating gate electrodes on the end of the memory cell array is larger than the inside (S1>S2).例文帳に追加

メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が内部よりも大きく（Ｔ_１＞Ｔ_２）、かつ、メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が内部より大きくなっている（Ｓ_１＞Ｓ_２）。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor device for executing an operation test of a memory cell array by using test data which has been stored in a ROM-FUSE area in the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイ内のＲＯＭ−ＦＵＳＥ領域にテストデータを記憶しておき、このテストデータを用いてメモリセルアレイの動作テストを実行する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The switch is configured to switch a connection between connecting the memory cell array to the active power supply line and connecting the memory cell array to the data-retention power supply line.例文帳に追加

スイッチは、メモリセルアレイをアクティブ電力供給線に接続することと、メモリセルアレイをデータ保持電力供給線に接続することとの間で、接続を切り換えるように構成される。 - 特許庁

A data input and output circuit includes a plurality of first selection circuits and second and third selection circuits to input data to a memory cell array or output data read from the memory cell array.例文帳に追加

データ入出力回路は、複数の第１選択回路、および第２、第３選択回路を有し、メモリセルアレイにデータを入力し、またはメモリセルアレイから読み出したデータを出力する。 - 特許庁

The power supply control circuit supplies the first power supply voltage to the regular cell array and the second power supply voltage to the redundant cell array when the redundant cell array is not used during the normal operation for allowing access to the memory cell.例文帳に追加

電源制御回路は、メモリセルのアクセスを許可する通常動作モード中に、冗長セルアレイが使用されないときに、レギュラーセルアレイに第１電源電圧を供給し、冗長セルアレイに第２電源電圧を供給する。 - 特許庁

The resistance change memory device has: a cell array in which memory cells which store resistance values set reversibly as data are arranged; a sense amplifier which reads data of a selected memory cell of the cell array; and a voltage generation circuit which generates a voltage pulse for converging a resistance status of the selected memory cell according to data after reading data of the selected memory cell.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、可逆的に設定される抵抗値をデータとして記憶するメモリセルが配列されたセルアレイと、前記セルアレイの選択メモリセルのデータを読み出すセンスアンプと、前記選択メモリセルのデータ読み出し後、前記選択メモリセルの抵抗状態を収束させるための電圧パルスをデータに応じて発生する電圧発生回路とを有する。 - 特許庁

The testing cells opening drains for all bit lines of the memory cell array are provided on the testing cell array as an open cell, and the open cell is arranged on at least a place at every bit line.例文帳に追加

テスト用セルアレイにはメモリセルアレイのビット線の全てに対してドレインをオープンにするテスト用セルがオープンセルとして備えられており、オープンセルはビット線毎に少なくとも一か所配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory cell array, an output buffer that receives data from the memory cell array and outputs the data received from the memory cell array in response to a latency signal, and a latency circuit that generates the latency signal in response to CAS latency and a read-out signal.例文帳に追加

メモリセルアレイ、メモリセルアレイからデータを受信し、レイテンシ信号に応答してメモリセルアレイから受信されたデータを出力する出力バッファ及びＣＡＳレイテンシと読出し信号に応答してレイテンシ信号を発生させるレイテンシ回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

A semiconductor memory in the present invention comprises: a memory cell array 100 including multiple memory cells which are arranged in a form of matrix and are capable of accumulating an electric charge; row selection means for selecting a memory cell in a row direction of the memory cell array; and write control means for writing data by applying a write pulse to the memory cell selected by the row selection means.例文帳に追加

本発明の半導体メモリは、行列状に配列され、電荷を蓄積可能な複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイ１００と、メモリセルアレイの行方向のメモリセルを選択する行選択手段と、行選択手段によって選択されたメモリセルに書込みパルスを印加することによってデータの書込みを行う書込み制御手段とを有する。 - 特許庁

A method for designing a semiconductor memory device includes a first step of designing a first semiconductor memory device including a first number of cell array blocks, and a second step of designing a second semiconductor memory device including a second number of cell array blocks smaller than the first number by reducing a predetermined number of cell array block of the first number of the cell array block.例文帳に追加

半導体記憶装置の設計方法は、第１の数のセルアレイブロックを含む第１の半導体記憶装置を設計する第１の段階と、第１の数のセルアレイブロックのうちの所定数のセルアレイブロックを削除することで第１の数より少ない第２の数のセルアレイブロックを含む第２の半導体記憶装置を設計する第２の段階を含む。 - 特許庁

A memory cell array includes a plurality of sense amplifiers, and is sectioned in a plurality of memory regions being input/output unit of data.例文帳に追加

メモリセルアレイは、複数のセンスアンプを含み、データの入出力単位である複数のメモリ領域に区画されている。 - 特許庁

To shorten the time to detect fail bits by identifying the fail bit areas at high speed in the memory cell array of a NAND flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイ中のフェイルビット箇所を高速に同定し、フェイルビット検知時間を短縮する。 - 特許庁

To increase-speed of access to a memory cell array in a NAND type flash memory with a floating gate structure.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲート構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイへのアクセスを高速化できるようにする。 - 特許庁

This memory includes a memory cell array 10, an ECC circuit 20, and an invalidation determination circuit 40.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、メモリセルアレイ１０と、ＥＣＣ回路２０と、無効判定回路４０とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory array of an electrically programable and eraserble and accurately aligned floating gate memory cell on a semiconductor substrate by using a self aligned method.例文帳に追加

半導体基板にフローティングゲートのメモリーセルの半導体メモリーアレーを自己整列方法により形成する。 - 特許庁

The nonvolatile memory 1 includes a memory cell array 2, a first sense amplifier 3, a second sense amplifier 4, and a write-in part 5.例文帳に追加

不揮発性メモリ１は、メモリセルアレイ２と、第１のセンスアンプ３と、第２のセンスアンプ４と、書き込み部５とを有している。 - 特許庁

A memory cell array 10 includes memory cells MC arranged at an intersection of a word line WL and a bit line pair BL, /BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０は、ワード線ＷＬとビット線対ＢＬ、／ＢＬの交差部に設けられたメモリセルＭＣを配列してなる。 - 特許庁

The system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加

本発明に従うフラッシュメモリ（セルアレイ）と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein the worst data pattern of a memory cell array can be written even in a contracted/parallel test.例文帳に追加

縮約・パラレルテストにおいてもメモリセルアレイのワーストデータパターンを書き込むことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory which automatically distributes the cycling capability to a block of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのブロックに対する書き換え回数を自動的に分散させることが可能な不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

This system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加

本発明に従うフラッシュメモリ（セルアレイ）と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁

Each bit of 8-bit data is stored in eight memory cells ML of each unit UN of a memory cell array 110 in advance.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１０の各ユニットＵＮの８個のメモリセルＭＬに、予め、それぞれ８ビットのデータの各ビットを記憶する。 - 特許庁

A first gate set is coupled with a memory cell array which stores a plurality of memory words each of which is in the given address.例文帳に追加

第１ゲート・セットは、それぞれが所与のアドレスにある複数のメモリ・ワードを格納するメモリ・セル・アレイに結合される。 - 特許庁

A three-dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array comprised of first and second blocks BK<i>, BK<i+1>.例文帳に追加

三次元積層不揮発性半導体メモリは、第一及び第二ブロックＢＫ＜ｉ＞，ＢＫ＜ｉ＋１＞から構成されるメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

The bit line BL and bit line/BL are connected to a sense amplifier 4 at the periphery of a memory cell array of the ferroelectric substance memory.例文帳に追加

強誘電体メモリのセルアレイ周辺では、ビット線ＢＬ及びビット線／ＢＬがセンスアンプ４に接続される。 - 特許庁

A first bit FB of multi-bit data is programmed in one of the plurality of memory cells in the memory cell array from the storage unit.例文帳に追加

マルチ-ビットデータの第１ビットＦＢは、記憶ユニットからメモリーセルアレイ内の複数のメモリーセルの中に１つにプログラムされる。 - 特許庁

The programmable memory cell is formed useful in a memory array having column bit lines and row word lines.例文帳に追加

カラムビット線およびロウワード線を有するメモリアレイ中で用いられるように形成されたプログラム可能メモリセルが開示される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of accessing data in a memory cell array at a high speed in synchronization with an external system clock.例文帳に追加

外部システムクロックに同期して、メモリセルアレイ内のデータを高速にアクセスすることができる半導体メモリを提供する。 - 特許庁

A memory cell array consists of a plurality of memory cells 20 arranged in the shape of a two-dimensional matrix in a row direction and a column direction.例文帳に追加

メモリセルアレイは、行方向および列方向に２次元マトリクス状に配列された複数のメモリセル２０からなる。 - 特許庁

A memory cell array is arranged so that a plurality of memory cells storing one out of a plurality of threshold levels are arranged in a matrix state.例文帳に追加

メモリセルアレイは、複数の閾値レベルのうちの１つを記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

Each of memory cells in a memory cell array 100 can hold data of (n) bits corresponding to a threshold value level of 2^n pieces.例文帳に追加

メモリセルアレイ１００中のメモリセルの各々は、２^n個のしきい値レベルに対応してｎビットのデータを保持できる。 - 特許庁

A dual port DRAM cell of a memory cell array circuit 110 has two ports and a bit line is connected to each of the ports.例文帳に追加

メモリセルアレイ回路１１０のデュアルポートＤＲＡＭセルは２つのポートを有し、各ポートにビット線が接続されている。 - 特許庁

The on-chip bypass capacitor may also be a part of the chip which further includes a memory cell array containing at least one cell capacitor.例文帳に追加

オンチップバイパスキャパシタは少なくとも一つのセルキャパシタを含むメモリセルアレイをさらに含むチップの一部でもありうる。 - 特許庁

The method is characterized by providing a buffer memory 4 related to the cell matrix array 2, and housing memory words to the prescribed number (n) in the buffer memory 4 after the last read-out of the cell matrix array 2.例文帳に追加

この方法の特徴は、セル・マトリックス・アレイ２に関連するバッファ・メモリ４を提供し、さらに所定の数（ｎ）のメモリ・ワードを、セル・マトリックス・アレイ２の最後になされた読出しの後に、バッファ・メモリ４に格納するものである。 - 特許庁

Consequently, memory capacity available for the user is made higher in the memory cell array of same integration density by reducing a rate occupied by a recording area for parity bit in the memory cell array compared with a conventional device.例文帳に追加

結果、従来装置に比べてメモリセルにおけるパリティビット用の記録領域の占める割合を低下させることで、集積密度が同一のメモリセルアレイにおいて、ユーザが利用可能な記憶容量を高くしている。 - 特許庁

In the method for reading data from a memory cell 120 selected from a memory cell array 100, the selected memory cell 120 is arranged between first and second write lines 130 and 132.例文帳に追加

メモリセルのアレイ(100)において選択されたメモリセル(120)からデータを読み取るための方法であり、この場合、選択されたメモリセル(120)は、第１の書き込み線(130)と第２の書き込み線(132)との間に配置される。 - 特許庁

Each substitution judgment part writes a faulty address into an associative memory cell array CAM-ARY when a faulty memory cell where the column and row addresses of the faulty memory cell that has already been stored differ is found.例文帳に追加

各置換判定部は、連想メモリセルアレイＣＡＭ＿ＡＲＹに、すでに記憶している不良メモリセルの行および列アドレスが異なるアドレスの不良メモリセルが発見された時にのみ、不良アドレスを書きこむ。 - 特許庁

A memory cell array information generation part 3 acquires connection information defining connection relationships between the physical terminals of the memory cells, and according to the connection information, assigns node names to the physical terminals of the memory cells to generate memory cell array information representing the node names of all the memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ情報生成部３は、メモリセルの物理端子の接続関係を定めた接続情報を取得して、接続情報に基づいて、メモリセルの物理端子にノード名を割当てて、すべてのメモリセルのノード名を表わしたメモリセルアレイ情報を生成する。 - 特許庁

The NAND flash memory includes a memory cell array, a data register for storing data read out from the memory cell array, an address register for designating the data to be transferred from the memory cell array to the data register, and a control circuit having a descending-order read command to allow the address register operate in the descending order.例文帳に追加

メモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたデータを保持するデータレジスタと、前記メモリセルアレイから前記データレジスタヘ転送されるデータを指定するアドレスレジスタと、前記アドレスレジスタを降順に動作させる降順読出しコマンドを持つ制御回路とを具備することを特徴とするＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

The refresh control part is provided with a target memory cell group setting part for setting a portion of the target memory cell group in the memory cell array, a refresh address generating part for sequentially generating a plurality of refresh addresses that can designate all memory cells in the memory cell array, and a refresh address determining part for determining whether an attention refresh address designates the target memory cell group.例文帳に追加

リフレッシュ制御部は、メモリセルアレイ内の一部の対象メモリセル群を設定するための対象メモリセル群設定部と、メモリセルアレイ内のすべてのメモリセルを指定可能な複数のリフレッシュアドレスを順次発生させるリフレッシュアドレス発生部と、注目リフレッシュアドレスが対象メモリセル群を指定しているか否かを判定するためのリフレッシュアドレス判定部と、を備える。 - 特許庁

A memory cell array 17a includes memory cells (first memory cells) MC, which store data, and retreat memory cells (second memory cells) RMC for data at the time of refreshing, the retreat memory cells being for temporally storing data at the time refreshing.例文帳に追加

メモリセルアレイ１７ａは、データを記憶しているメモリセル（第１メモリセル）ＭＣとリフレッシュ時に一旦データを保持するためのリフレッシュ時データ用退避メモリセル（第２メモリセル）ＲＭＣとが含まれる。 - 特許庁

The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加

前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁

For example, an ECC code storage area 11b is divided into memory regions 11b-1, 11b-3 and a memory region 11b-2 in a memory cell array 11.例文帳に追加

たとえば、メモリセルアレイ１１において、ＥＣＣコード格納エリア１１ｂを、メモリ領域１１ｂ-1，１１ｂ-3とメモリ領域１１ｂ-2とに分ける。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a plurality of memory cells MC, and n cells (n: a natural number of 3 or more) in the plurality of memory cells are written simultaneously.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルＭＣを有し、複数のメモリセルのうち、ｎ個（ｎは３以上の自然数）のセルが同時に書き込まれる。 - 特許庁