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memory connectedの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3602件
Then the side electrodes 112 are made common among the series-connected memory cell transistors.例文帳に追加
そして、側面電極112は、直列に接続される前記メモリセルトランジスタ間で共通化されていることを特徴とする。 - 特許庁
On the other hand, the gate electrodes of the even numbered memory cells 33m3, 33m4, 33m7, and 33m8 are electrically connected with the second word line 31w22.例文帳に追加
一方、偶数番目のメモリセル33m3,33m4、33m7,33m8のゲート電極を、第2のワード線31w22に電気的に接続する。 - 特許庁
The digital signal processor 1, an external control device 2, and an external memory 3 are connected with each other via external buses 4.例文帳に追加
デジタル信号処理装置1と外部制御装置2及び外部メモリ3とは外部バス4を介して接続されている。 - 特許庁
An electrode SD is disposed on a seating electrode SDD connected to the other of the source and the drain of the memory transistor.例文帳に追加
メモリトランジスタのソース及びドレインの他方に接続される台座電極SDD上には、電極SDが設けられる。 - 特許庁
To make the automatic operation of an audio device convenient for a user when a USB memory is connected to the audio device.例文帳に追加
USBメモリをオーディオ装置に接続した時に、そのオーディオ装置の自動的な動作がユーザにとって便利なようにする。 - 特許庁
The two memory cell arrays 11 connected to the different local sense amplifiers 12 are adjacently arranged without holding the contact region 17 between them.例文帳に追加
異なるローカルセンスアンプ12に接続された2つのメモリセルアレイ11は、コンタクト領域17を挟まずに隣接している。 - 特許庁
After transfer processing, the device controller 103 performs unmount processing to the portable terminal 200 connected as the external memory.例文帳に追加
転送処理後、デバイスコントローラ103は、外部メモリとして接続された携帯端末200に対してアンマウント処理を行う。 - 特許庁
A semiconductor circuit memory device includes a read circuit having a dynamic configuration in which a bit line is connected to one P-type transistor.例文帳に追加
半導体回路記憶装置は、一つのP型トランジスタにビットラインを接続するダイナミックな構成のリード回路を有する。 - 特許庁
Data transmission between an encoder connected via an external bus in a video codec and an external frame memory is reduced.例文帳に追加
ビデオコーデックにおける外部バスを介して接続されているエンコーダと外部のフレームメモリとの間のデータ転送を削減する。 - 特許庁
The pixel selecting switching element 103 is connected to a memory capacitance 104 and a liquid crystal-write switching element 105.例文帳に追加
画素選択スイッチ素子103は、メモリ容量104および液晶書き込みスイッチ素子105に接続されている。 - 特許庁
A random reproduction control section 9 is connected to the memory controller 8a of a recording control section 8 and to a reproduction control section 5.例文帳に追加
記録制御部8のメモリコントローラ8a及び再生制御部5にはランダム再生制御部9が接続されている。 - 特許庁
To safely transfer data in a programmable circuit (CP) provided with at least one control unit (UC), a read-only memory(ROM1) provided with transfer data, a writable memory(RAM1) and a data bus(DBUS) connected between the read-only memory(ROM1) and the writable memory (RAM1).例文帳に追加
少なくとも1つの制御ユニット(UC)、転送データを有する読取専用メモリ(ROM1)、書込み可能なメモリ(RAM1)、および読取専用メモリ(ROM1)と書込み可能なメモリ(RAM1)間に接続されるデータバス(DBUS)を備えるプログラム可能な回路(CP)において安全にデータを転送する。 - 特許庁
A status read command is transmitted to a PLC from the external memory 1 when the external memory 1 is connected to the PLC, and a prescribed signal is returned to the external memory 1 from the PLC when the status read command transmitted from the external memory 1 corresponds to specifications of the PLC.例文帳に追加
PLCに外部メモリ1が接続されると外部メモリ1からPLCにステータスリードコマンドが送信され、外部メモリ1から送信されたステータスリードコマンドがPLCの仕様に対応したものである場合には、PLCから外部メモリ1に所定の信号が返信される。 - 特許庁
Each memory module is provided with plural memory devices, a signal input/output part, a buffer, and a control and address bus and the memory devices are successively connected via the buffer to the output line of the buffer, so that signals through the control and address bus are inputted to each memory device with a time difference.例文帳に追加
各メモリモジュールは、複数のメモリ装置、信号入出力部、バッファ、制御及びアドレスバスを具備し、制御及びアドレスバスを通した信号がバッファを経て各メモリ装置に時間差をおいて入力されるようにメモリ装置がバッファの出力ラインに順次に連結される。 - 特許庁
When recording data store in the memory part 60 or downloaded data on the memory card 62, a control part 100 does not record the data unless the peculiar card number recorded in the memory part 60 is matched with the peculiar card number of the memory card 62 connected to the interface 61.例文帳に追加
制御部100は、メモリ部60に記憶されるデータやダウンロードしたデータをメモリカード62に記録する場合には、メモリ部60に記録されるカード固有番号と、インターフェイス61に接続されるメモリカード62のカード固有番号が一致しない限り、データの記録を行わないようにしたものである。 - 特許庁
The data processor transfers and holds data input from an input terminal sequentially via each of the data memory cells using a data memory portion to which the plurality of the data memory cells are connected in series, and simultaneously outputs data held in the data memory cells via a plurality of data lines.例文帳に追加
複数のデータ記憶セルが直列接続されてなるデータ記憶部を用いて、入力端子から順次入力されたデータを各データ記憶セルを介して転送しながら保持し、複数のデータ記憶セルに保持されているデータを複数のデータ線を介して同時に出力する。 - 特許庁
A ferroelectric memory having a first memory cell with a ferroelectric capacitor for storing a single logic level, a second memory cell with a pair of ferroelectric capacitors for storing complementary logic levels, and a twin sense amplifier connected to the first and second memory cells is produced.例文帳に追加
単一の論理レベルを記憶する強誘電体キャパシタを有する第1メモリセルと、相補の論理レベルを記憶する強誘電体キャパシタ対を有する第2メモリセルと、第1および第2メモリセルに接続されたツインセンスアンプとを有する強誘電体メモリが製造される。 - 特許庁
In the case where a USB memory which is a portable type memory medium is connected to a USB interface, an icon 302 indicating the USB memory, and an operational menu 304 including the function dependent upon image processing using the image data stored heretofore in the USB memory are displayed on an operational screen 301.例文帳に追加
可搬型記憶媒体であるUSBメモリがUSBインタフェースに接続されている場合、操作画面301には、USBメモリを表すアイコン302と、USBメモリに記憶されている画像データを用いた画像処理に依存した機能を含む操作メニュー304が表示される。 - 特許庁
This device is provided with a selecting means consisting of a selector 3 selecting a bit line 4a... of a memory block and reading out it by a sense amplifier, and a capture transistor 6 integrated integrally with a memory block is connected to the bit line 4a... of the memory block, thus the characteristics in the semiconductor memory are adjusted.例文帳に追加
メモリブロックのビット線4a…を選択しセンスアンプにより読み出すためのセレクタ3からなる選択手段を備え、メモリブロックのビット線4a…にメモリブロックと一体に集積化した補足トランジスタ6を接続し、半導体メモリ装置における特性を調整する。 - 特許庁
The flash memory device includes a plurality of memory cell blocks including memory cells 310 connected to a plurality of word lines, and an operating voltage generating section 330 for applying an erase operation voltage to a memory cell block selected for an erase operation, and changing the level of the erase operation voltage according to the result of the erase operation.例文帳に追加
複数のワードラインに接続されたメモリセル310含む複数のメモリセルブロックを有し、消去動作時に選択されたメモリセルブロックに消去動作電圧を印加し、その消去動作の結果に応じて消去動作電圧のレベルを変更する動作電圧生成部330を有する。 - 特許庁
To easily restart a work even if an external memory device is removed during the execution of data writing/reading between the external memory device and a sewing machine body in a sewing machine connected to the external memory device and operated on the basis of a data stored in the external memory device.例文帳に追加
外部記憶装置に接続され、外部記憶装置内に格納されたデータをもとに動作するミシンにおいて、外部記憶装置とミシン本体との間でデータの書き込み/読み出しが実行中に外部記憶装置が取り外されても、容易に作業を再開できるようにする。 - 特許庁
Additionally, the number of memory devices connected to two-system memory buses is identified, and the memory with a small number of devices is allocated as a memory for the execution of a system program, which is to be used under a normal operation state while the printer is on standby, so that lower power consumption can be realized.例文帳に追加
さらに二系統のメモリバスに接続されたメモリデバイス数を識別し、デバイス数の少ないメモリを印刷装置の待機中、通常動作状態のまま使用するシステムプログラム実行用メモリとして割り当てることにより、一層の低消費電力化を実現可能とする。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus with a function of writing scanned image data to a flash memory of USB connection for relieving a complicated job to transfer data from the flash memory for the purpose of increasing a free capacity when the free capacity of the connected flash memory is deficient in the case that the apparatus is going to write the data to the flash memory.例文帳に追加
スキャンした画像データをUSB接続のフラッシュメモリに書き出す機能を有する画像処理装置において、書き出そうとする時に接続したフラッシュメモリの空き容量が不足しているときに、フラッシュメモリからデータを移動して空容量を増やすための煩雑な作業の軽減。 - 特許庁
The other two or more processors or the second intermediate device connected thereto accesses a local memory area that is a local memory area corresponding to the local memory address included in the second access message, of two or more local memory respectively corresponding to the other two or more processors.例文帳に追加
二以上の他のプロセッサ又はそれらに接続された第二の中間デバイスが、第二のアクセスメッセージに含まれているローカルメモリアドレスに対応したローカルメモリ領域であって、二以上の他のプロセッサにそれぞれ対応した二以上のローカルメモリのローカルメモリ領域に、アクセスする。 - 特許庁
The system comprises: a sentence extracting device 1 formed by a computer; text data DB2 formed by a memory unit such as a HDD and a memory connected with the sentence extracting device 1; and a sentence text data DB3 formed by a memory unit such as a HDD and a memory.例文帳に追加
コンピュータにより構成可能な本文抽出装置1と、この本文抽出装置1に接続されてHDDやメモリなどの記憶装置から構成可能なテキストデータDB2と、およびHDDやメモリなどの記憶装置から構成可能な本文テキストデータDB3を備える。 - 特許庁
Consequently, a CPU 104 does not have to download file data from the flash memory 8 to the main memory 1a or 1b, and the nonvolatile memory of large capacity can be connected without lowering the processing speed of the system.例文帳に追加
したがって、CPU104がフラッシュメモリ8から主メモリ1aまたは1bにファイルデータをダウンロードする必要がなくなり、システムの処理速度を低下させずに、大容量の不揮発性メモリを接続することが可能となった。 - 特許庁
The semiconductor circuit is provided with a CPU 103, selectors 104 and 105 connected between a first memory 101 and a second memory 102, and an output signal circuit 106, thereby making the memory space arbitrarily variable when the application is changed.例文帳に追加
第1のCPU103と、第1のメモリ101、第2のメモリ102の間にセレクタ104、セレクタ105と、出力信号制御回路106とを設け、アプリケーションが変わった場合に、任意にメモリ空間を可変できるようにした。 - 特許庁
The built-in system includes: a first nonvolatile memory (a flash ROM 112) storing the firmware; a second nonvolatile memory (an EEPROM 12) storing a logical expression; a volatile memory (a RAM 113); and a processor 111 connected to them.例文帳に追加
ファームウェアを記憶する第1の不揮発性メモリ(フラッシュROM112)と、論理式を記憶する第2の不揮発性メモリ(EEPROM12)と、揮発性メモリ(RAM113)と、これらに接続されたプロセッサ111とを備える。 - 特許庁
Thus, a plurality of crosspoint type two-dimensional memory cell arrays are formed on a face vertical to the substrate, and the second electrodes of the plurality of two-dimensional memory cell arrays are electrically connected to each other, thereby forming a three-dimensional memory cell arrays.例文帳に追加
これにより基板に垂直な面上においてクロスポイント型の2次元メモリセルアレイが複数形成され、複数の2次元メモリセルアレイの第2電極同士が電気的に接続することで3次元的なメモリセルアレイが形成されている。 - 特許庁
The ferroelectric memory device includes the memory cells, plate lines connected to ends of the memory cells, and a plate line control circuit for supplying a first or second voltage to the plate lines or bringing the plate lines into high impedance.例文帳に追加
メモリセルと、メモリセルの一端に接続されたプレート線と、プレート線に第1の電圧または第2の電圧を供給するか、プレート線をハイインピーダンスにするプレート線制御回路とを備えたことを特徴とする強誘電体メモリ装置。 - 特許庁
Further, a memory of the other board which is connected to the board from the MCU of the board on the main device side and which is removed from the main device is controlled to write correction value data stored in the memory of the other board in the memory of the board on the main device side.例文帳に追加
主装置側の基板のMCUから当該基板に接続され、主装置から取り外された他の基板のメモリを制御して、他の基板のメモリに記憶される補正値データを、主装置側の基板のメモリに書き込む。 - 特許庁
The independent control circuit 14 accesses a USB memory 2 when the USB memory 2 is connected to a USB port 12, and updates firmware of the normal control circuit 13 with firmware data from the USB memory 2 for updating the firmware.例文帳に追加
USBポート12にUSBメモリ2が接続されると、独立制御回路14は、USBメモリ2にアクセスし、ファームウェアアップデート用のUSBメモリ2からのファームウェアデータにより、通常制御回路13のファームウェアをアップデートする。 - 特許庁
When reading is performed in a memory block C in the state 2, specified data stored in the second non-volatile memory area 202 is connected to a calculated result held in the volatile memory 204 and is supplied to the electronic apparatus 100.例文帳に追加
状態2で、メモリブロックCの読み出しがあったときに、揮発性メモリ204に保管している演算結果に、第2不揮発性メモリ領域202に記憶されている特定のデータを結合して電子機器100に供給する。 - 特許庁
A ferroelectric memory device is provided with a substrate, plural ferroelectric memory cells arranged like an array including plural columns on the substrate, and a bit line extended to the column direction to which the ferroelectric memory cells in the same column are connected.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置は、基板と、基板上で複数カラムを含むアレイ状に配置される複数の強誘電体メモリセルと、カラム方向に延び、同一カラム内にある強誘電体メモリセルが接続されるビット線とを備える。 - 特許庁
First of all, a PDA 1 and a memory card 51 are connected and mutually authenticated, and data encrypted by a temporary key shared by authentication are transferred from the PDA 1 to the memory card 51, decrypted by the shared temporary key and stored on the memory card 51.例文帳に追加
まず、PDA1とメモリカード52が接続されて相互認証され、認証により共有された一時鍵で暗号化されたデータがPDA1からメモリカード51に転送され、共有の一時鍵で復号されメモリカード51に記憶される。 - 特許庁
The format function part 104 has the function of format processing of the flash memory part 101 in consideration of memory characteristics if the format switch 105 is on when the memory card 100 is connected to a host 106.例文帳に追加
そして、フォーマット機能部104には、メモリカード100をホスト106に接続した際に、フォーマットスイッチ105の状態がオンであれば、フラッシュメモリ部101に対して、そのメモリ特性を考慮したフォーマット処理を行う機能を備える。 - 特許庁
The semiconductor memory 100 includes a plurality of memory cells 11 arranged in a matrix form, and each of a plurality of the memory cells 11 is connected to a first word line 21, a second word line 22, a first bit line 23 and a second bit line 24.例文帳に追加
半導体記憶装置100は、マトリックス状に配置された複数のメモリセル11を有し、この複数のメモリセル11の各々は、第1ワード線21、第2ワード線22、第1ビット線23、及び第2ビット線24に接続される。 - 特許庁
A memory card detection part 52 detects if a memory card 14 is connected to each one of a plurality of slots 20, a control signal generation part 62 outputs the memory card control signal to a buffer 68A arranged corresponding to each slots 20.例文帳に追加
メモリカード検出部52が、複数のスロット20の各々にメモリカード14が接続されたか否かを検出し、制御信号生成部62が、各スロット20に対応して設けられたバッファ68Aにメモリカード制御信号を出力する。 - 特許庁
To improve transfer function of a device bus to which a device is connected by reducing confliction between refresh-requirement of a memory and memory access-requirement from the other device in an information processing device and the like using a memory requiring refreshing.例文帳に追加
リフレッシュが必要なメモリを用いた情報処理装置等における、メモリのリフレッシュ要求と他のデバイスからのメモリアクセス要求の競合を少なくし、デバイスが接続されているデバイスバスの転送性能を向上させる。 - 特許庁
A memory cell which makes contents address possible comprises a first memory transistor Q1 and a first select-transistor S1 cascade-connected between a word line WL and a match line ML, and a second memory transistor Q2 and a second select-transistor S2.例文帳に追加
内容アドレス可能メモリセル内に、ワード線WLとマッチ線MLとの間に縦続接続された第1メモリトランジスタQ1および第1セレクトトランジスタS1と、第2メモリトランジスタQ2および第2セレクトトランジスタS2とを含む。 - 特許庁
The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加
半導体記憶装置は、ダイオードDiと可変抵抗素子VRとを直列接続してなるメモリセルMCが複数のビット線BL及び複数のワード線WLの交差部に配置されたメモリセルアレイMAを備える。 - 特許庁
To provide a memory system for changing bus width of a bus connected to a memory cell in a nonvolatile semiconductor memory device dynamically in accordance with an operation mode from a controller, to improve data processing performance while reducing current consumption.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置内のメモリセルに接続されるバスのバス幅を、コントローラから動作モードに応じて動的に切り替えることを可能にして、データ処理性能を向上し消費電流を低減するメモリシステム。 - 特許庁
This semiconductor memory device includes a CPU core circuit, a bus connected to the CPU core circuit, and a memory BIST circuit for performing a memory test according to a command supplied through the bus from the CPU core circuit.例文帳に追加
半導体記憶装置は、CPUコア回路と、CPUコア回路に接続されるバスと、CPUコア回路からバスを介して供給される命令に応じてメモリ試験を実行するメモリBIST回路を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide an information storage system in which information is preserved in a specific memory card and unitarily managed in the memory card whichever of a plurality of terminals such as a mobile phone terminal and a personal computer the memory card is connected to.例文帳に追加
メモリカードが携帯電話端末やパソコンなど複数ある端末のうちどの端末に接続されていても、特定のメモリカードへ情報が保存され、情報をメモリカード内に一元的に管理できる情報格納方式を提供する。 - 特許庁
A constant current circuit 1 and a non-volatile memory cell 2 are connected in series, and writing is performed in the non-volatile memory cell in a write state in a read or retention mode using the connecting point of the constant current circuit 1 and the non-volatile memory cell 2 as an output.例文帳に追加
定電流回路1と不揮発性メモリセル2を直列接続し、前記両者の接続点を出力とし、読出、もしくは保持モードにおいて、WRITE状態の不揮発性メモリセルには書き込みがおきる。 - 特許庁
Thus, by changing a connection state of the other end of the capacitor in accordance with an operation state of the semiconductor memory device, influence on operation speed of the semiconductor memory device by the capacitor connected to the memory node can be suppressed.例文帳に追加
このように、半導体記憶装置の動作状態に応じて、容量の他端の接続状態を変更することで、記憶ノードに接続される容量が半導体記憶装置の動作速度に与える影響を抑えることができる。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array layer 400 having electrically rewritable memory cells MC connected in series; a control circuit layer 200 disposed below the memory cell array layer 400 and controlling a voltage applied to the memory cells MC; and an interconnection portion 500 electrically connecting the control circuit layer 200 and the memory cell array layer 400.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、電気的に書き換え可能であり且つ直列に接続されたメモリセルMCを有するメモリセルアレイ層400と、メモリセルアレイ層400の下層に位置し且つメモリセルMCに印加する電圧を制御する制御回路層200と、制御回路層200とメモリセルアレイ層400とを電気的に接続する接続配線部500とを備える。 - 特許庁
In the information apparatus 10 capable of writing the program from a memory card 30 as an external memory to a program memory part 161 as an internal memory, only when it is judged that a prescribed tool 40 is connected to an external connector part 172, a CPU 11 permits the write of the program from the memory card 30 to the program memory part 161.例文帳に追加
本発明は、外部メモリであるメモリカード30から内部メモリであるプログラムメモリ部161に対してプログラムの書き込みを行うことが可能な情報機器10において、外部コネクタ部172に所定の治具40が接続されていると判断した場合に限り、CPU11がメモリカード30からプログラムメモリ部161に対するプログラムの書き込みを許可する構成としている。 - 特許庁
A device for storing data has an automatic data confirming circuit which is connected to a page buffer and a bit line, also the circuit is provided with a confirmation logic comprising a sense latch connected to a floating gate cell in a bit latch and a memory array, and reads memory data from the cell.例文帳に追加
データ記憶用装置は、自動データ確認回路を有し、この回路はページバッファとビットラインに接続されていて、また、ビットラッチとメモリアレイ内のフローテングゲートセルとに接続されたセンスラッチを含む確認論理があって、該セルからメモリデータを読取る。 - 特許庁
The image forming apparatus accepts the selection of job to the data in the USB memory connected to the apparatus, and as for the last job in the selected jobs, executes after detecting that the connected USB memory is removed.例文帳に追加
画像形成装置に接続されたUSBメモリ内のデータに対するジョブの選択を受け付け、選択されたジョブのうち最後に残ったジョブについては、当該接続されたUSBメモリが取り外されたことを検知したあとに実行する画像形成装置。 - 特許庁
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