「memory elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Each memory cell includes two memory elements connected to the coincidence line, and a selection line connected there.例文帳に追加

各メモリ・セルは、一致ラインに結合された二つのメモリ素子と、そこに結合された選択ラインとを含む。 - 特許庁

allocates memory for an array of nmemb elements of size bytes each and returns a pointer to the allocated memory. 例文帳に追加

はsizeバイトの要素nmemb個からなる配列にメモリを割り当て、割り当てられたメモリに対するポインタを返す。 - JM

The register 71 includes register elements SR1 to SRn corresponding to the magnetic memory elements MTJ1 to MTJn.例文帳に追加

シフトレジスタ７１は、磁気記憶素子ＭＴＪ１〜ＭＴＪｎに対応するレジスタ素子ＳＲ１〜ＳＲｎを含む。 - 特許庁

To secure a stabilized operation level without requiring specific verification (Verify) time in a memory using elements having hysteresis (Hysteresis) characteristics as the information storage elements of memory for a nonvolatile memory.例文帳に追加

非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス（Hysteresis）特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証（Verify）時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。 - 特許庁

An illustrative array having a thermally supported magnetic memory structure comprises a plurality of magnetic memory elements 100, where each magnetic memory element 100 is near the diode 410.例文帳に追加

熱支援型磁気メモリ構造の例示的なアレイは、複数の磁気メモリ素子(100)を含み、各磁気メモリ素子(100)はダイオード(410)の近くにある。 - 特許庁

To stabilize and compact the circuit operation of a semiconductor memory device, in which memory elements are arranged in the shape of an array such as a memory or the like and a multitude of transistors are arranged regularly around the memory elements.例文帳に追加

本発明の目的は、メモリ等の様にアレイ状に記憶素子が配置され、その周囲にトランジスタが規則的に多数配置された半導体記憶装置の回路動作の安定化およびコンパクト化を図ることである。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device where interference is reduced between the storage elements.例文帳に追加

記憶素子間の干渉が少ない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a bit line 4, the plurality of magnetic memory elements 3 are connected by leaving a prescribed interval and the bit line 4 is disposed by facing the plurality of magnetic memory elements 3.例文帳に追加

ビット線４は、複数の磁気記憶素子３のそれぞれが互いに間隔を置いて接続され、複数の磁気記憶素子３に対向して配置されている。 - 特許庁

Semaphore values related to data elements within the memory system, including the main memory 18, are used to establish the permissions of the exclusive access to the data elements.例文帳に追加

主メモリ（１８）を含むメモリシステム内のデータ要素に関連するセマフォ値がこれらのデータ要素への排他的アクセスの許可を確立するのに使われる。 - 特許庁

In addition, two memory elements adjoining each other in the same row own jointly the diffusion region 1107 disposed in the area between the gate electrodes of the memory elements.例文帳に追加

また、同一行で隣り合う２つのメモリ素子は、この２つのメモリ素子のゲート電極間の領域に配置された拡散領域１１０７を共有している。 - 特許庁

The memory elements 6 transmit the indicated address data to the communication host 8.例文帳に追加

メモリ素子６は指定されたアドレスのデータを通信ホスト８に転送する。 - 特許庁

Data terminals X2 for the memory elements 200a, 200c are connected with a data 1, and data terminals X2 for the memory elements 200b, 200d are connected with a data 2.例文帳に追加

また、メモリ素子２００ａ，２００ｃのデータ端子Ｘ２はｄａｔａ１に、メモリ素子２００ｂ，２００ｄのデータ端子Ｘ２はｄａｔａ２に接続される。 - 特許庁

Each of the memory cells includes first and second resistance elements connected in series.例文帳に追加

各メモリセルは直列接続された第１及び第２の抵抗素子を含む。 - 特許庁

A method for processing elements included in a non-volatile memory of a memory system includes obtaining erase counts associated with a plurality of erased elements.例文帳に追加

メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。 - 特許庁

The computer memory 104 coupled to the sequencer 108 stores the configuration elements 113.例文帳に追加

シーケンサ(108)に結合されたコンピュータメモリ(104)は、コンフィギュレーション要素(113)を格納する。 - 特許庁

A memory cell MC and a reference cell RC are constituted of MTJ elements.例文帳に追加

メモリセルＭＣ及びレファレンスセルＲＣは、ＭＴＪ素子から構成される。 - 特許庁

After setting the settable memory elements, a voting structure having inputs from the second settable memory element and the third settable memory element, for controlling the settable memory elements determine the logical value held on the first settable memory element.例文帳に追加

設定可能メモリ要素を設定した後、第２の設定可能メモリ要素および第３の設定可能メモリ要素からの入力を有し、設定可能メモリ要素を制御する投票構造は、第１の設定可能メモリ要素に保持される論理値を決定する。 - 特許庁

To prevent respective elements from being deteriorated by reducing a load on circuit elements and memory elements in a storage device for writing data by applying a high load to the memory elements to cause a chemical reaction.例文帳に追加

本発明は、メモリ素子に高い負荷を与えて化学反応を起こさせてデータの書き込みを行う記憶装置において、負荷をかけることによる回路素子およびメモリ素子にかかる負担を軽減し、各素子の劣化を防ぐことを課題とする。 - 特許庁

The memory array further includes second random access memory elements arranged in at least one additional column.例文帳に追加

本メモリアレイは、更に、少なくとも１個の付加的な列に配列された第二ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁

Memory cells including phase-change elements arranged in an intersection part of a bit line and word line are provided in a memory cell array 18.例文帳に追加

ビット線とワード線の交差部に備えられる、相変化素子を含むメモリセルをメモリセルアレイ１８内に備える。 - 特許庁

One pass assembly when elements are processed by raster image processing is generated when recurring elements are blitted into the memory and variable elements are processed by raster image processing during the operation.例文帳に追加

要素をラスタイメージ処理する際の１パスアセンブリは、循環要素がメモリにブリットされ、作動中に可変要素がラスタイメージ処理される時に発生する。 - 特許庁

Having multiple computational elements, all of which function simultaneously and share a memory device, combined with multiple computational elements or a collection of computational elements, which do not share a memory device 例文帳に追加

すべてが同時に動作し、かつ、記憶装置を共有する複数の計算要素を有するものと記憶装置を共有しない複数の計算要素又は計算要素の集まりとの両方を有するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The first memory element is connected in parallel with the second memory element, and the first and second memory elements are connected in series with the switching element.例文帳に追加

第１のメモリ素子は並列に第２のメモリ素子と接続され、第１および第２のメモリ素子はスイッチング素子に直列に接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element and a semiconductor memory device that are designed for shortening the time necessary for testing a plurality of semiconductor memory elements.例文帳に追加

複数の半導体記憶素子の試験に要する時間の短縮を図った半導体記憶素子および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A memory circuit 12 stores the image data of a remarked image element and peripheral image elements.例文帳に追加

メモリ回路１２は、注目画素及び周辺画素の画像データを格納する。 - 特許庁

An IC card has a data memory section 503 composed of a plurality of storage elements.例文帳に追加

ＩＣカードは、複数の記憶素子からなるデータメモリ部５０３を備えている。 - 特許庁

A data loading/reading network loads data to the memory elements to read it.例文帳に追加

データローディング・読み取り回路網は、メモリ要素にデータをロードしてデータを読み取る。 - 特許庁

At least one set of the additional parts (7, 8) is memory metal elements.例文帳に追加

これらの追加部品（７、８）の少なくとも１組が記憶金属要素である。 - 特許庁

To reduce the number of elements constituting a driver circuit by using a memory circuit.例文帳に追加

メモリ回路を用いることで、駆動回路を構成する素子数を削減する。 - 特許庁

To realize a method for a self-test of constitution elements of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリー構成要素の自己試験のための方法を実現すること。 - 特許庁

A processor is coupled with the memory system and peripheral constitution elements.例文帳に追加

プロセッサは前記メモリシステム及び前記複数の周辺構成要素に結合される。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory array including a plurality of memory cells having any of phase change elements, metal oxide resistance elements, and solid electrolytic elements, and a reference cell, and a reading circuit for reading data of a cell selected from the plurality of memory cells.例文帳に追加

半導体記憶装置は、相変化素子、金属酸化物抵抗素子、及び、固体電解質素子のいずれかを有する複数のメモリセル及び参照セルを含むメモリアレイと、複数のメモリセルのうちから選択された選択セルのデータを読み出す読み出し回路とを具備する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a plurarity of memory element groups which comprise memory elements each composed of a resistance variable element and a diode connected in series, a plurality of source lines connected to one-side ends of the plurality of memory elements in the memory element group.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、抵抗変化素子及びダイオードが直列に接続されたメモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群と、メモリ素子群の複数のメモリ素子それぞれの一端にそれぞれ接続された複数のソース線と、を有する。 - 特許庁

The memory system (12) is provided with the plurality of memory storage elements (28), an address spare module (30) coupled with the plurality of memory storage elements (28) and can be operated so as to map a first address of a first prescribed memory location to a second address of a second prescribed memory location.例文帳に追加

メモリシステム（１２）は、複数のメモリ記憶素子（２８）と、複数のメモリ記憶素子（２８）に連結されたアドレススペアモジュール（３０）と、を備え、第１の所定のメモリロケーションの第１のアドレスを第２の所定のメモリロケーションの第２のアドレスにマッピングするように動作可能である。 - 特許庁

Namely, the designer can readily lay out the memory constitutional elements of the integrated circuit in the desirable form surrounding non-memory constituent elements of such the integrated circuit by the small memory sub- arrays.例文帳に追加

すなわち、小さいメモリ・サブアレイにより、設計者は、このような集積回路の非メモリ構成要素の周囲に、集積回路のメモリ構成要素を望ましい形で容易に配置することができる。 - 特許庁

To provide a mounting method for an electronic component capable of three-dimensionally arranging memory elements, reducing an occupancy area of the memory elements, and increasing the density of wiring.例文帳に追加

メモリ素子を三次元的に配置して、メモリ素子の占有面積を小さくできるとともに、配線の高密度化を図ることができる電子部品の実装方法を提供する。 - 特許庁

Data terminals X1 for the memory elements 200a, 200b are connected with a ϕ1 line 111, and data terminals X1 for the memory elements 200c, 200d are connected with a ϕ2 line 112.例文帳に追加

メモリ素子２００ａ，２００ｂのデータ端子Ｘ１は、φ１ライン１１１に、メモリ素子２００ｃ，２００ｄのデータ端子Ｘ１はφ２ライン１１２に接続される。 - 特許庁

The command code is sent from a communication host 8 of a outer device 2 and converted the information stored in the memory elements 6 to address data by the decoder 7 to directly indicate an address of the memory elements 6.例文帳に追加

外部装置２の通信ホスト８から発信される命令コードがデコーダ７によりメモリ素子６をアドレスデータに変換されてメモリ素子６を直接アドレス指定する。 - 特許庁

The magnetic storage contains a memory cell array arranging magnetoresistance-effect elements in a line.例文帳に追加

磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

Moreover, two memory elements adjoining each other in the same column also own jointly the diffusion region 1107 disposed in the area between the gate electrodes of the memory elements.例文帳に追加

更に、同一列で隣り合う２つのメモリ素子も、この２つのメモリ素子のゲート電極間の領域に配置された拡散領域１１０７を共有している。 - 特許庁

To enhance data holding characteristics of a plurality of memory elements in a nonvolatile storage device having the plurality of memory elements having data electrically written or erased therein.例文帳に追加

データを電気的に書き込みまたは消去可能は複数のメモリ素子を有する不揮発性記憶装置において、複数のメモリ素子のデータ保持特性を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of applying high voltages of both positive and negative polarities required for driving memory elements to the memory elements after completion of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程完了後にメモリ素子の駆動に必要な正負両極性の高電圧をメモリ素子に印加することを可能とした半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

While current vs. voltage curves of good memory elements are rather stable under such a shift in bias condition, current vs. voltage curves of the deteriorated memory elements show bigger shifts.例文帳に追加

良好記憶素子の電流−電圧曲線は、バイアス条件におけるこのようなシフトの下で比較的安定する一方で、劣化素子は、より大きなシフトを示現する。 - 特許庁

The memory cells have data storage resistance elements that are variable resistance elements, and the reference resistance circuit has first reference resistance elements Rr1 and second reference resistance elements Rr2 that are variable resistance elements each having the same structure as the data storage resistance elements.例文帳に追加

メモリセルは可変抵抗素子であるデータ記憶抵抗素子を有し、参照抵抗回路は、それぞれがデータ記憶抵抗素子と同じ構造を有する可変抵抗素子である第１の参照抵抗素子Ｒｒ１及び第２の参照抵抗素子Ｒｒ２を有している。 - 特許庁

To strike a balance between the reduction in thickness of a memory layer and the suppression of variations among elements, in a resistance change type semiconductor memory device.例文帳に追加

抵抗変化型の半導体記憶装置において、記憶層の薄膜化と素子間のバラツキ抑制を両立させる。 - 特許庁