「memory elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic storage device includes a plurality of magnetic memory elements 3 and bit lines 4, a plurality of transistors 2 and a magnetic shielding magnetic films 22.例文帳に追加

複数の磁気記憶素子３とビット線４と複数のトランジスタ２と磁気シールド用磁性膜２２とを備えている。 - 特許庁

The calculation of the difference is carried out by using elements, such as a CPU, an amplifier, an A/D converter, and memory, incorporated into a control device.例文帳に追加

この差分の計算は、制御装置に設けられた、ＣＰＵ、アンプ、Ａ／Ｄコンバータ、メモリ等の素子を使用して行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress the characteristic variation of memory cells and can reduce the sizes of transistor elements.例文帳に追加

メモリセル特性のばらつきを抑え、かつトランジスタ素子の大きさを小さくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Further, the node names of the common signal line and the intrinsic signal line are transmitted between the adjacent constituting elements of the memory cell matrix.例文帳に追加

更に、共通信号線、固有信号線の節点名をメモリセルマトリックスの隣接する構成要素間で伝達する。 - 特許庁

An original transmission waveform memory 10a stores data of an original transmission signal waveform to drive vibration elements 20.例文帳に追加

原送信波形メモリ１０ａには、振動素子２０を駆動するための原送信信号波形のデータが格納される。 - 特許庁

To easily set first and second magnetic tunnel junction elements to be formed in a memory cell to a mutually-opposite resistive state.例文帳に追加

メモリセルに形成される第１および第２磁気トンネル接合素子を、簡易に互いに逆の抵抗状態に設定する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit and integrated circuit device in which logical elements, a memory, a logical element region and the like are not fixed.例文帳に追加

論理素子、メモリ、論理素子領域などが固定されない集積回路および集積回路装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor elements 3 are mounted, respectively, on the surface and back surface of a printed board 2 in a memory module 1.例文帳に追加

メモリモジュール１におけるプリント基板２の表裏両面に、それぞれ複数の半導体素子３が実装される。 - 特許庁

Configuration data is loaded to memory elements to structure so that the programmable core logic executes custom logic functions.例文帳に追加

コンフィギュレーションデータは、プログラマブルコアロジックがカスタムロジック機能を実行するように構成するためにメモリ要素にロードされる。 - 特許庁

To suppress reduce data processing speed due to erroneous cache by excluding probabilistic elements from behaviors of a cache memory.例文帳に追加

キャッシュメモリの動作挙動から確率的な要素を排除して、キャッシュミスによるデータ処理速度の低下を抑制する。 - 特許庁

The valve 37 has a spring member 35 made of a shape memory alloy and valve elements 29 and 31 energized by the spring member.例文帳に追加

バルブ３７は、形状記憶合金製のバネ部材３５と、バネ部材によって付勢される弁体２９、３７を有する。 - 特許庁

The main memory stack was used for expression evaluation and parameter passing, with up to four stack elements buffered in registers. 例文帳に追加

主記憶スタックは、レジスタ中にバッファされる４個までのスタック要素と共に、式の評価やパラメータの受け渡しに使われた。 - コンピューター用語辞典

Return a tuple (address, length) giving the current memory address and the length in elements of the buffer used to holdarray's contents.例文帳に追加

アレイの内容を記憶するために使っているバッファの、現在のメモリアドレスと要素数の入ったタプル(address, length) を返します。 - Python

If insufficient memory is available for the list and its elements, XTextPropertyToStringList sets no return values and returns a zero status.例文帳に追加

リストとその要素に割り当てる十分なメモリがなかった場合、XTextPropertyToStringListは変数に内容を設定せず、ステータスとして 0 を返す。 - XFree86

To improve the long term information hold performance, using nonvolatile memory elements which are formed by the single-layer polyflash technique.例文帳に追加

単層ポリフラッシュ技術で形成された不揮発性記憶素子による長期の情報保持性能を向上させる。 - 特許庁

Accordingly, the number of memory elements corresponding to the recording capacity will be less, so that the cost of the game machine can be reduced.例文帳に追加

したがって、記録容量に対応するメモリ素子の数も少なくなり、遊技機のコストを低減することができる。 - 特許庁

The formation of the USB terminals 3 and the mounting of the memory elements 5 are respectively executed to the plurality of device forming regions.例文帳に追加

ＵＳＢ端子３の形成およびメモリ素子５の実装は、複数の装置形成領域に対してそれぞれ実施する。 - 特許庁

When these two semiconductor memory elements are sealed in the same package and a defective address in the semiconductor memory element MEM is inputted, a redundant relieving signal RS is outputted from the semiconductor memory element FM and inputted to the semiconductor memory element MEM, and a spare memory cell SC is accessed instead of a normal memory cell SMC.例文帳に追加

これら２つの半導体記憶素子を同一パッケージ内に封入し、半導体記憶素子ＭＥＭにおける不良アドレスが入力された場合に、不揮発性半導体記憶素子ＦＭから冗長救済信号ＲＳを出力して半導体記憶素子ＭＥＭに入力し、通常のメモリセルＳＭＣの代わりにスペアのメモリセルＳＣにアクセスする。 - 特許庁

The method involves adjusting a programmable signal delay to avoid a simultaneous memory refresh between two or more of the multiple memory elements and passing a refresh signal from one memory element to another memory element based on the programmable signal delay.例文帳に追加

本方法は、プログラム可能な信号遅延を調節して、複数のメモリ・エレメントのうちの２つ以上のメモリ・エレメントでの同時のメモリ・リフレッシュを回避し、また、プログラム可能な信号遅延に基づいて、或るメモリ・エレメントから別のメモリ・エレメントへとリフレッシュ信号を渡す。 - 特許庁

A memory cell array 1 in which memory cells 11 including an anti-fuse element are arranged is divided into two memory banks MB1, MB2, and write-in and read-out voltages VBP1, VBP2 supplied to the anti-fuse elements of respective memory banks are generated by two boosting circuit 2.例文帳に追加

アンチヒューズ素子を含むメモリセル１１が配置されたメモリセルアレイ１を２つのメモリバンクＭＢ１、ＭＢ２に分割し、２つの昇圧回路２により、それぞれのメモリバンクのアンチヒューズ素子へ供給する書き込みおよび読み出し電圧ＶＢＰ１、ＶＢＰ２を発生させる。 - 特許庁

The controller is provided with rhythm playing manipulation elements PDS more than eight and rhythm tone kind assignment information is written together with timing information into a memory 20 according to the manipulation of the respective rhythm playing manipulation elements.例文帳に追加

８つより多いリズム演奏操作子ＰＤＳを設け、各リズム演奏操作子の操作に応じてメモリ２０にリズム音種類指定情報をタイミング情報と共に書込む。 - 特許庁

First and second specified function memory elements 110 and 120 comprise the corresponding number and kind of elements, and the CPU 102 can selectively use one of them by a switching command.例文帳に追加

第１および第２特定機能記憶素子１１０、１２０は、対応する数および種類の素子からなり、ＣＰＵ１０２は切換コマンドによっていずれかを選択的に使用可能である。 - 特許庁

To realize a memory integrated type display element capable of lighting optical modulation elements with the same luminous level even when variation is generated in characteristics of elements constituting pixels owning to manufacture variation or the like.例文帳に追加

製造バラツキなどによって、画素を構成する素子の特性にバラツキが発生したとしても、光学変調素子を同じ輝度レベルで点灯可能なメモリ一体型表示素子を実現する。 - 特許庁

To improve the performance of elements by suppressing punch-through between the elements adjacent to each other with STI in-between without increasing a manufacturing cost of a non-volatile memory including a floating gate and a control gate.例文帳に追加

浮遊ゲートと制御ゲートを有する不揮発性メモリの製造コストを上昇させずに、ＳＴＩを挟んで隣り合う素子間のパンチスルーを抑え、素子の性能を向上させる。 - 特許庁

To reduce an area of capacitive elements occupied in a circuit in a semiconductor device, and to downsize the semiconductor device on which the capacitive elements and an organic memory are mounted.例文帳に追加

半導体装置内の回路内に占める容量素子の面積を縮小させ、それら容量素子と有機メモリを搭載した半導体装置の小型化を図る事を課題とする。 - 特許庁

In order to calculate a product of a matrix and a vector, an element matrix in which non-zero elements of a matrix are arrayed and an arrangement matrix indicating the positions of the non-zero elements of the matrix are stored in a system memory, a first partial vector is stored in a first local memory, and a second partial vector is stored in a second local memory.例文帳に追加

このシステムは、行列およびベクトルの積を算出するために、システムメモリに、行列の非ゼロ要素を配列した要素行列、および、行列の非ゼロ要素の位置を示す配置行列を記憶し、第１局所メモリに第１部分ベクトルを記憶し、第２局所メモリに第２部分ベクトルを記憶する。 - 特許庁

The memory access processor for accessing the memories of transfer data constituted of plural data elements by a transfer instruction is provided with order guarantee means (41, 42, 45) capable of executing the memory access of plural transfer data elements included in a memory access request and having the same address.例文帳に追加

複数のデータ要素で構成された転送データを一回の転送命令でメモリアクセスするメモリアクセス処理装置において、一のメモリアクセスリクエスト内に存在し同一アドレスを有する複数の転送データ要素についてのメモリアクセスを所定の順序で行うようにする順序保証手段（４１、４２、４５）を設けた。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a plurality of memory elements 16, 21 which are laminated on one cell in such a way that directions of their easy axes of magnetization 16a, 21a are directed to mutually different directions and a first interconnection 13 and a second interconnection 21 which sandwich the plurality of memory elements 16, 21 and which are extended to mutually different directions.例文帳に追加

半導体記憶装置は、１セルに、磁化容易軸１６ａ、２１ａの方向を互いに異なる方向に向けて積層された複数の記憶素子１６、２１と、前記複数の記憶素子１６、２１を挟み、互いに異なる方向に延在する第１及び第２の配線１３、２３とを具備する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a charge storage means (carrier trap) scattered in a multilayer insulation film 1 of a plurality of insulation films 2, 3 and 4 formed beneath the gate electrode (word line WL2, WL3) of each of a plurality of electrically writable and erasable memory elements and between the gate electrodes of adjacent memory elements.例文帳に追加

電気的に書き込みおよび消去が可能な複数の記憶素子を有し、各記憶素子のゲート電極（ワード線ＷＬ２，ＷＬ３）下方および隣接する記憶素子のゲート電極間で複数の絶縁膜２，３，４を積層して形成された積層絶縁膜１内に離散化された電荷蓄積手段（キャリアトラップ）を含む。 - 特許庁

To provide a technique for achieving a memory cell structure in which the temperature of a diode does not easily rise even when the temperature of phase change materials rises in a non-volatile storage device having a phase change memory configured of cross point type memory cells obtained by combining storage elements made of phase change materials with selection elements made of diodes.例文帳に追加

相変化材料からなる記憶素子とダイオードからなる選択素子とを組み合わせたクロスポイント型のメモリセルによって構成される相変化メモリを備えた不揮発性記憶装置において、相変化材料を高温にしてもダイオードが高温になりにくいメモリセル構造を実現することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To make reliability of read-out data high and to make life time of elements long without increasing the number of memory cells for reference (reference cell).例文帳に追加

参照用メモリセル（リファレンスセル）数を増大させることなしに、読み出しデータの信頼性が高く且つ素子寿命を長くする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate; a control element disposed on the substrate; a resin covering the control element; and memory elements that are disposed above the control element, contact the resin, and are controlled by the control element.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、基板と、前記基板の上に配置された制御素子と、を備える。 - 特許庁

The three switches are turned on at different timing, each piece of the RGB video data is accumulated to the three first-memory elements.例文帳に追加

３つのスイッチは異なるタイミングでオン状態になり、ＲＧＢの映像データはそれぞれ３つの第１メモリ素子に蓄積される。 - 特許庁

In a self scanning type light emitting element array, one bit memory elements to be electrically written/erased externally 200a, 200b, 200c, 200d are integrated.例文帳に追加

自己走査型発光素子アレイに、外部から電気的に書き込み／消去が可能な１ビットのメモリ素子２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄを集積している。 - 特許庁

All of the feedback cycles which cross only the scan-disabled memory elements in a circuit network are detected, in a linear execution time.例文帳に追加

回路ネットワーク中でスキャン不能なメモリ要素だけを横切るフィードバック・サイクルのすべてが、線形実行時間で検出される。 - 特許庁

A one-bit memory cell MC is constituted of one transistor having a floating bulk region electrically isolated from the other elements.例文帳に追加

１ビットのメモリセルＭＣが他から電気的に分離されたフローティングのバルク領域を持つ一つのトランジスタにより構成される。 - 特許庁

One detector like this uses memory elements with lower energy request such as FRAM and similarly operates without external energy.例文帳に追加

１つのこうした検出器は、ＦＲＡＭなどのエネルギー要求が低いメモリ要素を使用し、同様に外部エネルギーなしで動作する。 - 特許庁

To increase a memory capacity for storing drive waveform data when a drive form is generated according to the number of piezoelectric elements to be driven.例文帳に追加

駆動する圧電素子数に応じて駆動波形を生成するときに駆動波形データを格納するメモリ容量が増加する。 - 特許庁

Using the UI (illustrated in a menu 404), a first plurality of elements stored in a memory are selected and a print container is created.例文帳に追加

このＵＩ（メニュー４０４で例示）を用いて、メモリに記憶された第１の複数の要素が選択され、プリントコンテナが作成される。 - 特許庁

Thereby, address elements of two dimensions indicating a position of a memory cell are interchanged between ports of different side parts and access can be performed.例文帳に追加

これにより、異なる辺部のポート間でメモリセルの位置を示す２次元のアドレス要素を入れ替えてアクセスすることが可能である。 - 特許庁

A head driving section 45 applies a voltage to heating elements 51a to 51n in accordance with the gradation value stored in the line memory 44.例文帳に追加

ヘッド駆動部４５は、ラインメモリ４４に記憶された階調値に応じて各発熱素子５１ａ〜５１ｎに電圧を印可する。 - 特許庁

To carry out highly reliable recording/reading at high speed even in the case of a magnetic memory in which elements are highly densely formed.例文帳に追加

高密度に素子が形成された磁気メモリであっても、高速で信頼性の高い記録や読み出しが可能な構成とする。 - 特許庁

Erasing operation is possible by connecting the terminals of the plurality of the memory elements to the erasing line electrically through the diode connection.例文帳に追加

ダイオード接続により、複数のメモリ素子の端子を消去線に電気的に接続することにより、消去動作を可能とする。 - 特許庁

To provide a memory cell, or the like for preventing software errors with a small number of elements without increasing write time.例文帳に追加

書き込み時間の増大を招くことなく、少ない素子でソフトエラーの発生を防止することができるメモリセル等を提供する。 - 特許庁

OPERATING TECHNIQUE FOR REDUCING EFFECT OF COUPLING BETWEEN STORAGE ELEMENTS OF NONVOLATILE MEMORY OPERATED IN MULTIPLE DATA STATES例文帳に追加

複数のデータ状態で動作する不揮発性メモリのストレージエレメント間の結合による影響を低減させるための動作技術 - 特許庁