misを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1044件
To provide a method for detecting two dimensional code, detecting device, and detecting program for avoiding mis-detection of two dimensional code due to mis-recognition of the position detecting pattern, and accurately detecting two dimensional code from an image including two dimensional code.例文帳に追加
位置検出パターンの誤認識による二次元コードの誤検出を防止して、二次元コードを含む画像から二次元コードを正確に検出することができる、二次元コードの検出方法、検出装置、及び検出プログラムを提供する。 - 特許庁
To achieve a semiconductor device including an n channel MIS transistor and a p channel MIS transistor formed on one substrate wherein resistances at a gate electrode and a diffusion layer hardly increase, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
nチャネルMISトランジスタとpチャネルMISトランジスタとが1つの基板に形成された半導体装置において、ゲート電極及び拡散層における抵抗が上昇しにくい半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁
To prevent a threshold voltage of an n-type MIS transistor from increase even when a gate width becomes small in a semiconductor apparatus including the n-type MIS transistor including a gate insulator film including a high dielectric constant insulator film including metal for threshold voltage adjustment.例文帳に追加
閾値電圧調整用金属を含む高誘電率絶縁膜を有するゲート絶縁膜を備えたn型MISトランジスタを有する半導体装置において、ゲート幅が狭くなっても、n型MISトランジスタの閾値電圧が高くなることを防止する。 - 特許庁
To provide the carrier detection circuit that detects a carrier at a high speed while preventing mis-detection of the carrier.例文帳に追加
キャリアの誤検出を防止し、高速にキャリアを検出することが可能なキャリア検出回路を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a network controller that can properly detect mis- connection between a trunk line and a phone.例文帳に追加
局回線と電話機の誤接続を適切に検出できるようにした網制御装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a mis-convergence correction device that is applicable to an in-line color cathode ray tube whose configuration is simplified.例文帳に追加
構成の簡素化を図ることができるインライン型カラー陰極線管に適用されるミスコンバーゼンス補正装置を提供する。 - 特許庁
To provide technology for easily forming a contact without damaging a characteristic and reliability of an MIS transistor.例文帳に追加
MISトランジスタの特性及び信頼性を損なうことなく、コンタクトを容易に形成することができる技術を提供すること。 - 特許庁
To provide a high-speed MIS field-effect transistor which has a low capacitance and includes element isolation regions having fine high-temperature characteristics.例文帳に追加
低容量且つ高温特性が良好な素子分離領域を有する高速なMIS電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
The channel regions 4c and 4d of the second MIS transistor are formed before forming the second gate insulating films 3c and 3d.例文帳に追加
第2のMISトランジスタのチャネル領域4c、4dは、第2のゲート絶縁膜3c、3dが形成される前に形成される。 - 特許庁
To prevent mis-video-recording due to dissidence of mode setting between a video changeover device and a recorder connected to the video changeover device.例文帳に追加
映像切替装置と映像切替装置に接続される録画装置とのモード設定の不一致による録画ミスを防止する。 - 特許庁
To improve the performance of a semiconductor device having an MIS transistor of a metal gate electrode/high dielectric gate insulating film structure.例文帳に追加
金属ゲート電極/高誘電体ゲート絶縁膜構造のMISトランジスタを有する半導体装置を高性能化する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which functions as an MIS transistor having a low threshold voltage and a wide operating voltage range.例文帳に追加
しきい値電圧が小さく、かつ、動作電圧範囲の広いMISトランジスタとして機能する半導体装置を提供する。 - 特許庁
Even when any distortion takes place in the input waveform during this transition period, so long as the level does not exceed the reference waveform, no mis-switching takes place.例文帳に追加
この遷移期間に入力波形に歪みが生じても、それが基準波形を越えない限り誤スイッチングすることはない。 - 特許庁
To prevent untimely release of an opening and closing lid and to prevent a mis-injection of toner that is for other models or toner that is of a wrong color.例文帳に追加
開閉蓋の不用意な開放を防止するとともに、他機種用トナーや色違いトナーの誤投入を防止する。 - 特許庁
The p^+-type diffusion layer 3p forms the source/drain of an MIS transistor, and the n^+-type diffusion layer 4n forms a tap TP1.例文帳に追加
p^+型拡散層3pはMISトランジスタのソース/ドレインを構成し、n^+型拡散層4nはタップTP1を構成する。 - 特許庁
According to this tag, an erroneous recognition and mis-operation of the display contents in work after a coating process step and plating process step can be prevented.例文帳に追加
本タグによれば、塗装工程やメッキ工程の後の作業で表示内容の誤認及び誤操作を防ぐことができる。 - 特許庁
To provide an image pickup signal processing method which is free from the occurrence of mis-clamping regardless of incidence of highlight light from the sun or the like.例文帳に追加
太陽などからのハイライト光が入射した場合でも、クランプミスを起こさない撮像信号処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a remote control device for vehicles, which can reduce the probability of mis-recognition of the existing position of a portable equipment.例文帳に追加
携帯機の存在位置を誤認識する確率を低減することのできる車両用遠隔操作装置を提供する。 - 特許庁
To provide a phase locking discrimination method by which mis- discrimination or malfunction can be prevented and to provide the phase locking discrimination device.例文帳に追加
誤判定あるいは誤動作を防止することができる位相同期判定方法及び位相同期判定装置を提供する。 - 特許庁
Since the shadow mask is stretched under this stress condition, magnetic shield characteristics are improved and the mis-landing of the electron beam can be reduced.例文帳に追加
この応力条件でシャドウマスクを架張することにより、磁気シールド特性が向上し、電子ビームのミスランディングを低減できる。 - 特許庁
A MIS sensor S11 and a thin film transistor T11 are combined on a substrate for the formation of a two-dimensional photoelectric conversion device.例文帳に追加
基板上にMIS型センサS11と薄膜トランジスタT11を組み合わせて二次元の光電変換装置を形成する。 - 特許庁
To provide a receiver capable of highly accurately carrying out automatic tuning by preventing the occurrence of mis-stop at the automatic tuning.例文帳に追加
自動選局時のミスストップの発生を防止し、高い精度で自動選局を行うことができる受信機を提供する。 - 特許庁
Furthermore, in the reception circuit RX, a capacitor C1 indicating gate capacitance or the like of an MIS transistor that becomes an input buffer is provided.例文帳に追加
また、受信回路RXでは、入力バッファとなるMISトランジスタのゲート容量等を示す容量C1が設けられる。 - 特許庁
Gate electrode 9a of the n-type MIS transistor Q_1 is formed of a tantalum nitride film 6a rendered amorphous and a tungsten film 8.例文帳に追加
n型MISトランジスタQ_1のゲート電極9aは、アモルファス化した窒化タンタル膜6aとタングステン膜8より形成される。 - 特許庁
To reduce manufacturing cost of a MIS transistor having three kinds of gate insulated film thickness on the principal surface of the same semiconductor substrate.例文帳に追加
同一半導体基板の主面上に3種類のゲート絶縁膜厚を有するMISトランジスタの製造コストを低減する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including a MIS transistor with symmetry in transistor operation when a source is replaced with a drain.例文帳に追加
ソースとドレインを入れ替えたときのトランジスタ動作に対称性を有するMISトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a packet switch network and a packet switch that can suppress occurrence of mis-routing, so as to sufficiently reduce a packet loss.例文帳に追加
ミスルート発生を抑制してパケット損失を十分に低減することが可能な、パケットスイッチ網及びパケットスイッチを提供する。 - 特許庁
He greatly influenced today's Kamigata rakugo by his nonsensical mis-en-scene full of gags, using a new medium of musical records. 例文帳に追加
レコードという新しいメデイアをフルに用い、ギャグ満載のナンセンスな演出は今日の上方落語に大きな影響を与えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To eliminate failure such as mis-output of a control signal and to improve accuracy of a control signal output.例文帳に追加
制御信号が誤って出力されるといった不具合を解消し、制御信号出力の精度を向上させること。 - 特許庁
To provide a monitoring device of a paper processing machine capable of monitoring double-feeding, skewing, mis-feeding, failure in feeding timing, and detection of a thickness of the like.例文帳に追加
重送、スキュー、ミスフィード、送りタイミング不良を、厚さ等の検出を監する用紙処理機械の監視装置の提供 - 特許庁
To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加
高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するnチャネル型MISトランジスタおよびpチャネル型MISトランジスタによってCMOS回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁
An insulating film 53 is formed on a semiconductor substrate 51, in the same process as that of the gate insulating film of an MIS transistor which is present on the semiconductor substrate 51, and a gate electrode material layer 54 of the MIS transistor is formed on this insulating film, and patterned.例文帳に追加
半導体基板51上に、この基板上に存在するMIS型トランジスタのゲート絶縁膜と同一工程で絶縁膜53を形成し、この絶縁膜上に上記MIS型トランジスタのゲート電極材料層54を形成してパターニングする。 - 特許庁
To provide an electric power supply mis turn-on prevention system capable of realizing prevention of malfunction of a device due to mis turn-on of an electric power supply on a vehicle outfitting line without requiring a connector and special work and improving working efficiency.例文帳に追加
車両艤送ライン上における電源の誤投入による装置の誤作動の防止をコネクタや特別な作業を必要とせずに実現すると共に、作業効率の向上させることができる車両用電源誤投入防止システムを提供する。 - 特許庁
Quality is made different in a film of a trench-type element separation region 12 surrounding the side of an active region 11 of a p-channel type MIS transistor PTr, and that of trench-type element separation region 22 surrounding the side of an active region 21 of an n-channel type MIS transistor NTr.例文帳に追加
Pチャネル型MISトランジスタPTrの活性領域11の側方を囲むトレンチ型素子分離12と、Nチャネル型MISトランジスタNTrの活性領域21の側方を囲むトレンチ型素子分離22との膜質を異なるものとする。 - 特許庁
A mis-insertion protective key 23 is provided on an outer circumferential surface of a plug side electromagnetic shield 20 of the connector plug 10, and a slit of a key guide part 145 to be engaged with the mis-insertion protective key 23 is provided in a socked side electromagnetic shield 140 of a connector socket as a counter part.例文帳に追加
コネクタプラグ10のプラグ側電磁シールド20の外周面に誤挿入防止キー23を設け、相手方となるコネクタソケットのソケット側電磁シールド140に、前記誤挿入防止キー23と係合するスリット状のキー案内部145を設ける。 - 特許庁
To provide a semiconductor device including MIS transistors improved in both channel mobility and reliability while having leakage currents suppressed.例文帳に追加
MISトランジスタにおいて、リーク電流の発生を抑え、チャネル移動度と信頼性とを共に向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for forming two kinds of MIS capacitors of improved reliability and high accuracy on the same substrate.例文帳に追加
同一基板上に信頼性に優れ、かつ高精度な2種類のMIS型容量素子を形成する製造方法を提供する。 - 特許庁
To facilitate attaching of a coil bobbin and a coil for mis-convergence correction, to lower the cost of a deflection yoke, and to improve the reliability.例文帳に追加
ミスコンバーゼンス補正用のコイルボビンとコイルを容易に設けることができ、偏向ヨークのコストダウンとともに、信頼性を向上を図る。 - 特許庁
To provide an MIS transistor structure to realize a CMOS circuit which has high ON current and of which power consumption is low.例文帳に追加
高いON電流を有し、しかも消費電力の低いCMOS回路を実現するためのMISトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁
Gate terminals of the p-type MIS transistors M3 and M4 are directly connected to the output nodes OUTT and OUTB, respectively.例文帳に追加
p型MISトランジスタM3及びM4のゲート端子は、それぞれ出力ノードOUTT及びOUTBと直接的に接続される。 - 特許庁
To provide a GaN-MIS transistor and a GaN-IGBT which can reduce on-resistance, and to provide a method for manufacturing them.例文帳に追加
オン抵抗を低減することができるGaN−MISトランジスタ、GaN−IGBT、およびこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent an address for gaining an access from a flash ROM to a RAM from being mis-matched before and after new writing in the flash ROM.例文帳に追加
フラッシュROMの新たな書き込み前後でフラッシュROMからRAMにアクセスするアドレスが不一致になることを防止する。 - 特許庁
To obtain an electrostatic-breakdown-protection element and a method for manufacturing the same for protecting a gate oxide film of a MIS type transistor from excessive voltages.例文帳に追加
MIS型トランジスタのゲート酸化膜を過大電圧から保護するための静電破壊保護素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁
A region having high discharge start voltage is selectively disposed on a dielectric protective film on a sustaining electrode side, thereby suppressing mis-discharge.例文帳に追加
維持電極側の誘電体保護膜上に、放電開始電圧が高い領域を選択に設け、誤放電の発生を抑制する。 - 特許庁
To improve a MIS transistor in driving force by a method wherein the junction position of an extension high-concentration impurity diffusion layer is set shallow.例文帳に追加
エクステンション高濃度不純物拡散層の接合位置を浅くすることにより、MIS型トランジスタの駆動力の向上を図る。 - 特許庁
The mis-erasing prevention valve 13 to be operated in a slidable manner over the recordable position and unrecordable position is provided in a cartridge case 1.例文帳に追加
カートリッジケース1内に、記録可能位置と記録不可位置とにわたってスライド操作される誤消去防止弁13を備えている。 - 特許庁
To provide a display pattern inspection method of a liquid crystal display panel, which can reduce the rate of mis-judment and can enhance inspection accuracy.例文帳に追加
誤判定率を低減し、検査精度を向上することのできる液晶表示パネルの表示パターン検査方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a high voltage switch device employing a few master stages to switch many subordinate stages that ensures conduction to prevent mis-conduction.例文帳に追加
少数のマスターステージで多数の従属ステージを開閉する高圧スイッチ装置において、導通を確実にし、誤導通を防止する。 - 特許庁
To provide a hydraulic pump set which has the first and second hydraulic pump units, prevents an assembling mis-state, and simultaneously uses common parts as much as possible.例文帳に追加
第1及び第2油圧ポンプユニットを備えた油圧ポンプセットであって、組立ミスを防止しつつ、可及的に部品共通化を図る。 - 特許庁
METHOD FOR EXTRACTING EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MIS TRANSISTOR, METHOD FOR EXTRACTING RESISTANCE OF DIFFUSION LAYER THEREOF, AND METHOD FOR EVALUATING FABRICATION PROCESS THEREOF例文帳に追加
MISトランジスタの実効的チャネル長抽出方法、その拡散層抵抗抽出方法、及びその製造プロセス評価方法 - 特許庁
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