「n at a」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-side conductive layer 13n_2 is comprised of a heat-curing resin paste that can become cured at low temperature.例文帳に追加

ｎ側導電層１３ｎ_２は、低温で硬化可能な熱硬化型樹脂ペーストによって構成される。 - 特許庁

The 'N' links maintain a width to thickness ratio of at least 1.5 to one.例文帳に追加

この“Ｎ”リンクは幅の厚さに対する比を少なくとも１．５対１に維持する。 - 特許庁

At first, a number of revolution N' required for the pump to satisfy P1 is obtained.例文帳に追加

最初にこのポンプがＰ_１を満足するのに必要な回転数Ｎ′を求める。 - 特許庁

The ultrasonic motor 9 is rotated at a substantially constant speed N during adjustment.例文帳に追加

このため、調整時において、超音波モータ９がほぼ一定の回転数Ｎで回転する。 - 特許庁

At the reception of a call signal over an N line (S11), the newly installed meter verifies an H line (S12).例文帳に追加

新設メータは、Ｎラインで発呼信号を受信すると（Ｓ１１）、Ｈラインの確認を行なう（Ｓ１２）。 - 特許庁

The ink preferably has a non-Newtonian viscosity index (n) of ≤0.7 at 23°C.例文帳に追加

インキの２３℃における非ニュートン粘性指数ｎは０．７以下であることが好ましい。 - 特許庁

A minimum unit N of image adjustment in the feeding direction at the controller section is acquired (S203).例文帳に追加

コントローラ部の副走査方向の画像調整の最小単位Ｎを取得する（Ｓ２０３）。 - 特許庁

At a surface layer section of the body region 10, an N^+-type source region 12 is formed.例文帳に追加

ボディ領域１０の表層部には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

A rotor winding 4 is composed of n-pieces of coils which are arranged in positions at an electrical angle of 360°/2n.例文帳に追加

回転子巻線４は電気角で３６０°／２ｎの位置に配置されるｎ個のコイルで構成される。 - 特許庁

Alternatively, the system can also be constituted to display the point D at the midpoint, etc., of a link L instead of the node N.例文帳に追加

また、ノードＮではなく、リンクＬの中点等に軌跡点Ｄを表示させるようにしても良い。 - 特許庁

Or, when bearing the load of 600 N at a cycle of 0.1 Hz, the displacement is 5 mm or more.例文帳に追加

また、６００Ｎの荷重が周期０．１Ｈｚで負荷されたときは５ｍｍ以上である。 - 特許庁

At a step 104, digital data of an N-phase phase-modulated signal are generated.例文帳に追加

ステップ１０４で、Ｎ相位相変調信号のデジタル・データを生成する。 - 特許庁

The n-layer 3 can be formed on the p-layer at a low temperature, resulting in preventing the interface from deteriorating.例文帳に追加

ｎ層３を低温にてｐ層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。 - 特許庁

At a surface layer of the body region 6, an N-type source region 13 is formed.例文帳に追加

ボディ領域６の表層部には、Ｎ型のソース領域１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a carrier reproduction device which can stably operate even at the time of low S/N.例文帳に追加

低Ｓ／Ｎ時でも安定した動作が可能なキャリア再生装置を提供する。 - 特許庁

This converter has at least one of a 1st set of N-sets of current cells CC.例文帳に追加

本変換器は、Ｎ個の第１の電流セルＣＣの第１の組を少なくとも１つを備える。 - 特許庁

Then, the information charges of a remaining column at the second line is subjected to horizontal n-pixel mixing.例文帳に追加

そして２ライン目の残りの列の情報電荷を水平ｎ画素混合する。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

No dimple which crosses to a parting line 3 is arranged at the parting line N.例文帳に追加

パーティングラインＮには該パーティングライン３に交差するディンプルを配置しない。 - 特許庁

At a surface layer section of the drift region 11, an N^+-type drain region 14 is formed.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表層部には、Ｎ^＋型のドレイン領域１４が形成されている。 - 特許庁

A permanent magnet 5 having the pole S and pole N is provided in opposition on the non-contact basis at the external side of the armature 4.例文帳に追加

電機子４の外側にＳ極とＮ極の永久磁石５を非接触で対向配置する。 - 特許庁

To provide a digital broadcasting receiver capable of highly accurately capturing synchronism even at the time of low C/N.例文帳に追加

低Ｃ／Ｎ時においても、高精度で同期捕捉が可能なデジタル放送受信機を提供する。 - 特許庁

To achieve a (k, n)-threshold scheme with the threshold value 4 or larger that can be executed at high speed without using polynomial interpolation.例文帳に追加

多項式補間を用いずに高速に実行可能な閾値４以上の（ｋ，ｎ）閾値法を実現する。 - 特許庁

Then the timer IDa is read out at time (n) to give notice of the time-out (a) of the timer.例文帳に追加

その後、時刻ｎにおいてタイマＩＤａが読み出され、タイマのタイムアウトａが通知される。 - 特許庁

To produce n-type semiconductor diamond as an electronic emitting material at a low cost.例文帳に追加

電子エミッタ材料としてｎ形半導体ダイヤモンドを安価に製造する。 - 特許庁

This liquid composition in which water is soluble at 20°C in an amount of 3-30 weight %, contains at least one kind of compound selected from a group comprising N-methyl-2-pyrroli-done, γ-butyrolactone, N,N- dimethylformamide, and N,N-dimethyl-acetamide, preferably, in an amount of 1-20 weight % and also contains water.例文帳に追加

液状組成物に対する摂氏２０度における水の溶解度が３から３０重量％である液状組成物とＮ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれた１種以上の化合物および水を含む現像液組成物で解決できた。 - 特許庁

At least one button-shaped stopper N and N' for limiting displacements of the double U-shaped spring is provided at a predetermined location, for example, a location at which a maximum displacement occurs.例文帳に追加

ダブルＵ字形ばねの変位の制限のための少なくとも１つのネップ状ストッパＮ，Ｎ′が所定の箇所、例えば最大変位の生じる箇所に設けられている。 - 特許庁

An average In composition ratio at a p-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the p-type semiconductor layer is larger than an average In composition ratio at an n-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the n-type semiconductor layer and five times or less of the average In composition ratio at the n-side end.例文帳に追加

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 - 特許庁

Preferably, the composite film has a 100% modulus of at least 5 N/mm^2 and at most 15 N/mm^2 and a stress relaxation time of at most 50 sec.例文帳に追加

ここで、複合フィルムは、１００％ｍｏｄが５Ｎ／ｍｍ^2以上、１５Ｎ／ｍｍ^2以下であり、応力緩和時間が５０秒以下であることが好ましい。 - 特許庁

At a surface layer in the n^- epitaxial layer 2, a p well region 3 is formed, and at the same time an n^+ source region 4 is formed at the surface layer section of the p well region 3.例文帳に追加

ｎ^-エピタキシャル層２における表層部にはｐウエル領域３が形成されるとともに、ｐウエル領域３の表層部にはｎ^+ソース領域４が形成されている。 - 特許庁

The resist film after use and its deteriorated and hardened part are released and removed by using a resist releasing liquid consisting of a composition containing a highly polar solvent which contains at least a kind of solvent selected from N-methylpyrrolidone (N-methy1-2-pyrrolidone), N,N-dimethylacetamide, dimethylformamide and N,N-methylformamide and a water-soluble amine compound.例文帳に追加

Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、及びＮ．Ｎ−メチル−ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも１種を含む高極性溶媒と、水に対して可溶なアミン化合物とを含む組成からレジスト剥離液を構成し、使用後のレジスト膜及びその変質硬化部位を剥離除去する。 - 特許庁

This alignment layer comprises a polymer having at least one structure unit represented by following general formula (I) (wherein Mp represents a linking group of (2+n) valence bonded to L at n sites, L represents a linking group of (1+n) valence, n is 1 or 2, A represents a ≥10C aryl group or a heterocyclic group linked with at least one aryl group).例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）（式中、ＭｐはＬとｎ個の部位で結合している（２＋ｎ）価の連結基を表し、Ｌは（１＋ｎ）価の連結基を表し、ｎは１または２を表し、Ａは炭素数１０以上のアリール基または少なくとも一つのアリール基が連結したヘテロ環基を表す）で表される少なくとも一種の構成単位を有する重合体を含む配向膜である。 - 特許庁

The method for producing ethers of a tropolone derivative includes a step of using at least one solvent selected from the group consisting of dimethyl sulfoxide, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, hexamethyl phosphoramide, N-methyl pyrrolidone, and γ-butyrolactone, in the reaction of a tropolone derivative and an electrophile in the presence of a base.例文帳に追加

トロポロン誘導体と、求電子剤とを、塩基存在下で反応させる際に、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、及びγ−ブチロラクトンからなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒を用いる工程を含む、トロポロン誘導体のエーテル類の製造方法とすること。 - 特許庁

The curing agent composition comprises a reaction product of at least one polyalkylene polyether polyol modified polyepoxide resin (A) and a polyalkyleneamine composition (B) comprising a mixture of N-3-(amino-propyl)ethylenediamine (N3), N,N'-bis(3-aminopropyl)ethylenediamine (N4), and N,N,N'-tris(3-aminopropyl)ethylenediamine (N5).例文帳に追加

少なくとも一つのポリアルキレンポリエーテルポリオール変性ポリエポキシド樹脂（Ａ）と、Ｎ‐３‐アミノプロピルエチレンジアミン（Ｎ３）、Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐アミノプロピル）エチレンジアミン（Ｎ４）及びＮ，Ｎ，Ｎ’‐トリス（３‐アミノプロピル）エチレンジアミン（Ｎ５）の混合物を含むポリアルキレンアミン組成物（Ｂ）との反応生成物を含む硬化剤組成物。 - 特許庁

The polyolefin resin composition has a melt flow rate (under a load of 21.18 N) of 6-25 g/10 min at 190°C and a melt flow ratio (the ratio of a melt flow rate under 98.07 N load to that under 9.81 N load) of ≤85 at 190°C.例文帳に追加

ポリオレフイン系樹脂組成物は、１９０℃におけるメルトフローレート（荷重２１．１８Ｎ）が６〜２５ｇ／１０ｍｉｎであり、１９０℃におけるメルトフローレシオ（荷重９８．０７Ｎのメルトフローレートと荷重９．８１Ｎのメルトフローレートとの比）が８５以下である。 - 特許庁

A transmittance value of a variable (T_n-T_o) is obtained from an electron beam transmittance T_o of a monitoring sub-field 10a at an initial stage of reticle use and an electron beam transmittance T_n of a monitoring sub-field 10a at an accumulated dose amount of an electron beam entered into the reticle of (n).例文帳に追加

レチクル使用初期でのモニターサブフィールド１０ａの電子線透過率をＴ_０と、レチクルに照射された電子線の累積ドーズ量がｎのときのモニターサブフィールド１０ａの電子線透過率をＴ_ｎとから、透過率変動値（Ｔ_ｎ−Ｔ_０）を求める。 - 特許庁

The optical attenuation part 10 propagates the signal beam of a wavelength λi among plural signal beams λ1-λN demultiplexed at every channel of a different wavelength in a prescribed wavelength band to the optical waveguide 12i, and attenuates the signal beam λi (i=1, 2,..., N) with a variable attenuation amount at every channel.例文帳に追加

光減衰部１０は、所定の波長帯域内で波長の異なるチャネル毎に分波された複数の信号光λ_1 〜λ_N のうち波長λ_i の信号光を光導波路１２_i に伝搬させるとともに、その信号光λ_i をチャネル毎に可変の減衰量で減衰させる（i=1,2,…,N）。 - 特許庁

The heating nip N for a recording material capable of switching pressurization at total pressure 300 N and pressurization at total pressure 150 N is formed by making a pressure roller 2 which can be ascended and descended in press-contact with a fixing belt 1 whose inner side surface is supported by the pressure member 5 and a heating member 4.例文帳に追加

加圧部材５及び加熱部材４によって内側面を支持された定着ベルト１に昇降可能な加圧ローラ２を圧接させて、総圧３００Ｎの加圧と総圧１５０Ｎの加圧とを切り替え可能な記録材の加熱ニップ部Ｎを形成する。 - 特許庁

The supported zeolite film consists of a zeolite/carrier composite layer and shows at least 6×10^-7 mol/m^2sPa permeance of n-butane and at least 250 selectivity at 180°C for n-butane/isobutane separation.例文帳に追加

担持ゼオライト膜は、ゼオライト／担体複合層からなり、かつ、ｎ−ブタン／イソブタン分離において温度１８０℃で少なくとも６×１０^−７モル／ｍ^２・ｓ・Ｐａのｎ−ブタンのパーミアンス及び少なくとも２５０の選択性を有する。 - 特許庁

The end time of an amount decrease time may be set at n minutes (e.g., at 15 minutes) before a transaction end time by an optional value (n minutes), or may be set at an absolute time.例文帳に追加

減額時間の終了時刻の設定は、任意の値（ｎ分）により取引終了時刻のｎ分前（例えば、１５分前）としてもよいし、絶対時刻を指定してもよい。 - 特許庁

The preferable hard coated film is composed at least of one layer of a compound film containing, as its main components, at least one metal element selected from elements of group IVa and Al and at least one element selected from C, N and O.例文帳に追加

硬質被膜はIVa族元素とAlから選択される1種以上の金属元素とC、NおよびOから選択される1種以上の元素とを主成分とする1層以上の化合物膜からなることが望ましい。 - 特許庁

When the power source voltage VCC is lower than or equal to the voltage VI_/O at the end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the voltage VI_/O at the end of the I/O circuit.例文帳に追加

一方、電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/Oより低い場合に、トランジスタＭ1のNウエルの電圧は入力/出力回路端の電圧V_I/Oにクランプされる。 - 特許庁

The curing agent composition comprises the reaction product between (A) at least one polyalkylene polyether polyol modified polyepoxide resin and (B) a polyalkyleneamine composition comprising a mixture of N-3-aminopropylethylenediamine(N3), N,N'-bis(3-aminopropyl)ethylenediamine(N4), and N,N,N'-tris(3-aminopropyl)ethylenediamine(N5).例文帳に追加

少なくとも一つのポリアルキレンポリエーテルポリオール変性ポリエポキシド樹脂（Ａ）と、Ｎ‐３‐アミノプロピルエチレンジアミン（Ｎ３）、Ｎ，Ｎ’‐ビス（３‐アミノプロピル）エチレンジアミン（Ｎ４）及びＮ，Ｎ，Ｎ’‐トリス（３‐アミノプロピル）エチレンジアミン（Ｎ５）の混合物を含むポリアルキレンアミン組成物（Ｂ）との反応生成物を含む硬化剤組成物。 - 特許庁

An N-type transistor constituting the switch signal generating circuit is formed at a first P-type well PW1, a P-type transistor constituting the switch signal generating circuit is formed at a first N-type well, and the first P-type well and the first N-type well are formed at a first deep N-type well DNW1, respectively.例文帳に追加

スイッチ信号生成回路を構成するＮ型トランジスタは第１のＰ型ウェルＰＷ１に、スイッチ信号生成回路を構成するＰ型トランジスタは第１のＮ型ウェルＮＷ１に、第１のＰ型ウェル及び第１のＮ型ウェルは第１のディープＮ型ウェルＤＮＷ１にそれぞれ形成される。 - 特許庁

At least a channel region is composed of at least one P-type or N-type nanoparticle arrayed in the longitudinal direction, and the P-type or the N-type nanoparticles are arrayed, in parallel with a P-type or N-type nanoparticle line partitioned on a board.例文帳に追加

少なくともチャンネル領域が、長手方向に配列された少なくとも一つのＰ型またはＮ型ナノ粒子よりなり、Ｐ型またはＮ型ナノ粒子は、それぞれその長手方向が、基板上に区画されたＰ型またはＮ型ナノ粒子ラインと平行に配列されている。 - 特許庁