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n at aの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4742



例文

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、N型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加

Al:0.02%以下、N:0.0050〜0.0250%を含み、かつN/Alを0.3 以上としたスラブをFDT :800 ℃以上とする熱延後、CT:750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁

The zirconia particle dispersion comprises at least one kind of disperse auxiliary selected from acetylacetone and N,N-dimethylacetamide, zirconia particles, a dispersing agent and a disperse medium.例文帳に追加

透明性が高い膜を形成できるジルコニア粒子分散液、その製造方法及び光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

At the same time, an annular mask insulating film 18 is formed on the N+ diffusion layer 4b, and a silicide film 6b is formed on the surface of the N+ diffusion layer 4b except for a region covered by the mask insulating film 18.例文帳に追加

N^+拡散層4bの表面には、マスク絶縁膜18に覆われた領域を除いてシリサイド膜6bが形成されている。 - 特許庁

例文

After the first process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the second process).例文帳に追加

第1工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第2工程)。 - 特許庁


例文

This can reduce a stress at an interface between the n-type SiC drift layer 23 and the n-type SiC buffer layer 22, so that a forward voltage can be reduced.例文帳に追加

これにより、n型SiCドリフト層23とn型SiCバッファ層22との界面の応力を低減でき、順方向電圧を低減できる。 - 特許庁

The battery pack 2 has n+m (n, m are natural numbers) electric cells 8 and supplies DC power to a load 6 at a failure in an AC power supply 5.例文帳に追加

組電池2は、n+m(n、mは自然数)個の複数の単電池8を有し、交流電源5の停電時に負荷6へ直流電力を供給する。 - 特許庁

An n-type electrode 20 composed of at least a Ti layer is formed on the lower face of an n-type β-Ga_2O_3 substrate 2 by a PLD method.例文帳に追加

n型β−Ga_2O_3基板2の下面に、PLD法により少なくともTi層からなるn型電極20を形成する。 - 特許庁

After the third process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the fourth process).例文帳に追加

第3工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第4工程)。 - 特許庁

例文

For example, the apparent thickness d_n^* of the whole of the composite material is computed by using equation (a) mentioned below, and the thickness of the thin film is obtained from a frequency f_max at which this d_n^* becomes maximum, or frequency f_min at which d_n^* becomes minimum.例文帳に追加

例えば、下記の(a)式を用いて複合材全体の見かけ上の厚さd_n^*を計算し、このd_n^*が極大となる周波数f_max、またはd_n^*が極小となる周波数f_minから薄膜の厚さを求める。 - 特許庁

例文

N source gas is rapidly increased at the time t2 and reached to a steady-state value at the time t21.例文帳に追加

Nソースガスを時刻t2で急激に増加して、時刻t21において定常値に到達する。 - 特許庁

The composite nanospheres have a diameter ranging from 50 to 1,000 nm plus or minus 5%, and comprise: an essentially liquid core consisting of an organic phase and inorganic nanoparticles disposed inside an organic phase; and an envelope consisting of at least a hydrophilic polymer derived from polymerization of at least one water-soluble monomer, in particular an N-alkylacrylamide or an N-N-dialkylacrylamide.例文帳に追加

50から1000nmプラスまたはマイナス5%の間の直径を有し、− 有機相と、有機相の内部に配置された無機ナノ粒子とからなる必須に液体であるコア、および− 特にN-アルキルアクリルアミド、またはN,N-ジアルキルアクリルアミドである、少なくとも一つの水溶性モノマーの重合から由来する少なくとも一つの親水性ポリマーからなるエンベロープを含むことを特徴とする複合ナノスフェア。 - 特許庁

function returns a pointer to the first occurrence of c among the n wide characters starting at s, or NULL if c does not occur among these. 例文帳に追加

関数は、s を先頭とする n 個のワイド文字の中において最初に c が現われる場所へのポインタを返す。 c が現われなかった場合には NULL を返す。 - JM

Reads and returns at most n frames of audio, as a string of bytes. 例文帳に追加

現在のポインタからn個のオーディオフレームの値を読み込んで、バイトごとに文字に変換して文字列を返します。 - Python

The epoxy resin composition contains an epoxy resin exhibiting solid state at normal temperature, a curing agent, N,N-bis(diphenoxyphosphinyl)piperazine and an organic solvent.例文帳に追加

常温で固形のエポキシ樹脂、硬化剤、N,N−ビス(ジフェノキシフォスフィニル)ピペラジン及び有機溶剤を含有するエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

The organic metal source compound is reacted with N_yO_x/O_2 mixed oxidation gas in which a volume ratio of N_yO_x is at least 50%.例文帳に追加

有機金属ソース化合物はN_yO_xの嵩比が少なくとも50%であるN_yO_x/O_2混合酸化ガスと反応する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is a nitride semiconductor light emitting element having the n-type electrode at the predetermined position of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層の所定の位置にn電極を備える窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The overlapping portion 9 extends through a tread area T held between the tire normals N and N drawn on at least the tread edge E.例文帳に追加

重なり部9は、少なくともトレッド端縁Eに引いたタイヤ法線N、N間に挟まれるトレッド領域Tをのびている。 - 特許庁

Here, λ_n is the wavelength of light at the layer between an active region and a reflective contact.例文帳に追加

ここで、λ_nは、活性領域と反射性を有するコンタクトとの間の層における光の波長である。 - 特許庁

When light is made incident on the n-type SiC layer just below or at a periphery of the conductive oxide layer, the diode functions as an ultraviolet ray detection element.例文帳に追加

導電性酸化物層の直下又は周辺のn形SiC層に光が入射すると、前記ダイオードは紫外線検出素子として機能する。 - 特許庁

Digital signals (PCM, f(t)) are multiplied with at least one of derivatives (f'(t), f"(t), ..., f^(n)(t)) of a signal (f(t)).例文帳に追加

デジタル信号PCM,f(t)が、信号(f(t))の少なくとも1つの導関数(f'(t),f''(t),...,f^(n)(t))と乗算される。 - 特許庁

To make it difficult to analyze an integer n from power analysis and timing analysis at the time of the prime number deciding of a positive integer n.例文帳に追加

正の整数nの素数判定時に、電力解析やタイミング解析から整数nの解析を困難にする。 - 特許庁

A binary data generation circuit 1 generates first to n-th (n≥2) consecutive binary data at intervals of m (m≥1).例文帳に追加

2進数データ発生回路1は、連続する第1乃至第n(n≧2)の2進数データをm(m≧1)置きに発生する。 - 特許庁

Under the bottom faces of the trenches 2, n-type semiconductor regions 5 containing an impurity at a concentration higher than that in the first main electrode region are arranged.例文帳に追加

トレンチ2底面下には第1主電極領域よりも高不純物密度のn型半導体領域5が配設される。 - 特許庁

After that, a p-side metal electrode 110 and an n-type metal electrode 111 are formed on the upper surface of the wafer and at the substrate side, respectively (Fig.3 (c)).例文帳に追加

その後、p側金属電極110をウエハ上面へ、n型金属電極111を基板側へ形成する(図3(c))。 - 特許庁

During oversampling, an N-bit digital value of an analog signal is obtained at an N time step in first A/D conversion processing.例文帳に追加

オーバーサンプリングを行う際に、1回目のA/D変換処理では、N回のステップでアナログ信号についてNビットのデジタル値を求める。 - 特許庁

Therefore processing shall be carried out at first in the resolution of M×N, and two images are divided into a rectangle area where M×N does not overlap (S401).例文帳に追加

このため、最初はM×Nの解像度で処理を進めることとし、2つの画像をM×Nの重ならない矩形領域に分割する(S401)。 - 特許庁

On the supposition of isotropic shrinkage of the resin, the coefficient αn of linear expansion is calculated from a specific volume change (Vn-V0) at every time Δt (S36).例文帳に追加

樹脂の等方性収縮を仮定し、時間刻みΔtでの比容積変化(V_n−V_0)から線膨張係数α_nを計算する(S36)。 - 特許庁

An n type semiconductor diamond having more excellent characteristics can be produced by maintaining a substrate temperature at800°C.例文帳に追加

また基板温度を800℃以上に保持することでさらに特性の良好なn型半導体ダイヤモンドの製造が可能になる。 - 特許庁

The N-type diffusion layer 5 is formed into an annular shape so as to surround the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加

N型拡散層5は、N型拡散層3で囲まれた位置のP型半導体基板1の周囲を取り囲んで環状に形成されている。 - 特許庁

The database for search comprises a series of buckets obtained by dividing the section (x(1) to x(n)) of the set of real numbers into m buckets without any space and at equal intervals.例文帳に追加

探索用データベースは、実数群の区間(x[1]〜x[n])をバケットで隙間無くかつ等間隔でm個に区分したバケット列を有する。 - 特許庁

In the case of the nut N being coated with resin, a spring holding type sensor pin pressed by the nut N is provided at the front face of the conduction sensor.例文帳に追加

ナットNが樹脂コートされている場合には、導通センサの前面にナットNにより押圧されるスプリング保持式のセンサピンを設ける。 - 特許庁

The image data are compressed finally into N bits (for example N=10) at the DPCM compressor 42 using a quantize table TB2.例文帳に追加

DPCM圧縮器42において量子化テーブルTB2を使用して最終的にNビット(例えばN=10)に圧縮される。 - 特許庁

The n-type GaN layer 15 in a hexagonal pyramid shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the opening part of the growth mask.例文帳に追加

成長マスクの開口部におけるn型GaN層12上に六角錐形状のn型GaN層15を選択成長させる。 - 特許庁

The printing machine 1 comprises a single cylinder 11, and an N-fold cylinder 12 rotating one revolution at each N revolutions of the cylinder 11 cooperatively with the cylinder 11.例文帳に追加

印刷装置1は、単胴11と、該単胴11に連動し該単胴11がN回転する毎に1回転するN倍胴12とを備えている。 - 特許庁

A deep n-type well 133 is provided at the bottom surface side of the SRAM-P type well 185 and the SRAM-N type well 189.例文帳に追加

SRAM−P型ウェル185およびSRAM−N型ウェル189よりも底面側には、ディープN型ウェル133が設けられている。 - 特許庁

To accurately remove just one seal from a sheet supporting n by m (n and m are at least 2 or larger integers) number of copyright permission seals to be removable.例文帳に追加

n×m(n,mは、2以上の整数)枚の版権許諾シールを剥離可能に担持したシートから、シールを1枚だけ的確に剥がす。 - 特許庁

The N- diffusion layer 17b does not cover the N+ diffusion layer 17a at a junction part (2), and the N+ diffusion layer 17a is joined to the P+- well 9 at the junction part (2).例文帳に追加

N^-拡散層17bは接合部分 でN^+拡散層17aを覆っておらず、N^+拡散層17aは接合部分 でP^+-ウエル9と接合している。 - 特許庁

When the articles P are present at the waiting positions W(1)-W(n), and the passing number of the articles P at the receiving positions U(1)-U(n) reaches the detected load presence number, a control computer C permits the operations of the branch conveyors L(1)-L(n).例文帳に追加

待機位置W(1)〜W(n)に物品Pがあり、且つ受け取り位置U(1)〜U(n)における物品Pの通過回数が検出された在荷数に達すると、制御コンピュータCは、支流コンベアL(1)〜L(n)の稼動を許容する。 - 特許庁

In an administration program, a counting unit 1b obtains a value Xi (where i is an integer of 1≤i≤N) indicative of the number of processing requests which the information processing device presently processes at each sampling timing from N-times of sampling timing (N is an integer of 1≤N) obtained from the information processing device at a predetermined time interval.例文帳に追加

計数部1bは、情報処理装置から取得した、所定の時間間隔で得られたN(Nは1≦Nの整数)個のサンプリングタイミングから、各サンプリングタイミング時に情報処理装置が処理中の処理要求の数を示す値Xi(iは1≦i≦Nの整数)を得る。 - 特許庁

A silicone-containing benzoxazine compound is expressed by general formula [1] (wherein R is a 2-6C divalent hydrocarbon group, and n is an integer of 0-3, and/or an integer of at least 4), and the silicone-containing benzoxazine composition comprises a compound [II] which contains at least two N-phenyl substituted benzoxazine groups.例文帳に追加

一般式(ここで、Rは炭素数2〜6の2価炭化水素基であり、nは0〜3の整数および/または4以上の整数である)で表わされるシリコン含有ベンゾオキサジン化合物およびN-フェニル置換ベンゾオキサジン基を2個以上とする化合物〔II〕を含有してなるシリコン含有ベンゾオキサジン組成物。 - 特許庁

In this case, the trench 27 comes into contact with the P- and N-type base regions 31, and 32 while crossing over from an end section 32a at a side close to an N-type drain region 33 of the N-type source region 32 to an end section 32b at a side apart from the N-type drain region 33.例文帳に追加

このとき、トレンチ27が、N型ソース領域32のN型ドレイン領域33に近い側の端部32aから、N型ドレイン領域33から離れた側の端部32bまで横切る状態で、P型ベース領域31及びN型ソース領域32と接する構造とする。 - 特許庁

The number of revolution N' is obtained by assuming a quadric curve S passing the origin and a point P, finding a flow rate Q1' of a point P1' crossing a characteristic curve of the pump when the quadric curve S is at a number of revolution N, and multiplying N by a ratio of the flow rate (Q1/Q1').例文帳に追加

回転数N′は、原点と点Pを通る二次曲線Sを想定し、曲線Sが回転数Nの時のポンプの特性曲線と交わる点P_1′の流量Q_1′を求め、Nに流量の比(Q_1/Q_1´)を乗じて求める。 - 特許庁

To prevent decomposition of a refrigerant due to high temperature at a compressor in a refrigeration device using a refrigerant comprising a compound represented by a molecular formula C_3H_mF_n (m=1 to 5, n=1 to 5, and m+n=6).例文帳に追加

分子式がC_3H_mF_n(但し、m=1〜5,n=1〜5且つm+n=6)で表される化合物から成る冷媒を用いる冷凍装置において、圧縮機(10)が高温になることに起因して冷媒が分解してしまうのを防止する。 - 特許庁

When simultaneously transmitting video data N and voice data n, transmission data are generated and transmitted where, with the voice data n being duplicated, the voice data n of the same contents are disposed at positions away from each other for at least a prescribed time (for example, Δt).例文帳に追加

映像データNと音声データnとを同時伝送する際に、音声データnを複製して、同一内容の音声データnが時間的に所定時間以上(例えば、Δt)離れた位置に配置した伝送データを生成し、これを送信する。 - 特許庁

The controller 30 of the optical disk device performs OPC, sets initial recording power Po, also detects a reflected light quantity Bo at the time, and adjusts recording power P for the reflection light quantity B at the time of recording data so as to be Bo/Po^n=B/P^n.例文帳に追加

光ディスク装置のコントローラ30は、OPCを実行して初期記録パワーPoを設定するとともにそのときの反射光量Boを検出し、データ記録時の反射光量Bに対して、Bo/Po^n=B/P^nとなるように記録パワーPを調整する。 - 特許庁

For the same signal, data for an upper N-M bit portion are obtained by an AD conversion process at N-M bit accuracy in first processing, and data for a lower M bit portion are obtained by AD conversion processing at N bit accuracy as for 1 LSB portion at N-M bit accuracy that cannot be decomposed by resolution at the first N-M bit accuracy in second processing.例文帳に追加

同一信号について、1回目はN−Mビット精度でのAD変換処理により上位N−Mビット分のデータを取得し、2回目は1回目のN−Mビット精度の分解能では分解できていないN−Mビット精度での1LSB分についてNビット精度のAD変換処理により下位Mビット分のデータを取得する。 - 特許庁

A predistortion compensation section 16 generates a predistortion signal y(n) obtained by imparting predistortion to an input signal x(n) based on a first polynomial being a polynomial of input signals x(n-k) at a plurality of times.例文帳に追加

前置歪補償部16は、複数時刻における入力信号x(n−k)の多項式である第1の多項式に基づいて、入力信号x(n)に前置歪を与えた前置歪信号y(n)を生成する。 - 特許庁

For example, when the frame n is cut out as a still image A, the frame n at the moment when the still image A is cut out is embedded with a chapter and the frame n is cut out as the still image A.例文帳に追加

例えば、フレームnが静止画像Aとして切り出される場合、静止画像Aが切り出される瞬間のフレームnには、チャプタが埋め込まれ、フレームnが静止画像Aとして切り出される。 - 特許庁

例文

A transmitter side writes data, starting in the order of a hooter (N), an N-th data body, and a header (N) to a memory to update a data frame comprising the hooter, the data body and the header at irregular interval.例文帳に追加

送信側においては、フッタ(N)、N番目データ本体、ヘッダ(N)の順でメモリに書き込むことによってフッタ、データ本体、およびヘッダからなるデータフレームを不定期に更新する。 - 特許庁

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