「n at a」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To stably obtain N-(3,3-dimethylbutyl)-APM {methyl ester of N-[N-(3,3- dimethylbutyl)-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine} crystal excellent in stability at a low cost.例文帳に追加

安定性に優れたＮ−（３，３−ジメチルブチル）− ＡＰＭ結晶を低コストで且つ安定的に得る。 - 特許庁

When the HDMI key of a remote controller is depressed (YES at #2), n is incremented by 1 (n=n+1) (#3).例文帳に追加

そして、リモコン装置のＨＤＭＩキーが押下されると（＃２においてＹＥＳ）、ｎを１インクリメント（ｎ＝ｎ＋１）する（＃３）。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁

On the basis of ionic strength expressed by a peak to the mass-to-charge ratio of ions in results of MS^n, mass spectrometry at the n-th stage, control contents of the next analysis of MS^n are determined for every ion to be analyzed.例文帳に追加

ｎ段階目の質量分析であるＭＳ^n結果で、イオンの質量対電荷比に対するピークで表されたイオン強度に基づき、ＭＳ^nの次の分析の制御内容を分析対象イオン毎に判定するデータ処理する。 - 特許庁

An optical demultiplexer section 110 demultiplexes an optical signal outputted from a light source 100 into n-sets of signals, which receive intensity modulation at 1st n-th intensity modulation sections 210-1 to n on the basis of 1st to n-th input signals 1 to n.例文帳に追加

光源１００から出力された光信号は、光分岐部１１０でｎ分岐された後、第１〜第ｎの強度変調部２１０−１〜ｎにおいて、第１〜第ｎの入力信号１−ｎに基づき強度変調される。 - 特許庁

The first evaluated value when a focusing lens exists at P(n) is a(n), and the second evaluated value b(n) shows a value ahead of it (a(n) at a future lens position).例文帳に追加

合焦レンズがＰ（ｎ）にあるときの第一の評価値はａ（ｎ）であるが、第二の評価値ｂ（ｎ）は、それよりも先の値（将来のレンズ位置におけるａ（ｎ））を示す。 - 特許庁

The ink composition for an oil-based ballpoint pen contains at least a colorant, a solvent, and N,N-dimethylformamide in order to achieve good writing feeling and control of abrasion at a ball seat.例文帳に追加

本発明は、書き味が良好であり、かつ、ボール座の摩耗抑制することを解決するために、少なくとも、着色剤と、溶剤と、 N、N−ジメチルホルムアミドを含有することを特徴とする油性ボールペン用インキ組成物を特徴とする。 - 特許庁

The novel ionic compound with a low melting point comprises an onium type cation having at least a heteroatom such as N, O, S and P bearing a positive charge and an anion including, wholly or partially, at least an ion imidide such as (FX^1O)N^-(OX^2F) (wherein X^1 and X^2 are identical or different and comprise SO or PF).例文帳に追加

本発明は、オニウム系陽イオンが正電荷をもつN、O、S又はPのようなヘテロ原子の少なくとも1種を有し、陰イオンが全部又は一部に式(FX^1O)N^-(OX^2F)(式中、X^1及びX^2は同じか又は異なり、SO又はPFである。 - 特許庁

The separation matrix calculating means 4 revises the value of the separation matrix W(n) in a memory at the present time by ΔW(n) by using a digital signal at the present time sent from the A/D converter 3.例文帳に追加

分離マトリクス計算手段４は、Ａ／Ｄ変換器３から送られる現在時点のデジタル信号を用いてメモリにある現在時点の分離マトリクスＷ(n) をΔＷ(n) だけ修正してメモリの値を更新する。 - 特許庁

To provide a method for safely producing an N,N,N',N'-tetrakis(N,N-substituted aminoaryl)diaminoaromatic compound in high efficiency even in the case of a large-scale production by exclusively using a raw material and a reaction agent which are easily handleable in commercial processes and available at a low cost.例文帳に追加

本願は、工業的に取り扱いが容易で、かつ安価に入手可能な原料、反応剤のみを用いて、大規模でも安全かつ効率よく製造することが可能なＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−置換アミノアリール）ジアミノ芳香族化合物の製造方法を見出すことを課題とする。 - 特許庁

A monomer which emits light in a visible region upon excitation is represented by formula: M^n+(L)^n-(CL)_x, wherein n+ represents a valency of M, and (L) represents anion ligands having a total n- valent of 1 or 2 or more and at least one of the ligands has formula: Ch-X-Y.例文帳に追加

励起によって可視領域で発光する、次の一般式で表されるモノマーであって、(化１)Ｍ^n+（Ｌ）^n-（ＣＬ）_x、ｎ+は、Ｍの価数を表し、（Ｌ）は、１又は２以上の総計ｎ−価を有するアニオンリガンドを表し、前記リガンドの少なくとも１つは次の式を有する。 - 特許庁

At less than the measured critical current Ic_all, a constant-magnitude DC I_n is decided, the DC I_n is made to flow into the superconducting cable 1 for a certain period of time, and a temperature distribution T_n in a longitudinal direction of the current-conducting cable 1 is measured by the optical fiber 3o.例文帳に追加

測定した臨界電流Ic_all以下で、一定の大きさの直流電流I_nを決定し、直流電流I_nを超電導ケーブル1に一定時間流すと共に、この通電中のケーブル1の長手方向の温度分布T_nを光ファイバ3oにより測定する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises at least one n/p or p/n first junction adjoining a first terminal and at least one another p/n or n/p second junction adjoining a second terminal.例文帳に追加

この半導体装置は、第一の端子に隣接した少なくとも一つのｎ／ｐまたはｐ／ｎの第一接合と、第二端子に隣接した少なくとも一つのもう一方のｐ／ｎまたはｎ／ｐの第二接合を含む。 - 特許庁

In the phthalocyanine pigment, 4≥m+n≥0.05, 1≥m/(m+n)≥0.5, and 0.3≥n≥0, wherein m is a number of halogen substituents at α-position, and n is a number of halogen substituents at β-position.例文帳に追加

また、α位に優先的にハロゲンが置換したフタロシアニンが、α位のハロゲン置換基数をｍ、β位のハロゲン置換基数をｎとしたときに、４＞＝ｍ＋ｎ＞＝０．０５、１＞＝ｍ／（ｍ＋ｎ）＞＝０．５および０．３＞＝ｎ＞＝０である上記フタロシアニン顔料。 - 特許庁

A main scanning synchronizing signal HSYNC is generated at every belt position of a transfer belt 20 by an image control signal generating part 40 based on the positional fluctuation R(N) at each belt position B(N).例文帳に追加

画像制御信号生成部４０は、転写ベルト２０の各ベルト位置ごとに、各ベルト位置Ｂ(N)における位置変動量Ｒ(N)に基づき主走査同期信号ＨＳＹＮＣを生成する。 - 特許庁

At the time of forming an n--type drift area 1c and a p-type base region 2 and an n+-type source region 3, an n--type well layer 11 and a p-type base region 12 and an n+-type region 13 are also formed at the time same.例文帳に追加

ｎ^-型ドリフト領域１ｃ、ｐ型ベース領域２、及びｎ^+型ソース領域３の形成時に、ｎ^-型ウェル層１１、ｐ型ベース領域１２、及びｎ^+型領域１３も同時に形成する。 - 特許庁

A difference between refractive indexes n_h and n_l(n_h>n_l) at a central wavelength λ for first and second polarized light which enter the optical element and whose polarization directions are different from each other is at least 0.1.例文帳に追加

該光学素子に入射する、偏光方向が互いに異なる第１の偏光及び第２の偏光に対する中心波長λでの第１の層の屈折率ｎ_ｈ，ｎ_ｌ（ｎ_ｈ＞ｎ_ｌ）の差は０.１以上である。 - 特許庁

A layer structure which has a refractive index elliptical body and wherein relation of n_x>n_y=n_z is satisfied between principal refractive indices n_x, n_y and n_z in directions of axes x, y and z orthogonal to each other is provided between at least one of the pair of polarizing plates and the liquid crystal cell.例文帳に追加

一対の偏光板の少なくとも一方と液晶セルとの間には、屈折率楕円体を有し、互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸の方向の主屈折率ｎ_ｘ、ｎ_ｙおよびｎ_ｚの間に、ｎ_ｘ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｚの関係が成立する層構造が設けられている。 - 特許庁

The pitch between the magnetic centers of the (n) pieces of N poles of the rotor and the pitch between the magnetic centers of the (n) pieces of S poles are formed at two or more different pitches to be larger than 270°/n and lower than 450°/n, not a uniform pitch of 360°/n.例文帳に追加

ロータのｎ個のＮ極の磁極の磁気中心間のピッチ及びｎ個のＳ極の磁極の磁気中心間のピッチを３６０°／ｎの一定ピッチではなく２７０°／ｎより大きく４５０°／ｎより小さい２種類以上の異なる値のピッチとする。 - 特許庁

The logarithmic exposure quantities PDX [i] corresponding to a plurality of objective densities TD [i] are respectively estimated on the basis of the density measured values D [n] of respective patches of a test chart and logarithmic exposure quantities PD [n] at a time of patch exposure recording [see (A)].例文帳に追加

テストチャートの各パッチの濃度測定値Ｄ[n],パッチ露光記録時の対数露光量ＰＤ[n] に基づき、複数の目標濃度ＴＤ[i] に対応する対数露光量ＰＤＸ[i] を各々推定する((A)参照）。 - 特許庁

When n is defined as 1≤n≤2 and a, b, and k are defined as constant numbers, then the distance t is a function of the magnification ratio m: a×(1/m-k)^n+b, and the constant numbers a, b, and k are determined at the limit point of the zoom-in and zoom-out.例文帳に追加

また、１≦ｎ≦２として、ａ、ｂ、ｋを定数として、距離ｔは、ａ×（１／ｍ−ｋ）^n＋ｂとなる倍率ｍの関数とし、ズームイン、ズームアウトの限界点で定数a、ｂ、ｋを決める。 - 特許庁

To achieve one-to-n communication at a low cost even if a distance between a station side terminal device and a subscriber side terminal device exceeds 20 km in one-to-n communication through a present PON (passive optical network).例文帳に追加

現状のPONを介しての1対n通信において、局側終端装置と加入者側終端装置との距離が20 km以上となっても、低コストで1対n通信が実現可能である。 - 特許庁

Preferably, the heat conductive mold has a compressive strength of 10-30 N/cm^2 at a peak value and 3-10 N/cm^2 at a stabilized value.例文帳に追加

好ましくは、熱伝導性成形体は、圧縮強度がピーク値で１０〜３０Ｎ／ｃｍ^2、安定値で３〜１０Ｎ／ｃｍ^2である。 - 特許庁

The picture decoding method including decoding the quantized DCT coefficient, inverse quantizing of the decoded quantized DCT coefficient and the N×N two-dimensional inverse DCT uses an inverse quantizing-inverse DCT method, such that the output of an inverse quantizing process takes a DCT coefficient multiplied by N, and rules are defined for restoring a DCT coefficient at a specified accuracy from the DCT coefficient multiplied by N in the reserve DCT process.例文帳に追加

また、量子化DCT係数の復号と、復号量子化DCT係数の逆量子化と、N×Nの２次元逆DCTとを含む画像復号方法において、逆量子化処理の出力がN倍のDCT係数であり、逆DCT処理にてN倍のDCT係数を規定精度のDCT係数に復元する規則が定義されていることを特徴とする逆量子化・逆DCT方法を用いる。 - 特許庁

To form an N type region in a semiconductor substrate at a deeper position thereof.例文帳に追加

半導体基板中のより深い位置にＮ型領域を形成する。 - 特許庁

To obtain a magnetic recording medium large in S/N at a low production cost.例文帳に追加

Ｓ／Ｎが大きく、製造コストが安価な磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A first diffusion region 128 which forms a P+/N diode and a second diffusion region 130 which forms an N+/P diode are insulated by an STI 112a at a semiconductor substrate 100a.例文帳に追加

P+/Nダイオードを構成する第１拡散領域128とN+/Pダイオードを構成する第２拡散領域130が半導体基板100a部分でSTI112aにより絶縁された構造とする。 - 特許庁

To provide a method of simply and efficiently recovering an N-oxyl compound at a low cost from waste water after the oxidation treatment of a cellulose-based raw material containing inorganic salts, a water soluble organic substance, the N-oxyl compound and the like.例文帳に追加

無機塩類、水溶性有機物、及びN−オキシル化合物などを含有するセルロース系原料の酸化処理後の排水から、N−オキシル化合物を低コストで簡便に効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

A concrete example of the tetramine compound is a reaction product of N,N'-diphenyl-1,2-diphenylenediamine with 4-bromo-N,N-diphenylaniline at a molar ratio of 1/2.例文帳に追加

テトラアミン化合物としては、具体的には、例えばＮ，Ｎ’−ジフェル−１，２−フェニレンジアミンと、４−ブロモ−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリンのモル比１／２の反応生成物が例示される。 - 特許庁

Constant current of a predetermined magnitude is made to flow to a pixel P_0, constant currents of different magnitudes are made to flow to pixel P_1-pixel P_n, and the pixel P_0-pixel P_n emit light at a luminance according to the magnitudes of the constant currents.例文帳に追加

画素Ｐ_0に所定の大きさの定電流が流され、画素Ｐ_1〜画素Ｐ_nに互いに異なる大きさの定電流が流され、その定電流の大きさに応じた輝度で画素Ｐ_0〜画素Ｐ_nが発光する。 - 特許庁

In the optical waveguide circuit, a semiconductor layer 104 is formed, at least in the part of the front surface of the projection part 102 of the substrate 100, having the projection part 102 to form a p-n or p-i-n structure of functioning as a photodetector, etc.例文帳に追加

光導波路回路において、突起部102を有する基板100の突起部102の表面の少なくとも一部に、受光素子などとして機能するp-nないしはp-i-n構造を形成する様に半導体層104が形成されている。 - 特許庁

In the flower display 30, for the portion of the exercise duration (N pieces), respective color ball notation parts 32 are displayed at the top end positions of display lines 31 corresponding to an N value in a size corresponding to a DIST(N) value and in a color corresponding to an Hbp(N) value.例文帳に追加

フラワ表示３０においては、運動継続時間分（Ｎ個）だけ、各色玉表記部３２が、Ｎ値に対応する表示ライン３１の先端位置に、ＤＩＳＴ（Ｎ）値に応じたサイズで、Ｈｂｐ（Ｎ）値に応じた色で、表示される。 - 特許庁

For example, supposing that the AC input current power required for one rectifier at rated output is A, the upper limit value is set to A×N+α, and the lower limit value is set to A×N×N/(N+1)+β.例文帳に追加

たとえば、定格出力時に１台の整流器に必要な交流入力電流電力をＡとすると、上限値はＡ×Ｎ＋αに、下限値はＡ×Ｎ×Ｎ／（Ｎ＋１）＋βにする。 - 特許庁

A control variable (n) is set at 1 (S2) to acquire a magnetic field measured value at the n-th location on the object to be measured (S3).例文帳に追加

制御変数ｎを１に設定し（Ｓ２）、被測定物上の第ｎ位置における磁界測定値を入手する（Ｓ３）。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and prediction currents ide(n+2) and idq(n+2) are computed assuming that the number of phases in changing over the switching state from a voltage vector V(n) at this time is "1" or less for the voltage vector V(n+1) at the next time in step S14.例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を、今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）からのスイッチング状態の切り替えられる相数が「１」以下のものとして、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

Vertical lines at left and right ends of a rectangular region including an n-th region detected by a face region detector 304 are defined as tile boundary candidate vertical lines Lh(n) and Lm(n), and horizontal lines at upper and lower ends of the rectangular region of interest are defined as tile boundary candidate horizontal lines Lu(n) and Ls(n).例文帳に追加

顔領域検出部３０４が検出した第ｎ番目の領域を包含する矩形領域の左端と右端の垂直線分をタイル境界候補の垂直線分Ｌｈ（ｎ），Ｌｍ（ｎ）、前記着目矩形領域の上端と下端の水平線分をタイル境界候補の水平線分Ｌｕ（ｎ），Ｌｓ（ｎ）と定義する。 - 特許庁

This monomer composition comprises at least one ethylenic unsaturated monomer and a combination of N,N-diethylhydroxylamine with N-nitroso-N-phenylhydroxylamine in a stabilizing amount.例文帳に追加

少なくとも１つのエチレン系不飽和モノマーおよびＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとＮ−ニトロソ−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンとの組合せ物の安定作用する量を有する安定化されたモノマー組成物。 - 特許庁

A compound material of Al and N functioning as an n-dopant is formed by increasing Al concentration in a ZnS crystal than N concentration and alternately disposing Al and N at first closest lattice points.例文帳に追加

ＺｎＳ結晶中のＡｌ濃度をＮ濃度よりも高くし、ＡｌとＮが互いに第１近接格子点位置に配置されることで、ｎ型ドーパントとして機能するＡｌとＮの複合体を形成する。 - 特許庁

In the method, predicted contact forces f_1,..., f_m, at m spots on a pantograph head 12 are found, based on the outputs a_1,..., a_n of n pieces of sensors (accelerometers) 11, corresponding to the n-nary mode of vibration of the head 12.例文帳に追加

本発明は、舟体１２のｎ次の振動モードに対応したｎ個のセンサ（加速度計）１１の出力ａ_1、…、ａ_nに基づき、舟体１２上のｍ箇所における推定接触力ｆ_1、…、ｆ_mを求める。 - 特許庁

Thus, a voltage corresponding to the value (n) is generated at the node N1.例文帳に追加

これにより、ノードＮ１には値ｎに対応する電圧が生成される。 - 特許庁

To improve the quality (S/N) of a signal to be processed at low costs.例文帳に追加

低コストで信号処理の対象となる信号の品位（Ｓ／Ｎ）を改善する。 - 特許庁

Remainder of L÷N is calculated as a correction amount at the engine section (S207).例文帳に追加

Ｌ÷Ｎの余りをエンジン部での補正量として算出する（Ｓ２０７）。 - 特許庁

When the value of the digital signal is changed to (m), the voltage at the node N1 is increased just for m-n and a voltage at the node N2 is lowered just for m-n.例文帳に追加

ディジタル信号の値がｍに変わると、ノードＮ１の電圧はｍ−ｎだけ上昇し、ノードＮ２の電圧はｍ−ｎだけ低下する。 - 特許庁

/N/ started to be represented as "n" and it turns into a uvular nasal at the end of segments but, when followed by plosives, affricate consonants and nasals, is assimilated into their position of articulation. 例文帳に追加

/N/は「ん」「ン」と表記されるようになり、文節末の/N/は口蓋垂鼻音となるが、破裂音、破擦音、鼻音が後続する場合にはその調音位置へ同化する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A second mark of M×m rows and N×n columns is formed on the photosensitive substrate via the reticle, by repeating shot exposure for M×N times for arranging the second mark in m rows and n columns at specified column intervals and row interval.例文帳に追加

また、レチクルを介して、感光基板上に所定の列間隔及び行間隔のｍ行ｎ列に第２マークを配するショット露光をＭ×Ｎ回繰返し、Ｍ×ｍ行Ｎ×ｎ列の第２マークを形成する。 - 特許庁