「n at a」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

On a scanning line side, feed ends of √N number of scanning lines are put together into one feed end to form one block and each block at one end of N scanning lines shares only a single scanning line with √N number of blocks at other ends.例文帳に追加

走査線側も同様に、√Ｎ本の走査線の給電端が１本の給電端にまとめられて１ブロックを形成し、Ｎ本の走査線の一端における各ブロックは、他端における√Ｎ個のブロックと１本の走査線のみを共有する。 - 特許庁

In this shaftless rotary press, other rotary drums 13-18 are rotated at a first rotating speed n after the prescribed work is performed of one rotary drum 12, and the one rotary drum 12 is rotated at a second rotating speed n+k different from the first rotating speed n to synchronize the phases.例文帳に追加

シャフトレス輪転機において、一の回転胴１２について所定の作業を行った後、他の回転胴１３〜１８を第一の回転速度ｎで回転させ、一の回転胴１２を第一の回転速度ｎと異なる第二の回転速度ｎ＋ｋで回転させて、位相を合わせる。 - 特許庁

Voltage variation and voltage variation time of the first voltage variation process 51 are set such that an amount D of meniscus being pulled in at a point in time, when the second voltage variation process 52 is applied satisfies a relation 0.8 l_n≤D≤1.5 l_n (l_n is the length at the straight part of the nozzle).例文帳に追加

第１電圧変化プロセス５１の電圧変化量および電圧変化時間は、第２電圧変化プロセス５２を印加する時点におけるメニスカスの引き込み量Ｄが０．８ ｌ_ｎ≦Ｄ≦１．５ ｌ_ｎの条件を満足するように設定される（ｌ_ｎはノズルのストレート部の長さ）。 - 特許庁

A plurality of p-type semiconductor layers are formed on the second region of the n-type semiconductor layer to form a mesa structure that the corners of at least a pair of diagonal directions are rounded at the inside, and curved inward to form a first basin.例文帳に追加

上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。 - 特許庁

Video coded data of I pictures (intra-coded) from a GOP (group of pictures) at the start of fast-forwarding reproduction, until a GOP #(N-1) being a one-preceding GOP to the final GOP and video coded data of all frames at the final GOP #N are stored in a stream buffer.例文帳に追加

早送り再生が開始されたGOPから最後の１つ前のGOP#(N-1)まではＩピクチャのビデオ符号化データが、最後のGOP#Nは全フレームのビデオ符号化データがストリームバッファに積み込まれる。 - 特許庁

Further, a first LED 31, ..., a n-th LED 3n, ..., and a N-th LED 3N are placed side by side at a position at which the user can easily reference during image reading, and the CPU 100 sequentially lights the LEDs in response to the operating state.例文帳に追加

また、画像読取作業中にユーザが参照し易い位置に第１ＬＥＤ３１，…，第ｎＬＥＤ３ｎ，…，第ＮＬＥＤ３Ｎを並置して備え、ＣＰＵ１００は、前記動作状態に応じて各ＬＥＤを順に発光させる。 - 特許庁

GNDs are arranged at (N-1)-th and (N+1)-th pole numbers which become both ends of a critical signal S302 (high-speed signal, reset signal or the like) set at a N-th pole number in a flat cable array A.例文帳に追加

フラットケーブルＡ列内において、Ｎ番目の極数に配置されるクリティカルな信号Ｓ３０２（高速信号やリセット信号等）の両端となるＮ−１、Ｎ＋１番目の極数には、ＧＮＤを配列させる。 - 特許庁

At the uppermost position, the lowermost position, and the positions of a plurality of n points in between, (n+2) pieces of thermocouple temperature sensors are fitted at an interval larger than the thickness of a boundary layer between a hot-water layer and a cold-water layer.例文帳に追加

貯湯槽内の最上部位置と、最下部位置と、その中間の複数ｎ点の位置に温水層と冷水層との境界層の厚さ以上の間隔で（ｎ＋２）個の熱伝対温度センサを取り付ける。 - 特許庁

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁

The data set is transformed to generate a partition table of data points where a column includes the fluorescence at cycle (n) and a second column includes the fluorescence at cycle (n+i).例文帳に追加

データセットは、一つのカラムがサイクル（ｎ）のときの蛍光を含み且つ第二のカラムがサイクル（ｎ+ｉ）のときの蛍光を含むデータ点のパーティションテーブルを生成するように変換される。 - 特許庁

An N-type transistor constituting the operational amplifier OP1 is formed at a first P-type well PWL1, and a P-type transistor is formed at a first N-type well NWL1.例文帳に追加

演算増幅器ＯＰ１を構成するＮ型トランジスタは第１のＰ型ウェルＰＷＬ１に形成され、Ｐ型トランジスタは第１のＮ型ウェルＮＷＬ１に形成される。 - 特許庁

A magnetic film is provided at the wire 20 and a magnetic scale is formed at this magnetic film by varying a polarity in such an order as N, S, S, N by each prescribed pitch interval.例文帳に追加

ガイドワイヤ２０には磁性体膜２３が設けられ、この磁性体膜２３には所定ピッチ間隔毎にＮ，Ｓ，Ｓ，Ｎといった順に極性を変えることにより磁気スケールを形成している。 - 特許庁

Each stage n consists of output of a node D and is connected to output at a stage n-1, output at a stage n+1, and first and second clock signals (ψ1, ψ2).例文帳に追加

各段ｎは、ノードＤの出力より成り、段ｎ−１の出力と、段ｎ＋１の出力と、第１及び第２のクロック信号（φ１，φ２）とに接続されている。 - 特許庁

A correction signal generating section 5 averages digital reference signal values at e.g. times [n-1] and [n+1] to obtain a corrected value of the digital reference signal at a time (n).例文帳に追加

補正信号作成部５は，たとえば時刻〔ｎ−１〕と時刻〔ｎ＋１〕のディジタル参照信号の値を平均して，時刻ｎのディジタル参照信号の補正された値を求める。 - 特許庁

To reduce the capacity of a FIFO for temporary storage at the time of encoding and decoding, to increase the processing speed, and to eliminate a need of extending a circuit at the time of enlarging compressed multi-level image data n times (n: integer) in the subscanning direction.例文帳に追加

符号化復号化する際に一次記憶するＦＩＦＯの容量を削減し、かつ処理速度を向上させ、さらに圧縮された多値画像データを副走査方向に整数倍拡大する際にも回路を増設しないですむ。 - 特許庁

When a power source voltage VCC is equal to or higher than a voltage VI_/O at an end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the power source voltage VCC.例文帳に追加

電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/O以上の場合に、トランジスタＭ1のNウエルの電圧が電源電圧Vccにクランプされる。 - 特許庁

The obtained index is utilized to calculate a correction value for correcting the positional attitude measurement value (S207), and the correction value is used together with correction values obtained at n past times, to calculate a correction value at a present time (S209).例文帳に追加

得られた指標を利用して位置姿勢計測値を補正する補正値を計算し（Ｓ２０７）、過去n時刻分の補正値と合わせて現時刻の補正値を計算する（Ｓ２０９）。 - 特許庁

With such a structure, at reverse bias, the contact part of the n- type layer 2 with the Al film 5 in a mesa part is pinched off by a depletion layer which extends to the n- type epitaxial layer 2, and at reverse bias, the potential barrier in the mesa part is made higher.例文帳に追加

このような構成にて、逆バイアス時にはｎ^- 型エピ層２に延びる空乏層によってメサ部分のｎ^- 型層２とＡｌ膜５との接触部をピンチオフし、逆バイアス時にはメサ部分の電位障壁を高くする。 - 特許庁

A mouse is immunized against a peptide as an antigen having a domain containing 16 amino acid residues at the N-terminal side of a Vpr protein and an amino acid sequence substantially equal to a sequence of 14 amino acid residues at the C-terminal side to give a monoclonal antibody having specificity and high affinity to the N terminal or the C-terminal of a Vpr protein.例文帳に追加

Vpr蛋白質のN末端側１６アミノ酸残基を含む領域及びC末端側14アミノ酸残基の配列と実質的に同一なアミノ酸配列を有するペプチドを抗原として用いて免疫することにより、Vpr蛋白質のN末端またはC末端に対して特異的かつ高親和性のモノクローナル抗体を得、本発明を完成させた。 - 特許庁

After passing a teaching point PN, when an emergency stop button is pressed at a position PE, the robot stops at a position PS deviated from a predetermined teaching path.例文帳に追加

教示点Ｐ_N通過後、位置Ｐ_Eで非常停止ボタンを押すと、所定の教示経路から外れた位置Ｐ_sで停止する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is formed by holding at least one layer containing at least one kind of a tribenzo[b,n,pqr] perylene derivative expressed by the following general formula (1-A) between a pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に、下記一般式（１−Ａ）のトリベンゾ[b,n,pqr]ペリレン誘導体を少なくとも１種含有する層を少なくとも１層挟持してなる有機電界発光素子。 - 特許庁

A p-type base layer 3 is formed at a specified depth under the surface of an epitaxial layer 2, at the center part of the n-type epitaxial layer 2 formed on an n-type semiconductor board 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１上に形成されたｎ型のエピタキシャル層２の中央部には、エピタキシャル層２の表面から一定の深さにかけてｐ型のベース層３が形成されている。 - 特許庁

At least one N-type emitter region 3 and at least one N-type sense region 5 spaced apart from the emitter region 3 are selectively formed on a surface portion of a P-type base region 2.例文帳に追加

Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。 - 特許庁

The A-print timing generating circuit 12 outputs the inversion of a reference positional pulse from the encoder at first during period N of the reference positional pulse and outputs print timing (N-1) times at an interval of 1/N.例文帳に追加

Ａ印刷タイミング発生回路１２は、基準位置パルスの周期N中、１発目はエンコーダからの基準位置パルスの反転を出力し、周期の1/N間隔で（N-1）回の印刷タイミングを出力する。 - 特許庁

On the basis of the calculated result, at least one of the activity cycle Tact or Tcyc of the muscles and the number n of times of the activity cycle of the muscles per unit time is displayed at a display part as a muscle activity state.例文帳に追加

この算出された結果に基づいて、筋肉の活動周期TactまたはTcycと単位時間あたりの筋肉の活動周期の回数nのうち少なくとも一方を表示部に筋肉活動状態として表示させる。 - 特許庁

Cream solder is not continuously supplied to two area A and B, but supplied to the area A when supplied at the N-th time and supplied to the area B when supplied at the (N+1)-th time.例文帳に追加

本実施形態では、２つの領域Ａ及びＢに連続してクリームはんだが供給されるのではなく、Ｎ回目の供給時には領域Ａに供給され、Ｎ＋１回目の供給時には領域Ｂに供給される。 - 特許庁

An n-type buried layer 108 is formed at a part of a boundary between the p-type semiconductor substrate 106 and the n^--epitaxial layer 110 whereat at least the p-type well 114 is superposed when it is seen from the upper surface thereof.例文帳に追加

Ｐ型半導体基体１０６とＮ^−型エピタキシャル層１１０との境界の、上面から見て少なくともＰ型ウェル１１４と重なり合う部分にはＮ型埋め込み層１０８が形成されている。 - 特許庁

Besides, when Vin1 and Vin2 are not equal, the voltage at the node N is varied up wards or down wards, namely, a difference between input voltages appears as a change in the value of the bias voltage at the node N.例文帳に追加

また、Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２が等しくないときは、ノードＮの電圧は上方または下方に変化する、即ち入力電圧間の差はノードＮにおけるバイアス電圧の値の変化として現れる。 - 特許庁

N antenna elements 15 are stood upright on a feeding board 10 at an equal interval and notches 18 of the antenna elements 15 are energized at a phase difference of 360-degrees/N.例文帳に追加

給電基板１０上にＮ個のアンテナ素子１５を等間隔の配置で立設し、各アンテナ素子１５のノッチ１８を３６０°／Ｎの位相差で給電する。 - 特許庁

Provided that S denotes a cutting pitch (mm/times), d denotes the image resolution (dpi) of an exposure light source, N denotes the modulation number, P1 denotes the division number of a pulse width at outputting an image, P2 denotes the pulse width at outputting the image and (n) denotes an integer.例文帳に追加

（但し、式中Ｓは切削ピッチ（ｍｍ／回）、ｄは露光光源の解像度（ｄｐｉ）、Ｎは変調数、Ｐ１は画像出力時のパルス幅の分割数、Ｐ２は画像出力時のパルス幅、ｎは整数である。） - 特許庁

Current I_ne at any given time is estimated from current values I_n-1, I_n sampled at the peak of a PWM carrier wave and the ON time ratio of gate signals of switches SW1, SW4 controlled by a control circuit.例文帳に追加

ＰＷＭ搬送波の頂点でサンプリングした電流値Ｉ_n-1，Ｉ_nと、制御回路で制御するスイッチＳＷ１、ＳＷ４のゲート信号のオン時間割合から任意時刻での電流Ｉ_neを推定する。 - 特許庁

Then, when the current history hys_p at a positive side and the current history hys_n at a negative side are computed, the current Ib is corrected by k(hys_p+hys_n)+Ib.例文帳に追加

そして、正側の電流履歴ｈｙｓ＿ｐおよび負側の電流履歴ｈｙｓ＿ｎが演算されると、電流Ｉｂは、ｋ（ｈｙｓ＿ｐ＋ｈｙｓ＿ｎ）＋Ｉｂによって補正される。 - 特許庁

An imaging device (12) outputs a frame image at a second frame rate which is equivalent to an n-fold first frame rate, while periodically repeating (n) kinds of different photographic conditions at the first frame rate.例文帳に追加

撮像素子（１２）は、ｎ個の異なる撮影条件を第１のフレームレートで周期的に繰り返しながら、第１のフレームレートのｎ倍に相当する第２のフレームレートでフレーム画像を出力する。 - 特許庁

An N electrode 21N and a P electrode 21P of the smoothing capacitor 20 are arranged at locations close to the N terminal 8N and the P terminal 8P at a power module body 99 on the upper surface of the smoothing capacitor 20.例文帳に追加

また、平滑コンデンサ２０のＮ電極２１Ｎ及びＰ電極２１Ｐは、平滑コンデンサ２０の上面上において、パワーモジュール本体部９９のＮ端子８Ｎ及びＰ端子８Ｐにそれぞれ近接する箇所に配設されている。 - 特許庁

The method of producing a N-substituted imidazole compound includes causing a N-unsubstituted imidazole compound and an alkylating agent to react with each other in the presence of a solvent having a boiling point at an atmospheric pressure in a temperature range of ±30°C relative to the boiling point at an atmospheric pressure of the N-unsubstituted imidazole compound, and subsequently distilling the resulting reaction mixture to fractionate the N-substituted imidazole compound.例文帳に追加

Ｎ−無置換イミダゾール系化合物とアルキル化剤とを、常圧での沸点がＮ−無置換イミダゾール系化合物の常圧での沸点に対して±３０℃の温度範囲内である溶媒の存在下で、反応させた後、得られた反応混合物を蒸留することによりＮ−置換イミダゾール系化合物を分留する。 - 特許庁

Covering the N+ diffused layer 23 with the N-type well 2 allows the N-type well 2 to operate as a resistor, so that a current is prevented from concentrating at a part 56 immediately below a contact hole 31 and a field edge 55, when a bipolar operation current 7 caused by a parasitic bipolar transistor is pulled out.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆うことにより、Ｎ型ウェル２が抵抗として動作するため、寄生バイポーラトランジスタによるバイポーラ動作電流７を引き抜く時のコンタクトホール３１の直下５６やフィールドエッジ５５に電流が集中するのを防止することができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus arranged to acquire an image of high S/N by reading all pixel signals at a fixed exposure at a high speed.例文帳に追加

全画素信号を一定の露光時間で高速に読み出し、Ｓ／Ｎの高い画像を取得できるようにした固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A high concentration layer 12b having n-type impurities at a concentration higher than that in other regions is provided at a part of the first SiC layer 12.例文帳に追加

第１ＳｉＣ層１２のうちの一部に他の領域よりも高い濃度のｎ型不純物を有する高濃度層１２ｂが設けられている。 - 特許庁

A card carrying part 220 arranges (n) pieces of IC cards at a time at a position that is irradiated with electromagnetic waves by the part 150.例文帳に追加

カード運搬部２２０は、共通情報記録部１５０が電磁波を照射する位置に、ＩＣカードをｎ枚ずつ配置する。 - 特許庁

A high concentration channel injection region 42 containing the N-type impurity at a higher concentration than the substrate 36 is provided at a center of the gate region 40.例文帳に追加

ゲート領域４０の中央に、基板３６に比して高い濃度でＮ型不純物を含む高濃度チャネル注入領域４２を設ける。 - 特許庁

A spindle 73 rotates a tool 74 for performing cutting to hemispherical shapes at the tip part and having N pieces of cutting teeth, at a rotating speed S (rpm).例文帳に追加

主軸７３は、その先端部において略半球状に切削する工具７４であって、刃数Ｎの工具７４を、回転速度Ｓ（rpm）で回転させる。 - 特許庁

When a start button is pressed at this point, first, the robot moves at a low speed VL lower than a teaching speed Vt until it reaches the next teaching point PN+1.例文帳に追加

ここでスタートボタンを押すと、まずつぎの教示点Ｐ_N+1に達するまで、教示速度Ｖ_tよりも低い低速度Ｖ_Lで移動する。 - 特許庁

The N-InP buffer layer 2 is grown at a growth temperature of 600 to 700°C and at a growth rate of 1 to 3 μm, where a V/III ratio is set to 150 to 250.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２の成長温度は，６００〜７００℃，成長速度は，１〜３μｍとされ，Ｖ／III比は，１５０〜２５０とされている。 - 特許庁

To provide a microorganism-controlling agent containing ≥1 and <10 wt.% N, N'-hexamethylenebis(4-carbamoyl-1-decylpyridinium bromide), while being excellent in storing stability at a low temperature, also excellent in decomposition stability at a high temperature, and a method for stabilizing the N, N'-hexamethylenebis(4-carbamoyl-1-decylpyridinium bromide).例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムブロマイド）１重量％以上１０重量％未満を含有する微生物防除剤において、低温における貯蔵安定性に優れながら、高温における分解安定性にも優れる微生物防除剤、および、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（４−カルバモイル−１−デシルピリジニウムブロマイド）の安定化方法を提供すること。 - 特許庁

The process for predictable coloring of the keratinous fibers, in particular of human keratinous fibers such as the hair is carried out by application to the fibers of a composition comprising at least one oxidation base derived from diamino-N,N-dihydropyrazolone and at least one specific coupler mixed with a "fundamental" composition and/or a "golden fundamental" composition and/or a "golden" composition.例文帳に追加

本発明の主題は、「ファンダメンタル」組成物および/または「ゴールデン系ファンダメンタル」組成物および/または「ゴールデン系」組成物と混合された、ジアミノ-N,N-ジヒドロピラゾロンから誘導された少なくとも1種の酸化ベースおよび少なくとも1種の特定のカプラーを含む組成物を前記繊維に適用することによる、ケラチン繊維、特に、毛髪などのヒトケラチン繊維の予測可能な着色方法である。 - 特許庁