1016万例文収録!

「n at a」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

n at aの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4742



例文

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

On the other hand, a sine code operation section 176 applies an operation to the same S(tn) to bring the I(tn) into the vibration term and an LPF 194 outputs the Q(tn) at the same phase with that of the I(tn).例文帳に追加

一方、正弦符号操作部176では同じS(t_n)に対してI(t_n)に関する項を振動項とする操作が行われ、LPF194からはI(t_n)と同時相のQ(t_n)が出力される。 - 特許庁

The DC motor is equipped with an iron core which has n (n≥5) pieces of slots at the periphery and n pieces of coils which are made by winding lead wires in a pair of slots out of n pieces of slots.例文帳に追加

直流モータは、外周面にn(n≧5)個のスロットを持つ鉄心と、n個のスロットのうち一対のスロットに導線が巻回されて形成されたn個のコイルと、を備えている。 - 特許庁

An input signal processing unit 1 sets a voltage of an input signal of a signal voltage Vin at an initial value, subtracts 1/2^n of an input range V_R from the n-th (n is a positive integer) signal voltage based on a comparison result output from a comparator 3, and outputs the (n+1)th signal voltage.例文帳に追加

入力信号処理部1は、入力信号Vinの電圧を信号電圧の初期値とし、n回目(n:正の整数)に出力した信号電圧から、比較器3の比較結果に基づいて1/2^nの入力レンジV_Rを減算し、n+1回目の信号電圧を出力する。 - 特許庁

例文

The read address moves each section, partitioned at the detected period points repeatedly, by N fold in the forward direction at a speed (N represents frequency conversion rate) at the N times of a write.例文帳に追加

読み出しアドレスは、書き込みのN倍の速度(Nは周波数変換率)で、検出された周期点で区切られる各区間を順方向にN回繰返しながら移動する。 - 特許庁


例文

Linear interpolation is performed between the acquired data A(T_m) and A(T_m-1) to calculate chromatogram data A'(t_n) at every time Δt(step S5).例文帳に追加

得られたデータA(T_m), A(T_m-1)の間を線形補間することにより、時間Δt毎のクロマトグラムデータA'(t_n)を算出する(ステップS5)。 - 特許庁

When a sub digital signal of N bits is outputted in at least one of the stages in the pipelined A/D converter, the stage gain of a transfer function is 2^N-K-1, the number of returns is 2^N-2 and an integer K satisfies a relation of 1≤K≤N.例文帳に追加

そして、本発明の1つの実施形態に係るパイプライン型A/Dコンバータは、複数のステージのうち少なくとも1つのステージは、Nビットの副デジタル信号を出力する場合に、伝導関数のステージゲインが2^N-K-1で、且つ折返し数が2^N−2となり、整数Kが1≦K≦Nの関係を有している。 - 特許庁

To reduce the received amplitude fluctuation of N subcarrier components at a receiving side by transmitting N subcarrier components obtained by multiplying the spreading code of a spreading factor N by symbol data with a subcarrier having equivalent propagation environments (received power, received amplitude).例文帳に追加

拡散率Nの拡散符号をシンボルデータに乗算して得られたN個のサブキャリア成分を、伝播環境(受信電力、受信振幅)が同等のサブキャリアで送信することにより、受信側における該N個のサブキャリア成分の受信振幅変動を小さくする。 - 特許庁

The transmitter 10 generates a power revision command signal PC(n) on the basis of the difference signal RC(n) received via a reverse channel 32 and of at least another signal (s) generated in itself, integrates the power revision command signal PC(n) to obtain a transmission power command signal T(n) and converts it into an actual power t(n).例文帳に追加

逆方向チャンネル32を介して受信した差信号RC(n)と、送信器10で発生された少なくとも一つの他の信号sとに基づいて、パワー変更指令信号PC(n)を発生し、それを積分して送信パワー指令信号T(n)を得て、それを実際のパワーt(n)に変換する。 - 特許庁

例文

The method comprises forming an n^--type layer for forming a channel layer 6 in trenches 5, forming an n^+-type layer containing an n^--type impurity at a high concentration on the n^--type layer, and thermo-oxidating the n^+-type layer to form an oxide film 8 forming a gate oxide film.例文帳に追加

トレンチ5内にチャネル層6を構成するためのN−型層を形成したのち、このN−型層の上にN型不純物を高度度で含むN+型層を成膜し、このN+型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜8を形成する。 - 特許庁

例文

When a purchaser N_k performs an operation for purchasing at least one software, from terminals devices 31 and 32 to a server 10, the server 10 sells at least one software selected at random from a plurality of softwares stored in a first memory 11, to the purchaser N_k.例文帳に追加

購入者N_kが端末装置31,32からサーバ10へ少なくとも1つのソフトウェアの購入操作を行うと、サーバ10は第1メモリ11に記憶された複数のソフトウェアからランダムに選択された少なくとも1つのソフトウェアを購入者N_kに販売する。 - 特許庁

This reactor for decomposing/detoxifying the chemical substance containing one or more of N,N-dimethylformamide, acrylonitrile and acetonitrile is characterized in that such a positive temperature gradient is kept in a catalytic reaction layer that the temperature at an outlet of a catalyst layer is higher than that at an inlet of the catalyst layer by50°C at the least.例文帳に追加

触媒反応層内に、触媒層出口温度が同入口温度よりも少なくとも50℃以上高い正の温度勾配を設けることを特徴とする、N,N-ジメチルホルムアミド、アクリロニトリル、アセトニトリルの1種以上を含む化学物質の分解無害化反応器。 - 特許庁

A specified space frequency value N_Sf (a%) is obtained which begins to lower from the brightest part of the MTF at a given rate.例文帳に追加

前記MTFの最も明るい部分から所定割合低下し始めるところの、規格化された空間周波数の値N_Sf(a%)を求める。 - 特許庁

To switch a connection request source and a destination at a ratio of m:n (m>n) in the case of conducting communication by connecting an ISDN terminal to a leased line.例文帳に追加

専用線にISDN端末機を接続して通信を行う場合、接続要求元と相手先をm:n(m>n)で切り替える。 - 特許庁

The moving average N^ is subtracted from the engine speed N, the difference N-N^ is collected and equalized for every rotation angle as a variation of the engine speed N of the rotation angle, and a collection average Offset of the variation at the rotation angle is calculated (step S6).例文帳に追加

上記エンジン回転数Nから上記移動平均N^を減算し、この差N−N^を当該回転角におけるエンジン回転数Nの変動分として上記回転角毎に集合平均化し、当該回転角における変動分の集合平均Offsetを算出する(ステップS6)。 - 特許庁

The control part 1 performs processing to calculate request degree data K(n), indicating the degree of a subjective request held in the character, based on at least one of the first characteristic data P(n) and the second characteristic data N(n), A(n).例文帳に追加

そして、第1特性データP(n)および第2特性データN(n),A(n)の少なくともいずれか一方のデータに基づいて、キャラクタが有する主観的な要求の程度を示す要求度データK(n)を算出する処理が、制御部1により実行される。 - 特許庁

A linearity corrector 100 supplies the digital output from the ADC to a plurality of filters at each of the nth-order (n: integer of ≥2), determines an nth-order filter product by multiplying outputs of these filters and generates the sum of all the nth-order filter products.例文帳に追加

線形補正器100は、ADCからのデジタル出力をn次(n:2以上の整数)の各々における複数のフィルタに供給し、これらフィルタの出力を掛け算してn次のフィルタ積を求め、n次の総てのフィルタ積の和を発生する。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Bが露出するまで電流拡散層D、p型窒化ガリウム層P、及びn型窒化ガリウム層Nを一度にエッチングする。 - 特許庁

The residue target value etarget_n is a periodic signal including at least an amplitude target value a_e as a component.例文帳に追加

この残差目標値etarget_nは、少なくとも振幅目標値a_eを構成成分に含む周期性信号である。 - 特許庁

To provide a highly reliable magnetic storage device having a high S/N ratio at a recording density of 6 giga bits or more per square inch.例文帳に追加

1平方インチあたり6ギガビット以上の記録密度で高いS/Nを有し、かつ、信頼性に優れた磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

An adder 12c adds a present image S_n to a past image T_n-1 to blend them at a blending ratio according to the recursive coefficient α.例文帳に追加

加算器12cは、現在画像S_nおよび過去画像T_n-1をリカーシブ係数αに応じた配合比で配合するように加算する。 - 特許庁

A serial-parallel conversion/encoder 11 receives transport symbol data at a transport symbol rate that is a base symbol rate divided by N.例文帳に追加

直並列変換/エンコーダ11は、基点シンボル速度のN分の1となる送信シンボル速度で送信シンボルデータを入力する。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing an N-acetylglucosamine-bound oligosaccharide contained in mother's milk, etc., in a manner efficient for production at a low cost.例文帳に追加

母乳などに含まれるN-アセチルグルコサミン結合オリゴ糖の安価であり、生産効率的な合成法を提供する。 - 特許庁

The p-type thick film CdTe layer (100 to 500 mm) made as a radiation detector is grown by introducing a minute amount of n-type impurity at a growing temperature of 400°C or above.例文帳に追加

放射線検出部とするp型厚膜CdTe層(100〜500mm)の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer capable of measuring a wide mass number range at a single measurement, for MS^n (n≥3) analysis.例文帳に追加

1回の測定で広い質量数範囲を測定でき、MS^n(n≧3)分析が可能な質量分析計を提供する。 - 特許庁

At a step S126, the actual rotation number N of the motor is compared with a predetermined rotation number Ns (for example, a value around zero rpm) to determine whether or not N is equal to or less than Ns.例文帳に追加

S126では、モータの実回転数Nと所定回転数Ns(例えば0rpm付近の値)とを比較し、N≦Nsか否かを判定する。 - 特許庁

A wind prevention fence 6 is provided on an upper part of the side of the main vessel body 2 at a position apart from a bow N on the bow N side from the upper structure 3.例文帳に追加

主船体2の船側上部には、船首Nから離間し、かつ上部構造物3よりも船首N側の位置に、防風フェンス6を設ける。 - 特許庁

This method for producing the N,N,N-trialkyladamantane ammonium salt is provided by reacting an N,N-dialkyl-1-aminoadamantane expressed by general formula (1) with a dialkyl carbonate compound under the condition of presence or absence of solvent by making <10 wt.% water content in a system at the reaction time based on the amount of the N,N-dialkylaminoadamantane.例文帳に追加

下記一般式(1)で表されるN,N−ジアルキル−1−アミノアダマンタンと、炭酸ジアルキル化合物とを、溶媒存在下又は無溶媒条件下、反応時における系内の含水量をN,N−ジアルキルアミノアダマンタンの10重量%未満にして反応させるN,N,N−トリアルキルアダマンタンアンモニウム塩の製造方法。 - 特許庁

The deep n-type well is further provided with a second deep n-type well 103 provided at the bottom surface side of the p-type Si substrate 101 more than the first deep n-type well 105, and has n-type impurity concentration different from that of the firs deep n-type well 105.例文帳に追加

ディープn型ウェルは、第一のディープn型ウェル105よりもp型Si基板101の底面側に設けられており、第一のディープn型ウェル105と異なるn型の不純物濃度を有する第二のディープn型ウェル103を備える。 - 特許庁

A part having high antigenicity is an amino acid at an N-terminal side or an amino acid at a C-terminal side.例文帳に追加

抗原性が高い部位はN末側のアミノ酸又はC末側のアミノ酸である。 - 特許庁

A mantissa part is stored in an U bit at a higher order side of a bit field of N bit (N≥(U+L)) with a fixed point numeric value, and an exponent part is stored in an L bit at a lower order side with an integer, when a is the mantissa part and n is the exponent part in an actual number x represented by a*(2^n).例文帳に追加

実数xをa* (2^n)と表した時のaを仮数部、nを指数部としたときに、Nビット(N≧(U+L))のビットフィールドの上位側のUビットに仮数部を固定小数点数値で格納し、下位側のLビットに指数部を整数で格納する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of low voltage n-well area 31 biased at different potentials and isolated from a substrate 1 by a common n^+ buried layer 11 and at least one high voltage n-well area 27.例文帳に追加

異なる電位上でバイアスされた複数の低電圧Nウェル領域31を備え、共通のN^+埋め込み層11および少なくとも一つの高電圧Nウェル領域27により基板1と隔離する。 - 特許庁

N value is decided by returning when the decision is ruled as an error and acquiring the measured result N at S 604 when normal, stored in a NVRAM, a magnitude correcting value is calculated by a software, and M and N of PLL are set from the correction value at S605.例文帳に追加

エラーと判定した際はリターンし、正常であれば、S604で計測結果Nを取得し、NVRAMに記憶し、ソフトによって倍率補正値を算出し、補正値からS605にてPLLのM、N設定値を行う。 - 特許庁

The resolver has a stator (11) of which the number of poles is set at 8N (N is a positive integer) and wherein one detecting coil is wound on each pole, and a rotor (13) of which the number of salient poles is set at (6±1)N or (2±1)N.例文帳に追加

極数が8N(Nは正の整数)に設定され、各極にそれぞれ1個の検出用コイルを巻着したステータ(11)と、突極数が(6±1)Nまたは(2±1)Nに設定されたロータ(13)と、を備える。 - 特許庁

Forced discharge circuits G1-Gn, forcibly discharge electric charges in main high-speed switch elements IGBT1-IGBTn, and voltages VJ1-VJn at connection sections J1-Jn and gate voltages VK1-VKn of 2nd NMOS transistors TRs QB1-QBn are also discharged within a time which depends on pulse width setting resistors RF1-RFn.例文帳に追加

強制放電回路G_1〜G_nによって、強制的に主高速スイッチ素子IGBT_1〜IGBT_nの電荷を放電すると共に、接続部J_1〜J_nの電圧VJ_1〜VJ_n及び第2NMOSトランジスタQB_1〜QB_nのゲート電圧VK_1〜VK_nにおいても、パルス幅設定用抵抗RF_1〜RF_nによって決められた時間に放電するようにした。 - 特許庁

This granular structure is obtained by coating at least to a part of surface of a granule with a polyhydroxyalkanoate having at least one monomer unit selected from among a 3-hydroxypropionic acid unit, a 3-hydroxy- n-butyric acid unit and a 3-hydroxy-n-valeric acid unit.例文帳に追加

3-ヒドロキシプロピオン酸ユニット、3-ヒドロキシ-n-酪酸ユニット及び3-ヒドロキシ-n-吉草酸ユニットより選択される少なくとも一つのモノマーユニットを有するポリヒドロキシアルカノエートによって粒状体の表面の少なくとも一部を被覆して粒状構造体を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing an N,N'-carbonylbislactam by reacting phosgene with at least 1 kind of lactam in the presence of a tertiary amine.例文帳に追加

ホスゲンと少なくとも一種のラクタムとを第三アミンの存在下で反応させてN,N’−カルボニルビスラクタムを製造する方法。 - 特許庁

A clock signal CLK1 is supplied to the converter 706 at frequency fs led from a crystal of frequency fs/N.例文帳に追加

変換器には周波数fs/Nの水晶から導かれる周波数fsにおいてクロック信号CLK1が供給される。 - 特許庁

The n-well layer 25 is formed below a gate electrode 5 and spaced at only a predetermined distance from the n-well layer 26.例文帳に追加

Nウェル層25は、ゲート電極5の下方に形成し、Nウェル層26とは一定距離だけ離間させる。 - 特許庁

At least one of the plurality of the light emitting elements has a light emitting layer of n layers (natural number of n≥2) between a pair of electrodes.例文帳に追加

複数の発光素子のなかの少なくとも一は、一対の電極間にn(n≧2の自然数)層の発光層を有する。 - 特許庁

Each of selective A/D parts 105I, 105Q executes sampling at a sampling rate 1/(NΔf) when the frequency interval of N sub-carriers is Δf.例文帳に追加

選択A/D105I及び105Qでは、N本のサブキャリアの周波数間隔をΔfとしたとき、サンプリングレート1/(NΔf)でサンプリングを行う。 - 特許庁

To provide a virtual private network system that enables a dynamic N-to-N virtual private network to easily be used at charge corresponding to the number and time of connections.例文帳に追加

容易に動的なN対Nの仮想閉域網を接続数・時間に応じた料金で利用可能な仮想閉域網システムを提供する。 - 特許庁

At a side of the n-GaN layer 12 on an interface of the AlN film 13 and the n-GaN layer 12, a two-dimensional (2D) electron gas layer 15 is formed.例文帳に追加

AlN膜13とn−GaN層12との界面のn−GaN層12側には、2次元電子ガス層15が形成されている。 - 特許庁

A column select circuit 5 outputs column selection signals related to specify the n columns (n≥2) of a pixel array 2 collectively and sequentially at predetermined time intervals.例文帳に追加

列選択回路5は画素アレイ2のn列(n≧2)をまとめて順に指定する関係にある列選択信号を所定の時間間隔で出力する。 - 特許庁

At least one of the plurality of light-emitting elements has a light-emitting layer of n (natural number of n≥2) layers between a pair of electrodes.例文帳に追加

複数の発光素子のなかの少なくとも一は、一対の電極間にn(n≧2の自然数)層の発光層を有する。 - 特許庁

By using the second film 205 as a mask, n-type second impurities are introduced at a lower concentration than the n-type first impurities.例文帳に追加

第2膜205をマスクに用いてn型第2不純物をn型第1不純物よりも低濃度に導入する。 - 特許庁

Next, the natural ground 23 forward of the facing 25 is excavated by a distance L and a timbering work 27-(n+1) is provided at the upper portion of the reinforcing work 29-(n+1).例文帳に追加

次に、切羽25の前方の地山23をLだけ掘削し、補強工29−(n+1)の上部に支保工27−(n+1)を設ける。 - 特許庁

Wherein, the resulting pressure-sensitive adhesive demonstrates a T_0 of at least 1 N/dm and a T_48 of less than 12 N/dm when adhered to the skin.例文帳に追加

ただし、得られた感圧接着剤は、皮膚に接着した場合、T_0が少なくとも1N/dmかつT_48が12N/dm未満である。 - 特許庁

On the rear surface of an n-type β-Ga_2O_3 substrate 2, an n-type electrode 20 comprising at least a Ti layer is formed by a PLD method.例文帳に追加

n型β−Ga_2O_3基板2の下面に、PLD法により少なくともTi層からなるn型電極20を形成する。 - 特許庁

例文

A measured value N per a polygon face is calculated by N= measured value ÷ number of polygon faces (S602), an error decision is made at S603.例文帳に追加

「N=計測値÷面数」によりポリゴン1面辺りの計測値Nを算出し(S602)、S603にてエラー判定を行う。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS