「n-process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

An LDD region 17 and a p-type pocket region 15 in an n-type FET and an LDD region 11 and an n-type pocket region 8 in a p-type FET are formed into the lithographic process.例文帳に追加

ｎ型ＦＥＴ領域内のＬＤＤ領域１７及びｐ型ポケット領域１５と、ｐ型ＦＥＴ領域内のＬＤＤ領域１１及びｎ型ポケット領域８とを、１回のリソグラフィ工程で形成する。 - 特許庁

To provide a process for producing an N-vinylpyrrolidone graft polymer which can have an improved degree of vinyl monomer grafting and can hydrophilize the surface of a plastic base, etc., and to provide the N-vinylpyrrolidone graft polymer.例文帳に追加

ビニル系単体のグラフト率を向上させることができ、ブラスチック基材等の表面親水化を可能とするＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体の製造方法及びＮ−ビニルピロリドン系グラフト重合体を提供する。 - 特許庁

The light transmitting portion T and the light shielding portion N are arranged such that a light shielding portion N surrounded by the light transmitting portion T is provided so that a portion not irradiated with light in the irradiation process and not generating gas is left.例文帳に追加

透光部Ｔと遮光部Ｎの配置を、透光部Ｔによって周囲を閉囲された遮光部Ｎを設けるようにして、光照射工程において光が照射されず気体が発生しない部分を残す。 - 特許庁

To provide a purification process for obtaining N^2-[1(S)- ethoxycarbonyl-3-phenylpropyl]-N^6-trifluoroacetyl-L-lysine of high quality that is suitable for carrying out in an industrial scale and gives the compound in high yield with high productivity.例文帳に追加

高品質のＮ^2−（１（Ｓ）−エトキシカルボニル−３−フェニルプロピル）−Ｎ^6−トリフルオロアセチル−Ｌ−リジンを高い収率、高い生産性で取得するための、工業的規模での実施に適した精製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for producing high purity aminosulfonic acid-N,N-diacetic acid and its alkali metal salt at a high yield by an efficient process using hydrocyanic acid and formalin in stead of chloroacetic acid in the conventional methods.例文帳に追加

従来法で用いられたクロル酢酸に代えて、青酸とホルマリンを用いた効率的な工程により、高収率、高純度のアミノスルホン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸およびそのアルカリ金属塩の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, in the longitudinal direction of the steel tubular members, the average r-value is ≥1.5, and/or the average process-hardening index n-value is ≥0.15.例文帳に追加

また、鋼管部材の長手方向において、ｒ値の平均が１．５以上及び／又はｎ値の平均が０．１５以上であることを特徴とする。 - 特許庁

When there is the radio base station 14 conducting no response-confirmation processing (S7:N0), one identifier (n) is added and the process is returned to (S9)S3.例文帳に追加

応答確認処理を行っていない無線基地局１４が存在すれば（Ｓ７：ＮＯ）、識別子ｎを１加算して（Ｓ９）Ｓ３に戻る。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing a diamond free from defects, especially a diamond having surely improved n-type semiconductor characteristics by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤ法による欠陥のないダイヤモンド、とりわけ、ｎ型半導体特性の確実に向上したダイヤモンドの合成方法を提供する。 - 特許庁

In a following prescribed process, the left n-type amorphous silicon film and intrinsic amorphous silicon film are removed by dry etching.例文帳に追加

そこで、この後の所定の工程において、この残存されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁

To lessen false signals, improve S/N ratios of video signals, enable SOC, and reduce process-like loads, and reduce the manufacturing cost.例文帳に追加

偽信号の低減と、映像信号のＳ／Ｎ比向上を図り、ＳＯＣを可能とし、プロセス的な負荷の低減と製造コストの削減を図る。 - 特許庁

In the PECVD process, n-type ZnO is deposited by doping it with B or F, and p-type ZnO is deposited by doping it with nitrogen.例文帳に追加

ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。 - 特許庁

To provide a production process for an N-acyl derivative of O,S- dialkylphosphoroamidothioate in no need of volatile and toxic solvent.例文帳に追加

揮発性で毒性のある溶剤を使用する必要がない、Ｏ，Ｓ−ジアルキルホスホロアミドチオエートのＮ−アシル誘導体の製造方法を開発する。 - 特許庁

To provide a radio wave receiving/optical transmitting device in which a C/N is improved by decreasing a mutual modulation distortion generated in the process of optical modulation.例文帳に追加

光変調の過程で生ずる相互変調歪みを減少して、Ｃ/Ｎを向上させた電波受信・光伝送装置を提供すること。 - 特許庁

This invention relates to the manufacturing process of the N,N-dialkylallylamine polymer or its addition salt in which addition salt of N,N-dialkylallylamine is polymerized in an aqueous solvent in the presence of a radical initiator having an azo group in the molecule or a persulfate-based radical initiator in an amount of 5 to 100 mol.% based on the addition salt and is neutralized at a request.例文帳に追加

水系溶媒中において、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリルアミンの付加塩を、該付加塩に対して５〜１００モル％の、分子中にアゾ基を有するラジカル開始剤または過硫酸塩系ラジカル開始剤の存在下で重合させ、所望により中和することを特徴とする、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリルアミン重合体またはその付加塩の製造方法である。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

The method of producing a N-substituted imidazole compound including a process of distilling a solution comprising a N-substituted imidazole compound and a N-unsubstituted imidazole compound to fractionate the N-substituted imidazole compound, is characterized in that the solution contains an organic solvent having a boiling point at an atmospheric pressure in a temperature range of ±30°C relative to the boiling point at an atmospheric pressure of the N-unsubstituted imidazole compound.例文帳に追加

Ｎ−置換イミダゾール系化合物とＮ−無置換イミダゾール系化合物を含む溶液を蒸留して、Ｎ−置換イミダゾール系化合物を分留する工程を有する、Ｎ−置換イミダゾール系化合物の製造方法であって、前記溶液が、常圧での沸点がＮ−無置換イミダゾール系化合物の常圧での沸点に対して±３０℃の温度範囲内である有機溶剤を含有することを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing tetra-n-butyl ammonium phosphate is characterized by comprising the first process for reacting a tetra-n-butyl ammonium halide with an alkali metal hydroxide in an organic solvent to produce the tetra-n-butyl ammonium hydroxide and the alkali metal halide, and the second process for removing the alkali metal halide and then neutralizing the tetra-n-butyl ammonium hydroxide with phosphoric acid in an organic solvent.例文帳に追加

テトラｎブチルアンモニウムのリン酸塩の製造方法であって、テトラｎブチルアンモニウムのハロゲン化物とアルカリ金属の水酸化物とを有機溶媒中で反応させ、テトラｎブチルアンモニウムの水酸化物とアルカリ金属のハロゲン化物を生成する第１の工程と、前記アルカリ金属のハロゲン化物を除去した後、前記テトラｎブチルアンモニウムの水酸化物とリン酸とを有機溶媒中で中和反応させる第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

This vegetation foundation layer 10 is constructed via a process of laying a vegetation net 11 on the face of slope N, a process of filling sediment on the vegetation net 11 and a process of vegetating a lawn G of a root growing state on the vegetation net 11.例文帳に追加

植生基盤層１０は、植生ネット１１を法面Ｎに敷設する工程と、その植生ネット１１上に土砂を充填する工程と、根が生育した状態の芝生Ｇを前記植生ネット１１上に植生する工程を経て構築される。 - 特許庁

A method for monitoring the purity of the acid dianhydride, including a process for measuring the acid polymerization viscosity index N of the acid dianhydride and a method for maintaining the purity of the acid dianhydride, including a process for measuring the acid polymerization viscosity index N of the acid dianhydride and selecting one with an N equal to 1,000 or more are provided.例文帳に追加

酸二無水物の純度をモニターする方法であって、該酸二無水物の酸重合年度指数Ｎを測定する工程を包含する、方法、および酸二無水物の純度を維持する方法であって、該酸二無水物の酸重合粘度指数Ｎを測定し、Ｎが１０００以上であるものを選択する工程を包含する、方法が本発明において提供される。 - 特許庁

When the page is not blank (S1, N), image data on the rear surface page is outputted to an electrophotographic process unit to form a rear surface image of the original page (S2).例文帳に追加

白紙でないと判断するときは（Ｓ１，Ｎ）、裏面ページの画像データを電子写真プロセスユニットに出力し、原稿ページの裏面画像を形成する（Ｓ２）。 - 特許庁

In the process for etching a semiconductor substrate 4 having an N type impurity region with etchant dissolving the semiconductor substrate 4, metal ions (Cu ions) having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate 4 are added to the etchant 5.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域を有する半導体基板４を、該半導体基板４を溶解するエッチング液でエッチングする方法にかかる。 - 特許庁

The point P_1 of time when tensile stress generated during the mold release process of the n-th mold is approximately maximum is made the point of time when the mold release is completed.例文帳に追加

また、第ｎ番目の成形型の離型工程中に発生した引張応力がほぼ最大となった時点Ｐ_1を、前記離型完了時点とする。 - 特許庁

Etching is performed by an etching process up to the first n-GaN electrode layer 303 to create an optical waveguide 320 of a deep ridge waveguide structure.例文帳に追加

エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。 - 特許庁

The p-type junction layer 250 having sphere surface, the n-type junction layer 260 and the transparent layer 270 can be formed by an inkjet print process.例文帳に追加

球形表面を有するＰ接合層２５０、Ｎ接合層２６０、および透明電極層２７０は、インクジェットプリント工程によって形成することができる。 - 特許庁

The oxidizing hairdye to be used in the process preferably has an alkalinity of 1.0-2.0 mL/g defined by the consumption of 0.1 N hydrochloric acid standard solution.例文帳に追加

ここで使用される酸化染毛剤は、０．１Ｎ塩酸標準溶液の消費量で規定されるアルカリ度が１．０〜２．０ｍｌ／ｇであることが好ましい。 - 特許庁

The metal patterns 54a-n becoming micro spring inner wiring and the sensor 53 are integrated on the substrate using a compatible fabrication process.例文帳に追加

このようにマイクロスプリング内部配線となるメタルパターン５４ａ〜ｎとセンサ５３とが両立性を有する製造プロセスを用いて基板上に集積される。 - 特許庁

These electrons are generated as a result of electron avalanche in the p-D-M structure or injection process in the n^+-p-D-M structure.例文帳に追加

これらの電子は、ｐ−Ｄ−Ｍ構造における電子なだれまたはｎ^＋−ｐ−Ｄ−Ｍ構造における注入プロセスの結果として生成される。 - 特許庁

In this graph display system, not only graph display item data such as a display start time n and display period T of each process but also display start time deviation data Δn are preliminarily set.例文帳に追加

予めプロセスの表示開始時刻ｎ，表示期間Ｔ等のグラフ表示項目データの他、表示開始時刻ずれデータΔｎを設定する。 - 特許庁

A snow melting process on a road surface 10, a roof or the like is performed by using a thermoelectric element of a p-type thermoelectric semiconductor 21 and an n-type thermoelectric semiconductor 22.例文帳に追加

ｐ形熱電半導体２１およびｎ形熱電半導体２２の熱電素子を用いて路面１０や屋根などの融雪処理を行なう。 - 特許庁

Since the semiconductor device is formed only by N channel transistors, it is possible to reduce the chip size and shorten the manufacturing process.例文帳に追加

また、半導体装置をＮチャネル型トランジスタのみで形成することにより、装置の面積を縮小し、且つ製造工程を少なくすることができる。 - 特許庁

To simplify a process of manufacturing an n-channel type MIS transistor and a p-channel type MIS transistor with gate electrodes consisting of a metal material.例文帳に追加

金属材料からなるゲート電極を有するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタの製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide a process for preparing (S)-(+)-N-methyl-3-(1-naphthyloxy)-3-(2-thienyl)propylamine (Duloxetine(R)) with high purity and quality.例文帳に追加

高い純度と品質を有する（Ｓ）−（＋）−Ｎ−メチル−３−（１−ナフチルオキシ）−３−（２−チエニル）プロピルアミン（デュロキセチン、Ｄｕｌｏｘｅｔｉｎｅ（登録商標））の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing N-carboxy-t-leucine anhydride without using highly toxic raw material such as phosgene in the operation of industrial process.例文帳に追加

工業的プロセス運転中にホスゲンのような強い毒性を示す原料を使用しないＮ−カルボキシ−ｔ−ロイシン無水物の製造法の提供。 - 特許庁

The process of forming the trench 5 having the low aspect ratio in the n-type semiconductor layer 4 and burying the trench 5 with the p-type epitaxial layer 6 is repeated several times.例文帳に追加

このように、ｎ型の半導体層に低アスペクト比のトレンチを形成し、そのトレンチをｐ型エピタキシャル層で埋めるプロセスを複数回繰り返す。 - 特許庁

N-ALKYLHYDROXYLATED SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER CONTAINING p-PHENYLENEDIAMINE, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION, AND USE OF THE COMPOSITION例文帳に追加

Ｎ−アルキルアミノ第二ｐ−フェニレンジアミン、該ｐ−フェニレンジアミンを含有するケラチン繊維を染色するための組成物、該組成物の使用方法、及び該組成物の使用 - 特許庁

In the oxidization process, the counter electrode is made negative electrode and the n-type silicon substrate 1 (ohmic electrode) is made positive electrode and electric current is conducted between the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加

酸化工程は、対極を負極、ｎ形シリコン基板１（オーミック電極２）を正極として、正極と負極との間に通電する。 - 特許庁

N-ALKYLHYDROXYLATED SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER CONTAINING p-PHENYLENEDIAMINE, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION, AND USE OF THE COMPOSITION例文帳に追加

Ｎ−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミン、前記パラ−フェニレンジアミンを含むケラチン繊維染色用組成物、前記組成物の使用方法及び使用 - 特許庁

A movement process of a moving object is executed every period T when rewriting of the drawing area is executed every period N×T in the screen division mode.例文帳に追加

画面分割モード時に周期Ｎ×Ｔ毎に描画領域の書き換えが行われている場合にも移動オブジェクトの移動処理を周期Ｔ毎に行う。 - 特許庁

To provide a technology for suppressing generation of abnormal products in a process for removing a resist film into which n-type impurities are introduced.例文帳に追加

ｎ型不純物が導入されたレジスト膜を除去する工程において、異常生成物の発生を抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

A structure shown in Figure (d) is obtained by carrying out a process of forming a concave part 6c on a main face side of an n-type silicon board as a conductive board.例文帳に追加

導電性基板であるｎ形シリコン基板１の主表面側に凹部６ｃを形成する加工工程を行うことで図１（ｄ）に示す構造を得る。 - 特許庁

By repeating the process, in which a polymerizable composition is injected and polymerized to form a layer, the plastic optical material 10 with an n-layered structure is formed.例文帳に追加

このように重合性組成物を注入し重合させて層を形成する工程を繰り返し行い、ｎ層構造の光学材料１０を形成する。 - 特許庁

In the upper-layer forming process, the thickness of the upper layer is 100 to 300 nm and in the developing process, development is carried out for 75 to 150 seconds by using a developer of 0.30 to 0.55 N in normality.例文帳に追加

前記上層形成工程では、上層の厚さを１００ｎｍ〜３００ｎｍとし、前記現像工程では、現像液として規定度が０．３０Ｎ〜０．５５Ｎのものを用いて７５秒〜１５０秒間現像する。 - 特許庁

If the number of detected success times is smaller than the predetermined number of success times (N), the process advances to step S17 where next known signal is captured with reference to a detected timing and then the process returns back to step S13.例文帳に追加

検出成功回数が既定成功回数よりも少ないと判断された場合（Ｎ）は、ステップＳ１７に進み、検出したタイミングを基準にして、次の既知信号の捕捉を行い、ステップＳ１３に戻る。 - 特許庁

In a step S12, when it is determined that the current distribution frequency N is smaller than an upper limit frequency Nmax, the process is advanced to a step S13, and a completion time when the content is distributed to each adjacent content reception terminal Nr is estimated.例文帳に追加

ステップＳ１２において、現在の配信回数Nが上限回数Nmaxよりも少ないと判定されるとステップＳ１３へ進み、隣接する各コンテンツ受信端末Nrにコンテンツを配信した際の完了時刻が推定される。 - 特許庁

To provide a method for conducting an appropriate rewriting process for discharge data, wherein the n-piece partial data associated with the n-piece adjacent ink ejecting positions can be treated as one discharge data applied to one latch signal.例文帳に追加

隣接するｎ個の着弾位置に対応したｎ個の部分データを、１のラッチ信号に対して処理可能な１吐出データとして扱う方法において、吐出データに対し適切な書換処理を実施することができる。 - 特許庁