「negative capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a lithium ion capacitor that can increase energy density with increase in capacitance of a negative electrode.例文帳に追加

負極の容量増加に伴ってエネルギー密度を増大させることができるリチウムイオンキャパシタを提供する。 - 特許庁

The inverted line amplifier 12a is set with a large open loop gain Go, and the capacitance of the negative feedback capacitor Cf is set sufficiently lower than the equivalent capacitance Cv of a photodiode 1a.例文帳に追加

反転型ラインアンプ１２ａの開ループゲイン−Ｇｏを大きく設定し、負帰還容量Ｃｆをフォトダイオード１ａの等価容量Ｃｖに比べて十分小さくする。 - 特許庁

The negative resistance circuit oscillates at an oscillation frequency determined by the inductor value of the inductor circuit, the capacity value of the variable capacitance circuit, and the capacity value of the variable capacitance adjusting unit.例文帳に追加

負性抵抗回路は、インダクタ回路のインダクタ値、可変容量回路の容量値、および可変容量調整部の容量値で決まる発振周波数で発振する。 - 特許庁

A switched capacitor (100) is switchable between a first drive mode of amplifying an input signal (Sin) with a positive gain responsive to a capacitance ratio (Cs/Cf) of a sampling capacitance to a feedback capacitance and a second drive mode of amplifying the input signal (Sin) with a negative gain responsive to the capacitance ratio (Cs/Cf).例文帳に追加

スイッチトキャパシタ(100)は、サンプリング容量とフィードバック容量との容量比(Cs/Cf)に応じた正利得で入力信号(Sin)を増幅する第１の駆動モードと、容量比(Cs/Cf)に応じた負利得で入力信号(Sin)を増幅する第２の駆動モードとを切り替えることができる。 - 特許庁

To provide a J-FET which can sufficiently turn off by a negative gate bias of a few volts and reduce the capacitance between the gate and drain.例文帳に追加

数Vの負のゲートバイアスで十分オフ状態を実現でき、さらにゲート/ドレイン間の容量を低減できるJFETの提供する。 - 特許庁

Although the source of the write-in transistor may be intentionally provided with a capacitor, the gate capacitance of the CMOS inverter, or the parasitic capacitance, etc., between a positive electrode and a negative electrode of the CMOS inverter can be used.例文帳に追加

書き込みトランジスタのソースにはキャパシタを意図的に設けてもよいが、ＣＭＯＳインバータのゲート容量あるいはＣＭＯＳインバータの正極や負極との間の寄生容量等を用いることもできる。 - 特許庁

To provide an electrochemical capacitor in which reduction of electric capacitance of a negative electrode can be inhibited sufficiently even if charge/discharge cycle is repeated.例文帳に追加

充放電サイクルを繰り返しても、負極の電気容量の低下を十分に抑制できる電気化学キャパシタを提供すること。 - 特許庁

To obtain an electric double layer capacitor in which capacitance is large and voltage distribution of polarizable electrodes is equal on the positive pole side and the negative pole side.例文帳に追加

静電容量が大きく、正極側、負極側の分極性電極の電圧配分が等しい電気二重層コンデンサを得る。 - 特許庁

To provide a negative electrode material for a lithium secondary battery for realizing such lithium secondary battery as of large charge/discharge capacitance, small initial irreversible capacitance, and excellent charge/discharge characteristics, along with a negative electrode for the lithium secondary battery using the same and the lithium secondary battery.例文帳に追加

充放電容量が大きく、初期不可逆容量が小さく、なおかつ充放電サイクル特性に優れたリチウム二次電池を得るためのリチウム二次電池用負極材料、これを用いたリチウム二次電池用負極およびリチウム二次電池を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator is provided with: a differential negative conductance generation circuit 11 having resonance nodes OUT, OUTB for differential outputs; a differential resonance circuit 10 in which variable capacitance whose capacitance value is controlled by voltage control and inductance are connected in parallel; and a differential negative impedance circuit 13.例文帳に追加

差動出力用の共振ノードＯＵＴ，ＯＵＴＢを有する差動型の負性コンダクタンス発生回路１１と、容量値が電圧制御によって制御される可変容量とインダクタンスとが並列接続された差動型の共振回路１０と、差動型の負性インピーダンス回路１３とを備える。 - 特許庁

To provide a negative electrode with a multilayer structure, capable of materializing high battery capacitance while maintaining high charge and discharge efficiency and satisfactory cycle characteristics in a lithium secondary battery, and to provide a simple method of manufacturing the negative electrode.例文帳に追加

リチウム二次電池において、高い充放電効率と良好なサイクル特性を維持しつつ、高い電池容量を実現する、多層構造の負極とその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery that is superior in cost-saving properties and uses a non-carbonic negative electrode active material exhibiting good capacitance characteristics.例文帳に追加

省コスト性に優れ、良好な容量特性を示し得る非炭素系負極活物質を用いたリチウムイオン二次電池を提供すること。 - 特許庁

To reduce effect of parasitic capacitance on each circuit which becomes impossible to be neglected when a capacitance value of a negative feedback circuit is reduced in order to increase the speed of a conventional amplifier circuit having feedback circuit comprised of a parallel connection circuit of resistance and capacitance.例文帳に追加

抵抗と容量の並列接続回路から成る負帰還回路を有する従来のアンプ回路において、回路の高速化を実現するために前記負帰還回路の容量値を低減していくと、回路各部に付随する寄生容量の影響が無視できなくなる。 - 特許庁

The negative feedback circuit 13 has a serial connection circuit, including series-connected diode D1 and a first capacitance element C11, and a second capacitance element C12 connected between an anode of the diode D1 and a ground.例文帳に追加

上記負帰還回路１３は、ダイオードＤ1と第１のキャパシタンス素子Ｃ11とが直列に接続された直列接続回路と、上記ダイオードＤ1のアノードとグランドとの間に接続された第２のキャパシタンス素子Ｃ12とを有する。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

To suppress gate input capacitances of trench gate electrodes from changing to negative capacitance in vertical IGBTs which includes trench-type gates.例文帳に追加

トレンチ型ゲートを有する縦型のＩＧＢＴにおいて、トレンチゲート電極のゲート入力容量の負性容量化を抑制することを目的としている。 - 特許庁

To prevent a voltage effective value held in a liquid crystal capacitance from differing, according to positive/negative polarity, when a common electrode is driven by a two-valued voltage.例文帳に追加

コモン電極を二値電圧で駆動する際に、液晶容量に保持される電圧実効値が正極性・負極性で異ならないようにする。 - 特許庁

The scanning line 101 is provided in the lower direction of the bank section so as to reduce a parasitic capacitance between the negative electrode 12 and the scanning line 101.例文帳に追加

バンク部の下方向に走査線１０１を配置することで、陰極１２と走査線１０１との間の寄生容量を減少させることができる。 - 特許庁

The voltage difference Vg between the input and the output of the feedback capacitance C2 is always larger than 0, the feedback capacitance C2 is not influenced by a change in the voltage difference Vg between the input and the output, and the negative feedback operation is stably implemented.例文帳に追加

これにより、帰還容量Ｃ２の入出力間電位差Ｖｇが常にＶｇ＞０を満たし、帰還容量Ｃ２が入出力間電位差Ｖｇの変化に影響を受けず、安定した負帰還動作を行うことができる。 - 特許庁

The composite capacitor negative electrode plate for a lead storage battery is obtained by forming, on a surface of a negative electrode plate, a coating layer made of a carbon mixture containing composite carbon particles in which surfaces of particles made of a first carbon material having capacitor capacitance and/or pseudo capacitor capacitance are integrally coated with particles made of a second carbon material having electrical conductivity.例文帳に追加

キャパシタ容量及び/又は擬似キャパシタ容量を有する第1カーボン材料の粒子の表面に、導電性を有する第2カーボン材料の粒子を一体化被覆して成る複合カーボン粒子を含むカーボン合剤の被覆層を負極板の表面に形成して成る鉛蓄電池用複合キャパシタ負極板。 - 特許庁

Thus, when a negative voltage is output to the positive side terminal of the output winding, the voltage of the second output winding is charged in the parasitic capacitance, while when a reverse voltage is output, a voltage obtained by applying the parasitic capacitance to the first output winding is output.例文帳に追加

出力巻線の正側端子に負の電圧が出力したとき、第２の出力巻線の電圧が寄生容量に充電され、逆の電圧が出力したとき、第１の出力巻線と寄生容量を加えた電圧が出力される。 - 特許庁

Furthermore, when the drive current Ios is defined as a parameter (fixed value), a relational expression of the load capacitance value CL and the negative resistance value RL is represented by a power expression of CL=a*(RL)^b (a and b are constant numbers).例文帳に追加

また、駆動電流Ｉosをパラメータ（一定値）としたとき、負荷容量値CLおよび負性抵抗値RLの関係式は、CL＝a＊(RL)^b（a、bは定数）の累乗式で表される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can stabilize the turning-ON and turning-OFF operations of an element, by reducing negative capacitance and can also reduce the ON-voltage.例文帳に追加

負性容量を低減して素子のターンオン動作及びターンオフ動作をより安定化するとともに、オン電圧を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

After setting a bit line setup section, and before a program section, the pocket P well region is biased by negative voltage by capacitance coupling for a short time in a floating state.例文帳に追加

ビットラインセットアップ区間の後に、そして、プログラム区間の前に、ポケットＰウェル領域はフローティング状態でキャパシタンスカップリングによって短時間内にマイナス電圧でバイアスされる。 - 特許庁

When the ratio of the resistance 30 and the resistance 32 of negative capacitance circuit 18 is let N, the amplification degree observed from the nonreversible input terminal of an operation amplifier becomes N+1.例文帳に追加

負性容量回路１８の抵抗３０と抵抗３２の比をＮとしたとき、オペアンプ２０の非反転入力端子からみた増幅率はＮ＋１となる。 - 特許庁

To stably implement a negative feedback operation using a capacitance element structure mounted to a semiconductor integrated circuit, and to reduce a manufacturing cost and a manufacturing lead time.例文帳に追加

半導体集積回路に搭載できる容量素子構造で安定な負帰還動作を行い、かつ、製造コストの低減化及び製造期間の短縮化を図ること。 - 特許庁

The tuning varactor diode C_5 connected to a tuning inductor L is connected to the correction purpose variable capacitance circuit 8 via a negative impedance converter NIC.例文帳に追加

同調用インダクタＬに接続される同調用可変容量ダイオードＣ_５が負性インピーダンス変換器ＮＩＣを介して補正用可変容量回路８に接続されている。 - 特許庁

A reverse bias applying means 9 is composed of a switching transistor Tr4 for writing a negative potential Vmb to the capacitance C1, applies the negative potential Vmb as the reverse bias, that is a negative polarity with reference to the source S, and performs downward adjustment of an upward change of the threshold voltage generated by applying the forward bias.例文帳に追加

逆バイアス印加手段９は、容量Ｃ１に負電位Ｖｍｂを書き込むスイッチングトランジスタＴｒ４からなり、ドライブトランジスタＴｒ２のゲートＧに、ソースＳ基準で負極性となる逆バイアスとして負電位Ｖｍｂを印加し、順バイアスの印加によって生じた閾電圧の上方変動を下方修正する。 - 特許庁

To provide a separator for en electrochemical capacitor capable of improving the capturing performance of a substance reducing the electrical capacitance (negative electrode activity inhibitor) of a negative electrode, while maintaining proper ion conductance, and to provide the electrochemical capacitor equipped with the same.例文帳に追加

優れたイオン伝導性を保持しつつ、負極の電気容量を低下させる物質（負極活性阻害物質）の捕捉性能を向上させることができる電気化学キャパシタ用セパレータおよびそれを備える電気化学キャパシタを提供すること。 - 特許庁

1.25≤X (1), wherein X is an actual electricity capacity ratio expressed by B/A, A is actual capacitance (mAh) at 25°C per an area 1cm^2 of the positive electrode 3, and B is actual capacitance (mAh) at 25°C per an area 1 cm^2 of the negative electrode 4.例文帳に追加

１．２５≦Ｘ （１） 但し、Ｘは（Ｂ／Ａ）で表される実電気容量比で、Ａは前記正極３の面積１ｃｍ^2当りの２５℃での実電気容量（ｍＡｈ）で、Ｂは前記負極４の面積１ｃｍ^2当りの２５℃での実電気容量（ｍＡｈ）である。 - 特許庁

The circuit 8 is provided with principally a correction varactor diode C_2 and a semi-fixed capacitor C_1, the combined capacitance is subtracted from the capacitance of the tuning varactor diode C_5 by the negative impedance converter NIC to make the characteristic of the tuning varactor diode C_5 almost linear.例文帳に追加

回路８は、補正用可変容量ダイオードＣ_２及び半固定キャパシタＣ_１を主たる補正要素とし、その合成容量が負性インピーダンス変換器ＮＩＣにより同調用可変容量ダイオードＣ_５から差し引かれ、Ｃ_５の特性をほぼ直線にする。 - 特許庁

When the negative resistance value RL is defined as a fixed value, a relational expression of the drive current Ios and the load capacitance value CL is represented by a secondary expression of Ios=α*(CL)^2+β*(CL)+γ (α, β and γ are constant numbers).例文帳に追加

負性抵抗値RLを一定値としたとき、駆動電流Ｉosおよび負荷容量値CLの関係式は、Ｉos＝α＊(CL)^2＋β＊(CL)＋γ（α、β、γは定数）の２次式で表される。 - 特許庁

The flip-flop circuit is configured to hold a voltage by utilizing the parasitic capacitance of the collectors of the TRs and a negative resistance by the latch circuits to reduce the number of components and to decrease the power consumption.例文帳に追加

また上記トランジスターのコレクターの寄生容量とラッチ回路による負性抵抗を利用して電圧を保持する構成とし、素子数の削減、低消費電力の低減を図る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electrode foil for an electrolytic capacitor capable of improving capacitance by effectively removing adhering negative ions during etching, and smoothly performing coating formation in chemical conversion.例文帳に追加

エッチングにおける付着陰イオンを効果的に除去し、化成時の皮膜形成を円滑に行い、静電容量を向上できる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hydrogen storage alloy high in discharging capacitance, good in charging and discharging cycle characteristics and suitable as the negative electrode material of an alkali secondary battery such as a nickel-hydride battery.例文帳に追加

放電容量が高く、充放電サイクル特性が良好であり、ニッケル−水素化物電池等のアルカリ二次電池の負極材料として適する水素吸蔵合金を提供する。 - 特許庁

To impart a high capacitance characteristic or an excellent cycle characteristic to a nonaqueous electrolytic solution secondary battery equipped with a negative electrode comprising a carbonaceous material capable of doping/dedoping light metal ions.例文帳に追加

軽金属イオンをドープ・脱ドープ可能な炭素質材料からなる負極を備えた非水電解液二次電池に、高い容量特性あるいは良好なサイクル特性を付与する。 - 特許庁

Thus, the gain of the switched capacitor amplifier circuit 1 is expressed as (Ca+Cx)/(Ca-Cx), where Ca is the static capacitance of the negative feedback capacitors 6p, 6m and Cx is the static capacitance of the positive feedback capacitors 12p, 12m respectively, so as to increase the gain without much increasing the ratio of the static capacitances.例文帳に追加

これにより、スイッチトキャパシタ増幅回路１のゲインは、負帰還用キャパシタ６ｐ・６ｍ並びに正帰還用キャパシタ１２ｐ・１２ｍの静電容量を、Ｃａ、Ｃｘとすると、（Ｃａ＋Ｃ）／（Ｃａ−Ｃｘ）となり、静電容量比を余り増大させることなく、ゲインを増大させることができる。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator 1 includes variable capacitance circuits 115, 116 and 117 for varying capacitive values corresponding to potential differences ΔA, ΔB and ΔC in differential control signals to be inputted, an inductor 101 connected in parallel to the variable capacitance circuits, and a negative resistance circuit 100 connected in parallel to the variable capacitance circuits and the inductor 101.例文帳に追加

電圧制御発振器１は、入力する差動制御信号における電位差ΔＡ，ΔＢ，ΔＣに応じて容量値を変化させる可変容量回路１１５，１１６，１１７と、各可変容量回路に対して並列に接続するインダクタ１０１と、各可変容量回路およびインダクタ１０１に対して並列に接続する負性抵抗回路１００とを含む。 - 特許庁

That is, metallic members 12a and 12c serving as the positive electrodes are electrically connected with each other, metallic members 12b and 12d serving as the negative electrodes are electrically connected to each other, and capacitance C is measured between the terminal T_+ of the positive electrode and the terminal T_- of the negative electrode.例文帳に追加

つまり、正極である金属１２ａと金属１２ｃが互いに電気的に接続され、負極である金属１２ｂと金属１２ｄが互いに電気的に接続され、正極の端子Ｔ_+と負極の端子Ｔ_-との間において静電容量Ｃが計測される。 - 特許庁

By controlling the characteristics of the negative feedback of the negative feedback circuit 13 with respect to the power amplifier 12 due to an input signal power, gain fluctuation of the power amplifier 12 is reduced and phase distortion is reduced through the second capacitance element C12.例文帳に追加

上記負帰還回路１３による電力増幅器１２に対する負帰還量が入力信号電力によって可変となる特性を調整することにより、電力増幅器１２の利得変動を抑制し、第２のキャパシタンス素子Ｃ12により、位相歪みを抑制する。 - 特許庁

Further, capacitance between the unselected word lines WL and the substrate (well) can be neglected, and it is possible to reduce a occupancy rate of a charge pump for a negative voltage supply by ≥90% of the conventional rate.例文帳に追加

さらに、非選択ワード線ＷＬと基板(ウェル)との間の容量を無視することができ、負電圧供給用のチャージポンプの占有割合を従来の９０％以上削減することができる。 - 特許庁

To reduce effect of capacitance between an output end of a self-oscillation booster circuit and a destaticizing electrode, thereby a cable length can be extended and adjustment for balancing between positive ions and negative ions can be performed.例文帳に追加

自励発振昇圧回路の出力端と除電電極との間の静電容量による影響を低減して、ケーブル長の延長を可能にし、プラス・マイナスのイオンバランス調整を行えるようにする。 - 特許庁

When a negative voltage of a predetermined value or above appears on the secondary winding of the transformer (7), a parasitic capacitance (13a) of the voltage-driven semiconductor switching element (13) is discharged by means of a shorting means (15 and 17).例文帳に追加

トランス（７）の二次巻線に一定値以上の負電圧が発生した際に、短絡手段（１５，１７）によって電圧駆動型半導体スイッチング素子（１３）の寄生キャパシタンス（１３ａ）が放電される。 - 特許庁

A high-capacitance storage node structure is produced in a substrate 10, by patterning a hybrid resist 12, to produce both negative tone resist regions 16 and positive tone resist regions 18 in the exposed region 14.例文帳に追加

基板１０内に高静電容量の記憶ノード構造を形成するため、ハイブリッド・レジスト１２をパターニングして、露光領域１４内にネガ型レジスト域１６とポジ型レジスト域１８を生成する。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator includes an inductor circuit 110, C-coupling type variable capacitance circuits 120 and 140, a direct-coupling type variable capacitance circuit 130, and a negative resistance circuit 160, which are connected in parallel, and a reference voltage generating section 180 that generates reference voltages Vref1 and Vref2.例文帳に追加

本発明の電圧制御発振器は、並列接続されたインダクタ回路１１０、Ｃ結型可変容量回路１２０及び１４０、直結型可変容量回路１３０、及び負性抵抗回路１６０と、基準電位Ｖｒｅｆ１及びＶｒｅｆ２を生成する基準電位発生部１８０とを備える。 - 特許庁