「one atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the gas barrier film alternately having barrier layers which consist of much more inorganic substance at least, and organic layers much more at least on a plastic plate; at least one layer of the barrier layers is a gas barrier film formed by the atomic layer depositing method (the Atomic Layer Deposition: ALD method).例文帳に追加

プラスチック基板上に、少なくとも一層の無機物からなるバリア層と少なくとも一層の有機層とを交互に有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層の少なくとも一層が原子層デポジッション法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ法）によって形成されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加

複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The gas barrier film comprises a transparent thin film layer containing 2 to 64 atomic % of an oxygen, 0.5 to 56 atomic % of a nitrogen, 0.5 to 55 atomic % of a silicon and 5 to 80 atomic % of an aluminum and formed on at least one surface of a plastic film.例文帳に追加

プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、酸素濃度２〜６４原子％、窒素濃度０．５〜５６原子％、珪素濃度０．５〜５５原子％、およびアルミニウム濃度５〜８０原子％からなる透明薄膜層が形成されたガスバリヤー性フィルムである。 - 特許庁

A core 3 is constituted of the laminated structure of a rare earth containing layer 301, containing Er and having a thickness of one atomic layer, for example, and a rare earth not containing layer 302, not containing rare earth element and having a thickness of 4 atomic layers, for example.例文帳に追加

コア３を、Ｅｒを含む例えば膜厚が１原子層の希土類含有層３０１と、希土類元素を含まない例えば膜厚が４原子層の希土類非含有層３０２との積層構造とする。 - 特許庁

The solar cell includes a semiconductor structure coupling body and the atomic layer multilayer structure formed of at least one oxide.例文帳に追加

半導体構造結合体および少なくとも１つの酸化物で形成される原子層多層構造を含む。 - 特許庁

The outermost layer is composed of one kind or more selected from aluminum nitride and aluminum carbonitride, and includes chlorine by 0 to 0.5 atomic % or less in the outermost layer.例文帳に追加

最外層は、窒化アルミニウム、炭窒化アルミニウムから選ばれる1種以上からなり、最外層中に塩素を0超0.5原子％以下含有する。 - 特許庁

As the Al-Si-Fe-based reaction layer, e.g., the one comprising 2 to 4 atomic% Cu is a suitable object.例文帳に追加

前記Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ系反応層は、例えばＣｕ：２〜４原子％を含有するものが好適な対象となる。 - 特許庁

A third layer is made of one and more materials having a small Z/A (atomic number/ atomic weight) ratio generated from the second layer and decreasing the electron and proton passing through the first and second layers and the photoelectron.例文帳に追加

第３層は、第１及び第２層を通過する電子及び陽子とともに、光電子を減じる比率が前記第２層から発した小なるZ/A（原子番号／原子量）を有する１つ以上の材料からなる。 - 特許庁

The upper layer 35b is composed of a material containing at least one kind of the elements, each of which has a larger atomic weight than that of Si.例文帳に追加

上層３５ｂは、Ｓｉよりも単体の原子量が大きい元素を少なくとも一種類含む材料からなる。 - 特許庁

The atomic spacing of the primer layer or at least one of the primer layers and that of the electrode matches to within about 15%.例文帳に追加

該プライマー層または前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁

The catalytic metal layer (1) includes an outer face (4), and an inner face (7) containing at least one hydrogen atomic adsorption surface (8).例文帳に追加

触媒金属層（１）には、外面（４）、および少なくとも１つの水素原子吸着表面部（８）を含む内面（７）が含まれる。 - 特許庁

The X-ray emission phosphor containing one kind of element in the range from lanthanum (La) having the atomic number 57 to europium (Eu) having the atomic number 63, and at least one kind of element selected from oxygen (O), sulfur (S), selenium (Se) and tellurium (Te) is used for the scintillator layer.例文帳に追加

原子番号５７のランタン(Ｌａ)から原子番号６３のユウロピウム(Ｅｕ)までの少なくとも一種と、酸素(Ｏ)、硫黄(Ｓ)、セレン(Ｓｅ)およびテルル(Ｔｅ)の少なくとも一種とを含むＸ線発光蛍光体をシンチレータ層に用いる。 - 特許庁

To provide a method of continuously depositing the atomic layers of respective single-layer films of a one single-layer film thickness by respectively bringing a plurality of precursors into contact with the surface of a substrate at different temperatures.例文帳に追加

基板上に、異なる温度において、複数の前駆体をそれぞれ接触させることにより、１単層膜厚のそれぞれの単層膜を連続的に原子層堆積する方法を提供する。 - 特許庁

The reflection layer contains 90.0-99.9 atomic % noble metal or alloy of noble metal and other noble metal and preferably one or more elements selected from the group consisting of group VA elements and group VIA elements of the periodic table as components other than the noble metal.例文帳に追加

貴金属以外の成分としては、周期表ＩＶＡ族、ＶＡ族およびＶＩＡ族からなる群より選ばれる1種以上の元素が好ましい。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet; an iron-zinc alloy plating layer is provided to at least one side of a steel sheet; the surface of the above plating layer has a flat zone; an oxide layer of ≥10 nm thickness is formed on the flat zone; and the ratio (atomic %) between Zn and Al in the surface layer of the above flat zone is made to 2.0-8.0.例文帳に追加

鉄−亜鉛合金めっき層を少なくとも鋼板の片面に有し、かつ前記めっき層の表面に平坦部を有し、その平坦部に厚さ10nm以上の酸化物層が形成され、かつ前記平坦部表層におけるZn/Al比(at%)が2.0以上、8.0以下である合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a nomnagnetic substrate, a nonmagnetic metallic underlaid layer, which is formed on one main surface side of the nonmagnetic substrate and contains 20 atomic % or more Ru, and a magnetic layer which is formed on the nomnagnetic metallic underlaid layer and has a metallic magnetic thin film.例文帳に追加

非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加

第二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

This multilayered structure 1 is furnished with an alkali metal layer 3 of at least one atomic layer constituted by substituting a metal atom on a surface by an alkali metal atom on the surface of a metallic oxide substrate 2 or constituted by bearing the alkali metal atom on the surface.例文帳に追加

多層構造体１は、金属酸化物基板２の表面に、該表面の金属原子をアルカリ金属原子が置換して成るか、または該表面にアルカリ金属原子が担持されて成る、少なくとも１原子層のアルカリ金属層３を備えている。 - 特許庁

A carbon distribution curve of at least one layer of the thin film layers is substantially continuous and has at least one extreme, in which an absolute value difference between the maximum and minimum of the carbon atomic ratio is 5 atom% or more.例文帳に追加

薄膜層の少なくとも１層の炭素分布曲線は、実質的に連続であること、少なくとも１つの極値を有すること、及び炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、を全て満たす。 - 特許庁

After forming the intermediate insulating film 7b by a one atomic layer and more and film thickness not more than 5 nm, the intermediate insulating film 7b is heat-treated in an oxidation atmosphere of a formation temperature of the intermediate insulating film 7b and more and 1,000°C and more within treatment time not more than one minute.例文帳に追加

中間絶縁膜７ｂを１原子層以上で且つ５ｎｍ以下の膜厚で形成した後に当該中間絶縁膜の形成温度以上で且つ１０００℃以上の酸化雰囲気中で処理時間１分以内で熱処理を行う。 - 特許庁

The hard carbon film is provided at least the surface layer of which contains 3-25 atomic% nitrogen and 4-22 atomic% of at least one kind of metal element selected from a group consisting of a group IIb element, a group IIIa element, a group IVa element, a group Va element, a group VIa element, a group VIIa element and a group VIII element.例文帳に追加

少なくとも表面層が、窒素を３〜２５原子％と、ＩＩｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素、ＶＩＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を４〜２２原子％含有する硬質炭素膜。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

According to the invention, the gate lamination layer is deposited by the atomic layer depositing method type processing, and whole electronegativity of the gate electrode is adjusted by introducing at least one pulse of an additional precursor into the selected deposition cycle of the gate electrode.例文帳に追加

本発明によると、ゲート積層は原子層堆積法のタイプの処理によって堆積され、ゲート電極の全体的電気陰性度は、ゲート電極の選択した堆積サイクルに少なくとも１回の追加前駆体のパルスを導入することによって調整される。 - 特許庁

The first recording layer (2) consists of Sn or Bi and contains 0.1 to 5 atomic percent at.% of at least one element selected from Te, Ti, V, Y, Mn, Ni, Pd and Zr.例文帳に追加

第一記録層（２）はＳｎ又はＢｉから成り、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

A method of forming a bismuth-containing oxide thin film by utilizing atomic layer deposition which includes the use of an organic bismuth compound having at least one silylamide ligand as the source material of a bismuth oxide.例文帳に追加

酸化ビスマスの原料物質として、少なくとも１個のシリルアミド配位子を有する有機ビスマス化合物を使用することを含む、原子層堆積によりビスマス含有酸化物薄膜を作製するための方法。 - 特許庁

A carbon distribution curve of at least one thin film layer satisfies all the following conditions: it is substantially continuous; it has at least one extreme value; and an absolute value of the difference between the maximum value and minimum value of an atomic ratio of a carbon is 5at% or higher.例文帳に追加

薄膜層の少なくとも１層の炭素分布曲線は、実質的に連続であること、少なくとも１つの極値を有すること、及び炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、を全て満たす。 - 特許庁

In the laminated foil having the intermediate layer comprising a group IVa metal or an alloy containing the group IVa metal as a primary constituent, the metal foil of which the solid solubility with the group IVa metal is 3 atomic % or less is arranged on at least one surface of the intermediate layer.例文帳に追加

IVa族金属若しくはIVa族金属を主成分とする合金でなる中間層を有する積層箔において、前記中間層の少なくとも一方の面側には、前記IVa族金属との固溶度が互いに3原子％以下である金属箔が配置されている積層箔。 - 特許庁

The powder for a lower layer desirably contains P by 0.1-5.0 wt% and further contains R (R is one or two rare earth elements or more including Y) by 0.1-10 at.% in an atomic ratio percentage (at.%) of R/Fe.例文帳に追加

この下層用粉末は，好ましくはＰを０．１〜５．０ｗｔ％含有し，さらにＲ（ＲはＹを含む希土類元素の１種または２種以上）を，Ｒ／Ｆｅの原子比百分率（ ａｔ．％）で０．１〜１０ ａｔ．％含有する。 - 特許庁

In the ohmic electrode 6, a main component of a contact electrode layer 6a being in contact with the N atomic plane 9 is one selected from a group consisting of Ni, Au, Pd, Mo, Ru, Te, Rh, Co, Re, Os, I and Pt.例文帳に追加

オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 - 特許庁

This is an organic electroluminescent element having at least one organic layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, a compound is contained in the organic layer, and the compound has the main chain part and the side chain part, and carbon atom contained in the main chain part is bonded to the atomic group of the side chain part and constitutes a ring.例文帳に追加

一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一つの有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層に化合物を含有し、前記化合物が主鎖部と側鎖部とを有し、前記主鎖部に含まれる炭素原子は前記側鎖部の原子団と結合して環を構成する有機電界発光素子。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by the atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by an atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas.例文帳に追加

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。 - 特許庁

A release agent composition is a blend of a polydimethylsiloxane with a polymeric resin, and a release sheet is obtained by coating the release agent composition on at least one side of a base material to form a release agent layer having an organic Si content at a depth of 5 nm in the surface layer (measured by electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA)), of 5-30 atomic %.例文帳に追加

ポリジメチルシロキサンと高分子樹脂をブレンドした剥離剤組成物であって、該剥離剤組成物を基材の少なくとも片面に塗布してなる剥離剤層のＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）法による表層の深さ５ｎｍにおける有機Ｓｉ含有量が５〜３０Ａｔｏｍｉｃ％である剥離性シート。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The atomic-layer deposition method includes controlling the amount of the gases to be introduced into the inner channel 8A and the outer channel 8B when supplying the gases onto the substrate 6, so that one of the gases pass through the inner channel 8A constantly at the same flow rate as the other gas passing through the outer channel 8B.例文帳に追加

基板６に対するガス供給時に、内側流路８Ａを通過するガスの流量と外側流路８Ｂを通過するガスの流量が常に同じになるように、内側流路８Ａおよび外側流路８Ｂへのガス導入量を制御する。 - 特許庁

The charging member includes a highly conductive support and an elastic layer consisting of one or more layers, the elastic layer being located on the support, wherein the elastic layer is formed of a semiconductive vulcanized rubber comprising a binder polymer, which contains a polymer having a butadiene skeleton being terminal-modified at the molecular terminal with a specific atomic group, and carbon black being dispersed, as conductive particles, in the binder polymer.例文帳に追加

帯電部材を良導電性の支持体と該支持体上の少なくとも１層以上からなる弾性層とで形成し、該弾性層は、分子末端が特定の原子団により末端変性処理されているブタジエン骨格を有する重合体を含有するバインダーポリマーに、導電性粒子としてカーボンブラックを分散した半導電性加硫ゴムで形成されている。 - 特許庁

A two element mixed crystal underlying layer 12 of silicon/ germanium having a thickness not thinner than that of one atomic layer is formed on a silicon substrate 11, a three element mixed crystal layer 13 of silicon/germanium/carbon is formed thereon and a three element mixed crystal film of silicon/germanium/carbon is formed utilizing preferential bonding of silicon atom and carbon atom and substitution of germanium atom and carbon atom.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、少なくとも１原子層分の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１２を形成し、この下地層１２上に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層１３を形成し、シリコン原子とカーボン原子との優先結合及びゲルマニウム原子とカーボン原子との置換を利用することにより、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を作製する。 - 特許庁

The article includes (a) a flexible polymer substrate having an upper surface and a lower surface, and (b) a 2-100 nm-thick air-permeable barrier deposited on one of or both of the upper surface and the lower surface of the substrate by an atomic layer deposition.例文帳に追加

本発明は、ａ）上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、ｂ）原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 - 特許庁

In the easily lubricating polyamide laminate film comprising a film layer made of a binder resin and provided on at least one side surface of a polyester film, a mean value of a roughness according to an AFM(atomic force microscope) on an outer surface of the film layer is 3 to 20 nm and specks of roughness are 5 to 70%.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、バインダー樹脂からなる皮膜層を設けた積層フィルムであって、皮膜層の外表面のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による粗さの平均値が３〜２０ｎｍで、且つ、粗さの斑が５％以上７０％以下であることを特徴とする易滑性積層フィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体。 - 特許庁

A thermal positive type planographic original printing plate includes one or more recording layers on a surface-hydrophilic support body upper side, either one and the same layer or different layers of the recording layers comprising: a star polymer in which at least 3 polymer chains bind to a core atomic group and radially branch; and an infrared absorbing agent.例文帳に追加

表面親水性の支持体上側に、１層以上の記録層を有するサーマルポジ型平版印刷版原版であって、前記記録層のいずれか同じ層あるいは別の層に、核をなす原子群に３つ以上のポリマー鎖が結合して放射状に分岐している星型ポリマーと赤外線吸収剤とを含有するサーマルポジ型平版印刷版原版。 - 特許庁

The fouling-protective additive comprises at least one inorganic and/or organic porous carrier and at least one fouling-protection working substance introduced into the porous carrier, wherein it is confirmed by a test on the outermost atomic layer of the product system by XPS that at least one part on the outermost surface of the product system is formed of the carrier material.例文帳に追加

少なくとも１の無機及び／又は有機多孔質担体と、前記多孔質担体中に導入されている少なくとも１の汚損防止作用物質とを含む汚損防止添加剤において、ＸＰＳによる生成物系の最外原子層の試験による確認で、生成物系の最外表面の少なくとも一部が担体材料により形成されていることを特徴とする、汚損防止添加剤。 - 特許庁

In the atomic layer deposition method(ALD), a first reaction product is utilized, which contains at least one alkoxide group and is adsorbed on a substrate chemically and reacts with an activated oxidizing agent without a hydroxide and forms a dielectric substance showing an excellent coverage and improved leakage current characteristics.例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ）は最少限一つのアルコキシド基を含み、基板表面上に化学的に吸着されて水酸化基を含まない活性化された酸化剤と反応して優れているステップカバーレージおよび向上された漏洩電流特性を示す誘電物質を形成する第１反応物を利用する。 - 特許庁