「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing semiconductor integrated circuit which forms a gate electrode pattern of MOS transistor with respect to design value with high accuracy.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極パターンを設計値に対して高精度に形成することを可能にする半導体集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a common mode filter provided with high joining strength by electrically joining electrodes of flange portions to an electrode pattern of a circuit board using a conductive paste.例文帳に追加

回路基板の電極パターンに鍔部の電極を導電性ペーストを用いて電気的に接合し、高い接合強度を備えるコモンモードフィルタの提供。 - 特許庁

This method includes a step for forming a gate electrode and a silicidation prevention film pattern successively stacked on the prescribed region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

この方法は半導体基板の所定領域上に順次に積層されたゲート電極及びシリサイド化防止膜パターンを形成することを含む。 - 特許庁

Since the widths of electrodes in the electrode pattern are almost equal to the wavelength of the exposing light, the light is diffracted and reaches the sample areas underlying the electrodes.例文帳に追加

電極パターンの電極の幅は照射光の波長と同程度であり、電極の下側の試料領域にも回折現象によって光が回り込む。 - 特許庁

The lower saw-tooth pattern part comprises a main slit formed in the pixel electrode and a plurality of sub-slits extending from both sides of the main slit.例文帳に追加

下鋸歯状パターン部は、画素電極に形成されている主スリットと、その主スリットの両側から伸びている複数の副スリットによって構成されている。 - 特許庁

To provide a pattern correcting method of correcting an electrode breaking part etc., with a thin wire of about 10 μm, staining in a defective part periphery being small.例文帳に追加

１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。 - 特許庁

To detect disconnection, short-circuit, missing and thickening as well with respect to faults of electrode pattern, and intend to prevent overlooking small faults and shorten time for processing.例文帳に追加

電極パターンの欠陥について、断線・短絡および欠け・太りに至るまで検出し、且つ小欠陥の見逃し防止および処理時間の短縮を図る。 - 特許庁

As for the wiring pattern 22, there are provided a wire-connecting electrode 22b formed in a mounting surface F side, an external terminal 22c formed in a rear R side and a through-hole electrode 22d which passes through the insulating substrate 21 and connects the wire connecting electrode 22b and the external terminal 22c.例文帳に追加

配線パターン２２としては、搭載面Ｆ側に形成されたワイヤ接続電極２２ｂと、裏面Ｒ側に形成された外部端子２２ｃと、絶縁性基板２１を貫通して、ワイヤ接続電極２２ｂおよび外部端子２２ｃを接続するスルーホール電極２２ｄとが設けられている。 - 特許庁

An insulation film is formed on a substrate including the electrode patterns after mounting a plurality of the electrode patterns (any one among an open comb type, a closed comb type, a special electrode pattern type) which perceive an impedance signal by contact of the fingerprint on each unit sensor 30 in a sensor array 20 fabricated on the substrate.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられセンサアレイ２０の各単位センサ３０に、指紋の接触によるインピーダンス信号を感知する多数の電極パターン（オープンクームタイプ、クローズドクームタイプ、特殊電極パターンタイプのうちのいずれか）を設け、前記電極パターンを含む基板上に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A shim terminal portion 16 constituting a beam 10 is divided to provide power feeding terminals 17a, 17b and further, regarding an electrode pattern of a first piezoelectric element 12 packaged on the shim, a first electrode 13a and a second electrode 13b are formed in a shape corresponding to the power feeding terminals.例文帳に追加

ビーム１０を構成するシム端部１６を分割して給電端子１７ａ、１７ｂを設け、さらにシムに搭載する第１圧電素子１２の電極パターンを、給電端子に対応するような形状の第１電極１３ａ、第２電極１３ｂを形成する。 - 特許庁

The present invention is related to a method for forming a storage electrode of a semiconductor element, and it is a technology of increasing the surface area of a storage electrode region by using especially a hard mask layer pattern and preventing the damage to an oxide film for the storage electrode and the bridge phenomenon between contacts.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、特にハードマスク層パターンを利用して格納電極領域の表面積を増加させ、格納電極用は酸化膜の損傷、及びコンタクト間のブリッジ現象を防止することができる技術である。 - 特許庁

An OFF driving signal is applied to the background segment electrode when the display common electrode is selected, the OFF driving signal is applied to the display and background segment electrodes when the background common electrode is selected and thereby the whole background of the display pattern is subjected to OFF display.例文帳に追加

表示コモン電極が選択されたときに、背景セグメント電極にオフの駆動信号を印加するとともに、背景コモン電極が選択されたときに、表示及び背景セグメント電極にオフの駆動信号を印加して、表示パターンの背景全体をオフ表示にする。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film transistor includes a step of forming a recess which is the pattern of the electrode, a step of forming the groove on the identical shape on the substrate front surface, and a step of embedding the electrode material to this recess, and forming the embedding electrode of the identical height to the substrate front surface.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基材表面に電極のパターンと同一形状の溝である凹部を形成する工程と、該凹部に対して電極材料を埋め込み、基板表面と同一の高さの埋め込み電極を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a mesa type piezoelectric vibrator which prevents the generation of stage cutting of an electrode in a level difference of a thick part and a thin part at a drawing electrode forming time, and which has high reliability in a method of manufacturing a mesa type piezoelectric vibrator of etching a piezoelectric substrate with an electrode pattern used as a protective film.例文帳に追加

電極パターンを保護膜として圧電基板をエッチングするメサ型圧電振動子の製造方法において、引出電極形成時に肉厚部分と肉薄部分との段差に電極の段切れが発生することを防止し、信頼性高いメサ型圧電振動子を提供することを目的とする。 - 特許庁

The interference type filter layers 31, 32 and 33 for B, R and G are respectively pattern-formed corresponding to a pixel electrode 41b for B, a pixel electrode 41r for R and a pixel electrode 41g for G and laminated each other through light transmissive interlayer films 35, 36 and 37.例文帳に追加

Ｂ，Ｒ，Ｇ用の干渉型フィルタ層３１，３２，３３を、それぞれＢ用の画素電極４１ｂ，Ｒ用の画素電極４１ｒ，Ｇ用の画素電極４１ｇに対応してパターン形成し、これらをそれぞれ透光性の層間膜３５，３６，３７を介して互いに積層する。 - 特許庁

Thereby, a photosensitive film pattern is formed including a first portion positioned in a channel area between the source electrode and the drain electrode and having a first thickness, and a second portion having a larger thickness than the first thickness and positioned in a wire area corresponding to the data line and a drain electrode.例文帳に追加

これにより、ソース電極及びドレイン電極の間のチャンネル領域に位置して第１の厚さを有する第１部分と、第１の厚さよりも厚い厚さを有してデータ線及びドレイン電極に対応する配線領域に位置する第２部分とを有する感光膜パターンを形成する。 - 特許庁

After removing the ion implantation mask pattern, a transfer gate electrode, an NMOS gate electrode, and a PMOS gate electrode are formed on a semiconductor substrate in a pixel region, on that of the NMOS region, and on that of the PMOS region, respectively, by patterning the polysilicon film.例文帳に追加

イオン注入マスクパターンを除去した後にポリシリコン膜をパターニングして画素領域の半導体基板上に転送ゲート電極、ＮＭＯＳ領域の半導体基板上にＮＭＯＳゲート電極及びＰＭＯＳ領域の半導体基板上にＰＭＯＳゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide the semiconductor device which comprises a semiconductor substrate and the capacitor prepared on the semiconductor substrate which comprises a lower electrode 115, an dielectric film formed on the lower electrode and an upper electrode 117 which is formed on the dielectric film and has a plurality of hole pattern portions 201.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板の上方に設けられ、下部電極１１５と、下部電極上に形成された誘電体膜と、誘電体膜上に形成され且つ複数の穴パターン部２０１を有する上部電極１１７とを含んだキャパシタと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A loophole pattern 1071 is formed on the shield electrode 107 formed under the sealing material 20, thereby the deterioration in the adhesive strength between the shield electrode 107 and each of an inorganic passivation film 106 for sandwiching the shield electrode and an upper insulating film 109 can be prevented.例文帳に追加

また、シール材２０の下に形成されたシールド電極１０７には抜きパターン１０７１が形成されているので、シールド電極１０７と、それをサンドイッチする無機パッシベーション膜１０６および上部絶縁膜１０９との間の接着強度の低下を防止することが出来る。 - 特許庁

The element 20 is provided with an electrode 22 connected to the transmission line section, a connection pad 25 which connects the electrode 22 to the terminating resistance section, and a conductor pattern 24 which is arranged between the electrode 22 and pad 25 and has a predetermined inductance value.例文帳に追加

光半導体素子２０は、伝送線路部に接続された電極２２と、電極２２を終端抵抗部に接続するための接続用パッド２５と、電極２２と接続用パッド２５との間に配置された、予め定められたインダクタンス値を有する導体パターン２４とを備えている。 - 特許庁

A resist is formed on the electrode pattern and at least one opening section whereby end sections of the grounding side lead conductors 4 at the side opposite to the common electrode 2 and end sections of power source side lead conductors 3 at the side opposite to the grounding side lead conductors 4 are exposed, is formed on the resist by each individual electrode.例文帳に追加

電極パターン上にレジストを形成し、接地側リード導体４の共通電極２と対向する側の端部及び電源側リード導体３の接地側リード導体４と対向する側の端部が露出する開口部を、レジストに個別電極毎に少なくとも１つ形成する。 - 特許庁

An insulating layer 7 is formed on the electrode 2 to more broaden a pitch of the electrode 2, and a plurality of protrusion sections 4a that penetrating the insulating layer 7 and is connected to the electrode 2 and a rewiring pattern 4 where these protrusion sections 4a are integrally provided are formed.例文帳に追加

この電極２のピッチをより広くするために電極２の上に絶縁層７が形成され、この絶縁層７を貫通して電極２に接続する複数の突起部４ａとこれら突起部４ａが一体的に設けられた再配線パターン４とが形成される。 - 特許庁

An insulator film 2, a lower electrode film 3, a dielectric film 4 and an upper electrode film 5 are sequentially formed on a semiconductor substrate 1 to form a laminated layer structure, and a photo resist is coated on the laminated layer structure by a photolithography technique to form a photo resist pattern 6 for processing of an upper electrode.例文帳に追加

半導体基板１上に絶縁体膜２、下部電極膜３、誘電体膜４、上部電極膜５を順に積層させた積層構造の形成後に、フォトリソグラフィ技術を用いて積層構造上にフォトレジストを塗布し、上部電極加工用のフォトレジストパターン６を形成させる。 - 特許庁

Furthermore, a bottom electrode 20 of the pole member 18 is fixed in an electrical and mechanical manner to a pole member fixing pattern 21 formed on the upper surface of the wiring board 17, and an upper electrode 22 of the pole member 18 is fixed in an electrical and mechanical manner with a bottom surface electrode 23 of the crystal vibrator 19.例文帳に追加

又、柱部材１８の底部電極２０を配線基板１７の上面に形成した柱部材固定用パターン２１に電気的機械的に固定し、柱部材１８の上部電極２２を水晶振動子１９の底面電極２３と電気的機械的に固定している。 - 特許庁

In this structure, the widths of the wiring patterns 5 are formed according to the sizes(length of wiring patterns 5 which traverse the electrode pads 3) of the electrode pads 3 so that the contact area Sn(=Wn×Ln) of each wiring pattern 5 with each electrode pad 3 of the semiconductor chip 2 becomes equal.例文帳に追加

この構造で、半導体チップ２のそれぞれの電極パッド３と配線パターン５との接触面積Ｓｎ（＝Ｗｎ×Ｌｎ）が等しくなるように電極パッド３の大きさ（電極パッド３を横断する配線パターン５の長さ）に応じて配線パターン５の幅が形成されている。 - 特許庁

To provide a miniature laminated ceramic electronic component with low costs and high reliability for preventing the peeling and lack of an external electrode by making the electrode uneven by changing, for each layer, the size of a sheet or a pattern of the same laminated around a boundary between a part of an article that constitutes an external terminal electrode and a ceramic part.例文帳に追加

セラミックグリーンシートを積層させる構造に着目し、製品の外部端子電極となる部分とセラミック部分の境界面を、積層するシートの寸法乃至はパターンを各層で変化させて、凹凸状態にして外部電極の剥離や欠落を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an electrode 101 electrically connected to a conductive layer which is to be packaged, a structure 102 which projects above the electrode 101 and is formed into a prescribed pattern by using resin, and the conductive layer 103b which is electrically connected to the electrode 101 and is extended to the structure 102.例文帳に追加

被実装対象の導電層と電気的に接続する電極１０１と、電極１０１よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体１０２と、電極１０１に電気的に接続され構造体１０２に到る導電層１０３ｂとを有する。 - 特許庁

A voltage applying pattern to the transparent electrode 7 and electrode pieces 81, 82 is selected to change the localized portions of the positively charged particles B and negatively charged particles C to thereby change colors in the filling part 6 visualized through the transparent electrode 7.例文帳に追加

そして、透明電極７および電極片８１、８２への電圧印加パターンを選択することにより、正帯電粒子Ｂおよび負帯電粒子Ｃが偏在する部位を変更し、これにより、透明電極７を介して視認する充填部６内の色を変更する。 - 特許庁

On the ceramic green sheet 1 forming the internal-layer portion, first and second internal electrode patterns 3a and 3b are printed by turns, and further an internal-layer electrode pattern for additional stacking and an internal-electrode non-formation portion 3c to be a ceramic green sheet for stack number adjustment are provided at predetermined positions.例文帳に追加

前記内層部を形成するセラミックグリーンシート１には、第１、第２の内部電極パターン３ａ，３ｂを交互に印刷し、さらに所定位置に追加積層用の内部電極パターンと積層枚数調整用セラミックグリーンシートとなる内部電極非形成部３ｃを設ける。 - 特許庁

On the ceramic green sheet 1 for forming the inner layer, a first and a second internal electrode patterns 3a, 3b are printed alternately, and an internal electrode pattern for additional lamination and an internal electrode non-forming part 3c becoming a ceramic green sheet for adjusting lamination number of sheets are arranged further at prescribed positions.例文帳に追加

前記内層部を形成するセラミックグリーンシート１には、第１、第２の内部電極パターン３ａ，３ｂを交互に印刷し、さらに所定位置に追加積層用の内部電極パターンと積層枚数調整用セラミックグリーンシートとなる内部電極非形成部３ｃを設ける。 - 特許庁

Conjugating the protruding electrode 5 formed on a semiconductor chip 4 on the interconnection pattern 2 face down bonds the semiconductor chip 4 on an insulating substrate 1, arranges the electrode 5 in staggering hsape, and forms an insulating layer 7 so as to cover an interconnection pattern 2a at the part adjacent to the bonding part of the protruding electrode 5b arranged at the outside on the semiconductor chip 4.例文帳に追加

半導体チップ４に形成された突出電極５を配線パターン２上に接合させることにより、半導体チップ４が絶縁性基材１上にフェースダウン実装され、突出電極５は千鳥配列されるとともに、半導体チップ４上で外側に配置された突出電極５ｂの接合部に隣接する部分の配線パターン２ａを覆うように絶縁層７を形成する。 - 特許庁

The thermoelectric module 10 capable of controlling temperature in a semiconductor laser module 30 comprises: an upper substrate 11 on which an electrode pattern 11b for thermoelements is formed; a lower substrate 12 on which an electrode pattern 12a for thermoelements is formed; and a plurality of thermoelements 13 arranged and fixed so that they are connected in series between the electrode patterns for thermoelements on both the substrates.例文帳に追加

本発明は半導体レーザモジュール３０を温度制御することが可能な熱電モジュール１０であって、熱電素子用電極パターン１１ｂが形成された上基板１１と、熱電素子用電極パターン１２ａが形成された下基板１２と、これらの両基板の熱電素子用電極パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子１３とからなる。 - 特許庁

To provide: a new conductive paste for intaglio offset printing, which can form an electrode pattern having a sufficient thickness and which excels in three-dimensional shape accuracy and conductivity on a surface of a substrate by increasing a transfer rate in a first transfer process out of an electrode pattern forming processes using an intaglio offset printing method; and a method of manufacturing an electrode substrate using it.例文帳に追加

凹版オフセット印刷法を利用した電極パターンの形成工程のうち、１回目の転写工程での転写率を高めて、基板の表面に、十分な厚みを有し、三次元の形状精度と導電性に優れた電極パターンを形成することができる、新規な凹版オフセット印刷用導電ペーストと、それを用いた電極基板の製造方法とを提供する。 - 特許庁

T-shaped gate electrode composed of a prop-like main gate electrode 6 and a beam-like conductor pattern 7 is provided on a semiconductor layer 3 to be isolated by a substrate isolating insulation film 2 from a semiconductor substrate 1 to form active regions, and the gate insulation film just beneath the beam-like conductor pattern 7 is made thicker than the gate insulation film 4 just beneath the main gate electrode 6.例文帳に追加

基板分離用絶縁膜２によって半導体基板１から分離した能動領域となる半導体層３上に、支柱状の主ゲート電極６と梁状導電体パターン７からなるＴ字状のゲート電極を設けるとともに、梁状導電体パターン７の直下のゲート絶縁膜の膜厚を主ゲート電極６の直下のゲート絶縁膜４の膜厚より厚くする。 - 特許庁

To enable growth of polarization inversion controllable uniformly, in a surface in a method for forming a local polarization inversion part, corresponding to a pattern of an electrode in ferroelectric crystal by forming the electrode having the prescribed pattern in the one surface of the monopolarized ferroelectric crystal, and applying electric field to the front and back surfaces of the ferroelectric crystal via the electrode.例文帳に追加

単分極化された強誘電体結晶の一表面に、所定のパターンを有する電極を形成し、この電極を介して強誘電体結晶の表裏に電場を印加することにより、該強誘電体結晶に前記電極のパターンに対応した局部的な分極反転部を形成する方法において、面内で均一に分極反転の成長を制御可能とする。 - 特許庁

In the plan view arrangement, the source electrode is formed in isolated insular pattern, the drain electrode is formed between the source electrode and the gate electrode in C-shape substantially surrounding the source electrode, the drain electrode is formed in C-shape substantially surrounding the gate electrode, and the capacitor lower electrode is provided in the source electrode.例文帳に追加

ゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介してゲート絶縁膜に接してソース電極及びドレイン電極が配置されており、ソース電極及びドレイン電極の間隙を埋めるように半導体層が配置されており、その上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極が配置されてなり、平面配置的に見てソース電極が孤立島パターンであり、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極の間にあってソース電極をほぼ囲むＣ字状であり、ドレイン電極がゲート電極をほぼ囲むＣ字状であって、ソース電極の内部にキャパシタ下部電極を有する薄膜トランジスタ装置。 - 特許庁

This preliminary formation of the metal film prevents changes of electric characteristics even when the metal film for adjustment is stuck to the fixed part during frequency adjustment, whereby the change in electric capacity of the electrode pattern is reduced and the occurrence of a floating capacity of the electrode pattern is suppressed.例文帳に追加

金属膜を予め形成しておくことによって、周波数調整時に固定部分に調整用の金属膜が付着した場合であっても、電気的特性が変化しないようにすることで、電極パターンの電気容量の変化を低減し、また、電極パターンの浮遊容量の発生を抑制する。 - 特許庁

A breakdown voltage structure 47 is formed around an emitter electrode 46e of a semiconductor chip 46, conductive spacer 14 is disposed between the semiconductor chip 46 and a copper pattern 12, and the emitter electrode 46e of the semiconductor chip 46 is connected to the copper pattern 12 sequentially via a solder 15, the conductive spacer 14 and a solder 13.例文帳に追加

半導体チップ４６のエミッタ電極４６ｅの周囲には耐圧構造４７が形成され、半導体チップ４６と銅パターン１２との間に導電性スペーサ１４を介挿し、半導体チップ４６のエミッタ電極４６ｅを、ハンダ１５、導電性スペーサ１４およびハンダ１３を順次介して銅パターン１２に接続する。 - 特許庁

A terminal electrode 7 for test is provided on the outside of each printed board 2 formed in a base material substrate 1 and the electrode 7 is electrically connected to the wiring pattern, etc., of the printed board 2 through a conductor pattern 8 provided on a narrow-width piece 3 which integrally connects the printed board 2 to the base material substrate 1.例文帳に追加

前記素材基板１のうち各プリント基板２の外側の部分に、前記テスト用端子電極７を設けて、このテスト用端子電極７を、前記プリント基板２を素材基板１に一体的に連結する細幅片３に設けた導体パターン８を介して、プリント基板２における配線パターン等に電気的に接続する。 - 特許庁

In the laminating process, the laminated body is formed by the lamination so that at least a part of the internal electrode pattern 611 positioning at the leader side of the screen-printing of the first green sheet piece Q1 and a part of the internal electrode pattern 616 positioning at the end side of the screen-printing of the second green sheet piece Q2 mutually face.例文帳に追加

積層工程において、第１のグリーンシート片Ｑ１におけるスクリーン印刷の始端側に位置する内部電極パターン６１１と第２のグリーンシート片Ｑ２におけるスクリーン印刷の終端側に位置する内部電極パターン６１６との少なくとも一部が対向するように積層して積層体を形成する。 - 特許庁

The piezoelectric oscillator comprises a cover 30, having a piezoelectric vibration piece on a lower surface and a wiring pattern 50 on an upper surface and disposed in an upper part of a case 10, and a semiconductor integrated circuit 40 mounted on the pattern 50 and connected to an external electrode 100 at a bottom of the case 10 via a side electrode 20 at a corner of the case 10.例文帳に追加

ケース１０の上部に、下面に圧電振動片を有し上面に配線パターン５０を有する蓋３０を配置し、配線パターン５０上に半導体集積回路４０を実装し、ケース１０の角に側面電極２０を介して、ケース１０の底部の外部電極１００に接続する。 - 特許庁

With respect to the optical board assembly for joining electrodes of the optical semiconductor device to an electrode pattern 1 provided on the substrate 7 through solder 3, the solder 3 is surrounded by a contact layer 11 which covers a part of the electrode pattern 1 and an insulator layer 10 which is provided on the contact layer 11.例文帳に追加

基板７上に設けた電極パターン１にハンダ３を介して光半導体素子の電極を接合するための光実装基板であって、ハンダ３の周囲を電極パターン１の一部を覆う密着層１１と該密着層１１上に設けた絶縁体層１０とで取り囲むようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

Said transparent conductive member 26 includes openings in portions corresponding to conductive parts of signal wiring portions (electrode terminals 23; A-D, F and G and wiring pattern 25 connected thereto) in the electrode terminals 23 and the wiring pattern 25 provided on the surface side of the main body 21 of the imaging device.例文帳に追加

この透明導電性部材２６は、撮像素子本体部２１の表面側に設けられた各電極端子２３および配線パターン２５のうち、信号用配線部分（電極端子２３；Ａ〜Ｄ、ＦおよびＧおよびこれに接続される配線パターン２５）の導電部に対応する部分に開口部を有している。 - 特許庁

In a structure where an n^+-type cathode region 6 is arranged in the center portion and p^+-type anode regions 7 are arranged on both sides of the n^+-type cathode region; an electrode pattern 11 is formed on a semiconductor element portion 8; and the electrode pattern 11 is connected to an electric-potential control portion 9, located on a side surface of the semiconductor element portion 8.例文帳に追加

ｎ^+型カソード領域６を中央に配置してその両側にｐ^+型アノード領域７を配置した構造において、半導体素子部８の上に電極パターン１１を形成すると共に、電極パターン１１が半導体素子部８の側面に位置する電位制御部９に接続された構造とする。 - 特許庁

A light-emitting device 1 includes: a mounting substrate 3 made of an inorganic material in which a circuit pattern 4 mounted with an LED element 2 is provided; an external connection electrode 44 of the circuit pattern 4; and a protection film 5 which is provided so as to cover the outer edge of the exposed surface of the external connection electrode 44 and is made of an inorganic material.例文帳に追加

発光装置１は、ＬＥＤ素子２を搭載する回路パターン４を設けた無機材料からなる搭載基板３と、回路パターン４の外部接続電極４４と、外部接続電極４４の露出する面の外縁を覆うように設けられ、無機材料からなる保護膜５とを有する。 - 特許庁