「pattern electrode」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

Finally, in a preferred embodiment, a structure of the bottom electrode and the resistor is sealed with a layer of 370 dielectrics which is formed in a pattern corresponding to the defined bottom electrode and resistor and etched.例文帳に追加

最後に、１つの好ましい実施例では、定められた底部電極および抵抗器に対応してパターンに作成されそしてエッチングが行われる３７０誘電体の層でもって、底部電極および抵抗器の構造体が封止される。 - 特許庁

To solve the problem that the thick film part of a resist layer 10 at the outer circumferential edge part of a mesa layer 2 is not exposed by a gate pattern and the forward end of a gate electrode 3 is supported only by the mesa layer 2 after a gate electrode material is applied.例文帳に追加

メサ層２の外側周縁部におけるレジスト層１０の厚膜部がゲートパターンの露光によって未露光となり、ゲート電極材料被着後にゲート電極３の先端がメサ層２によって片持ち支持されてしまう。 - 特許庁

A signal line between the printed wiring boards is electrically connected by bringing the signal line take-out electrode wiring patterns of a plurality of the printed wiring boards into contact with the inter-board connection electrode wiring pattern of the connection substrate.例文帳に追加

複数枚のプリント配線基板の信号線取り出し電極配線パターンと接続基板の基板間接続用電極配線パターンとを接触させることによって、プリント配線基板間の信号線が電気的に接続される。 - 特許庁

The temperature sensor has a substrate 4 having a flake type thermistor mounting recession 11 and a through hole 12, and an undersurface electrode pattern 6 of a predetermined area which is formed below the mounting recession 11 and is electrically connected to one electrode terminal.例文帳に追加

フレーク型サーミスタ実装凹部１１とスルーホール１２を有する基板４と、フレーク型サーミスタ実装凹部１１下部に形成され一方の電極端子に電気的に接続される所定面積の下面電極パターン６を有する。 - 特許庁

Subsequently, using the resist pattern as a mask, the conductive film and the mixing film are etched to form a gate electrode having a conductive film 15a and to leave the mixing film 20x on the side surfaces in the gate width direction of the gate electrode.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとして、導電膜及びミキシング膜をエッチングし、導電膜１５ａを有するゲート電極を形成すると共に、ゲート電極のゲート幅方向の側面の上に、ミキシング膜２０ｘを残存させる。 - 特許庁

The laminated dielectric resonator is formed with a capacitor part and inductor parts Q1 to Q3 by a pattern of internal electrode layers and their lamination structure wherein a plurality of the internal electrode layers are laminated via dielectric layers.例文帳に追加

誘電体層を介して複数の内部電極層が積層してあり、これらの内部電極層のパターンおよび積層構造により、コンデンサ部とインダクタ部Ｑ１〜Ｑ３とが形成してある積層型誘電体共振器である。 - 特許庁

Thus, since a different level part by the lower electrode is absent when the upper electrode is formed, the etching residue of the second conductive film is not generated and pattern defects and yield decline due to the working defects are suppressed.例文帳に追加

したがって、上部電極を形成する際に下部電極による段差部がないので、第２の導電膜のエッチング残渣が発生することがなく、加工不良によるパターン欠陥や歩留まりの低下を抑制することができる。 - 特許庁

A spacing between a barrier plate 7 and the bus alignment mark 50 is changed by varying the width of the bus alignment mark 50 in each cell, and variations in spacings among the barrier plate 7, the bus electrode 12 and a discharge electrode 11 are assessed by pattern recognition.例文帳に追加

セル毎にバスアライメントマーク５０の幅を変えることによって、隔壁７とバスアライメントマーク５０の間隔を変化させ、隔壁７と、バス電極１２ひいては放電電極１１との距離のばらつきをパターンに認識で評価する。 - 特許庁

In a liquid crystal panel 13, a wiring pattern 17 for connecting a common side electrode group 11 with a common transparent electrode group 4 is formed using a translucent film necessary for forming a translucent type liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネル１３において、駆動素子を接続するコモン側電極群１１とコモン用透明電極群４とを接続する配線パターン１７を、半透過型液晶パネルを構成するために必要な半透過膜を用いて形成する。 - 特許庁

In this field emission type display panel, the shading film is formed without having to increase production processes by forming a shading pattern utilizing thin metal film for cathode electrode or gate electrode, in the periphery of display area on the cathode substrate.例文帳に追加

電界放出型表示パネルにおいて、カソード基板上の表示エリア周辺部に、カソード電極用若しくはゲート電極用の金属薄膜を利用した遮光パターンを形成して、製造工程を増やさずに遮光膜を形成する。 - 特許庁

A TFT substrate 10 of an active matrix drive display unit has a TFT element including a gate electrode layer 12, gate insulation film 13, semiconductor pattern layer, and source/drain electrode layers successively formed on a glass substrate 11.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動表示装置のＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１上に順次に形成される、ゲート電極層１２、ゲート絶縁膜１３、半導体パターン層、及び、ソース／ドレイン電極層を含むＴＦＴ素子を有する。 - 特許庁

Second electrodes 121a and 121c belonging to an A electrode group 121A and a C electrode group 121C are electrically connected to extension wires 122e and 123d belonging to extension wiring pattern parts 122E and 123E.例文帳に追加

Ａ電極群１２１Ａ及びＣ電極群１２１Ｃに属する第２電極１２１ａ及び１２１ｃは、それぞれ延長配線パターン部１２２Ｅ，１２３Ｅに属する延長配線１２２ｅ及び１２３ｅに導電接続されている。 - 特許庁

In order to plot the pattern of an oblique line of 45°, coordinates of a field are inclined by 45°, and a deflection signal applied to each electrode of a positioning deflector 10 of eight electrodes is applied to an adjacent electrode arranged at intervals of 45°.例文帳に追加

４５°の斜線のパターンを描画するには、フィールドの座標を４５°傾け、８極の位置決め偏向器１０の各電極に印加する偏向信号を、４５°の間隔で配置されている隣の電極に印加するように制御する。 - 特許庁

A capacitor function part in the first resonance circuit part 5 comprises: an electrode 2b of the plane coil pattern 2, an electrode 3b of a conductive connection member 3; and adhesive interposed between the electrodes 2b and 3b.例文帳に追加

この第１共振回路部５におけるコンデンサ機能部は、平面コイルパターン２の電極２ｂと導電性接続部材３の電極３ｂと、それら電極２ｂ，３ｂ間に介在された接着剤とによって構成されている。 - 特許庁

The press of the electrode patterns of an anode and cathode is carried out to a lead frame, and the press of a recessed pattern matched with the shape of a semiconductor light emitting element is carried out to one of the electrode patterns, and the insert molding of the pressed thin plate is carried out with resin.例文帳に追加

リードフレームに陽極および陰極の電極パターンと電極パターンの一方に半導体発光素子の形状に合わせた凹状パターンのプレスを行い、このプレスを行った薄板を樹脂によりインサート成形を行う。 - 特許庁

After a source/drain 8 is formed as matching a void part 11, a conductive layer 14 with the void part 11 filled by W is formed, and then a gate insulating film 21 and the gate electrode 22 are formed with the dummy electrode pattern 7 removed.例文帳に追加

空隙部１１に整合してソース／ドレイン８を形成した後、Ｗで空隙部１１を充填してなる導電層１４を形成し、ダミー電極パターン７を除去してゲート絶縁膜２１及びゲート電極２２を形成する。 - 特許庁

The wiring pattern is extended in a direction at a side opposite to the electrode pad over the surface of a resin projection from the surface of the electrode pad, and forms a resistive element R by allowing partial wiring features to differ from those of other parts at an opposite side.例文帳に追加

配線パターンは、電極パッドの表面から樹脂突起の表面を越えて、電極パッドと逆側の方向に延び、且つ逆側において一部の配線諸元を、他の部分と異ならせて抵抗素子Ｒを形成する。 - 特許庁

Electrically conductive paste is prepared by using this metal powder, and ceramic green sheets in which an internal electrode pattern is formed are laminated and fired to prepare a base body 12 having a ceramic layer 14 and an internal electrode 16.例文帳に追加

この金属粉末を用いて導電性ペーストを作製し、内部電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより、セラミック層１４と内部電極１６とを有する基体１２を作製する。 - 特許庁

To achieve an area sufficient for a large current by utilizing a nozzle plate as an electrode section of a side of a common electrode without complicating a structure of a wiring pattern.例文帳に追加

共通電極側の電極部分としてノズルプレートを利用することで、配線の構造を複雑にすることなく、大容量の電流を流すのに十分な面積を確保することができるノインクジェットプリンタ用ヘッドを提供する。 - 特許庁

Then, the connecting electrode 51A is connected to the connecting electrode 51B to thereby be a temperature compensated crystal oscillation module 50 in which the wiring pattern of the ceramic substrate 41 is thermally separated from the metal pin terminal 46.例文帳に追加

そして、接続用電極５１Ａと接続用電極５１Ｂとを接続することによりセラミック基板４１の配線パターンと金属ピン端子４６とを熱的に離間した温度補償型水晶発振モジュール５０を提供する。 - 特許庁

Electrodes 41 and 42 of a wiring pattern set on the printed board are electrically connected to a discrete electrode 19 and a common electrode 20 with the use of an anisotropic conductive material containing conductive particles 44 of a constant size.例文帳に追加

一定の大きさの導電性の粒子４４が含有された異方性導電材料を用いて、プリント基板上に設けられた配線パターンの電極４１，４２と個別電極１９及び共通電極２０を電気的に接続した。 - 特許庁

Furthermore, an external vibrating electrode of the input output pattern electrode of a lower face of the piezoelectric substrate 1 is connected to input/output connection terminals 32, 32 of a base substrate 30 placed at the bottom.例文帳に追加

さらにはベース基板３０に形成した導電スルホール３５，３５を介して圧電基板１の下面の入出力パターン電極２の外振動電極４，４を下方にあるベース基板３０の入出力接続端子３２，３２と接続している。 - 特許庁

The source electrode 17 and the drain electrode 18 are formed on the semiconductor film 15 so as not to stick out from a pattern of the semiconductor film 15, at a distance equal to or more than 0 and equal to or less than 0.3 μm from the edge of the semiconductor film 15.例文帳に追加

ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体膜１５上において、半導体膜１５のパターンからはみ出さないように形成され、半導体膜１５端からの距離が０以上０．３ｕｍ以下である。 - 特許庁

By overlapping the source wiring metal of a MOS transistor with a gate electrode and varying the amount of overlapping with the gate electrode of the wiring metal in the channel width direction by a pattern design value, Vth multiplying realized, without increase in the number of processes.例文帳に追加

MOSトランジスターのソ−ス配線金属をゲート電極にオーバラップさせ、かつそのチャネル幅方向の配線金属のゲート電極へのオーバラップ量をパターン設計値で可変することにより工程増なくマルチVth化を実現する。 - 特許庁

The laminate is formed by laminating a ceramic green sheet having a conductor pattern formed on it to fabricate a ceramic capacitor 10 wherein an external electrode 18 is formed on element assembly 12 having a ceramic layer 14 and an internal electrode 16.例文帳に追加

セラミック層１４と内部電極１６とを有する素体１２に外部電極１８が形成された積層セラミックコンデンサ１０を作製するために、導体パターンを形成したセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する。 - 特許庁

A first gate electrode 4 and a second gate electrode 5 are formed on a semiconductor substrate 1 and, thereafter, a resist pattern is formed so that a part comprising the superposed part of the first and second gate electrodes 4, 5 is opened.例文帳に追加

半導体基板１上に第１のゲート電極４および第２のゲート電極５を形成した後に、選択的に第１および第２のゲート電極４、５の重なり部を含む部分が開口するようにレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The pad electrode patterns 21, 22 are connected to internal electrodes 20 not like a direct current, but like high frequency by capacitive coupling to the opposite electrode pattern 20a via the dielectric layer 11 or 14.例文帳に追加

パッド電極パターン２１，２２と内部導体２０は直流的に接続されているのではなく、誘電体層１１又は１４を介した対向電極パターン２０ａとの容量結合によって高周波的に接続されている。 - 特許庁

Laser welding is used for a process for soldering a harness for taking out an output signal from the condenser microphone to the electrode pattern of the condenser microphone, and the electrode at the welded part is formed in a shape suitable for laser welding.例文帳に追加

コンデンサマイクロフォンから出力信号を取り出すハーネスを前記コンデンサマイクロフォンの電極パターンへ半田付けする工程にレーザー溶接を用いるとともにこの溶着部分の電極をレーザー溶接に適した形状にした。 - 特許庁

A piezoelectric laminate 11 is constituted by laminating an internal electrode layer on the surface of a piezoelectric ceramic layer 12 wherein the internal electrode layer is constituted by laminating two kinds of profile pattern alternately and repeatedly.例文帳に追加

圧電積層体１１は、圧電セラミック層１２とその上面に設けられる内部電極層を積層することで構成されるが、このうち内部電極層は２種類の形状パターンが交互に繰り返し積層された構成である。 - 特許庁

Concerning this method, an undercoat 2 is formed on a ceramic substrate 1, while using a butyral, and next, an electrode pattern 5 is formed on this undercoat 2 and afterwards, firing of the electrode 5 is performed.例文帳に追加

そしてこの目的を達成する為に、本発明はセラミック基板１上にブチラール樹脂を用いてアンダーコート２を形成し、次に、このアンダーコート２上に電極パターン５を形成し、その後、電極パターン５の焼成を行なうものである。 - 特許庁

A protective layer 30, a transparent electrode 28 buried in the layer 30 and an organic insulating layer pattern 26 in which an opening 26x is disposed on the electrode 28 are formed on a plastic film 40 through an adhesive layer 32.例文帳に追加

プラスチックフィルム４０の上に、接着層３２を介して、保護層３０、保護層３０に埋設された透明電極２８、透明電極２８上に開口部２６ｘが設けられた有機絶縁層パターン２６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device is provided with a substrate 31 and a semiconductor layer, an active layer, and an electrode layer formed on the substrate, in which a multi-pattern structure is provided including a first pattern 32 formed in a corrugated structure between the substrate and the semiconductor layer, and a second pattern 33 having a corrugated structure formed on the corrugated structure of the first pattern.例文帳に追加

基板３１及び基板上に形成された半導体層、活性層及び電極層を備える半導体発光素子において、基板と半導体層との間に凹凸構造で形成された第１パターン３２と、第１パターンの凹凸構造上に形成された凹凸構造の第２パターン３３と、を備える多重パターン構造を有する半導体発光素子である。 - 特許庁

In positioning the screen mask to a base sheet, pattern matchings of an electrode arranging pattern 6P and an opening pattern 12P formed by detecting plane shapes of electrodes 6a of the base sheet 6 and pattern holes 12a by means of a laser measuring device are performed to obtain a matching ratio and to obtain a relative position for providing the maximum matching ratio and it is outputted as a position for the mask.例文帳に追加

スクリーンマスクの基板に対しての位置合わせにおいて、基板６の電極６ａおよびパターン孔１２ａの平面形状をレーザ計測装置によって検出することにより作成された電極配置パターン６Ｐおよび開口パターン１２Ｐをパターンマッチングさせてマッチング率を求め、最大のマッチング率を与える相対位置を求めてマスク位置として出力する。 - 特許庁

A color filter having at least a transparent colored pattern layer 3 sectioned into pixels with a black matrix pattern layer 2 on a transparent substrate 1 and a transparent common electrode layer 5 on the transparent colored pattern layer 3 is provided with a photospacer part 4 for cell gap adjustment, formed having a large layer thickness in a projection shape, at a portion of the transparent colored pattern layer 3.例文帳に追加

透明基板１上に少なくともブラックマトリクスパターン層２により画素区分された透明着色パターン層３と、該透明着色パターン層３上に透明な共通電極層５とを備えたカラーフィルタにおいて、前記透明着色パターン層３の一部に、その層厚を突起状に厚く形成したセルギャップ調整用のフォトスペーサ部４が設けられている。 - 特許庁

The sheet-like circuit device has a filmy base 11, a circuit pattern including circuit elements 12, 13 formed on the base 11, first outside connecting electrode terminals 14, 15 and second electrode terminals 16 connected to the circuit pattern, and an adhesive layer 17 adhesive at room temperature formed on at least either the circuit pattern forming surface or the filmy base 11 surface.例文帳に追加

フィルム状基材１１と、フィルム状基材１１に形成された回路素子１２、１３を含む回路パターンと、回路パターンに接続された外部接続用の一方の電極端子１４、１５、他方の電極端子１６と、回路パターン形成面およびフィルム状基材１１表面の少なくとも一方の面上に形成された常温で粘着性を有する粘着層１７とを有する構成からなる。 - 特許庁

This manufacturing method includes a step of forming an emitter pattern by forming an electroluminescent carbon material on a glass substrate in a predetermined pattern; a step of forming an electrode layer of a predetermined height on the emitter pattern and the glass substrate; a step of applying the gel polymeric material over the entire electrode layer; a step for curig the gel polymeric material; and a step of removing the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板上に電界発光特性があるカーボン物質を所定のパターンで形成することによってエミッターパターンを形成するステップと、エミッターパターン及びガラス基板上に所定の高さに電極層を形成するステップと、電極層上にゲル状の高分子材料を全体的に塗布するステップと、ゲル状の高分子材料を硬化処理するステップと、ガラス基板を取り去るステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In a surface acoustic wave device S, an excited electrode 14 and a grounding conductor pattern 3 to be connected to the electrode 14 are arranged on a piezoelectric substrate 21, a part of the pattern 3 is lead to the side end part of the substrate 21, and a part of the pattern 3 lead to the side end part of the substrate 21 is in a form having periodicity.例文帳に追加

圧電基板２１上に、励振電極１４と、該励振電極１４に接続される接地用導体パターン３とが配設されているとともに、接地用導体パターン３の一部が圧電基板２１の側端部に導出されているものとし、圧電基板２１の側端部に導出されている接地用導体パターン３の一部が周期性を有する形状を成している弾性表面波装置Ｓとする。 - 特許庁

The ceramic multi-layer substrate is manufactured, by using a laminated ceramic insulating layer, a conductor pattern formed between the insulating layers, a dielectric for forming a capacitor by being in contact with the conductor pattern, and a via penetrating the ceramic insulating layer, in which the electrode of the capacitor is filled with the conductor pattern and conductive paste.例文帳に追加

積層されたセラミック絶縁層と、前記絶縁層間に形成された導体パターンと、前記導体パターンに接してコンデンサを形成するための誘電体と、前記コンデンサの電極に前記導体パターンと導電ペーストが充填された前記セラミック絶縁層を貫通するビアとを用いることを特徴とするセラミック多層基板。 - 特許庁

The capacitor comprises an interlayer insulation film pattern arranged on a semiconductor substrate having an opening for exposing the upper surface of the semiconductor substrate, a silicide pattern formed on the semiconductor substrate exposed through the opening, and a lower electrode covering the inner wall of the opening where the silicide pattern is formed.例文帳に追加

本発明によるこのキャパシタは、半導体基板上に配置されて半導体基板の上部面を露出させる開口部を有する層間絶縁膜パターン、開口部を通じて露出された半導体基板に形成されるシリサイドパターン及びシリサイドパターンが形成された開口部の内壁を覆う下部電極を含む。 - 特許庁

In this connection structure, a wiring pattern is formed on the transparent middle substrate 4 made of glass or the like and a driving chip 5 which is to be connected to the wiring pattern is mounted on the middle substrate 4 and the wiring pattern of the middle substrate 4 are electrically connected to electrode terminals 3 of a liquid crystal display panel 1 with a flat cable 7 for connecting the panel.例文帳に追加

ガラス等からなる透明な中間基板４に配線パターンを形成し、この中間基板４に配線パターンに接続される駆動用チップ５を搭載し、中間基板４の配線パターンと液晶表示パネル１の電極端子部３とをパネル接続用フラットケーブル７を介して電気的に接続する。 - 特許庁

After a first insulating film pattern having a first contact hole is formed, a contact plug for a lower electrode is formed in the contact hole and a second insulating film having a second etching ratio higher than a first etching ratio of the first insulating film pattern is formed on the first insulating film pattern and the contact plug.例文帳に追加

第１コンタクトホールを有する第１絶縁膜パターンを形成した後、前記コンタクトホール内に下部電極用コンタクトプラグを形成し、前記第１絶縁膜パターン及び前記コンタクトプラグ上に前記第１絶縁膜パターンの第１食刻比より高い第２食刻比を有する第２絶縁膜を形成する。 - 特許庁

On one side surface of transparent base 1, a mesh pattern 4 (or 2) including a light-shielding pattern 7 (or 5) of black stripe and a conductive thin film having electromagnetic wave shielding function is formed and, on the other side surface, a display electrode 15 of a mesh pattern made of conductive thin film is formed.例文帳に追加

透明基材１の一方の面に、ブラックストライプの遮光パターン７（または５）と電磁波シールド機能を有する導電性薄膜からなるメッシュパターン４（または２）とが形成されるとともに、透明基材１の他方の面に、導電性薄膜からなるメッシュパターンの表示電極１５が形成されてなる。 - 特許庁

An electrode pattern 3b containing a barcode pattern 3b is formed on a surface of the semiconductor laser chip 1, and at the same time the barcode pattern 3b is formed in a region, where wire bond at the time of mounting the semiconductor laser chip 1 is not affected thereby, and is formed at a position nearer to the face 21 opposite to the main emission face 20 of the laser.例文帳に追加

半導体レーザチップ１の表面にバーコードパターン３ｂを含む電極パターン３ｂが形成されるとともに、このバーコードパターン３ｂは、半導体レーザチップ１を実装する際のワイヤーボンドに影響を与えない領域で、かつ、レーザの主出射面２０とは反対側の面２１寄りに形成される。 - 特許庁

In this manufacturing method, a first resist pattern 7 having an aperture 7a for exposing source/drain regions 5, 6 to expose the upper surface of a gate electrode 2 is formed and a second resist pattern 8 having the second apertures 8d, 8e, 8c for defining source/drain electrodes 10, 11 and upper layer wiring 9 is laminated on a first resist pattern.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域５，６を表出する開口７ａを有しゲート電極２上面を表出する第一のレジストパターン７を形成し，その上にソース・ドレイン電極１０，１１及び上層配線９を画定する第二の開口８ｄ，ｅ，ｃを有する第二のレジストパターン８を積層する。 - 特許庁

In the electrode probe P1, a first contact part 1 formed of a good conductor is brought into contact with a conductive pattern h5 after a second contact part 2 formed of a highly electric-resistant material is brought into contact with the conductive pattern h5 by slidably moving a substrate h4 having the conductive pattern h5 formed thereon as the work to be detected.例文帳に追加

被検出物とする導電パターンｈ５が形成された基板ｈ４をスライド移動させることにより、電極プローブＰ１は、高抵抗材からなる第２の接点部２が導電パターンｈ５に接触した後に、良導電体からなる第１の接点部１が導電パターンｈ５と接触するようにした。 - 特許庁