「patterning method」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the pattern forming body has a plasma irradiation process in which a patterning substrate having: a base material; an intermediate layer formed on the substrate and including a silane coupling agent or a polymer of the silane coupling agent ; and the resin layer formed in a pattern shape on the intermediate layer, is irradiated with plasma from the side of a resin layer by using fluorine gas as an introduction gas.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材上に形成され、シランカップリング剤または前記シランカップリング剤の重合体を含有する中間層と、前記中間層上にパターン状に形成された樹脂層とを有するパターニング用基板に、前記樹脂層側からフッ素ガスを導入ガスとしてプラズマ照射するプラズマ照射工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating a probe tip for use in the scanning probe microscope includes steps of forming a triangular prism formed with protective films on both sidewalls by patterning a (111) general silicon wafer; etching the silicon wafer to make the triangular prism into a probe tip of triangular pyramid shape; and removing the protective films.例文帳に追加

本発明は、走査探針顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に用いられる探針ティップを製造する方法において、（１１１）一般シリコンウェーハをパターニングし、両側壁に保護膜が形成されている三角柱を形成する段階と、前記シリコンウェーハをエッチングし、前記三角柱を三角錐状の探針ティップに形成する段階と、前記保護膜を取り除く段階と、を含む探針ティップの製造方法を提供する。 - 特許庁

For the manufacturing method of the organic EL display element comprising a positive electrode, a negative electrode and at least one layer of patterned organic layer laid between those electrodes, the organic layer is flattened and a patterning error is corrected after forming the patterned organic layer by coating a solvent capable of dissolving the organic layer on the organic layer by spray coating and redissolving the organic layer.例文帳に追加

陽極と陰極とを有し、これらの電極の間に挟まれた少なくとも１層の有機層を有し、かつこの有機層がパターニングされている有機ＥＬ表示素子の製造方法であって、パターニングされている有機層を形成した後、前記有機層が可溶な溶媒を、前記有機層にスプレーコーティングにより塗布し、前記有機層を再溶解させて、前記有機層の平坦化およびパターニングエラーの補正を行う有機ＥＬ表示素子の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a ferroelectric memory element includes the stages of: forming a first electrode 31a on a substrate; forming a ferroelectric film 32a on the first electrode 31a; forming a second electrode 33a on the ferroelectric film 32a; crystallizing the ferroelectric film 32a; and patterning the first electrode 31a, ferroelectric film 32a and second electrode 33a.例文帳に追加

本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３１ａを形成する工程と、第１電極３１ａ上に強誘電体膜３２ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａ上に第２電極３３ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程と、第１電極３１ａと強誘電体膜３２ａと第２電極３３ａとをパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method including a step of evaporating a transparent electrode 11 on a transparent substrate 10; a step of forming a resistance layer 12 on the transparent electrode 11 by laminating UV-transmitting resistance materials 12; a step of forming an emitter layer 13 on the resistance materials 12 by laminating carbon nanotube; and a step of patterning the emitter layer 13 by a prescribed emitter pattern.例文帳に追加

透明基板１０上に透明電極１１を蒸着するステップと、透明電極１１上に、ＵＶ透過性抵抗性物質を積層して抵抗層１２を形成するステップと、ＵＶ透過性抵抗性物質１２上に炭素ナノチューブを積層してエミッタ層１３を形成するステップと、エミッタ層１３を所定のエミッタパターンによってパターニングするステップとを含むことを特徴とする電界放出素子用エミッタの製造方法である。 - 特許庁

A solar cell manufacturing method includes the steps of coating a front surface of a semiconductor substrate with a dispersing agent containing either a p-type dopant or an n-type dopant, performing heat treatment on the dispersing agent to solidify the dispersing agent, partially removing and patterning the solidified dispersing agent, and dispersing the dopant from the patterned dispersing agent to form a dispersion layer on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面上にｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of a metallic material layer has a process for forming a resist layer on a substrate, a process for forming a resist pattern by patterning the resist layer, a process for disposing an organic metallic solution on the substrate and on the resist pattern, a solvent removal process for removing solvent of the organic metallic solution, and a lift-off process for removing the resist pattern after the solvent removal process.例文帳に追加

本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。 - 特許庁

A fabrication method of semiconductor device includes a process for pressing a mold 1 having a pattern formed thereon to a negative-type photoresist 2, a process for selectively irradiating an irradiated light 7 to the photoresist 2 by pressing the mold 1 to the photoresist 2 through the mold 1, and a process for patterning the photoresist 2 by removing an area of the photoresist 2 where the irradiated light 7 is not irradiated by developing the photoresist 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド１をネガ型のフォトレジスト２に押し付ける工程と、モールド１をフォトレジスト２に押し付けた状態で、照射光７をモールド１を通じてフォトレジスト２に選択的に照射する工程と、フォトレジスト２を現像することによりフォトレジスト２の照射光７が照射されていない領域を除去してフォトレジスト２をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

The wiring forming method includes: patterning a silver halide emulsion onto at least one surface side of a substrate in accordance with a wiring pattern to form a patterned emulsion layer made of the silver halide emulsion on at least the one surface side of the substrate; exposing the patterned emulsion layer; and performing development processing for the exposed patterned emulsion layer to form a patterned conductive silver layer as the wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンに応じて、ハロゲン化銀乳剤を基板の少なくとも片側表面上にパターニングして、前記基板の少なくとも片側表面上に前記ハロゲン化銀乳剤からなるパターン化された乳剤層を形成し、前記パターン化された乳剤層を露光した後、前記露光されたパターン化された乳剤層を現像処理して、パターン化された導電性銀層を前記配線パターンとして形成することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

Namely, the method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: directly attaching the photosensitive adhesive layer 10 with the above performance onto the semiconductor mounted surface 6a of the support member 6; patterning the photosensitive adhesive layer 10 on the semiconductor mounted surface 6a through exposure and development; and directly adhering the semiconductor element 8a to the patterned photosensitive adhesive layer (insulating layer) 10a.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、支持部材６の半導体搭載面６ａ上に上記性能を有する感光性接着剤層１０を直接付設する工程と、半導体搭載面６ａ上の感光性接着剤層１０を露光及び現像によってパターニングする工程と、パターニングされた感光性接着剤層（絶縁層）１０ａに半導体素子８ａを直接接着する工程とを備える。 - 特許庁

In another embodiment, a method of making a film capacitor includes: patterning a first metalized film electrode group and a second metalized film electrode group to form a common dielectric structure; and rolling the common dielectric structure such that the first metalized film electrode group and the second metalized film electrode group form a sectioned and patterned metalized film capacitor having interconnections on only one face of a circular end of the capacitor.例文帳に追加

別の態様によれば、フィルムコンデンサを形成する方法は、第１の金属化フィルム電極群と、第２の金属化フィルム電極群とをパターニングして、共通の誘電構造を形成すること、共通の誘電構造を巻回し、それにより、第１の金属化フィルム電極群と、第２の金属化フィルム電極群とが一緒に、コンデンサの円形端部の一方の面だけの上に相互接続部を有する、区分けされ、パターニングされた金属化フィルムコンデンサを形成するようになることを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor thin film comprises a step of forming an amorphous Si semiconductor layer 12 on an insulating board 11, a step of forming and patterning the insulating film 13 on the layer 12, and a laser emitting step of intermittently emitting plural times a laser of a energy of a critical energy or more of crystallization of the Si semiconductor 12 to the layer 12.例文帳に追加

本発明は絶縁性基板１１上にアモルファスのＳｉ系半導体層１２を形成する工程と、アモルファスのＳｉ系半導体層１２の上に絶縁性層１３を形成してパターニングする工程と、Ｓｉ系半導体１２の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをＳｉ系半導体層１２に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするＳｉ系半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a thin film transistor comprises the steps of forming at least one buffer layer on a substrate, forming a first semiconductor layer on the buffer layer, forming a doped second semiconductor layer on the first semiconductor layer, forming a source electrode and a drain electrodes by patterning the second semiconductor layer, forming a gate insulating film on the source electrode and the drain electrode, and forming the gate electrode on the gate insulating film.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つのバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層上にドーピングされた第２半導体層を形成する段階と、前記第２半導体層をパターニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成する段階及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The method for forming a triode structure of a field emission display includes a step of preparing a transparent substrate, a step of patterning a conductive paste layer containing catalytic metal on the transparent substrate to form a cathode layer, a step of forming a gate structure on the cathode layer and the transparent substrate by a process of sandblasting or photolithography, and a step of forming an isomeric carbon emitter on the cathode layer.例文帳に追加

透明基板を準備するステップと、前記透明基板の上に金属触媒を含有する導電性ペーストを付着させ、導電性ペースト層をパターン化して陰極電極層を形成するステップと、砂吹き法または写真平板法プロセスにより前記陰極電極層と前記透明基板上にゲート構造を作成するステップと、前記陰極電極層上部に異性炭素エミッターを作成するステップとからなる電界放射ディスプレイ用の三極構造を形成させる。 - 特許庁

To provide an EUV light exposure mask having no effect on the substantial reflection performance of a multilayer film 2 portion even if it is not stripped and in which the structure and material of a buffer film 4 are specified to have the essential function, i.e., the protective function of the multilayer film 2, and to provide a blank for producing the mask and a patterning method employing that mask.例文帳に追加

基板１上に、露光光を反射する領域となる多層膜２を有し、前記多層膜２上に吸収用となるパターニングされた薄膜３、さらに前記多層膜２と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜４を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜２部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜２の保護機能も有するように緩衝膜４の構造、材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an EUV light exposure mask having no effect on the substantial reflection performance of a multilayer film 2 part even if it is not stripped in which the structure and material of a buffer film 4 are specified to have the essential function, i.e. the protective function of the multilayer film 2, and to provide a blank for producing the mask and a patterning method employing that mask.例文帳に追加

基板１上に、露光光を反射する領域となる多層膜２を有し、前記多層膜２上に吸収用となるパターニングされた薄膜３、さらに前記多層膜２と吸収性薄膜の間に緩衝用となる薄膜４を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、剥離しなくとも多層膜２部の実質的な反射性能への影響がなく、さらに本来の機能としての多層膜２の保護機能も有するように緩衝膜４の構造、材料が規定されたＥＵＶ露光用マスク、およびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method also comprises steps of: forming a first optical film having a lens shape by patterning a lens substrate; and forming a second optical film on the first optical film by controlling the film formation condition so that a lens having a desired curvature is constructed.例文帳に追加

半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部を形成する工程と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成された集光レンズを形成する工程とを具備した固体撮像素子の製造方法において、前記レンズ基体をパターニングすることにより、レンズ形状を有する第１の光学膜を形成する工程と、前記第１の光学膜上に、所望の曲率のレンズを構成するように、成膜条件を制御して、第２の光学膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁