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patterning methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1674件
To provide the forming method of buried wiring wherein the material of an insulating substrate, in which the buried wiring is formed, is not limited so as to be high in thermal resistance and the corrosion resistance of terminal unit of the buried wiring can be improved while being capable of surely effecting the patterning thereof through reduced processes with excellent accuracy of film thickness.例文帳に追加
埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a resin a resin which favorably hydrophobilizes the surface of resist film to improve the followability of immersion liquid in patterning by immersion exposure and which exhibits an effect of preventing coating defect and development defect and to provide a method for production of the resin, and to provide a positive resist composition containing the resin.例文帳に追加
液浸露光によるパターニングにおいて、良好にレジスト膜表面を疎水化し、液浸液追随性を良好とするとともに、塗布欠陥、現像欠陥の抑制に効果を示す樹脂、及び、その製造方法、該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁
In a patterning method by immersion lithography, a protective coating film is formed on a photoresist layer formed on a wafer, from a resist overcoat material, developing is performed after exposing the layer structure to light in water, wherein a water-insoluble, alkali-soluble material is used as the resist overcoat material.例文帳に追加
ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として非水溶性でアルカリ可溶性の材料を用いる。 - 特許庁
In the method of manufacturing the probe needle having the beam and a contact disposed at the tip of the beam, an Si wafer 20 is prepared, a seed layer 21 is formed on the Si wafer 20, and a groove having a desired shape of the beam is formed on the layer by patterning a photo resist 23.例文帳に追加
梁と、梁の先端部に設けられるコンタクタとを有するプローブ針の製造方法は、Siウエハ20を準備し、Siウエハ20の上に、シード層21を形成し、その上にフォトレジスト23をパターニングすることにより、梁の所望の形状を有する溝を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing process increase such as patterning, reducing an inter-wiring capacity, superior in adhesion and mechanical strength with a dispersion barrier film covering a wiring material and superior in manufacture of an insulating film, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
パターニングなどの工程増を抑制し、配線間容量を低減させるとともに、配線材料を被覆する拡散バリア膜との密着性や機械的強度にも優れ、絶縁膜の加工性にも優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together.例文帳に追加
シリコン基板100A上に転送ゲート絶縁膜150を介して第1ポリシリコン膜152A、第1シリコン酸化膜154Aを順次成膜した後、フォトマスク160を介してドライエッチング等を行い、第1シリコン酸化膜154Aと第1ポリシリコン膜152Aとを併せてパターニングする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of conducting patterning for forming a connection hole and an wiring groove by one lithography step by suppressing the complexity of a manufacturing step and using no mask which requires difficult manufacturing and a long manufacturing time.例文帳に追加
製造工程が複雑になるのを抑制するとともに、製造が困難で製造に時間がかかるマスクを用いることなく、1回のリソグラフィ工程により接続孔および配線溝を形成するためのパターニングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flexible wiring circuit board which causes no deterioration of patterning accuracy and less pattern fault, and is relatively easy to downsize its production equipment and its lead time can be relatively shortened and can be cut out by laser cutting method, even if the pattern pitch of the flexible wiring circuit board is made extremely small.例文帳に追加
フレキシブル配線回路基板のパターンピッチが非常に小さくなった場合であっても、パターニング精度が低下せず、パターン不良も生じにくく、製造設備の小型化も比較的容易であり、リードタイムを比較的短くすることができ、レーザーカッティング法で抜き加工を実施することもできるフレキシブル配線回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface finish method which enables the range worked with patterning to be designed easily and to be carried out efficiently with a satisfactory finish condition not depending on a grinding method by handyman's hands or machines, when making the concrete surface of exposed concrete or a precast product express the ballast of aggregate and attaching concave-convex patterns.例文帳に追加
打ち放しコンクリートやプレキャスト製品のコンクリート表面に骨材の砂利を表出させて凹凸模様を付ける際に、職人の手や機械によってハツル方法によらず、仕上がり状態が良好で、模様付けする範囲を容易にデザインすることができ、かつ効率的に行うことができる、表面仕上げ方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the partition of the biochip 100 including a substrate 10 and the partition 20 for partitioning its surface includes a first film formation process for forming a first film on the substrate 10 by using the radiation-sensitive composition containing a color former (A), and a partition forming process for forming the partition 20 by patterning the first film by a lithography method.例文帳に追加
基板10とその表面を区画する隔壁20とを備えるバイオチップ100における隔壁製造方法で、カラーフォーマー(A)を含む感放射線性組成物を用いて基板10上に第1膜を形成する第1膜形成工程と、第1膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁20を形成する隔壁形成工程と、を備える。 - 特許庁
To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for pracrtical use, has weather resistance, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method by which fine patterning with a metal oxide can directly be carried out on a substrate by treatment at ordinary temperature or treatment at a relatively low temperature and to inexpensively provide various high density electronic devices having a high degree of integration, a high functional optical element and a photocatalytic member to markets by utilizing the pattern forming method.例文帳に追加
常温処理或いは比較的低温での処理により基板上に直接金属酸化物による微細形状のパターニングを行うことを可能としたパターン形成方法を提供し、また、このパターン形成方法を利用することで、高密度、高集積度の各種電子デバイス、高機能の光学素子、光触媒性部材を安価に市場に提供する。 - 特許庁
To provide a surface treatment method of a resist pattern which meets the requirement that the line width and LWR (Line Width Roughness) of a first resist pattern are not varied by the freezing of the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method.例文帳に追加
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びLWRが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for practical use, has weatherability, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming a zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.例文帳に追加
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とLWRが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁
The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加
基板11上にパターンを形成するための薄膜12,13を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン14aをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁
The method for creating a pattern data of a photomask for multiple exposure techniques is to be applied for multiple patterning using a plurality of photomasks prepared by dividing a designed pattern; and the method is characterized in that the pattern is divided to render the area of each pattern set to be almost equal to others in each pattern set in the plurality of photomasks after dividing the pattern.例文帳に追加
設計パタンをパタン分割した複数のフォトマスクを用いて多重パターニングを行う多重露光技術用フォトマスクのパタンデータ作成方法であって、前記パタン分割後の複数のフォトマスクの各々のパタン集合において、前記各々のパタン集合の面積がほぼ等しくなるようにパタン分割することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.例文帳に追加
ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、(1)第一のレジストパターンの線幅が変動しない、(2)第一のレジストパターンのラインエッジラフネス(LER)が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
The method of manufacturing the ferroelectric memory device comprises processes of (a) forming a ferroelectric layer 214a over a first conductive layer 212a, (b) patterning the ferroelectric layer 214a, and (c) forming an insulation layer 222 so as to fill in spaces formed in the ferroelectric layer 214a by a method which allows no hydrogen to be generated.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置の製造方法は、(a)第1導電層212aの上に、強誘電体層214aを形成する工程、(b)強誘電体層214aをパターニングする工程、(c)強誘電体層214aの相互間を充填するように、水素を発生させない方法により絶縁層222を形成する工程を含む。 - 特許庁
To provide a method of more reliably forming a semiconductor material layer, an electrode, and a wiring pattern, especially the pattern of source and drain electrodes requiring precise patterning in a thin-film transistor, and to provide a method of forming a semiconductor channel having high mobility precisely with improved reproducibility together with the electrode pattern.例文帳に追加
薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。 - 特許庁
The method is a thermolysis mutual fusion method for heat decomposable particles for heating the heat decomposable particles selectively, by performing on various kinds of boards surface application or circuit patterning of particles having a heat decomposable property and capable of absorbing high frequency electromagnetic waves, and subsequently performing high frequency electromagnetic irradiation, and relates to electronic mounted components such as conductive materials, conducting paths, bumps, pads, vias, etc. formed by the method.例文帳に追加
熱分解性を有し且つ高周波電磁波を吸収する粒子を、各種基板上に表面塗布又は回路パターンニングを行った後に、高周波電磁波照射を行うことで、熱分解性粒子を選択的に加熱する熱分解性粒子の加熱分解相互融着方法とこの方法を用いて形成した導電材、導電路、アンテナ、バンプ、パッド、ビア等の電子実装部品である。 - 特許庁
This method for manufacturing the cushion layer for the polishing pad includes: a process for molding a mixture containing energy ray curing resin into a sheet shape; a process for performing patterning of hardened parts and unhardened parts by a photolithography method on one surface of the obtained sheet; and a process for forming irregularities on one surface of the sheet by removing the unhardened parts.例文帳に追加
研磨パッド用クッション層の製造方法であって、エネルギー線硬化性樹脂を含む混合物をシート状に成型加工する工程、得られたシートの片面上にフォトリソグラフィー法により硬化部分と未硬化部分のパターニングを施す工程、及び未硬化部分を除去することによりシートの片面上に凹凸形状を形成する工程を含む研磨パッド用クッション層の製造方法。 - 特許庁
The method includes: a step of forming an insulating film; a step of forming a conductive film on the insulating film; a step of forming a pixel electrode with an aperture by patterning the conductive film; and a step of forming the contact hole for communicating with the insulating film through the aperture by an etching method using the pixel electrode with the aperture as an etching mask.例文帳に追加
絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするTFTアレイ基板の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a color filter substrate by simply correcting a black matrix exposure pattern, fabricating an exposure mask and forming a black matrix in a black matrix forming process in which a series of patterning treatments such as pattern exposure with a proximity exposure method on a black photosensitive resin layer on a transparent substrate, a development treatment and so on are conducted.例文帳に追加
透明基板上の黒色感光性樹脂層に近接露光法(プロキシミティー)にてパターン露光し、現像処理等の一連のパターニング処理を行ってブラックマトリクスを形成する工程において、簡易的にブラックマトリクス露光パターンのパターン補正を行って露光マスクを作製してブラックマトリクスを形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In the manufacturing method of the thin film transistor comprising the process of patterning at least one element of the thin film transistor (TFT) on an intermediate transfer medium and the process of transferring the at least one patterned element onto a long-length support body, the manufacturing method of the thin film transistor has the process of executing heating treatment to the at least one patterned element.例文帳に追加
薄膜トランジスタ(TFT)の少なくとも一つの要素を中間転写媒体上にパターニングする工程、該パターニングされた少なくとも一つの要素を、長尺支持体上に転写する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 前記パターニングされた少なくとも一つの要素に、加熱処理を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁
The one substrate 2 is manufactured by forming transparent electrodes 11 for forming the color filters on one surface 10a of a plastic substrate 10 having translucency, then forming the color filters 12 by an electrodeposition method using these electrodes 11 and patterning and forming transparent electrodes 13 for display by a photolithography method on the other substrate 10b of the substrate 10 with the formed color filters 12 as a mask.例文帳に追加
一方基板2は、透光性を有するプラスチック基板10の一方表面10aにカラーフィルタ形成用透明電極11を形成した後、該電極11を用いて電着法によってカラーフィルタ12を形成し、形成したカラーフィルタ12をマスクとして基板10の他方表面10bにフォトリソグラフィ法によって表示用透明電極13をパターン形成して作製される。 - 特許庁
In addition, a manufacturing method of a display device includes a process to use the adhesive layer 4 as a color filter layer by applying patterning by carrying out exposure and development after transferring the phosphor layer 3 and the adhesive layer 4 to the inner surface of a display panel by using the thermally-sensitive transfer film F.例文帳に追加
また、この感熱性転写フィルムFを用いて表示パネルの内面へ蛍光体層3および接着剤層4を転写した後、露光、現像を行ってパターニングを施すことにより接着剤層4をカラーフィルタ層として用いるようにする工程を含む表示装置の製造方法でもある。 - 特許庁
A method for manufacturing a semiconductor device includes a process of manufacturing a thickened resist pattern by forming a resist pattern on a base layer and then coating the resist pattern surface with the thickening material to thicken the resist pattern and a process of patterning the base layer by etching the base layer by using the thickened resist pattern.例文帳に追加
下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁
This method of forming a carbon nanotube pattern contains patterning process in which a desired pattern is printed on the surface of the substrate with a carbon nanotube dispersion in which the carbon nanotube is dispersed in a dispersant and the dispersant is vaporized to form a pattern layer, and a pattern fixing process in which the pattern layer is fixed on the surface of the substrate.例文帳に追加
カーボンナノチューブが分散媒に分散したカーボンナノチューブ分散液にて基板表面に所望のパターンを印刷し、分散媒を蒸発させてパターン層を形成するパターニング工程と、パターン層を基板表面に固定するパターン固定工程とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブパターンの形成方法。 - 特許庁
In the patterning method, the pattern of a photomask is transferred to an underlying material by exposure processing thus forming a first guide where the surface energy of the underlying material is changed, and a second guide where the surface energy of the underlying material is changed is formed between the first guides by diffraction of exposure light resulting from exposure processing.例文帳に追加
実施の形態のパターン形成方法は、露光処理により、フォトマスクのパターンを下地材に転写して下地材の表面エネルギーを変化させた第1のガイドを形成すると共に、露光処理により生じる露光光の回折により、第1のガイド間に下地材の表面エネルギーを変化させた第2のガイドを形成する。 - 特許庁
The processing method for patterning the thin film subjects a piezoelectric film composed of the thickness several μm formed on the substrate to microfabrication by irradiating the piezoelectric film with a laser of an oscillation wavelength near 500 nm and a pulse width of pico second or below at ≥20 GW/cm^2 per unit area from the piezoelectric film side.例文帳に追加
基板上に形成された厚さ数μmからなる圧電素子膜に対し、前記圧電素子膜側から発振波長が500nm近傍でパルス幅がピコ秒以下のレーザを単位面積当り20GW/cm^2以上で照射を行い前記圧電素子膜に微細加工を施すことで解決できる。 - 特許庁
The method includes steps of: forming a recessed part (25) in a pixel area on one substrate (20); forming a light-shielding film (23') in a solid state; removing the light-shielding film in the seal area; and forming a black matrix (23) by patterning the light-shielding film in the pixel area.例文帳に追加
本製造方法は、一方の基板(20)上の画素領域に凹部(25)を形成する工程と、遮光膜(23´)をベタ状に形成する工程と、シール領域において遮光膜を除去する工程と、画素領域において遮光膜をパターニングすることにより、ブラックマトリクス(23)を形成する工程とを備える。 - 特許庁
To enable an insulated gate field effect transistor (MOSFET), whose gate length is of the order of sub-micron or sub-0.1 μm to be enhanced in characteristics and improved in characteristics uniformity by a method, where the planarity of a resist underlying layer serving as a gate electrode is ensured, and a gate electrode is formed accurately by actuate patterning.例文帳に追加
絶縁ゲート電界効果トランジスタ(MOSFET)において、ゲート電極となるレジスト下地層の平坦性を確保し、ゲート電極の精度良いパターニングを実現することによりゲート長がサブミクロン領域、或いはサブ0.1μm領域のMOSFETにおいて、トランジスタ特性の向上、ばらつきの低減を図る。 - 特許庁
To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加
超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a color filter substrate wherein tapers having a plurality of angles are provided in the same layer and enhancement of contrast, color reproducibility and patterning properties can be attained, to provide its manufacturing method, and to provide an electrooptical device and an electronic device using the color filter substrate.例文帳に追加
本発明は、同一層内において複数の角度を有するテーパーを設け、コントラスト、色再現性及びパターニング性の向上を図ることのできるカラーフィルタ基板およびその製造方法、ならびに上記カラーフィルタ基板を用いた電気光学装置ならびに電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁
The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加
金属薄膜4及び樹脂基材原料3を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁
To provide a surface roughening method for copper foil with which the consumption of an anode electrode is reduced even in roughening treatment at a high current density, the roughening treatment can easily be performed at a high current density, and a fine, roughened plating film capable of corresponding to fine patterning or high frequency can be obtained.例文帳に追加
高電流密度での粗化めっき処理においても陽極電極の消耗が少なく、高い電流密度で容易に粗化めっき処理を行なうことができ、ファインパターン化または高周波対応可能な微細な粗化めっき膜を得ることができる銅箔の表面粗化方法を提供する。 - 特許庁
To provide a halftone phase shift mask blank having a halftone phase shift film which can control the retardation and transmittance as a phase shift mask for exposure light and the transmittance at an inspection wavelength, which has excellent chemical resistance and excellent patterning property by etching, and to provide a phase shift mask and a method for transferring a pattern.例文帳に追加
露光光での位相シフトマスクとしての位相差,透過率や検査波長での透過率を制御でき、耐薬品性に優れ、さらにエッチングによるパターニング性に優れたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In this method for manufacturing the sheet building material 5 by supplying a self-hardening material 3 into a mold 1 and releasing the material 3 from the mold 1 after its curing, a roughened surface is formed on the upper surface of the material 3 in the mold 1 by pressing a patterning material to the upper surface of the material 3 prior to its curing.例文帳に追加
成形型1内に自硬性材料3を供給し、該自硬性材料が硬化した後、脱型して板状建材5を製造する方法において、該自硬性材料が硬化する前に、成形型内の自硬性材料の上面に型押し材を押し付けて該上面に粗面を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a letterpress for printing, excellent in printing characteristics, composed of a photopolymer applicable to printing of a circuit pattern such as an organic EL element which requires a fine patterning, and having an improved influence from a contamination by residual organic materials and unremoved foreign matters due to an existence of unwashed sections of the letterpress.例文帳に追加
有機EL素子といった微細なパターニングを必要とする回路パターンの印刷に適用する感光性樹脂よりなり、版未洗浄部の存在による残留有機物の混入(コンタミ)や異物の未除去での影響を改善し、印刷特性の優れた印刷用凸版の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加
ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To obtain a photosensitive conductive paste for forming an organic-inorganic composite conductive pattern by which an organic-inorganic composite conductive pattern having low specific resistivity even in a low temperature curing condition can be obtained and which has the effect that fine patterning is possible by high photosensitive characteristics, and to obtain a method for producing the organic-inorganic composite conductive pattern.例文帳に追加
低温のキュア条件においても比抵抗率の低い有機−無機複合導電性パターンが得られ、且つ高い感光特性により微細パターニングが可能という効果を有する、有機−無機複合導電性パターン形成用感光性ペーストおよび有機−無機複合導電性パターンの製造方法を得る。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a field effect transistor capable of suppressing damage of an active layer in a patterning process by etching, and the field effect transistor which diminishes the damage, in the field effect transistor which activates an oxide semiconductor mainly composed of magnesium (Mg) and (In) indium as the active layer.例文帳に追加
MgとInを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。 - 特許庁
To provide a method for patterning a transparent conductive tin oxide film in use for a touch panel, a plasma display panel, a liquid crystal display or a solar battery requiring transparent display electrodes, allowing simple and efficient formation of a patterned film of conductive tin oxide without using a resist film.例文帳に追加
透明な表示電極を必要とするタッチパネル、プラズマディスプレイパネル、液晶ディスプレイ、太陽電池などに用いられる透明導電性酸化スズ膜のパターニング方法に関するものであり、レジスト膜を使用することなく、簡便にかつ効率よく、導電性酸化スズのパターン膜を得る方法を提供すること。 - 特許庁
In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.例文帳に追加
シリコンスピン伝導素子10の製造方法において、シリコン膜3をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層7を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層7上に、互いに離間された磁化自由層12C及び磁化固定層12Bを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁
A method includes the steps of defining a lithography matter, designing a patterning device, deciding a first lighting structure and a radiation-sensitive material process which can print the positive tone of the lithographic features, and deciding a second lighting structure which can print the negative tone of the lithographic features by a radiation-sensitive material process.例文帳に追加
方法は、リソグラフィ問題を画定することと、パターニングデバイスを設計することと、リソグラフィフィーチャのポジのトーンを印刷できる第一照明構成および放射線感光材料プロセスを決定することと、放射線感光材料プロセスでリソグラフィフィーチャのネガのトーンを印刷できる第二照明構成を決定することとを含む。 - 特許庁
In the method, the patterning material is added into a compound in which additives such as a filler, an internal mold releasing agent, and a curing agent are incorporated into a thermosetting resin to obtain the resin composition for molding the artificial marble, and the composition is molded and cured to obtain the artificial marble.例文帳に追加
熱硬化性樹脂に充填剤、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合したコンパウンドに柄材を添加して人造大理石成形用樹脂組成物を得て、この人造大理石成形用樹脂組成物を成形硬化させて人造大理石を得る人造大理石の製造方法である。 - 特許庁
This method comprises a step for performing a surface reforming process to expose the underlayer film surface including the basic substance to the plasma of gas including carbon gas, a step for coating the chemically amplified resist film of the underlayer film, and a step for patterning the chemically amplified resist through the exposing and development processes thereof.例文帳に追加
塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。 - 特許庁
The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.例文帳に追加
基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加
半絶縁性基板1の導電層2をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域1a内に残し、メサエッチにより導電層2の周縁部に形成される段差部4にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部4を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁
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