「patterning method」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes: forming an opening portion in a first film; forming a phase-change substance on the first film and inside the opening portion; heating the phase-change substance at a first temperature at which the phase-change substance is reflowed into the opening portion; and patterning the phase-change substance after heating to define a phase-change element inside the first opening portion.例文帳に追加

この方法は、第１膜内に開口部を形成すること、第１膜上及び開口部内に相変化物質を形成すること、相変化物質が開口部内にリフローされる第１温度で相変化物質を加熱すること、及び相変化物質を加熱した後に相変化物質をパターニングして、第１開口部内に相変化要素を定義することを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing elements on flexible substrates includes a step of holding a plurality of flexible substrates 14 on a supporting substrate 10 having less dimensional variation than the flexible substrates in a divided state and a step of patterning elements on respective flexible substrates held on the supporting substrate.例文帳に追加

可撓性基板上に素子を製造する方法であって、前記可撓性基板よりも寸法変化率の小さい支持基板１０上に複数の前記可撓性基板１４を分割した状態で保持する工程と、前記支持基板上に保持された各可撓性基板上に素子をパターニングする工程と、を含むことを特徴とする素子の製造方法。 - 特許庁

A patterning substrate dryer using a hot-water bringing-down method includes a plurality of drying tanks by which washed substrates are dried successively in each drying tank and a mechanism by which hot water is supplied via piping that connect drying tanks from a drying tank where the subject substrate is brought down and is under drying to the next drying tank at which drying will be performed subsequently.例文帳に追加

温水引き下げ方式を用いたパターニング基板乾燥装置において、複数の乾燥槽を具備し、それぞれの乾燥槽にて被洗浄基板の乾燥を逐次行い、且つ、乾燥槽同士をつないでいる配管を介して引き下げ乾燥中の乾燥槽から次に乾燥を行う乾燥槽の方へ温水を供給する機構を持つ。 - 特許庁

The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.例文帳に追加

圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The method for producing the group III-V compound crystal is comprised of a step to deposit a metal film 2 on a substrate 1, a step to heat-treat the metal film 2 at an atmosphere where a patterning compound exists and a step to grow the group III-V compound crystal 4 on the heat-treated metal film 2.例文帳に追加

基板１上に金属膜２を堆積する工程と、前記金属膜２をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜２上にＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶４を成長させる工程とを備えることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing an active matrix substrate to be used for a reflective liquid crystal display device, projections 701, 702 to roughen the surface of the pixel electrode (reflection electrode) to scatter light are formed by patterning by using the same photomask used for the formation of TFTs(thin film transistors) to form recessed and projections on the surface of the pixel electrode 169.例文帳に追加

本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent and a resist composition for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating due to the freezing process and the formation of the second resist pattern and resist composition and to provide a pattern formation process by use of them.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the lower panel for the plasma display panel includes a process for preparing a base substrate, a process for forming a material layer for a barrier rib on the base substrate, a process for forming the barrier rib pattern by irradiating the X-ray on the material layer for the barrier rib, a process for developing and patterning the material layer for the barrier rib.例文帳に追加

基底基板を準備する工程と、基底基板上に隔壁用素材層を形成する工程と、隔壁用素材層上にＸ線を照射することによって隔壁パターンを形成する工程と、隔壁用素材層を現像してパターン化する工程と、を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用下部パネルの製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide an effective manufacturing method of a highly efficient semiconductor device which can use even ArF (argon fluoride) excimer laser light as exposure light in patterning, can control the thickening amount of a resist pattern to be fixed even if conditions such as temperature and atmosphere change, and has a fine wiring pattern or the like beyond exposure limit in a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件が変化しても一定にコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細な配線パターン等を有する高性能な半導体装置の効率的な製法方法の提供。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.例文帳に追加

表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部１８を有する電子線放出素子１０を用意する工程と、電圧を印加して錐体部１８から電子線１９を放出させて、電子線感応性のレジスト層２２を暴露する工程と、レジスト層２２の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide an inorganic powder-containing resin composition capable of forming a black matrix with good sensitivity, a transfer film having an inorganic powder-containing resin layer comprising the inorganic powder-containing resin composition, and a method for manufacturing a flat panel display capable of forming a black matrix which is flat and smooth, has no warpage, and has good patterning performance.例文帳に追加

感度の良好なブラックマトリクスを形成することのできる無機粉体含有樹脂組成物、該無機粉体含有樹脂組成物からなる無機粉体含有樹脂層を有する転写フィルムならびに平滑で反りのない、パターニング性能の良好なブラックマトリクスを形成することのできるフラットパネルディスプレイの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.例文帳に追加

基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁

In this patterning method, a donor substrate in which a photothermal conversion layer and a transfer material are formed and a device substrate are disposed face to face to transfer the transfer material to the device substrate by irradiating light to the photothermal conversion layer, and intensity of light irradiated in an irradiated region is unsymmetrically changed with the passage of time.例文帳に追加

基板上に光熱変換層と転写材料が形成されたドナー基板をデバイス基板と対向配置し、光を光熱変換層に照射することで転写材料をデバイス基板に転写するパターニング方法であって、照射領域において照射される光の強度を経時的に非対称に変化させることを特徴とするパターニング方法。 - 特許庁

In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.例文帳に追加

また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁

The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.例文帳に追加

半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated inductor having a cavity between conductor patterns includes steps of patterning a ceramic green sheet having at least a conductive material, an insulator material and a vanishing material so that one or more surfaces of a conductor pattern made of the conductive material are brought into contact with the insulator material, laminating, pressing and vanishing the ceramic green sheet.例文帳に追加

少なくとも、導電材料、絶縁体材料、消失材料を有するセラミックグリーンシートを、導電材料からなる導体パターンの１面以上が絶縁体材料と接するようにパターンニングして積層、プレス、消失処理することを特徴とする、導体パターン間に空洞部を有する積層型インダクタの製造方法。 - 特許庁

To obtain an artificial marble product exhibiting rugged patterns of relief patterns and having excellent design value, designability and sophisticated feeling by a method in which a molded article is obtained by adding and mixing patterning materials having higher hardness than that of the compound into the material for forming the artificial marble, and the hardened portion of the matrix compound on the surface of the molded article is scraped out.例文帳に追加

人造大理石成形用材料にそのコンパウンドよりも硬度の高い柄材を添加配合して成形品を得て、成形品の表面のマトリックスコンパウンドの硬化物部分を掻き取るという方法により、浮作り模様の凹凸模様を表現し、意匠性やデザイン性の高い高級感のある人造大理石製品を得る。 - 特許庁

The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.例文帳に追加

有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.例文帳に追加

短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin film transistor, which has the process of applying a precursor solution to form an oxide semiconductor thin film, forms the oxide semiconductor thin film by using a liquid jet apparatus for jetting charged droplets in patterning a precursor thin film formed by the application of the precursor solution.例文帳に追加

前駆体溶液を塗布して酸化物半導体の薄膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、 該前駆体溶液を塗布して形成される前駆体薄膜のパターニングに帯電させた液滴を吐出する液体吐出装置により酸化物半導体の薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The method for forming the element of an RFID tag 10 is provided with a process for patterning multiple parts where affinities with respect to functional liquid differ, and a process for selectively giving functional liquid to a part where affinity with respect to functional liquid is high in the multiple parts on an element forming substrate 11.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグ１０などの素子を形成する方法であって、素子形成基板１１上に、機能性液体に対する親和性が互いに異なる複数の部分をパターニングする工程と、前記機能性液体を、前記複数の部分のうち前記機能性液体に対する親和性が高い部分に選択的に付与する工程と、を有する。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing method that comprises forming an inorganic film on the surface of a semiconductor element, applying a heat resistant polymer protection film on the inorganic film, patterning the protection film, and then performing the dry-etching of the exposed inorganic film; the dry-etching is performed by mixed gas consisting of fluorinated methane and oxygen or hydrogen.例文帳に追加

半導体素子上に無機膜が施され、該無機膜上に耐熱性高分子保護膜が施され、該耐熱性高分子保護膜がパターン加工された後露出された該無機膜をドライエッチングする製造方法において、フッ素化メタンと酸素もしくは水素とからなる混合ガスによりドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a vertical sealing device in which precise patterning is executed by solving bending phenomenon of a substrate generated in the horizontal sealing device at sealing and difficulty or the like in handling when applied to a large-sized substrate, and which can be manufactured even in the atmosphere, and to provide a method of manufacturing an organic electroluminescent display device using the same.例文帳に追加

本発明は、水平封止装置で発生した封止時基板の撓み現象及び大型化された基板に適用時取扱上の難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて、大気中でも製作可能な垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rubber blanket for fine line patterning capable of printing a target pattern by a surface rubber of the rubber blanket having surface roughness within a prescribed range with respect to surface roughness of a surface of a printing body, and a method for manufacturing the rubber blanket having prescribed surface roughness.例文帳に追加

この発明は、細線パターニング用のゴムブランケットにおいて、ゴムブランケットの表面ゴムの表面粗さが、被印刷体の表面の表面粗さに対して所定の範囲にあることにより目的とするパターンの印刷が出来ることを見出したものであり、更に所定の表面粗さを持つゴムブランケットを製造する方法を明らかにしたものである。 - 特許庁

In the method for manufacturing the microstructure array, a thermoplastic resin material 2 is applied to a substrate 1 in a desired patterning shape corresponding to the arrangement of a desired microstructure array, the patterned thermoplastic material layer 2 is deformed in a discrete state by heat treatment, and a continuous film 3 is formed on the deformed surface of the thermoplastic material layer 2 and the substrate 1.例文帳に追加

マイクロ構造体アレイの作製方法において、基板1上に熱可塑材料層2を所望のマイクロ構造体アレイの配列に応じて所望の形状でパターニングし、離散状態においてパターニングした熱可塑材料層2を熱処理にて変形させ、変形した熱可塑材料層2面及び基板2上に連続膜3を形成する。 - 特許庁

The method for forming the conductive path or the electrode includes steps of ablating a metal fin particle containing layer containing metal fine particles each having a mean particle size of 50 nm or less and in a state that fine particles are isolated by an organic material on a support, patterning the metal fine particle containing layer in a target shape, and then heating to heat and fusion-bond the metal fine particles.例文帳に追加

支持体上に、平均粒径が５０ｎｍ以下の金属微粒子を含有し、微粒子間が有機物により隔離された状態である金属微粒子含有層をアブレーションさせることで目的形状様にパターニングした後、加熱することにより金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。 - 特許庁

Patterning is carried out without using a conventional photolithographic method or the like but by focusing a UV laser beam B to a polymer layer 3 for photo-bleaching coated with a low refractive index layer 2 to irradiate the layer while either a substrate 1 side or the laser beam B is relatively moved so as to form a core layer 5 as a light propagation layer and side clad layers 6 to guide the light.例文帳に追加

従来のようなフォトリソグラフィ等を用いないで低屈折率層２で覆われたフォトブリーチング用ポリマ層３に紫外線レーザビームＢを集光、照射しながら基板１側又はレーザビームＢのいずれかを相対的に移動させてパターニングを行ない、光伝搬層となるコア層５及びそれをガイドする側面クラッド層６，６を形成する。 - 特許庁

To provide a polyamide resin for providing a polybenzoxazole resin or a polyimide resin or their copolymer excellent in low stress properties, and to provide a positive photosensitive resin composition which can be subjected to a patterning treatment, a semiconductor device and a display element and to provide a method for manufacturing the semiconductor device and the display element.例文帳に追加

低応力性に優れたポリベンゾオキサゾール樹脂又はポリイミド樹脂又はその共重合樹脂を提供することを目的とするポリアミド樹脂とそれらを用いたパターン加工ができるポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置及び表示素子並びにそれら半導体装置及び表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer film which has very excellent dry etching resistance, highly prevents twisting during substrate etching, and avoids a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, a method for forming the resist underlayer film, a patterning method, and a fullerene derivative.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator.例文帳に追加

基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界（解像限界）を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁

The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.例文帳に追加

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the contact pin for the electrical test, which is characterized by being made of porus metal, is desired to have metal coating process for providing a metal coating on a substrate, resist layer forming process, patterning process, porus metal filling process, resist layer removing process and porus metal removing process.例文帳に追加

多孔質金属からなることを特徴とする電気テスト用コンタクトピンであり、その製造方法としては、基板上に金属被覆膜を設ける金属被覆工程、レジスト層形成工程、パターニング工程、多孔質金属充填工程、レジスト層除去工程、多孔質金属部分離工程を有することを特徴とする電気テスト用コンタクトピンの製造方法が好ましい。 - 特許庁

The method comprises the steps of providing a mold plate, patterning a set of rings arrayed across the mold plate, opening spaces between the rings so that the rings become an in-situ mask on the mold plate, directing an optical polymer into the spaces between the rings, polymerizing the optical polymer to form an array of ring lenses, and transferring the array of ring lenses to a substrate.例文帳に追加

本方法は、型板を設ける工程と、型板に配列されたリングのセットをパターニングする工程と、リング間に、該リングが上記型板上で原位置マスクとなるようにスペースを開ける工程と、上記リング間のスペースにオプティカル・ポリマを向ける工程と、オプティカル・ポリマを重合させてリング・レンズのアレイを形成する工程と、リング・レンズのアレイを基板へ移送する工程とを含む。 - 特許庁

The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark.例文帳に追加

本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 - 特許庁

The method for preparing metal powder includes the steps of: providing a base substrate 100; forming a pattern layer 110, having a concavo-convex pattern of a predetermined shape, on the base substrate 100; forming a metal film 120a separated from the pattern layer 110 by the concave-convex pattern 111; and separating the metal film 120a from the pattern layer 110, thereby naturally patterning the metal film 120a in the predetermined shape.例文帳に追加

ベース基板１００を用意し、該ベース基板１００上に一定な形状の凹凸パターン１１１のパターン層１１０を形成し、該パターン層１１０上に該凹凸パターン１１１により互いに分離された金属薄膜１２０ａを形成し、該パターン層１１０から該金属薄膜１２０ａを分離することによって自然に該金属薄膜１２０ａを該一定な形状にパターニングする。 - 特許庁

The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.例文帳に追加

２ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前６０分以内に、４０〜１００℃の範囲の温度で３０秒〜３０分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁