「patterning method」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of a plasma display panel equipped at least with a plurality of transparent electrodes 2a, 3a, a plurality of bus electrodes 2b, 3b and a plurality of blackstripes is one of first forming at least a transparent electrode film 14 over a whole display area, then forming bus electrodes 2b, 3b and blackstripes and afterwards patterning the transparent electrode film into a given pattern shape.例文帳に追加

少なくともガラス基板上に複数の透明電極２ａ，３ａと複数のバス電極２ｂ，３ｂと複数のブラックストライプを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、少なくとも表示領域全面に透明電極膜１４を形成した後、バス電極２ｂ，３ｂとブラックストライプを形成し、その後透明電極膜１４を所定のパターン形状にパターニングする方法である。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method comprises the steps of: forming a silicon (Si) substrate; forming a silicon oxide film located on the substrate; forming a lower electrode, to which patterning has been conducted and which is located on the silicon oxide film; letting a PGO film located on the lower electrode be selectively deposited; annealing; and forming an upper electrode located on the PGO film.例文帳に追加

本発明の方法は、シリコン（Ｓｉ）基板を形成する工程と、この基板の上に位置するシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜の上に位置するパターニングされた下部電極を形成する工程と、下部電極の上に位置するＰＧＯ膜を選択堆積させる工程と、アニールする工程と、ＰＧＯ膜の上に位置する上部電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

The method of lithography patterning includes: forming a first resist pattern including a plurality of openings, on a substrate 110; forming a second resist pattern including at least one opening between the plurality of openings of the first resist pattern; and removing the first resist pattern to expose a part of the substrate 110 covered by the first resist pattern.例文帳に追加

リソグラフィパターンの形成方法は、複数の開口を含む第１のレジストパターンを基板１１０上に形成する工程と、第１のレジストパターンの複数の開口の間に、少なくとも１つの開口を含む第２のレジストパターンを形成する工程と、第１のレジストパターンを除去し、第１のレジストパターンで覆われている基板１１０の一部を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁

The method of lithography patterning includes: a step of forming a first photoresist layer having at least one opening on a substrate; a step of curing the first photoresist layer; a step of forming a second photoresist layer on the substrate; a step of forming a material layer on the substrate; and a step of removing the first and second photoresist layers to expose the substrate.例文帳に追加

リソグラフィによるパターンニング方法であって、少なくとも一つの開口部を有する第１のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、第１のフォトレジスト層を硬化させる工程と、第２のフォトレジスト層を基板上に形成する工程と、マテリアル層を基板上に形成する工程と、第１および第２のフォトレジスト層を除去して基板を露出させる工程と、を含む。 - 特許庁

To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.例文帳に追加

２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the micro mirror actuator is characterized by including a step for etching a trench corresponding area on a substrate, a step for laminating the film shaped organic film on the substrate so as to maintain a hollow state of the trench corresponding area, and a step for eliminating the film shaped organic film after depositing and patterning a metal film on the film shaped organic film.例文帳に追加

マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new half mirror material formed by using a mirror ink; to provide a half mirror material suitable for easy small-lot production of patterning of a half mirror part by using normal printing operation to advantageously form the half mirror part without requiring large size equipment; and to provide a method for simply and easily manufacturing the half mirror material.例文帳に追加

ミラーインキを用いて形成される新規なハーフミラー材料を提供すること、また、大型の設備を要することなく、通常の印刷操作を利用してハーフミラー部位が有利に形成され、且つ、そのようなハーフミラー部位のパターニングの容易な小ロッド生産に適したハーフミラー材料を提供すること、更に、そのようなハーフミラー材料を簡便に且つ容易に製造し得る方法を提供すること。 - 特許庁

The disclosed method includes the steps of: providing a substrate; coating the substrate with an organic material layer through patterning; baking the substrate and the organic material layer; forming a metal thin film over the substrate and the organic material layer; and removing the organic material layer and the metal thin film over the organic material layer and forming a thin film antenna from the substrate and the metal thin film over the substrate.例文帳に追加

基板を提供する工程と、パターンによって有機材料層を基板に塗布する工程と、基板と有機材料層をベークする工程と、金属薄膜を基板と有機材料層に形成する工程と、有機材料層と有機材料層にある前記金属薄膜を除去し、基板と基板の上にある金属薄膜で薄膜アンテナを形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern by which ArF (argon fluoride) excimer laser light can be used as exposure light upon patterning, a resist pattern can be stably made thick to a desired thickness without depending on the size, and a fine resist cut-out pattern can be inexpensively, easily and efficiently formed over the exposure limit (resolution limit) of a light source of an exposure device.例文帳に追加

パターニング時に露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンをそのサイズに依存することなく、所望の厚みに安定的に厚肉化することができ、露光装置の光源における露光限界（解像限界）を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法等の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.例文帳に追加

基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter substrate in which a plurality of color filters are formed through patterning processes, such as pattern exposure and development by use of an exposure mask having a transflective region formed at an end of a transmissive region so as to reduce an overlapped step-like portion of the color filter formed on a black matrix 21a, and to provide the color filter substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス２１ａ上に形成される着色フィルタのオーバーラップ（重なり）段差を減少させるために、透過領域の端部に半透過領域が形成された露光マスクを用いてパターン露光、現像等のパターニング処理を行って複数の着色フィルタを形成するカラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the patterned polyimide precursur film comprises subjecting the photoresist film on a polyimide pattern to a heat treatment for 30 seconds to 30 minutes at a temperature ranging from 40 to 100°C within 30 minutes, before a process of peeling the photoresist film with a peeling liquid after patterning the polyimide precursur film formed on a semiconductor wafer, having a difference in level of ≥2 microns with the photoresist.例文帳に追加

２ミクロン以上の段差を有する半導体ウエハ上に形成されたポリイミド前駆体被膜をフォトレジストでパターン加工した後、ポリイミドパターン上のフォトレジスト被膜を剥離液で剥離する工程の前６０分以内に、４０〜１００℃の範囲の温度で３０秒〜３０分間の加熱処理を施すことを特徴とするパターン化されたポリイミド前駆体被膜の製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁

The forming method of the bump includes a process for patterning a resist layer 20 so as to have a through hole 22 upward of a pad 12, a process for hardening at least the surface of the resist layer 20 by applying energy 36 producing crosslinking reaction on the resist layer 20, and a process for forming metal layers 40, 42 connected electrically to the pad 12 in the through hole 22.例文帳に追加

バンプの形成方法は、パッド１２の上方に貫通穴２２を有するようにレジスト層２０をパターニングする工程と、レジスト層２０に架橋反応を生じさせるエネルギー３６を加えてレジスト層２０の少なくとも表面を硬化させる工程と、貫通穴２２内にパッド１２と電気的に接続する金属層４０、４２を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a substrate for an organic EL element and its manufacturing method capable of patterning a light-emitting layer, or the like, without damaging a hole transport property, or the like, in the case of a layer for formation of a lyophilic area or a liquid-repellent area has such a property, and capable of restraining color shades or generation of short circuiting between electrodes.例文帳に追加

親液性および撥液性領域を形成するための層が正孔注入性や正孔輸送性等を有する場合にその正孔注入性や正孔輸送性等を損なうことなく、発光層等をパターニングすることが可能であり、また色むらや電極間の短絡発生を抑制可能な有機ＥＬ素子用基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加

画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor in which the oxide semiconductor layer is formed by forming a thin film of the oxide semiconductor or its precursor and then forming a resist pattern on the thin film, and patterning the thin film by removing the thin film outside than the resist pattern, the resist pattern is formed by using an electrostatic attraction type liquid discharging device.例文帳に追加

酸化物半導体またはその前駆体の薄膜を形成したのち、薄膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターン外の薄膜を除去することにより、薄膜のパターニングを行って酸化物半導体層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、前記レジストパターンを、静電吸引方式の液体吐出装置を用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁

The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.例文帳に追加

前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして１または２以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition that is used for processes of manufacturing semiconductors such as an IC, manufacturing circuit boards of liquid crystals, thermal heads or the like and for other photofabrication processes, and to provide a patterning method that uses the composition, wherein superior line width roughness (LWR) performance can be obtained.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を得ることを可能にしたポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric film made of a barium-titanate-based ceramic material is formed on a metal foil with an aerosol deposition method; first via conductors and second via conductors connected to the metal foil are embedded in the dielectric film; a first electrode pattern connected to the first via conductors is formed on the dielectric film; and a second electrode pattern connected to the second via conductors is formed by patterning the metal foil.例文帳に追加

金属箔上に、エアロゾルデポジション法により、チタン酸バリウム系セラミックス材料の誘電体膜を形成し、誘電体膜に、金属箔に接続された第１のビア導体及び第２のビア導体を埋め込み、誘電体膜上に、第１のビア導体に接続された第１の電極パターンを形成し、金属箔をパターニングし、第２のビア導体に接続された第２の電極パターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the partition wall in the biochip 100, equipped with the substrate 10 and the partition wall 20 demarcating the surface thereof, includes a step of forming a first film on the substrate 10 using a composition containing a colorant (A), an acylphosphine oxide type radiation-sensitive polymerization initiator (d) and the polyfunctional monomer (C) and a step of patterning the first film by a lithography to form the partition wall 20.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁を製造する方法であって、着色剤（Ａ）とアシルホスフィンオキサイド系感放射線性重合開始剤（ｄ）と多官能性単量体（Ｃ）とを含む組成物を用いて基板１０上に第１膜を形成する工程と、第１膜をリソグラフィー法によりパターニングして隔壁２０を形成する工程を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the bulkhead of the biochip 100 including the substrate 10 and the bulkhead 20 sectioning the surface of the substrate 10 includes: a process to form a first film on the substrate using a composition including a coloring agent (A), a polyfunctional monomer (c) having 3-6 polymerizable unsaturated bonds, and a radiation-sensitive polymerization initiator (D); and a process to perform patterning of the first film to form the bulkhead 20.例文帳に追加

基板１０とその表面を区画する隔壁２０とを備えるバイオチップ１００における隔壁製造方法で、着色剤（Ａ）、重合性不飽和結合を３つ以上且つ６つ以下有する多官能性単量体（ｃ）、感放射線性重合開始剤（Ｄ）を含む組成物を用いて基板上に第１膜を形成する工程と、第１膜をパターニングして隔壁２０を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a photosensitive paste for forming an organic-inorganic composite conductive pattern, which has the effects that an organic-inorganic composite conductive pattern with a low specific resistivity is obtained even under low-temperature curing conditions and fine patterning is possible owing to high photosensitive characteristics, and which enables to easily form fine bumps, wiring and the like on various substrates, and to provide a method for producing an organic-inorganic composite conductive pattern.例文帳に追加

低温のキュア条件においても比抵抗率の低い有機−無機複合導電性パターンが得られ、且つ高い感光特性により微細パターニングが可能という効果を有し、各種基板上に微細なバンプ、配線などを容易に形成することができる、有機−無機複合導電性パターン形成用感光性ペーストおよび有機−無機複合導電性パターンの製造方法を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This label producing method includes both a step for adding a membrane made of a material for functional surfaces onto a substrate made of a material for structure parts and a step for patterning the membrane made of the material for functional surfaces and the substrate made of the material for structure parts by electron-beam lithography or etching using a mask made of a plurality of resin particles adhered onto the membrane made of the material for functional surfaces.例文帳に追加

標識製造方法は、機能性表面用材料の薄膜を構造部用材料の基板上に付加するステップと、電子ビームリソグラフィー、又は、機能性表面用材料の薄膜上に付着した複数の樹脂粒子から成るマスクを使用するエッチングによって、前記機能性表面用材料の薄膜及び構造部用材料の基板をパターニングするステップとを含むものである。 - 特許庁

This photosensitive ceramic sheet processing method comprises the patterning process in which a pattern is formed on a support-provided sheet laminating a photosensitive ceramic sheet containing at least a support, a photosensitive organic component and an inorganic powder, and the peeling process in which the photosensitive ceramic sheet is peeled off from the support, and the peeling process comprises active ray irradiation or heat treatment.例文帳に追加

少なくとも支持体と、感光性有機成分と無機粉末とを含有する感光性セラミックスシートを積層した支持体付シートに、パターンを形成するパターン加工工程と、該支持体から該感光性セラミックスシートを剥離する剥離工程とを有する感光性セラミックスシートの加工方法であって、該剥離工程で、活性光線照射もしくは加熱処理することを特徴とする感光性セラミックスシートの加工方法。 - 特許庁

The method of patterning a dielectric film includes a step of forming a first dielectric film on a silicon substrate, a step of forming a second dielectric film on the first dielectric film, a step of partially exposing the first dielectric film by partially etching the second dielectric film with use of an etching paste, and a step of etching the exposed first dielectric film using an etching solution.例文帳に追加

シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁

To provide an electrode pattern forming method capable of more stably and easily separating an electrode pattern comparing with the case of using a thin wire-shaped metal mask, due to the electrode patterning depending on the shrinkage of resin, without using the metal mask of high precision or without applying a complicated lithography when forming an element like an organic EL element or a semiconductor element on a circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、有機ＥＬ素子、半導体素子等の基板回路上に形成する素子について、高精度なメタルマスクの使用や複雑なフォトリソグラフィを行なうことなく、樹脂の収縮に基づく電極パターニングにより細線状のメタルマスクを使用する場合よりも安定にしかも簡易に電極パターンの分離を行なうことができる電極パターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process for forming a seed metal layer 20a on a support substrate 70, a process for forming a wiring layer 10 comprising wiring 18 on the seed metal layer 20a, a process for removing the support substrate 70 after the wiring layer 10 is formed, and a process for patterning the seed metal layer 20a after the support substrate is removed so as to make wiring 20.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る製造方法は、支持基板７０上にシードメタル層２０ａを形成する工程と、シードメタル層２０ａ上に配線１８を含む配線層１０を形成する工程と、配線層１０を形成した後に支持基板７０を除去する工程と、支持基板を除去した後にシードメタル層２０ａをパターニングして配線２０とする工程と、を含んでいる。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element consisting of a first electrode patterned on a substrate, an organic layer containing an organic light-emitting layer arranged on the first electrode, and a second electrode arranged on the organic layer, includes a process in which the first electrode is formed by patterning with the use of printing of resist liquid or etchant liquid.例文帳に追加

基板上にパターニング配設された第一電極、該第一電極上に配設された有機発光層を含む有機層および該有機層上に配設された第二電極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法において、前記第一電極は、レジスト液またはエッチャント液の印刷を用いたパターニングにより形成されて工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element comprises a step of vapor depositing a Ta metal film 28 on a semiconductor substrate 20, a step of crystallizing the Ta metal film 28, a step of forming a lower electrode 30 by patterning a prescribed part of the film 28, a step of forming the TaON film on the electrode 30, a step of forming an upper electrode 34 on the TaON film 32.例文帳に追加

半導体基板20上にＴａ金属膜を蒸着するステップと、Ｔａ金属膜28を結晶化するステップと、Ｔａ金属膜28の所定部分をパターニングして、下部電極30を形成するステップと、下部電極30上にＴａＯＮ膜を形成するステップと、ＴａＯＮ膜32上に上部電極34を形成するステップとを含む半導体素子のキャパシタの製造方法及びこれにより製造される半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

The method for manufacturing an integrated photovoltaic device including a substrate 11 and the electrode layer formed on the substrate 11, includes at least a patterning step of removing and separating a portion of the electrode layer formed on the substrate 11 by a laser beam 41 emitted through a light-permeable window 30 from the outside of a vacuum chamber (vacuum tank) 10 having the light-permeable window 30.例文帳に追加

基板１１と基板１１上に成膜された電極層とを有する集積型光発電素子の製造方法であって、光透過窓３０を備えた真空チャンバー（真空槽）１０の外部から光透過窓３０を通して照射されたレーザ光４１により、基板１１上に成膜された電極層の一部を除去し且つ分離するパターニング工程を、少なくとも有することを特徴とする。 - 特許庁

By the manufacturing method of the gallium nitride single crystal substrate, the occurrence of cracks due to lattice mismatching and a difference between coefficients of thermal expansion is made minimum, and the good quality GaN-based single crystal substrate even having a size of ≥2 in can be manufactured by forming the grooves and patterning the substrate so that the growth substrate can be divided, before the laser irradiation step for separating the growth substrate.例文帳に追加

本発明の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法によると、成長用基板の分離のためのレーザー照射段階前に前記成長用基板が分割されるよう溝を形成してパターニングすることにより、２インチ以上の大きい窒化ガリウム単結晶基板を製造する場合にも格子不整合と熱膨張係数によるクラックを最少化し良質のＧａＮ系の単結晶基板を製造することができる。 - 特許庁

In the line patterning method, functional liquid X is ejected from each ejecting position of lyophilic part H1 displaced in the width direction from the center A in the width direction of each lyophilic part H1 so that the functional liquid X temporarily overflowing from adjacent lyophilic parts H1 do not touch each other thus arranging the functional liquid simultaneously at the plurality of lyophilic parts H1.例文帳に追加

線パターンの形成方法であって、隣合う親液部Ｈ１から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各親液部Ｈ１の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々の親液部Ｈ１の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記親液部Ｈ１に同時に機能液を配置させる。 - 特許庁

The manufacture method of the microstructure, which applies a photosensitive material on a substrate having an electrode for plating, forms a linear pattern of the exposed electrode on the substrate by patterning with exposure light, fill metal on the pattern with plating, to form the microstructure, comprises forming the linear pattern so that an intersecting angle of the linear pattern may exceed 90 degrees.例文帳に追加

メッキ用電極を備えた基板上に感光性材料を設け、露光光を用いてパターニングすることで、前記メッキ用電極を前記基板上に露出させて形成された線状パターン上に、金属をメッキによって充填し、マイクロ構造体を形成するようにしたマイクロ構造体の作製方法において、前記線状パターンを形成するに際して、該線状パターンの交差する角度を９０度を超えるように構成する。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

The forming method of the contact holes and the manufacturing methods of the semiconductor device, EL display and liquid crystal display each dispense with the patterning by the resist as in the prior art since the island organic film is selectively formed above the semiconductor layer, conductive layer or insulating layer and the contact holes are provided by forming an insulating film around the island organic film, thereby realizing improvement of the throughput and reduction of the cost.例文帳に追加

本発明に係るコンタクトホールの形成方法、並びに半導体装置、ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の作製方法は、半導体層、導電層又は絶縁層の上方に島状の有機膜を選択的に形成し、前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成することによりコンタクトホールを設けるため、従来のようなレジストによるパターニングが不要となり、スループットの向上、コストの削減を図ることができる。 - 特許庁

To solve the problems on a technique for improving the original performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, EUV, electron beam or the like, particularly ArF excimer laser light; to provide an excellent actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which in patterning by liquid immersion exposure as well as by normal exposure, suppresses development defects, can reduce line edge roughness, and ensures a wide exposure latitude; and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

遠紫外光、ＥＵＶ、電子線等、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、ラインエッジラフネスを抑制でき、さらには露光ラチチュードが広く、優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁