「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A current limiting circuit 21 is provided between a high potential power source VD and a first PMOS transistor Q1.例文帳に追加

高電位電源ＶＤと第１ＰＭＯＳトランジスタＱ１との間に電流制限回路２１を設けた。 - 特許庁

The effective threshold voltage of the MOS transistor is adjusted by adjusting source-body potential.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの有効閾値電圧は、そのソース・ボディ間電位を調整することにより、調整される。 - 特許庁

Then, the second power source is composed so as to control the positive potential to be applied to the anode.例文帳に追加

そして、第二電源は、アノードに対して印加する正電位を制御できるように構成されている。 - 特許庁

The voltage source 123 is configured to control an electric potential of the upper electrode 105 relative to the chamber.例文帳に追加

電圧源１２３は、チャンバに対する上部電極１０５の電位を制御可能なように構成される。 - 特許庁

When a test mode signal TMD is set to a high level, the power source line 34 is set to a ground potential.例文帳に追加

テストモード信号ＴＭＤがハイレベルに設定されると電源線３４は接地電位に設定される。 - 特許庁

In case VM drops further, this keeps it at the same potential as the voltage source 81 by means of a voltage keeping means 80.例文帳に追加

ＶＭがさらに下がった場合は電圧保持手段８０で電圧源８１と同電位で保持する。 - 特許庁

The potential across the detection resistor R is applied between the gate and source of a protective MOSFET Q3.例文帳に追加

保護用ＭＯＳＦＥＴＱ３は検出用抵抗Ｒの両端電圧がゲート・ソースに印加される。 - 特許庁

The leak current is decreased since a power source potential Vcc is given only to the selected block DB.例文帳に追加

選択されたブロックＤＢにのみ電源電位Ｖｃｃが与えられるので、リーク電流が小さくなる。 - 特許庁

Positive bias potential is impressed from a variable DC voltage source V_dc2 to a base through a resistor R_b.例文帳に追加

ベースには、可変直流電圧源Ｖ_ｄｃ２から抵抗Ｒ_ｂを介して正のバイアス電位を印加する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of stabilizing a source line potential while suppressing power consumption.例文帳に追加

消費電力を抑えつつ、ソースライン電位を安定化することができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The potential of the node B is controlled by a fifth transistor, which is to be connected between the node B and the second power source.例文帳に追加

ノードＢの電位は、ノードＢと第２の電源の間に接続される第５のトランジスタで制御する。 - 特許庁

Since the transistor 102 is turned ON, a potential at the source of the transistor 102 is increased but a potential between the gate and the source is held by capacitance between the gate and the source of the transistor 102 and since the gate of the transistor 102 is floating, a potential at the gate of the transistor 102 is also increased by a capacitive coupling effect.例文帳に追加

トランジスタ１０２がオン状態にあるため、トランジスタ１０２のソースの電位は上昇するが、トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量によって、ゲート・ソース間の電位が保持されており、かつトランジスタ１０２のゲートはフローティングとなっているため、容量結合効果によってトランジスタ１０２のゲートの電位も上昇する。 - 特許庁

After an offset potential generated between the source and drain of the transistor is acquired and held, a signal potential is input and superposed on the held offset potential to obtain a signal potential after the threshold voltage causing variance in threshold of the transistor is canceled.例文帳に追加

前記トランジスタのソース・ドレイン間に生ずるオフセット電位を取得、保持した後、信号電位を入力して、前記保持されたオフセット電位に重畳することで、トランジスタのしきい値ばらつきの原因となるしきい値電圧を相殺した信号電位を得る。 - 特許庁

After an offset potential generated between the source and the drain of the transistor is obtained and held, a signal potential is input; and by having this superimposed on the held offset potential, a signal potential in which the threshold voltage which becomes the cause of dispersion in the threshold of the transistor is offset is obtained.例文帳に追加

前記トランジスタのソース・ドレイン間に生ずるオフセット電位を取得、保持した後、信号電位を入力して、前記保持されたオフセット電位に重畳することで、トランジスタのしきい値ばらつきの原因となるしきい値電圧を相殺した信号電位を得る。 - 特許庁

A constant positive potential is applied to the right end of the capacitor 33 from a constant voltage source 34, and the potential of an anode terminal of a reflux diode 22a always has a higher potential than a rising voltage of the reflux diode 22a, based on the potential of a cathode terminal.例文帳に追加

また、コンデンサ３３の右端には、定電圧源３４から一定の正電位が付与されており、還流ダイオード２２ａのアノード端子の電位は、カソード端子の電位を基準として、常に、還流ダイオード２２ａの立ち上がり電圧よりも高い電位となっている。 - 特許庁

When the transistor controlling the supply of the current to the light emitting element is an n channel type to the contrary, the power source potential corresponding to each color of the light emitting element is used as a low potential of the binary potential that the video signal has and the potential of the power supply.例文帳に追加

逆に発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｎチャネル型の場合、発光素子の各色に対応した電源電位が、ビデオ信号が有する２値の電位のうちの低電位側の電位と、前記電源線の電位として用いる。 - 特許庁

In constitution generating a reference potential in accordance with a potential Viconst outputted from a constant current control circuit 42 and generating an internal power source potential based on the reference potential, the constant current control circuit 42 is provided with fuse elements 84.1-84.k.例文帳に追加

定電流制御回路４２から出力される電位Ｖｉｃｏｎｓｔに応じて基準電位を発生し、その基準電位をもとにして内部電源電位を発生する構成において、定電流制御回路４２にヒューズ素子８４．１〜８４．ｋを設ける。 - 特許庁

By supplying the changing potential after setting an absolute potential difference value between the gate and source electrode of the driver element 13 by using the threshold potential detector part 17 to a value lower than the threshold voltage by the brightness potential, the light emitting element 11 emits light for a period corresponding to the display brightness.例文帳に追加

閾値電位検出部１７によってドライバ素子１３のゲート・ソース間の電位差の絶対値を閾値電圧よりも輝度電位だけ低い値に設定した後に変動電位を供給することで、発光素子１１が表示輝度に応じた時間だけ発光する。 - 特許庁

The detector comprises a first flash memory cell driven by a ground voltage for maintaining the potential of a first node to a prescribed potential, a second flash memory cell driven by a power source voltage for controlling the potential of a second node, and a comparator for comparing the potential of the first node with the potential of the second node.例文帳に追加

接地電圧によって駆動され、第１ノードの電位を所定の電位に維持するための第１フラッシュメモリセルと、電源電圧によって駆動され、第２ノードの電位を調節するための第２フラッシュメモリセルと、前記第１ノードと前記第２ノードとの電位を比較するための比較器とを含んでなる。 - 特許庁

The combination of a potential of a potential wiring Ui, a potential of the potential wiring to be consecutively varied, and a potential of source wiring Si is selected to satisfy the conditions with respect to a control voltage to render the driving TFT:Q1 into an on state and a control voltage to render into an off state.例文帳に追加

ここで、電位配線Ｕｉの前記電位と、電位配線Ｕｉの次に変化させる電位と、ソース配線Ｓｊの前記電位との組み合わせを、駆動用ＴＦＴ：Ｑ１がオン状態となるときの制御電圧と、オフ状態となるときの制御電圧とに対する条件を満たすように選択する。 - 特許庁

A leakage current of a controlling transistor 4 which controls the potential sustaining operation of a control electrode of a driving transistor 11 for supplying a current to an OEL 13 is reduced by adjusting the output potential of a potential source 603.例文帳に追加

ＯＥＬ１３に電流を流す駆動用トランジスタ１１の制御電極の電位保持動作を制御する制御用トランジスタ４のリーク電流を、電位源６０３の出力電位を調整することで低減する - 特許庁

At this, as a source potential of the N channel MOS transistor 27 is made 2Vthn-Vthn=Vthn≈VB, a potential VB' of an output node N11 is raised to a bias potential VB quickly and stably.例文帳に追加

このとき、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソース電位は２Ｖｔｈｎ−Ｖｔｈｎ＝Ｖｔｈｎ≒ＶＢになっているので、出力ノードＮ１１の電位ＶＢ′は迅速かつ安定にバイアス電位ＶＢに立上がる。 - 特許庁

Thus, it is possible to quicken the start of rewrite-in operation, to quicken the finish of read-out operation and to shorten a read-out operation cycle since timing of switching a potential of a plate line to GND potential from power source potential VDD can be set immediately after the sense amplifier reads out data.例文帳に追加

つまり、プレートラインの電位を電源電位ＶＤＤからＧＮＤ電位にするタイミングをセンスアンプのデータ読み出し直後に設定できるため、再書き込み動作の開始を早めることができる。 - 特許庁

Thereby, potential difference between the potential of the pixel electrode having the adjacent defect and the potential of the normal pixel electrode is made high and the detection of the short circuit defect between the pixel electrodes adjacent across the source line is made easy.例文帳に追加

これによって、隣接欠陥を有する画素電極の電位と正常な画素電極の電位との電位差を大きくし、ソースラインを挟んで隣接する画素電極間の短絡欠陥の検出を容易とする。 - 特許庁

Level shifters LS0, LS1 amplify output of the inverters INV0, INV1 respectively, and generate equalizing signals EQ0, EQ1 that h a potential is swung between a second power source potential and a ground potential.例文帳に追加

レベルシフタＬＳ０，ＬＳ１は，それぞれ，インバータＩＮＶ０，ＩＮＶ１の出力を増幅し，第２の電源電位ＶＰＰと接地電位ＶＳＳの間で電位がスイングするイコライズ信号ＥＱ０，ＥＱ１を生成する。 - 特許庁

In a variable resistance circuit 32 included in an internal source potential generating circuit 1 of a DRAM, an N channel MOS transistor 47 is connected to fuses 48 to 51 for tuning an internal source potential intVCC in parallel.例文帳に追加

ＤＲＡＭの内部電源電位発生回路１に含まれる可変抵抗回路３２において、内部電源電位ｉｎｔＶＣＣをチューニングするためのヒューズ４８〜５１にＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７を並列接続する。 - 特許庁

A power source scanner 105 changes over the power source line DSL101 from the second potential to the first potential at a third timing and keeps holding the voltage corresponding to the threshold voltage of the drive transistor 3B in the holding capacitor 3C.例文帳に追加

電源スキャナ１０５は、第３タイミングで、電源線ＤＳＬ１０１を第２電位から第１電位に切り換えて、駆動用トランジスタ３Ｂの閾電圧に相当する電圧を保持容量３Ｃに保持しておく。 - 特許庁

In cells of a predetermined number in a plurality of AND cells or OR cells, at least one input terminal is connected to power source wirings of a high potential side or power source wirings of a low potential side in the cell.例文帳に追加

複数のＡＮＤセル又はＯＲセルの内の所定数のセルにおいて、少なくとも１つの入力端子がセル内部で高電位側の電源配線又は低電位側の電源配線に接続されている。 - 特許庁

Comparative output of the voltage comparator circuit 16A is fed back to the signal source 15A so that the DC potential VRX of the output end of the signal source 15A is equal to the DC potential Vs of the input end of the buffer amplifier.例文帳に追加

この電圧比較回路１６Ａの比較出力を、信号源１５Ａの出力端の直流電位ＶRXと、バッファアンプの入力端の直流電位ＶSとが等しくなるように、信号源１５Ａにフィードバックする。 - 特許庁

The outputting part 20 includes a first transmission gate 21 provided between a high potential side power source and an output node, and a second transmission gate 22 provided between a low potential side power source and the output node.例文帳に追加

出力部２０は、高電位側電源と出力ノードとの間に設けられた第１のトランスミッションゲート２１と、低電位側電源と出力ノードとの間に設けられた第２のトランスミッションゲート２２を含む。 - 特許庁

A GND terminal of the gate drive circuit 5a is connected to the source electrode 4b of the switching element 4, and the GND potential (reference electric potential) of the drive circuit 5a side is applied from the source electrode 4b of the switching element 4.例文帳に追加

ゲートドライブ回路５ａのＧＮＤ端子はスイッチング素子４のソース電極４ｂに接続され、同ドライブ回路５ａ側のＧＮＤ電位（基準電位）をスイッチング素子４のソース電極４ｂからとるよう構成される。 - 特許庁

The image forming apparatus has a negative ion generating source 21 and a potential sensor 22 provided facing an ejecting surface of the paper ejecting tray 16 and the negative ion generating source 21 is controlled according to output of the potential sensor 22.例文帳に追加

排紙トレー１６の排出面に対向するようにマイナスイオン発生源２１と電位センサ２２が設けられており、電位センサ２２の出力に応じてマイナスイオン発生装置２１を制御する画像形成装置。 - 特許庁

Current drive capability of the operational amplifier 100 is controlled by fixing the gate voltage of the current source transistor and altering at least one of the potential of the impurity layer and the potential of the source region.例文帳に追加

電流源トランジスタのゲート電圧が固定され、不純物層の電位及びそのソース領域の電位の少なくとも１つが変更されることで、演算増幅器１００の電流駆動能力が制御される。 - 特許庁

To reduce the size and weight of an ion source driving power source for supplying power to a plasma generating anode electrode installed in a high voltage terminal cabinet kept in high potential while isolated from a grounding electric potential.例文帳に追加

接地電位から絶縁され高電位に保持された高電圧ターミナル筐体内に設けられるプラズマ発生用アノード電極に電源供給を行うためのイオン源駆動電源を小型・軽量化すること。 - 特許庁

At the falling of the output, the source electrode of the PchFET 1a has the VDH potential and the gate electrode has the GND potential at the initial stage, then, the gate-to-source voltage is set as VDH at the initial stage.例文帳に追加

出力の立ち下がり時には、初期段階でＰｃｈＦＥＴ１ａのソース電極はＶＤＨ電位、ゲート電極はＧＮＤ電位となり、初期段階でゲート・ソース間の電圧をＶＤＨとすることができる。 - 特許庁

The source line driving circuit 14 drives the source line SL, and the bit line control circuit 16 provides a bit line potential to the memory cell via the bit line BL.例文帳に追加

ソース線駆動回路１４はソース線ＳＬを駆動し、ビット線制御回路１６はビット線ＢＬを介してメモリセルへビット線電位を与える。 - 特許庁

When the synchronous SRAM 1 is made a power-down mode, a chip selecting signal is made non-selection, and power source voltage of the system power source line 3 is dropped to a standby potential.例文帳に追加

同期式ＳＲＡＭ１をパワーダウンモードにする時には、チップ選択信号を非選択とし、システム電源線３の電源電圧をスタンバイ電位に落とす。 - 特許庁

To provide a lighting device in which a high voltage side control power source is generated certainly in a simple and economical structure even if a switching element is connected to a positive potential side of a DC power source.例文帳に追加

スイッチング素子を直流電源の正電位側に接続しても簡単かつ安価な構成で高圧側制御電源を確実に生成する。 - 特許庁

An external power source VCC and a boosting potential VBT are connected to a power source terminal 10 of the VBB generating circuit through transfer gates 6, 7 respectively.例文帳に追加

外部電源ＶＣＣ及び昇圧電位ＶＢＴは、夫々トランスファーゲート６、７を介しＶＢＢ発生回路の電源端子１０に接続する。 - 特許庁

To provide a delay circuit for adjusting a power-source voltage dependence on display time by providing a difference in electric potential between a source and a substrate (back gate).例文帳に追加

ソースと基板（バックゲート）間に電位差を設けることにより、ディレイ時間の電源電圧依存性を調整することができるディレイ回路を提供する。 - 特許庁

To control the slew rate of output data and to improve an output data window when a potential difference between an output power source and an inner power source changes.例文帳に追加

出力用電源と内部用電源との電位差が変化した場合に、出力データのスルーレートを制御して出力データウィンドウを向上させる。 - 特許庁

By releasing the noise surfacing in the source power line GND to the ground potential, reduction of the voltage between the source and drain of the MISFET Tr1 is suppressed.例文帳に追加

ソース電源線ＧＮＤに浮き上がるノイズを接地電位へと逃がすことにより、ＭＩＳＦＥＴＴｒ１のソース・ドレイン間電圧の減少を抑制する。 - 特許庁

Since the source electrode 6 is in ohmic contact with the buffer layer 2, the buffer layer 2 made of an n-GaN layer can be made to have the same potential as the source electrode 6.例文帳に追加

ソース電極６がバッファ層２とオーミック接触しているので、n-GaN層から成るバッファ層２をソース電極６と同電位にすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device in which adjustment of internal power source potential generated by a plurality of internal power source generating circuits can be performed easily.例文帳に追加

複数の内部電源発生回路の生成する内部電源電位の調整を容易に行なうことが可能な半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

First and second voltage drop regulators 11, 12 supply reference voltage Vii of which a potential is lower than the power source voltage 'Vdd to the power source line L1.例文帳に追加

第１及び第２降圧レギュレータ１１，１２は電源線Ｌ１に電源電圧Ｖｄｄより電位の低い基準電圧Ｖｉｉを供給する。 - 特許庁