「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, when the signal WBI0 is made a power source potential and the signal WBI1 is made a ground potential, a pre-decode- signal PAX1-PAXn is made a power source potential unconditionally, but a pre-decode-signal PAX0 is made a potential being based on an address inputted to a NAND circuit 420.例文帳に追加

ここで、信号ＷＢＩ_0 を電源電位、信号ＷＢＩ_1 を接地電位にすれば、プリデコード信号ＰＡＸ_1 〜ＰＡＸ_n が無条件に電源電位になるが、プリデコード信号ＰＡＸ__0 は、ＮＡＮＤ回路４２_0 に入力されたアドレスに基づいた電位になる。 - 特許庁

Power source voltage on a high potential side outputted from a power source 14a is supplied to the one end 12a of the resistor 12.例文帳に追加

抵抗体１２の一端１２ａには電源１４ａが出力する高電位側の電源電圧が供給される。 - 特許庁

The internal power source potential generating circuit (VDC) includes an over-charge preventing circuit 200 connected to an internal power source node 90.例文帳に追加

内部電源電位発生回路（ＶＤＣ）は、内部電源ノード９０に接続される過充電防止回路２００を含む。 - 特許庁

Source grounded transistors of zero volt source electric potential contribute to the voltage gain of the entire amplifier and output an amplified signal of a proper waveform.例文帳に追加

ソース電位が零ボルトのソース接地トランジスタは、電圧ゲインに寄与し、良好な波形の増幅信号を出力する。 - 特許庁

Therefore, electric potential of the bit lines BLj at a standby state is changed from a power potential (VDD) to the ground potential (GND) by the source potential (GND) of the discharge transistor DTj, and kept to the GND.例文帳に追加

従って、スタンバイ状態でのビット線ＢＬｊの電位は、ディスチャージ用トランジスタＤＴｊのソース電位（ＧＮＤ）によって電源電位（ＶＤＤ）から接地電位（ＧＮＤ）へと変化し、ＧＮＤに維持される。 - 特許庁

In a data writing memory cell 101 of this AND type flash memory, a potential (a) is applied to a BG 105, a potential (e) is applied to CG 103, a potential (b) is applied to a source electrode 106, and a potential (c) is applied to a drain electrode 107.例文帳に追加

データ書込するメモリセル１０１は、ＢＧ１０５に電位ａが印加され、ＣＧ１０３に電位ｅが印加され、ソース電極１０６に電位ｂが印加され、ドレイン電極１０７に電位ｃが印加される。 - 特許庁

The voltage control circuit sets a potential of the gate electrode of the first MOSFET to be a potential between a potential of the drain electrode and a potential of the source electrode to prevent destruction of the gate oxide film due to an electrostatic surge.例文帳に追加

この電圧制御回路により、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート電極の電位を、ドレイン電極の電位と、ソース電極の電位との間の電位とすることで、静電気サージによるゲート酸化膜の破壊を防ぐ。 - 特許庁

To make a potential difference hardly generated between the power source potential of reference potential Vofs and signal line potential during an overlapping period of the conduction state of a switching transistor for Vofs and the conduction state of a writing transistor.例文帳に追加

Ｖｏｆｓ用のスイッチングトランジスタの導通状態と書込みトランジスタの導通状態とのオーバーラップ期間において、基準電位Ｖｏｆｓの電源電位と信号線電位との間に電位差が生じないようにする。 - 特許庁

When noise occurs in the wiring through which a current flows and the potential is deviated from the potential in the normal range at the time of writing a signal from a current source to the current source circuit, a current is supplied from a position other than the current source and the potential of the wiring can be quickly returned to the potential in the normal range.例文帳に追加

本発明は、電流源から電流源回路に書き込みを行っているときに電流が流れる配線にノイズがのり正常の範囲の電位からはずれたときに、電流源とは別のところから電流を供給し、配線の電位を素早く正常の範囲の電位に戻すことができる。 - 特許庁

In preferable embodiment, when distance between the selection cell transistor and the circuit (10) generating program voltage is a first distance, a source potential of the selection cell transistor is made to be a first potential, when it is a second distance being longer than the first distance, a source potential of the selection cell transistor is controlled to the second potential being lower than the first potential.例文帳に追加

好ましい実施例では，選択セルトランジスタとプログラム電圧発生回路(10)との間が第１の距離の時に，当該選択セルトランジスタのソース電位を第１の電位にし，第１の距離より長い第２の距離の時に，選択セルトランジスタのソース電位を第１の電位より低い第２の電位に制御する。 - 特許庁

Thereby, the potential difference between a power source node and the ground node is reduced.例文帳に追加

これにより、メモリセルＭＣの電源ノードと接地ノードとの間の電位差を小さくする。 - 特許庁

A drive switch means freely connects the drive lines to a drive current source or an OFF potential.例文帳に追加

ドライブスイッチ手段は、ドライブラインを駆動電流源またはオフ電位に接続自在とする。 - 特許庁

The switch 74 is connected between the source of the drive transistor 62 and the ground potential GND.例文帳に追加

スイッチ７４は、駆動トランジスタ６２のソースと接地電位ＧＮＤとの間に接続される。 - 特許庁

A high-voltage current source is connected between the high-voltage input part and a high-voltage potential.例文帳に追加

高電圧電流源は、前記高電圧入力部と高電位の間に接続する。 - 特許庁

Thereby, the potential of the source line CL and the common electrode CL is set to be 0 V.例文帳に追加

これにより、ソース線ＳＬと共通電極ＣＬの電位は０Ｖに設定される。 - 特許庁

It exists under high pressure at low temperature and is considered a potential energy source of the future.例文帳に追加

それは高圧低温下で存在し，発展可能な将来のエネルギー源とみなされている。 - 浜島書店 Catch a Wave

A width of the power supply line for supplying a power source potential corresponding to a potential which major switch control signal supply circuits output at this timing, out of the two kinds of power source potentials is thicker than that of the power supply line for supplying the other power source potential.例文帳に追加

前記２種類の電源電位のうち、前記タイミングでより多くの前記スイッチ制御信号供給回路が出力する電位に対応する電源電位を供給する電源線の幅が、他方の電源電位を供給する電源線の幅より太い。 - 特許庁

Potential is applied to the source and drain by voltage source (112) through leads (116) connected to the source/drain metal contacts (123, 142).例文帳に追加

ソース／ドレイン金属接点（１２３、１４２）に接続されたリード線（１１６）を介して電圧源（１１２）によってソースおよびドレインに電位が印加される。 - 特許庁

To provide a method for driving source lines that can suppress (eliminate) potential variation between the source lines and pixel electrodes due to parasitic capacity between source lines.例文帳に追加

各ソースライン間の寄生容量に起因する、各ソースラインおよび画素電極の電位変動を抑制（解消）できるソースラインの駆動方法を提供する。 - 特許庁

While the read/program potential is outputted, for example, the power source potential is supplied as the VBT to the gate of a transistor N 3.例文帳に追加

リード／プログラム電位が出力されている間は、トランジスタＮ３のゲートには、ＶＢＴとして、例えば、電源電位が供給される。 - 特許庁

To reduce a leak current controlling the substrate potential or source potential of a MOS transistor, and keeping the high speed of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの基板電位またはソース電位を制御し、半導体集積回路の高速化を維持しつつリーク電流を低減する。 - 特許庁

Power source circuits U1 and U2 supply a high power supply potential Vbh and low power supply potential Vb1 to the output steps 1 and 2.例文帳に追加

電源回路（Ｕ１，Ｕ２）は出力段（１，２）に対する高い電源電位（Ｖｂｈ）および低い電源電位（Ｖｂｌ）を供給する。 - 特許庁

To reduce the occurrence of crosstalk even if the potential of a pixel electrode varies as the potential of a source wire varies.例文帳に追加

ソース配線の電位変化に伴って画素電極の電位が変化したとしてもクロストークの発生を低減することができるようにする。 - 特許庁

Afterwards, when potential in a source terminal of the first transistor 102 is raised, potential in the gate terminal of the first transistor 102 is also raised by the bootstrap efficacy.例文帳に追加

その後、第１のトランジスタ102のソース端子の電位があがると、ブートストラップ効果により、第１のトランジスタ102のゲート端子の電位もあがる。 - 特許庁

A potential of a main word line ZMWL0 is made a H level being equal to the power source potential Vcc at the time of non-selection of a word line WL0.例文帳に追加

ワード線ＷＬ０の非選択時にメインワード線ＺＭＷＬ０の電位は電源電位Ｖｃｃに等しいＨレベルになる。 - 特許庁

This power unit is provided with a low potential side power source terminal 1, an output terminal 2, a high potential side power source terminal 3, a PNP transistor 4, a constant current source 5, a resistance 6, a resistance 7, a resistance 8, a resistance 9, an arithmetic amplifier 10, and an offset voltage source 11.例文帳に追加

低電位側電源端子１と、出力端子２と、高電位側電源端子３と、ＰＮＰトランジスタ４と、定電流源５と、抵抗６と、抵抗７と、抵抗８と、抵抗９と、演算増幅器１０と、オフセット電圧源１１と、を備える。 - 特許庁

The source bias circuit 26 has FET 18 and 19 for bias, the source potential of the FET 18 for bias is applied to the gate of the FET 19 for bias and the source potential of the FET 19 for bias is applied to the source of the FET 13 for variable attenuation.例文帳に追加

ソースバイアス回路２６は、バイアス用ＦＥＴ１８，１９を有し、バイアス用ＦＥＴ１８のソース電位がバイアス用ＦＥＴ１９のゲートに与えられ、バイアス用ＦＥＴ１９のソース電位が可変減衰用ＦＥＴ１３のソースに与えられる。 - 特許庁

A wiring substrate 3 is provided with output terminals supplied with the high potential source voltage and the low potential source voltage, and the liquid crystal driving integrated circuit 1 and the wiring substrate 3 are electrically connected by the relay substrate 2 dividing the potential between the high potential source voltage and the low potential source voltage, generating the middle reference voltage and inputting it to the reference voltage input terminal VREF.例文帳に追加

配線基板３は、高電位の電源電圧と低電位の電源電圧とが供給される出力端子を有し、液晶駆動用の集積回路１と配線基板３とは、高電位の電源電圧と低電位の電源電圧との間の電位を分圧して中間の基準電圧を生成し、基準電圧入力端子ＶＲＥＦに入力する中継基板２により電気的に接続される。 - 特許庁

The MOS transistor M10 is wired to a source, a gate, and a body to function as a constant current source, and has electric characteristics that a source potential becomes higher than the silicon substrate potential, so a saturation current decreases.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１０は、ソース、ゲート及びボディが結線されて定電流源として機能し、ソース電位がシリコン基板電位よりも高くなることで飽和電流が減少する電気的特性をもっている。 - 特許庁

A resistor is connected between this power source line PRVDD for the read-register and a ground potential, and a transistor PTR5 becoming off at the time of transfer of data is connected between the power source line PRVDD for the read-register and the power source potential.例文帳に追加

このリードレジスタ用電源ラインRRVDDとグランド電位との間には抵抗が接続され、リードレジスタ用電源ラインRRVDDと電源電位との間にはデータ転送時にオフ状態となるトランジスタPTR5が接続されている。 - 特許庁

A VD1 is supplied to the buffer circuit 31 as a power supply voltage of high potential side through a VD1 power source line 13, and a VS2 is supplied as the power source voltage of low potential side through a VS2 power source line 23.例文帳に追加

バッファ回路３１には、高電位側の電源電圧としてＶＤ１電源線１３を介してＶＤ１を供給し、低電位側の電源電圧としてＶＳ２電源線２３を介してＶＳ２を供給する。 - 特許庁

Since a rectifying diode having forward bias in the direction where the potential of the gate electrode becomes negative with respect to the source electrode is fabricated between a gate and source, a significant negative potential is not applied between the gate and source.例文帳に追加

この構造では、ゲート・ソース間にソース電極に対するゲート電極の電位が負になる方向を順バイアスとする整流ダイオードが組み込まれているので、強い負電位がゲート・ソース間に印加されることがなくなる。 - 特許庁

The power source detecting circuit 9 detects a neutral potential Vk of a voltage dividing resistor 8 connected to the power source 4 as the power source voltage Vcc, and compares the power source voltage Vcc with a voltage threshold value.例文帳に追加

電源検知回路９は、電源４に繋がる分圧抵抗８の中点電位Ｖｋを電源電圧Ｖccとして検出し、電源電圧Ｖccと電圧閾値とを比較する。 - 特許庁

When the signal source 30 supplies image data of a moving image, the source driver 14 receives the image data from the signal source 30 and sets the potential of the source wire according to this image data.例文帳に追加

信号源３０が動画の画像データを供給する場合には、ソースドライバ１４が信号源３０から画像データを受信し、その画像データに応じてソース配線の電位を設定する。 - 特許庁

The circuit 16 is provided with diode-connected transistors Pt11-Pt15, and the backgates of the transistors Pt11-Pt15 are connected to nodes having a potential other than the high-potential power source VDE and a low-potential power source VSS.例文帳に追加

電源作成回路１６は、ダイオード接続されたトランジスタＰｔ１１〜Ｐｔ１５を備え、それらトランジスタＰｔ１１〜Ｐｔ１５のバックゲートは高電位電源ＶＤＥ及び低電位電源ＶＳＳ以外の電位を持つノードに接続されている。 - 特許庁

The suppression transistor 11 of a source follower is provided in the current path of the output stage of the differential amplifier circuit 2 an operation control part 15 controls the gate potential and the gate potential of the output transistor 1 is controlled by the source potential.例文帳に追加

差動増幅回路２の出力段の電流パスにソースフォロワの抑制トランジスタ１１が設けられ、そのゲート電位を動作制御部１５が制御し、そのソース電位によって出力トランジスタ１のゲート電位が制御される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can set a substrate potential in a MOS transistor at a potential different from those in a source region and a drain region and inhibit a substrate potential float.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタにおける基板電位をソース領域及びドレイン領域とは異なる電位にすることができ、かつ基板電位の浮きを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The sense circuit includes a comparator so designed as to compare the potential of a standard high-potential power source with the potential of a signal applied to an input node of the bus hold circuit.例文帳に追加

感知回路は、標準的な高電位電源の電位とこのバス・ホールド回路の入力ノードに加えられる信号の電位とを比較するように設計されたコンパレータを含む。 - 特許庁

To reduce through current of the transistor output circuit remarkably, to raise/lower an output signal up (down) to power source potential (upper limit value) and ground potential (lower limit value), and to smoothly change the output signal at a part in the vicinity of the power source potential and the ground potential.例文帳に追加

トランジスタ出力回路の貫通電流を著しく低減するとともに、出力信号を電源電位（上限値）及びグランド電位（下限値）まで上昇／低下させ、かつ、出力信号をその電源電位及びグランド電位への近傍では滑らかに変化させる。 - 特許庁

The buffer circuits B1-B3 are operated by a power source for operating the signal generation circuit 20 in the vertical scan circuit 12, namely, by a predetermined power source different from a ground potential DGND and a power supply potential DVDD, namely, by a ground potential DRVGND and a power supply potential DRVVDD.例文帳に追加

バッファ回路Ｂ１〜Ｂ３は、垂直走査回路１２の信号生成回路２０を作動させる電源（グランド電位ＤＧＮＤ及び電源電位ＤＶＤＤ）とは異なる所定電源（グランド電位ＤＲＶＧＮＤ及び電源電位ＤＲＶＶＤＤ）により作動される。 - 特許庁

The semiconductor device 62A is provided with a high potential side source terminal 6, a low potential side source terminal 11, a power charge/ discharge terminal 66 applied with a pulse-shaped drive waveform changed between the high potential and the low potential and an output terminal 64 connected with the capacitive load 7.例文帳に追加

半導体装置６２Ａは、高電位側電源端子６と、低電位側電源端子１１と、高電位と低電位との間で変化するパルス状の駆動波形が印加される電力充放電端子６６と、容量性負荷７が接続される出力端子６４とを有する。 - 特許庁

A first voltage dividing circuit 52 and a second voltage dividing circuit 52 are connected in series between a first power line L1 of a high potential power source VDD and a second power line L2 of a low potential power source VSS.例文帳に追加

第１分圧回路５２と第２分圧回路５３は高電位電源ＶDDの第１電源線Ｌ１と低電位電源ＶSSの第２電源線Ｌ２の間に直列接続されている。 - 特許庁

Transistors P5 and P6 are inserted between transistors P1 and P2 connected to a power source potential V_DD and transistors N3 and N4 connected to a power source potential V_SS, respectively.例文帳に追加

電源電位Ｖ_ＤＤに接続されたトランジスタＰ１及びＰ２と電源電位Ｖ_ＳＳに接続されたトランジスタＮ３及びＮ４との間にトランジスタＰ５及びＰ６をそれぞれ挿入する。 - 特許庁

Based on the toner layer potential difference A and a development contrast potential difference B in a developing section 4Y, a control section for controlling a development power source E controls a voltage applied by the development power source E.例文帳に追加

現像電源Ｅを制御する制御部は、現像部４Ｙにおけるトナー層電位差Ａと現像コントラスト電位差Ｂに基づいて、現像電源Ｅによる電圧の印加を制御する。 - 特許庁

The switching element Swp on the high potential side is driven, using a capacitor 70, which is charged with a power source 60 for driving the switching element Swn on the low potential side, as a power source.例文帳に追加

高電位側スイッチング素子Ｓｗｐは、低電位側スイッチング素子Ｓｗｎを駆動するための電源６０にて充電されたコンデンサ７０を電源として駆動される。 - 特許庁