「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目)

入力回路は、入力信号を受け取る入力端子と、出力信号を出力する出力端子と、入力端子に接続されるノードと、ノードとグランドとの間に接続される終端抵抗と、ノードと出力端子との間に接続される電位シフト素子と、所定の電位を供給する電位源と、電位源と前記出力端子との間に接続される電流源とから構成される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is provided with a first power source means equipped with a current supply element composed of a bipolar transistor for supplying a first potential required for operating the internal circuit and a second power source means for supplying a second potential set lower than the first potential, and when operating the internal circuit, the first potential is supplied but when not operating the internal circuit, the second potential is supplied.例文帳に追加

バイポーラトランジスタよりなる電流供給素子を含み、内部回路を動作させるために必要な第一の電位を供給する第一の電源手段と、前記第一の電位よりも低く設定された第二の電位を供給する第二の電源手段を備えており、前記内部回路を動作させる時には第一の電位を供給し、動作させない時には第二の電位を供給する。 - 特許庁

To surely make desired threshold correction when employing a configuration arranged such that control over a light-emission period/non-light-emission period is performed by switching a power source potential supplied to a driving transistor is switched between a high potential and a low potential.例文帳に追加

駆動トランジスタに供給する電源電位を高電位と低電位で切り替えることによって発光期間／非発光期間の制御を行なう構成を採る場合において、所望の閾値補正を確実に行えるようにする。 - 特許庁

A charge-up potential of the mask member 21 is detected by a mask potential sensor 30 at the time of ion implantation, and a sufficient amount of electrons for canceling the potential is generated at an electron source 28 to restrict the charge-up of a wafer W.例文帳に追加

イオン注入時、マスク電位センサ３０によってマスク部材２１のチャージアップ電位を検出し、この電位を打ち消すのに十分な量の電子を電子発生源２８から発生させて、ウェーハＷのチャージアップを抑制する。 - 特許庁

A comparator 321 compares a signal of a signal line 323 for receiving potential according to potential of an FD 304 with a signal of a signal line 322 for receiving potential from a reference power source which is not illustrated to perform a saturation detection operation.例文帳に追加

比較器３２１は、ＦＤ３０４の電位に応じた電位を入力する信号線３２３の信号と図示しない基準電源からの電位を入力する信号線３２２の信号を比較し飽和検知動作を行う。 - 特許庁

When the input signal to the combinational circuit C2 changes, since C5 and C6 make the back gate potential of a MOS transistor in the combinational circuit at the same potential as a source potential, the combinational circuit operates at a regular speed.例文帳に追加

組み合わせ回路Ｃ２への入力信号が変化している場合は、Ｃ５，Ｃ６が組み合わせ回路内のＭＯＳトランジスタのバックゲート電位をソース電位と同じ電位にするので、当該組み合わせ回路は通常のスピードで動作する。 - 特許庁

In order to monitor the power supply potential of device, one input terminal a of a potential comparison circuit 5 is connected to the source of MOSFET 3 and the other input terminal b of the potential comparison circuit 5 is connected to the drain of MOSFET 3.例文帳に追加

デバイスの電源電位を監視するために、ＭＯＳＦＥＴ３のソースに電位比較回路５の一方の入力端子ａを接続し、電位比較器５の他方の入力端子ｂには、ＭＯＳＦＥＴ３のドレインを接続する。 - 特許庁

A voltage equal to a surface potential of the photosensitive drum 1 is generated by a high voltage power source 107b of the potential sensor control part 107 and is attenuated by a voltage dividing output part 107b of the potential sensor control part 107 and is output.例文帳に追加

電位センサ制御部１０７の高圧電源１０７ｂにより感光ドラム１の表面電位と等しい電圧を発生し、電位センサ制御部１０７の分圧出力部１０７ｂにより電圧を減衰して出力する。 - 特許庁

A source potential generating circuit 32 sets in a normal operation state the potential of a power supply line 42 at VPERI and sets in a stand-by state the potential of the power supply line 42 at a certain volt lower than VPERI, which is set in a normal operation state, by ΔVsp.例文帳に追加

また、ソース電位生成回路３２は、通常動作時は、電源線４２の電位をＶＰＥＲＩとし、待機状態では、電源線４２の電位を、通常動作時の電位ＶＰＥＲＩからΔＶｓｐだけ低くする。 - 特許庁

Furthermore, capacities between the first power source wiring and the second power source wiring are connected plurally in series, and a potential divided in accordance with these capacities is supplied to a gate of the inter-power source protection transistor.例文帳に追加

さらに、第１の電源配線と第２の電源配線との間容量を直列に複数接続し、これらの容量によって容量分圧された電位を電源間保護トランジスタのゲートに供給する。 - 特許庁

Even if the potential of the first power source Vdd is varied and the drive speed of a sense amplifier of a over-drive system is varied, the drive power source Viid of the sense amplifier can be always switched to the second power source with an appropriate timing.例文帳に追加

第１の電源の電位が変動してオーバードライブ方式のセンスアンプの駆動速度が変動しても、常に適切なタイミングでセンスアンプの駆動電源を第２の電源に切り替えることができる。 - 特許庁

The second step-down circuit 1b, to which the external power supply electric potential Vdd(ext.) supplied from the external power source of 3.3 V is inputted, supplies the internal power source electric potential Vdd(int.) stepped-down at 1.8 V to the sense amplifiers 4.例文帳に追加

第２の降圧回路１ｂは、３．３Ｖの外部電源から供給される外部電源電位Ｖｄｄ（ｅｘｔ．）を入力し、１．８Ｖに降圧した内部電源電位Ｖｄｄ（ｉｎｔ．）をセンスアンプ４に供給する。 - 特許庁

A switch element is connected between the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and a ground potential to bring the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) to the ground potential when the fourth n-channel MOSFET (Mn4) is off.例文帳に追加

スイッチ素子は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子とグラウンド電位との間に接続され、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のオフ時に第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子をグラウンド電位にする。 - 特許庁

A substrate potential Vbb given to a back gate of a transistor 51 for DRAM cell of which a source is connected to a power source Vdd through a capacitor 52 so as to constitute a DRAM cell 14a is controlled by a substrate potential generating circuit 13.例文帳に追加

ＤＲＡＭセル１４ａを構成するようにソースがコンデンサ５２を介して電源Ｖｄｄに接続されたＤＲＡＭセル用トランジスタ５１のバックゲートに与える基板電位Ｖｂｂを、基板電位発生回路１３で制御する。 - 特許庁

As a result, a high power source potential VDD is inputted to a P channel-side gate of the off switch 7b, and a low power source potential VSS is inputted to a N channel-side gate of the off switch 7b, and the off switch 7b is controlled to be turned off.例文帳に追加

その結果、オフスイッチ７ｂのＰチャンネル側ゲートに高電源電位ＶＤＤが入力されるとともに、オフスイッチ７ｂのＮチャンネル側ゲートに低電源電位ＶＳＳが入力され、オフスイッチ７ｂがオフ制御される。 - 特許庁

To the electrical-charge application electrode 32 a transfer power source 17 for applying potential for the transfer operation is connected, and to the discharging electrode 33 a discharging power source 34 for applying potential for the removal of the electric charges in the electric- charge hold area is connected.例文帳に追加

電荷付与電極３２には、転写動作用の電位を付与する転写電源１７が接続され、除電電極３３には、電荷担持領域の電荷を除電する電位を付与する除電電源３４が接続されている。 - 特許庁

When the fluctuations in the supply voltage between a high-potential side power source VDD and a low-potential side power source VSS is generated, the drive current compensating circuit 11 compensates the drive current to be output from the voltage current conversion circuit 10.例文帳に追加

高電位側電源ＶＤＤと低電位側電源ＶＳＳの間の電源電圧の変動が発生した場合、駆動電流補整回路１１は電圧電流変換回路１０から出力される駆動電流の補整を行う。 - 特許庁

If variation in power source potential V deviates from a permissible range, the supply of a clock of the microcomputer 13 is stopped, and when the variation in the power source potential V returns to the permissible range, supply of the clock signal to the microcomputer 13 is restarted.例文帳に追加

電源電位Ｖの変動が許容範囲を逸脱するとマイクロコンピュータ１３に対するクロックの供給を停止し、その電源電位Ｖの変動が許容範囲に戻るとマイクロコンピュータ１３に対するクロックの供給を再開する。 - 特許庁

When the operation of the power source for active mode is stopped, the first switch is put in a non-conductive status, and the potential of the output terminal of the error amplifier is maintained as a value equal to the potential of the output terminal in the regular operation of the power source for active mode by an auxiliary constant voltage source (Eo).例文帳に追加

アクティブ・モード用電源の動作停止時には第１のスイッチを非導通状態として誤差増幅器の出力端子の電位をアクティブ・モード用電源の定常動作時における該出力端子の電位に等しい値に補助定電圧源（Ｅｏ）にて維持しておく。 - 特許庁

A variable power source 701 controls source voltages between the high potential power line 701P and low potential power line 701M so that an output signal OUTL to the load 801 and an output signal OUTR to the load 802 are within a range of the source voltages.例文帳に追加

可変電源７０１は、負荷８０１に対する出力信号ＯＵＴＬ、負荷８０２に対する出力信号ＯＵＴＲが高電位電源線７０１Ｐおよび低電位電源線７０１Ｍ間の電源電圧の範囲内に収まるように同電源電圧を制御する。 - 特許庁

After it is confirmed that the predetermined standard is met, the wiring is made to supply a second potential generated by a second power source to one cell as a target of power source separation among the plurality of primitive cells instead of a first potential supplied by the first power source.例文帳に追加

その所定の基準を満たすことが確認された後に、複数のプリミティブセルの中の少なくとも一つの電源分離対象セルに対して、第１電源が供給する第１電位に替えて第２電源が生成する第２電位を供給するために配線する。 - 特許庁

This silicon-on-insulator (SOI) semiconductor device is characterized by that the drain of an N channel MOS transistor is connected to a high- potential side power source and a P channel MOS transistor 8 has its drain connected to a low-potential side power source, its gate for input, and the source and substrate for output.例文帳に追加

シリコン・オン・インシュレータ（「ＳＯＩ」という）半導体装置においてＮチャンネルＭＯＳトランジスタのドレインを高電位側電源に、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタのドレインを低電位側電源に接続し、ゲートを入力、ソースと基板を出力としている事を特徴とした半導体回路装置。 - 特許庁

To resolve the problem that desired light emission cannot be expected when the sum of capacity of a capacitor (pixel capacity) and capacity between gate-source of a driving transistor is smaller than a parasitic capacity of a switching transistor, because the value of a potential between gate-source of the driving transistor is varied by the variation of a source potential of the driving transistor.例文帳に追加

キャパシタ（画素容量）の容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量よりも小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位の値が変化してしまい、所望の発光が望めない。 - 特許庁

The potential of the electrode 14 is a positive potential +VI larger than the surface potential +VII of the photoreceptor drum 10 by a power source 18 an electric field having the larger potential than the surface potential of the drum 10 is made to act on suspended toner discharged from the device 16, so that the suspended is pushed and kept on a photoreceptor drum side and prevented from going to the exposing device.例文帳に追加

この電極１４は、電源１８により感光ドラム１０の表面電位＋Ｖ_Hより大きい正の電位＋Ｖ_1にされており、現像器１６から放出された浮遊トナーに感光ドラム１０の表面電位よりも大きな電位の電界を作用させて浮遊トナーを感光ドラム側に押し留め、露光器に向かうのを阻止する。 - 特許庁

例文

To provide a level shifting circuit whose operation speed is not influenced by variation in low-potential power source voltage.例文帳に追加

回路の動作スピードが低電位電源電圧の変動の影響を受けないようにしたレベルシフト回路を提供する。 - 特許庁

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