| 例文 |
process temperatureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5102件
To provide a temperature sensor circuit, having a characteristic depending only on an absolute temperature T, even when a saturation current I_S of a bipolar transistor fluctuates by dispersion, in a manufacturing process, regarding a temperature sensor circuit constituted of a plurality of bipolar transistors.例文帳に追加
複数のバイポーラトランジスタで構成した温度センサ回路において、バイポーラトランジスタの飽和電流I_Sが製造工程におけるばらつきにより変動をしても、絶対温度Tにのみに依存した特性を有する温度センサ回路を提供する。 - 特許庁
The carbon fiber-containing silicon carbide composite is produced by a production method comprising a process of preparing a mixture by mixing a plurality of carbon fibers, carbon powder and a powdery resin, a process of preparing granulates by adding a binder to the mixture, a process of isotropically compressing the granulates, a process of raising temperature of the isotropically compressed granulates to harden the same, and a process of firing the hardened product obtained in the preceding process.例文帳に追加
炭素繊維強化炭素複合体を、複数種類の炭素繊維と、炭素粉末と、粉末樹脂を混ぜ合わせて混合物にする工程と、混合物にバインダーを加えて造粒体にする工程と、造粒体を等方性圧縮する工程と、等方性圧縮された造粒体を昇温し、硬化させる工程と、前工程で得られる硬化物を焼成する工程とを備えている製造方法で作成する。 - 特許庁
The method includes a mixing process to mix source material powder containing at least barium and titanium to obtain mixture powder, a calcination process to calcine the mixture powder at specified temperature and pulverizing to obtain calcined powder, a cleaning process to clean the calcined powder, and a correcting process for the composition ratio to replenish the calcined powder with barium after the cleaning process, and the calcination process is repeated for a plurality of times.例文帳に追加
少なくともバリウムおよびチタンを含む原料粉末を混合して、混合粉末を得る混合工程と、上記混合粉末を所定温度で仮焼した後、粉砕して、仮焼粉末を得る仮焼工程と、上記仮焼粉末を洗浄する洗浄工程と、上記洗浄工程の後に、バリウムを上記仮焼粉末に補充する組成比補正工程と、を含み、かつ、上記仮焼工程を複数回繰り返す。 - 特許庁
To provide a heat developable photosensitive material having small temperature and humidity dependence of letter line width in development and suitable for use in a photomechanical process.例文帳に追加
文字線幅の現像時の温湿度依存性が小さい、写真製版用途に好適な熱現像感光材料を提供する。 - 特許庁
The prescribed temperature in the cleaning process is set to 450°C or lower, at which the selection ratio between Poly-Si and SiO2 (quartz) varies greatly.例文帳に追加
このクリーニング工程時の所定温度は、Poly−SiとSiO_2(石英)の選択比が大きく変化する450℃以下とする。 - 特許庁
A method for producing the palm lumber includes a process in which palm raw lumber is heat-treated so that its average internal temperature is 50-140°C.例文帳に追加
パーム材の製造方法は、パーム生材を、その平均内部温度が50〜140℃になるよう熱処理する工程を含んでいる。 - 特許庁
To provide a wafer polishing device in which change in surface temperature of a polishing pad in a wafer polishing process can be reduced.例文帳に追加
ウエハ研磨プロセスにおける研磨パッドの表面温度の変化を小さく抑えることを可能とするウエハ研磨装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a ceramic joined material formed by laminating and joining a ceramic base material and a conductive plate without using a high-temperature process.例文帳に追加
高温プロセスを用いずにセラミック基材と導電板とを積層接合してなるセラミック接合材の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a metal joined material formed by laminating and joining a metal base material and a conductive plate without using a high-temperature process and a parts with used the same.例文帳に追加
高温プロセスを用いずにメタル基材と導電板を積層接合したメタル接合材およびそれを用いた部品の提供。 - 特許庁
In the air, the binder is removed (a first heat treatment process) by a heat treatment at a temperature in which the CNT film 5 is not oxidized.例文帳に追加
大気中において、CNT膜5が酸化しない温度で熱処理することによりバインダを除去する(第1熱処理工程)。 - 特許庁
In the forcibly cooling process, cooling gas is repeatedly supplied into the carbonizing furnace to forcefully lower the treated material's temperature.例文帳に追加
強制冷却工程においては、炭化炉内に冷却気体を繰返し供給して被処理物の温度を強制的に低下させる。 - 特許庁
The temperature difference is given in a positive maner prior to mounting to a first layer 1 and the second layer 2 so as to avoid the occurrence of warpages in a soldering process.例文帳に追加
第1層1と第2層2に積極的に温度差を実装前に与え、半田付け工程時の反りの発生を回避する。 - 特許庁
To provide a PLL circuit which operates fast with a low power supply voltage and is hardly affected by variation in temperature and process conditions.例文帳に追加
低電源電圧で高速動作すると共に温度及びプロセス条件の変動の影響を受けにくいPLL回路を提供する。 - 特許庁
The processing unit is configured so as to process the object to be processed by using the temperature-controlled liquid discharged from each of the supply lines.例文帳に追加
処理ユニットは、各供給ラインから吐出される温度調節された液を用いて被処理体を処理するように構成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and system capable of reducing the power consumption against variations in external factors such as a process parameter and temperature or the like by making an arithmetic speed constant.例文帳に追加
演算速度を一定に保ちつつ、プロセスパラメータや温度等の外部要因の変動に対して消費電力を低減する。 - 特許庁
To improve a characteristic of a semiconductor device by using a low-temperature process, in a semiconductor device using a ZnO film for an active layer.例文帳に追加
ZnO膜を活性層に用いた半導体素子において、低温プロセスを用いて半導体素子としての特性を向上させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method which forms an insulating film of good quality on a side wall of a hole by a low temperature process.例文帳に追加
低温プロセスで良質の絶縁膜を孔の側壁に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The graphite powder like this can be obtained by carrying out a heating process at a temperature of 900°C or more after the graphite is pulverized by a jet mill.例文帳に追加
このような黒鉛粉末は、黒鉛をジェットミルで粉砕後、900度以上の温度で加熱処理を行うことで得られる。 - 特許庁
To improve the characteristics and reliability of a thin-film transistor (TFT) formed at a highest process temperature of 700°C or smaller.例文帳に追加
最高プロセス温度700℃以下で形成される薄膜トランジスタ(TFT)の特性・信頼性を向上せしめる方法を提供する。 - 特許庁
The method characteristically comprises the smoking process using a smoke with 0-18°C of temperature.例文帳に追加
本発明の方法は、0°C〜18°Cの温度の煙を用いてゆで卵を燻煙処理する工程を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a silicon wafer which performs BMD formation in the inside by a heating process at shorter time and lower temperature than before.例文帳に追加
従来よりも短時間かつ低温の熱処理で内部でのBMD形成を行うシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the process (2), the dielectric thin film formed on the substrate is heated at a temperature of 550 to 800°C in an oxygen atmosphere, and baked temporarily.例文帳に追加
工程(2):基板上に形成された誘電体薄膜を、酸素雰囲気中、550〜800℃の温度で加熱し、仮焼成する。 - 特許庁
To provide a capacitor of a semiconductor device that allows low-temperature processing, has a wide process window, and has improved physical characteristics of a product.例文帳に追加
低温プロセスが可能であり、プロセスウィンドウが広く、かつ製品の物理特性を改善した半導体素子のキャパシタを提供すること。 - 特許庁
To inhibit the optical material from causing difference in temperature distribution inside in the cooling process after the heat-softened optical material is press-molded.例文帳に追加
加熱軟化した光学素材を押圧成形した後の冷却工程で、光学素材内部の温度分布の差が発生することを防止する。 - 特許庁
A metal mortuary tablet cast by die casting, a process in which a metal is melted at a high temperature and poured into a mold under pressure.例文帳に追加
本発明は、金属を高温で溶融して圧力で金型に流し込むダイカスト製法により鋳造された金属製位牌である。 - 特許庁
The blow molding process molds a wholly aromatic polymer having characteristics below described and exhibiting an optical anisotropy during being softened and flowing, at a temperature of 180-270°C.例文帳に追加
下記特性を有する軟化流動時に光学的異方性を示す全芳香族ポリマーを、180〜270℃の温度で成形するブロー成形法。 - 特許庁
The heating part 44 and the temperature-sensitive part 46 are collectively formed, through the same process, with the same conductive material having light transmittivity.例文帳に追加
加熱部44と感温部46とは、光透過性を有する同一の導電材料により同一工程で一括的に形成される。 - 特許庁
To provide a process cartridge and image forming apparatus that can restrain image quality degradation resulting from temperature rise in a drive transmission part, etc.例文帳に追加
駆動伝達部等における発熱に起因する画像品質の低下を抑えられるプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
An appropriate crystallization of the first ferromagnetic layer in a high temperature annealing process is thereby promoted to obtain high MR ratio.例文帳に追加
これにより、高温アニール処理における第1強磁性層の適切な結晶化を促進することができ、高いMR比を実現する。 - 特許庁
On the reverse side of the silicon crystal substrate doped with phosphor and germanium to high concentration, the polysilicon layer is grown at a process temperature of <600°C.例文帳に追加
リンとゲルマニウムが高濃度ドープされたシリコン結晶基板の裏面側に、600℃未満のプロセス温度でポリシリコン層を成長させる。 - 特許庁
To provide a temperature sensor capable of readily sensing a plurality of temperatures without having to change the design, and coping with process changes.例文帳に追加
設計変更せずに、複数個の温度を容易に感知し、工程の変化に対処できるようにした温度センサを提供すること。 - 特許庁
The process in which the silicon germanium layer is annealed is conducted for the time within a range of 1 to 10 sec at the temperature of at least 1,100°C.例文帳に追加
上記シリコンゲルマニウム層をアニーリングする工程は、少なくとも1100℃の温度で1〜10秒の範囲の時間行われる。 - 特許庁
To provide a plasma process device, a temperature control device, and its control method used in ashing for removing a photoresist or residue.例文帳に追加
フォトレジストや残留物を取り去るアッシング処理に用いるプラズマ処理装置、温度制御装置及びその制御方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a toner having a flocculation process, suppresses the fogging accompanying the deterioration in durability and achieves low-temperature fixability.例文帳に追加
凝集工程を有するトナーにおいて、耐久劣化に伴うかぶりを抑制し、かつ低温定着性を達成したトナーを提供する。 - 特許庁
In another embodiment, the photocell is heated at a temperature of about 150 to about 275°C for at least about 0.5 minutes during the annealing process.例文帳に追加
他の実施形態では、光電池は、アニールプロセスの際に約150℃乃至約275℃の温度で少なくとも約0.5分間加熱される。 - 特許庁
This manufacturing process is conducted at a temperature of lower than 1200 °C and the time to inhibit recrystallization of a highly-fine structure in the alloy MA956.例文帳に追加
この製法は、合金MA956中の非常に細かい構造の再結晶化を阻止するための1200℃未満の温度および時間で行う。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device, which increases semiconductor characteristics and productivity, and decreases a process temperature.例文帳に追加
半導体特性が向上させ、更に生産性を高め、工程温度を低くした薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin film transistor for obtaining a high-grade polycrystalline silicon film and MOS interface at low process temperature.例文帳に追加
低いプロセス温度で高品質の多結晶シリコン膜およびMOS界面を得るための薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory in which accurate and a high speed read- operation can be guaranteed even if temperature and a manufacturing process condition are varied.例文帳に追加
温度変動や製造プロセス条件の変動があっても正確かつ高速のリード動作を保証できるフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁
It is also preferable to separate the adhesive body from the polymeric film before the temperature by heating is lost in the secondary transfer process.例文帳に追加
また、二次転写工程において、加熱による温度が失われる前に、粘着体と高分子膜とを分離することが好ましい - 特許庁
In a drying process of a liquid droplet, a temperature deference is imparted to the interior of the liquid droplet while pinning the edge part of the liquid droplet to cause a convection.例文帳に追加
液滴の乾燥過程において、液滴の縁部をピニングしつつ、液滴内に温度差を与えて対流を生じさせる。 - 特許庁
To provide a controlled voltage circuit for compensating a variation of performance in an integrated circuit caused by voltage supply, a temperature and a process variation.例文帳に追加
供給電圧、温度、及びプロセス変動による集積回路の性能変動を補償するための被制御電圧回路を提供する。 - 特許庁
First, the relation between a dimension changing with thickening of the resist pattern and a temperature of heat treatment in a process of thickening is previously found.例文帳に追加
先ず、レジストパターンの厚肉化により変化する寸法と、厚肉化の工程における熱処理の温度との関係を予め求めておく。 - 特許庁
Slip b is hardly generated in the silicon wafers B, C, and slip b can be restrained also at the time of the severe high temperature thermal treatment in the device process.例文帳に追加
シリコンウェーハB、Cには、スリップbがほとんど発生せず、デバイス工程での過酷な高温熱処理時にもスリップbを抑制できる。 - 特許庁
The control means 14 has a temperature measuring part 14b for measuring temperatures of the pot bottom and the pot side from the means 9 and 10 to execute the soak process.例文帳に追加
これによって、鍋底温度および鍋側面温度の計測結果に基づいて鍋加熱手段2の通電量を制御する。 - 特許庁
To provide a control method for eliminating the need of a means for detecting a temperature, and preventing a resistor from an overheat using a simple process procedure.例文帳に追加
温度を検出する手段を必要とせず、しかも、簡易な処理手順で抵抗器の過熱を防止する制御方法を提供する。 - 特許庁
It is possible to prevent cracks from occurring in the dielectric body 14 by an Al slide in a temperature rising or falling process since the recessed part is in the GaAs substrate 11.例文帳に追加
GaAs基板11に凹部があるので、昇温降温を行うプロセスにおけるAlスライドによって誘電体14にクラックが生じない。 - 特許庁
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