「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a hole-transportation layer, a first light-emitting layer 5a, a thin film layer 5c, a second light-emitting layer 5b and an electron transportation layer are sequentially formed on the hole-injecting layer by vacuum deposition.例文帳に追加

次に、ホール注入層上に、ホール輸送層、第１の発光層５ａ、薄膜層５ｃ、第２の発光層５ｂおよび電子輸送層を真空蒸着により順に形成する。 - 特許庁

A second layer 52 and a fourth layer 54 include the cellulose acylate of the acylation degree higher than that of the first layer 51 and the fifth layer 55 and has the birefringence lower than that of the first layer 51 and the fifth layer 55.例文帳に追加

第２層５２，第４層５４は、第１層５１，第５層５５よりもアシル基置換度が高いセルロースアシレートを含むとともに複屈折率が第１層５１，第５層５５よりも低い。 - 特許庁

These contact parts are constituted of three layer structures of a first aluminum/silicon layer (Al/Si layer (13)), a titanium (Ti) system barrier metal layer (14), and a second aluminum/silicon layer (Al/Si layer (15)).例文帳に追加

これらのコンタクト部は第１のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１３））、チタン（Ｔｉ）系のバリアメタル層（１４）、第２のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１５））の３層構造から成る。 - 特許庁

The multilayer structure metal mask has a multilayer type film structure formed of an electroplating layer formed on an odd number layer including the first layer, and a electroless plating layer formed on an even number layer including the second layer.例文帳に追加

第１層目を含む奇数層に形成された電気めっき層と、第２層目を含む偶数層に形成された無電解めっき層と、からなる多層型皮膜構造を持つ。 - 特許庁

An n-type clad layer, a first guide layer, an active layer, a second guide layer, a p-type clad layer, a ZnSSe cap layer, a ZnSe cap layer 19, a graded composition superlattice layer 20 and a low defect contact layer 21 are laminated sequentially on an n-type substrate.例文帳に追加

ｎ型基板の上にｎ型クラッド層，第１のガイド層，活性層，第２のガイド層，ｐ型クラッド層，ＺｎＳＳｅキャップ層，ＺｎＳｅキャップ層１９，組成傾斜超格子層２０および低欠陥コンタクト層２１を順次積層する。 - 特許庁

Contact between the second electrode and the second semiconductor layer is non-ohmic, and the second electrode has a stacked structure including a lower layer and an upper layer whose contact resistance with the light-transmissive electrode is lower than that of the lower layer, part of the second electrode being exposed through an opening formed in the light-transmissive electrode.例文帳に追加

第２電極は、下層と、透光性電極に対する接触抵抗が下層よりも低い上層とを含む積層構造を有し、透光性電極に形成された開口部においてその一部が露出している。 - 特許庁

In the surface of the support 4 on an observer 21 side, a second reflection layer 5 and a first decoration layer 6 are stacked in order in the second area 2, and a second reflection layer 5 and a second decoration layer 10 are stacked in order in the third area 3.例文帳に追加

支持体４の観察者２１側の面のうち、第２の領域２には、第２の反射層５、第１の加飾層６が順に積層され、第３の領域３には、第２の反射層５、第２の加飾層１０が順に積層される。 - 特許庁

The peel strength of the first adhesion layer is higher than the peel strength of the second adhesion layer, and the peel strength of the second adhesion layer to the first region and the peel strength of the second adhesion layer to the second region are different from each other.例文帳に追加

第１の接着層の剥離強度が、第２の接着層の剥離強度よりも大とされ、第１の領域に対する第２の接着層の剥離強度と、第２の領域に対する第２の接着層の剥離強度とが異なるようにされる。 - 特許庁

The multilayer laminate 1604 further includes a second layer 1608 which is formed on the first layer 1606 and contains the second component and a third layer 1610 which is formed on the second layer 1608 and contains the first component and the second component.例文帳に追加

多層積層体１６０４はさらに、第１の層１６０６上に形成され第２の成分を含む第２の層１６０８と、第２の層１６０８上に形成され第１の成分および第２の成分を含む第３の層１６１０とを含む。 - 特許庁

Next, a second wiring layer 6b is formed on the non-light-receiving section of the second flattening layer 5b provided on the first wiring layer and the first dummy pattern, and a second dummy pattern 10b is formed on the light-receiving section of the second flattening layer.例文帳に追加

次に第１の配線層及び第１のダミーパターン上に設けられた第２の平坦化層５ｂの非受光部上に第２の配線層６ｂを形成すると共に、第２の平坦化層の受光部上に第２のダミーパターン１０ｂを形成する。 - 特許庁

The seam of the first seal layer has a first longitudinal axis and the seam of the second seal layer has a second longitudinal axis, and the first seal layer is oriented relative to the second seal layer such that the first longitudinal axis is angularly oriented relative to the second longitudinal axis.例文帳に追加

第１シール層の継ぎ目は第１の長手方向の軸を有し、第２シール層の継ぎ目は第２の長手方向の軸を有し、第１シール層は第１の長手方向の軸が第２の長手方向の軸に対して角度をなす様配置される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type; a light-emitting part; a first conductive layer; and a second conductive layer.例文帳に追加

実施形態によれば、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、発光部と、第１導電層と、第２導電層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

And, a second insulating film 331 is formed by laminating in sequence a second bottom insulating layer 331b, a charge storage layer 331m, and a second top insulating layer 331t so as to face the semiconductor layer 321.例文帳に追加

そして、その半導体層３２１に対面するように、順次、第２ボトム絶縁層３３１ｂ、電荷蓄積層３３１ｍ、第２トップ絶縁層３３１ｔを積層することによって、第２ゲート絶縁膜３３１を形成する。 - 特許庁

The stacked structure includes a first semiconductor layer of a first conductive type, a second semiconductor layer of a second conductive type, and a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加

積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を有する。 - 特許庁

The second layer underlying the first layer is a power supply wiring layer and a first power supply plane 2a and a second power supply plane 2b are separately formed on the layer so that the first plane 2a may surround the second plane 2b.例文帳に追加

その下の第２層は、電源配線層であって、第１電源プレーン２ａと第２電源プレーン２ｂとが分離されて、かつ第１電源プレーン２ａが第２電源プレーン２ｂを囲むように形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a second resin layer removing liquid is supplied from the first surface, the second resin layer is removed on the through hole and its periphery of the second surface, and the conductive layer of the periphery of the through hole of the second surface is removed.例文帳に追加

続いて、第１面より第二樹脂層除去液を供給して、第２面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の第二樹脂層を除去し、第２面の貫通孔周辺部の導電層を露出する。 - 特許庁

The second cell 15 has a second fuel electrode layer 15a contacting with the fuel space 12, a second oxidant electrode layer 15b contacting with the oxidant space 13, and a second electrolyte layer 15c pinched by these layers.例文帳に追加

第２セル１５は、燃料空間１２と接する第２燃料極層１５ａと、酸化剤空間１３と接する第２酸化剤極層１５ｂと、これらの層に挟まれる第２電解質層１５ｃとを有する。 - 特許庁

Finally, soft annealing is conducted, and thus the holes left in the second silicon dioxide layer are detrapped or second electrons are injected into the second silicon dioxide layer, thereby the holes remained in the second silicon dioxide layer are eliminated.例文帳に追加

最後に、ソフトアニ−ルが実行されて、第２二酸化シリコン層に残ったホールをデトラップするかまたは、第２二酸化シリコン層に第２電子を注入して、第２二酸化シリコン層に残ったホールを消去する。 - 特許庁

A first metal layer 3 of ≥0.5 mm in thickness, a second metal layer 5, and a third metal layer 7 of ≥1 mm in thickness are arranged in this order, and the first metal layer 3 and the second metal layer 5 are united together with a conductive adhesive layer.例文帳に追加

厚み０．５mm以上の第１金属層３と、第２金属層５と、厚み１mm以上の第３金属層７がこの順に配置され、第１金属層３と第２金属層５が導電性接着剤層で一体化されている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first conductive layer 20, a second conductive layer 40 formed on the first conductive layer 20, and a capacitive insulation layer 30 formed between the first conductive layer 20 and the second conductive layer 40.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第１導電層２０と、第１導電層２０の上方に形成された第２導電層４０と、第１導電層２０と第２導電層４０との間に形成された容量絶縁層３０とを含む。 - 特許庁

The STO structure has a configuration consisting of a seed layer 21/a spin injection layer (SIL) 22/a first spacer layer 23/a first PMA assist layer 27a/a composite FGL 40/a second spacer 31/a second PMA assist layer 32/a cap layer 25.例文帳に追加

このＳＴＯ構造は、シード層２１／スピン注入層（ＳＩＬ）２２／第１のスペーサ層２３／第１のＰＭＡアシスト層２７ａ／複合ＦＧＬ４０／第２のスペーサ３１／第２のＰＭＡアシスト層３２／キャップ層２５なる構成を有する。 - 特許庁

A release layer 26 is formed on the front surface side of the second layer label 6 and the tacky adhesive layer 12 of the second layer label 6 is laminated on a sheet material, such as a release sheet 8 which is a lower layer thereof or other label base material, etc., across a release layer 30.例文帳に追加

第二層ラベル６の表面側には剥離層２６が形成され、第二層ラベル６の粘着層１２はその下層の剥離シート８や他のラベル基材等のシート材に剥離層３０を介して積層されている。 - 特許庁

Then, a second dielectric layer 22 is formed on the surface of the first dielectric layer 21 including the hardened light-sensitive mask layer, and the remaining mask material layer and the second dielectric layer 22 formed on this layer are removed.例文帳に追加

その後、第１の誘電体層２１の、硬化した感光性マスク層を含む面に第２の誘電体層２２を形成し、続いて残存しているマスク材料層とこの上に形成された第２の誘電体層２２とを共に除去する。 - 特許庁

The first variable resistance layer 120 includes a first metal oxide layer 102 and a second metal oxide layer 103, and the second variable resistance layer 130 includes a third metal oxide layer 105 and a fourth metal oxide layer 106.例文帳に追加

第１抵抗変化層１２０は、第１金属酸化物層１０２および第２金属酸化物層１０３を備え、第２抵抗変化層１３０は、第３金属酸化物層１０５および第４金属酸化物層１０６を備える。 - 特許庁

The MTJ element (1) includes: a first magnetic layer (10); a second magnetic layer (20); a tunnel barrier layer (30) positioned between the first magnetic layer (10) and the second magnetic layer (20); and a first half metal layer (40) formed by a half metal material.例文帳に追加

ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。 - 特許庁

The periphery 31a of the first layer 31 is allowed to come into close contact with a periphery 33a of the second layer 33 to seal the scintillator layer 32 between the first layer 31 and the second layer 33, whereby degradation is prevented in the scintillator layer 32 due to the moisture in the atmospheric air.例文帳に追加

第１の保護層31の周辺部31aと第２の保護層33の周辺部33aとに密着させ、第１の保護層31と第２の保護層33との間にシンチレータ層32を密閉し、大気中の水分によるシンチレータ層32の劣化を防止する。 - 特許庁

When instructed to change setting of the layer data of the first layer or the second layer, the layer data of the first layer or the second layer are rewritten with the specified ones, the third layer data arranged in a third layer data area are cleared, and the assignment is performed again thereafter.例文帳に追加

第１レイヤまたは第２レイヤのレイヤデータを設定変更する指示があった場合、第１レイヤまたは第２レイヤのレイヤデータを指定されたものに書き替えるとともに、第３レイヤデータ領域に配置されている第３レイヤデータをクリアし、その後、割り当てのし直しを行う。 - 特許庁

In this thin EL element provided with a pair of a first electrode layer and a second electrode layer interposing a luminescent layer on an insulating base, a thin layer having a quantum size is provided between the luminescent layer and the first electrode layer and between the luminescent layer and the second electrode layer are provided.例文帳に追加

絶縁基板上に発光層を介在した一対の第１の電極層と第２の電極層とを備えてなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層と前記第１の電極層及び前記第２の電極層との間に量子サイズの薄膜層を備えた。 - 特許庁

A second layer (L2) used as a power supply or a ground layer and a third layer (L3) used as a signal layer are formed with a core material 12 which is provided with a via 21b that is drilled and plated toward the second layer on an outer layer side from the third layer on an inner layer side.例文帳に追加

電源若しくはグランド層として用いられる第２層（Ｌ２）と、信号層として用いられる第３層（Ｌ３）とを形成するコア材１２には、内層側の第３層から外層側の第２層に向けて穴開けされメッキが施されたビア２１ｂが設けられる。 - 特許庁

In a vertical magnetic recording medium provided with a magnetic layer 6 on a non-magnetic substrate 1, the magnetic layer 6 is constituted by multi-layer-laminating alternately a Co layer being a first magnetic layer 6a and a Pd layer being a second magnetic layer 6b, SiO_2 is added to the second magnetic layer 6b.例文帳に追加

非磁性の基板１上に磁性層６を備えている垂直磁気記録媒体において、磁性層６は、第１の磁性層６ａであるＣｏ層と第２の磁性層６ｂであるＰｄ層とを交互に多層積層して構成され、第２の磁性層６ｂには、ＳｉＯ_２を添加する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

By the use of a second substrate 201 as a transfer object, a first thin film device layer 103 is transferred via an adhesive layer 204 on a second thin film device layer 203 formed on the second substrate 201 so that the first thin film device layer 103 and the second thin film device layer 203 may be formed on the second substrate 201.例文帳に追加

第二基板２０１を転写体として、第二基板２０１上に形成された第二薄膜デバイス層２０３上に接着層２０４を介して第一薄膜デバイス層１０３を転写して、第二基板２０１上に第一薄膜デバイス層１０３と第二薄膜デバイス層２０３を形成する。 - 特許庁

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer.例文帳に追加

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。 - 特許庁

The second laminate 14 has a second transparent substrate 22, a light scattering layer 23 (light scattering body) formed on the second substrate 22, an image recording layer 24 formed on the light scattering layer 23 and a second reflective layer 26 formed on the image recording layer 24.例文帳に追加

第２積層体１４は、透明性の第２基板２２と、該第２基板２２上に形成された光散乱層２３（光散乱体）と、該光散乱層２３上に形成された画像記録層２４と、該画像記録層２４上に形成された第２反射層２６とを有する。 - 特許庁

In one embodiment, a semiconductor light-emitting device includes a semiconductor layer, a first electrode, a second electrode, an insulation layer, a first wiring layer, a second wiring layer, a first metal pillar, a second metal pillar, a resin layer and a conductive material.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、第１の配線層と、第２の配線層と、第１の金属ピラーと、第２の金属ピラーと、樹脂層と、導電材と、を備えた。 - 特許庁

A third insulating layer 23 is formed in a center region Ac of a substrate 11 so as to straddle between a second semiconductor layer 161 adjacent to a guard ring layer 15 and a second semiconductor layer 162 adjacent to the second semiconductor layer 161.例文帳に追加

ガードリング層１５に隣接した第二半導体層１６１と、この第二半導体層１６１に隣接する第二半導体層１６２との間に跨るように、基板１１の中心領域Ａｃにおいて第三絶縁層２３が形成されている。 - 特許庁

The first magnetic layer 18 and the second magnetic layer 19 are constituted of ferromagnetic materials mainly made of CoCrPtB and the first magnetic layer 18 has a B content higher than that of the second magnetic layer and a Cr content lower than that of the second magnetic layer.例文帳に追加

第１磁性層１８および第２磁性層１９はＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、第１磁性層１８は第２磁性層よりもＢ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ない組成からなる。 - 特許庁

The grid unit has a conductive layer 48 which is installed between the first insulating layer and the second plate board and which is connected to a ground potential, and a second insulating layer 50 which is formed at the conductive layer by being overlapped on it, and which is positioned between the conductive layer and the second plate board.例文帳に追加

グリッドユニットは、第１絶縁層と第２基板との間に設けられ接地電位に接続された導電層４８と、導電層に重ねて形成され、導電層と第２基板との間に位置した第２絶縁層５０と、を有している。 - 特許庁

The shaft has a laminated structure made up of at least a first angle layer, a first straight layer, and a second angle layer, a second straight layer from the inside in this order, and preferably the second layer has a specific thickness and a specific angle of orientation of reinforcing fibers.例文帳に追加

このシャフトは内側から少なくとも第１アングル層と、第１ストレート層と、第２アングル層と、第２ストレート層とを有する積層構造で、第２アングル層が特定の厚みと特定の強化繊維の配向角度を有するもの等が好ましい。 - 特許庁

The hole-sealing body is composed by laminating at least a first rubber layer, and a second rubber layer made of a second rubber layer where silicone rubber is blended or only the silicone rubber, and the first rubber layer and the second rubber layer are vulcanized for joining, thus achieving improved heat-resistant characteristics.例文帳に追加

少なくとも第１のゴム層と、シリコーンゴムを配合した第２のゴム層もしくはシリコーンゴムのみからなる第２のゴム層とを積層してなり、第１のゴム層と第２のゴム層が加硫接合しているので、耐熱特性が良好である。 - 特許庁

The second conductor layer 29 has a first electroplated layer 35 on its lower side which contains fine plated particles unevenly distributed, and also has a second electroplated layer 37 which is formed on the first plated layer 35, formed as the surface of the second conductor layer 29, and contains nearly uniform- sized large plated particles.例文帳に追加

第２導体層２９のうち、下方の第１電解メッキ層３５には、微細なメッキ粒子が偏在するが、その上に形成され第２導体層２９の表面をなす第２電解メッキ層３７は、ほぼ均一で大きなメッキ粒子からなる。 - 特許庁

The second light-emitting region A2 includes: a second semiconductor base layer 142, which is disposed above the first semiconductor base layer 141 and is formed from a semiconductor having the same constituent elements as the first semiconductor base layer 141 and having the different element composition ratio from the first semiconductor base layer 141; and a second semiconductor light-emitting layer 152 stacked on the second semiconductor base layer 142.例文帳に追加

第２発光領域Ａ２では、第１半導体下地層１４１の上に配置された第１半導体下地層１４１と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第２半導体下地層１４２と、その上に積層された第２半導体発光層１５２とが設けられている。 - 特許庁

A magnetic shield having a first layer and a second layer and shielding an environmental magnetic field is obtained by manufacturing a first layer composed of a first material and having a hollow part therein and a second layer in a hollow shape composed of a second material differing from the first material, and disposing the second layer in the hollow part of the first layer.例文帳に追加

第１材料で構成され、内部に中空部を有する第１層と、第１材料と異なる第２材料で構成された中空状の部材である第２層とを製造し、第２層を第１層の中空部に配置することで、第１層と第２層とを備え、環境磁場を遮蔽する磁気シールドを得る。 - 特許庁

The aluminum film is similarly formed as second layer aluminum wires in this state, the resist is drawn in a way that the second layer aluminum wires are overlapped on the first layer aluminum wires by using a resist film for a mask, and the first layer aluminum wires and the second layer aluminum wires are joined at the same time the second layer aluminum wires are formed through selective etching by using the reactant gas.例文帳に追加

その状態で、２層目にアルミニウムを同様に成膜し、レジスト膜をマスクとして２層目アルミ配線が１層目アルミ配線と重ね合わさる様にするレジストを描画し、反応ガスを用いて選択エッチングで２層目アルミ配線形成と同時に１層目アルミ配線と２層目アルミ配線を接続させる。 - 特許庁

The guard ring 118 includes a first ring 134 of a first layer 128, a second ring 136 of a second layer 130, a third ring 138 of a third layer 132, a first connection ring 142 connecting the first ring 134 and the second ring 136 with each other, and a second connection ring 144 connecting the second ring 136 and the third ring 138 with each other.例文帳に追加

ガードリング１１８は、第１層１２８の第１リング１３４、第２層１３０の第２リング１３６および第３層１３２の第３リング１３８とそれらを接続する第１接続リング１４２、第２接続リング１４４を含む。 - 特許庁