「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(414ページ目) - Weblio英語例文検索

A second light-emitting diode chip 3 is so directed that the light therefrom is extracted on the same side as the first light-emitting diode chip 2, and is laminated in the non-light-emitting region A wherein the p-type semiconductor layer 6 is removed on the light extracting surface in the first light-emitting diode chip 2.例文帳に追加

第２の発光ダイオードチップ３は、第１の発光ダイオードチップ２と同じ側に光を取出す向きに向けられ、第１の発光ダイオードチップ２において光を取出す面上でｐ型半導体層６が除去されている非発光領域Ａ内に積み重ねられている。 - 特許庁

In this case, the specific resistance of the nitride semiconductor substrate is 0.5 Ωcm or less, and the side of the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 is mounted face-down, and the light is emitted from the second main surface 1a that is opposite to the first main surface of the nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

この発光装置では、窒化物半導体基板の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、窒化物半導体基板の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁

The image information recording and reading apparatus emits the reading light L2 to the second photoconductive layer 4 to re-charge the boundary face 7 while using a capacitor 58 to apply a DC voltage to the medium 10 with the switch 52 set to an opening state and detects the re-charged current to read the electrostatic latent image as a signal.例文帳に追加

スイッチ５２を開状態としてコンデンサ５８を用いて直流電圧を印加しつつ、第２光導電層４を読取光Ｌ２により照射して界面７を再充電し、この再充電電流を検出することにより前記静電潜像を信号として読み取る。 - 特許庁

The antistatic organic EL element has at least a thin film transistor, an organic light emitting layer, and an electrode on a substrate, and an antistatic film is formed at least on a second principal plane which is a backside of a thin film transistor substrate of the substrate.例文帳に追加

基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するＥＬ素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機ＥＬ素子およびその製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a copper wiring layer at a lower cost to a semiconductor structure, including a first region including at least one recess and a second region including a plurality of recesses having an aspect ratio different from that of at least one recess.例文帳に追加

少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2 formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, surrounding the lower region of the anode electrode and with the same potential as that of the anode electrode.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲しアノード電極と同電位である第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a bottom electrode having a first area; a step of forming an electrical pulse-varying resistance (EPVR) material put on the bottom electrode; and a step of forming a top electrode to put on the EPVR layer with a second area smaller than the first area.例文帳に追加

この方法は、第１の面積を有する下部電極を形成するステップと、下部電極上に載る電気パルス変動抵抗（ＥＰＶＲ）材料を形成するステップと、ＥＰＶＲ層上に載る、第１の面積よりも狭い第２の面積を有する上部電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In this case, the interval of the columnar electrodes 12 arranged on the second virtual circulating line from the inner side is such an interval that one of upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first virtual circulating line from the inner side can be put around.例文帳に追加

この場合、内側から２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を１本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁

The input electrode layer 48 is electrically connected to an input resonance electrode 26 via a via-hole 54 formed in the vicinity of a second side face 14b of a dielectric substrate 14 over fourth to sixth dielectric layers S4 to S6 and via an input tap electrode 30.例文帳に追加

入力電極層４８は、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂの近傍であって、第４〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６にかけて形成されたビアホール５４と入力タップ電極３０とを介して入力側共振電極２６に電気的に接続されている。 - 特許庁

A passivation layer 10 having a gas barrier property and formed of an inorganic material is so composed as to function as both contact holes 100 for electrically connecting first bus electrodes 20 to transparent conductive films 50, and an insulation film for electrically insulating the first bus electrodes 20 from the second bus electrode 20.例文帳に追加

ガスバリア性を有し無機材料からなるパッシベーション層１０を、第１バス電極２０を透明導電膜５０と電気的に接続するためのコンタクトホール１００と、第１バス電極２０を第２バス電極２０と電気的に絶縁するための絶縁膜とを兼ねて構成した。 - 特許庁

On a top face of the second nitride semiconductor layer 104, a recess 110a is formed so as to be located between the source electrode 106 and the drain electrode 107 and a gate electrode 108 is provided above the recess 110a so as to cover an aperture of the recess 110a.例文帳に追加

第２窒化物半導体層１０４の上面においてソース電極１０６とドレイン電極１０７との間に位置するように凹部１１０ａが形成されており、ゲート電極１０８が凹部１１０ａの開口を覆うように凹部１１０ａの上方に設けられている。 - 特許庁

The radiological image detection device is provided with an intermediate layer which keeps a first surface to be in contact with the photoelectric conversion panel shaped along protrusions and recessions in the surface of the radiological image detection device, and its second surface to be in contact with the scintillator panel shaped along protrusions and recessions in the surface of the scintillator panel.例文帳に追加

光電変換パネルと当接する第１の面は該光電変換パネル表面の凹凸に沿った形状とし、シンチレータパネルと当接する第２の面は該シンチレータパネル表面の凹凸に沿った形状とした中間層を設けた放射線画像検出装置とする。 - 特許庁

In the second filling via conductor forming step, an isolated-region filling via conductor 110c and isolated-region wiring 150 are formed and, at the same time, a surrounding conductor layer 160 which surround the isolated-region land section 110c through a gap is formed along the isolated region wiring 150 with a gap in between.例文帳に追加

さらに、２回目の充填ビア導体形成工程では、疎領域充填ビア導体１１０ｃ及び疎領域配線１５０を形成すると共に、疎領域ランド部１１０ｃを間隙を介して囲みつつ、疎領域配線１５０に間隙を介して沿う包囲導体層１６０を形成する。 - 特許庁

A memory array is provided with nonvolatile memory cells (M11-M22) being one set of a first transistor part of a MOS type having an electric charges holding layer and a memory gate and used for storing information and a second transistor part of a MOS type having a control gate and connecting selectively the first transistor part to a bit line.例文帳に追加

メモリアレイは、電荷保持層とメモリゲートを有し情報記憶に用いるＭＯＳ型の第１トランジスタ部と、コントロールゲートを有し第１トランジスタ部を選択的にビット線に接続するＭＯＳ型の第２トランジスタ部とを一組とする不揮発性のメモリセル（Ｍ１１〜Ｍ２２）を備える。 - 特許庁

Parts M are transferred by giving the elliptic vibration generated by synthesizing the horizontal vibration with the vertical vibration having the differential phase by a drive part to a bowl 21 provided with a single row block 62 of the parts M, a single layer block 72, a first sorting block 82, and a second sorting block 82'.例文帳に追加

部品Ｍの単列化ブロック６２、単層化ブロック７２、第１選別ブロック８２、第２選別ブロック８２’を備えたボウル２１に駆動部１１によって位相差を有する水平振動と垂直振動との合成による楕円振動を与えて部品Ｍを移送する。 - 特許庁

In a cleaning roll 100 for cleaning the charging roll 14, a sponge layer 100B is made to come into contact with the charging roll 14 is formed of a first sponge material 102 and a second sponge material 104 which are different in foam hardness, and also each sponge material is arranged alternately in the circumferential direction of the cleaning roll 100.例文帳に追加

帯電ロール１４をクリーニングするクリーニングロール１００において、帯電ロール１４に接触させるスポンジ層１００Ｂを、フォーム硬度の異なる第１スポンジ材１０２及び第２スポンジ材１０４で形成するとともに、各スポンジ材をクリーニングロール１００の周方向で交互に配置する。 - 特許庁

The second portion 8b of the lower magnetic pole layer has a center portion which defines the throat height, and a lateral portion which is located at both sides in the track width direction, in the center portion and of which the length from one end to the other opposite end on a surface side which faces a recording medium is larger than that of the center section.例文帳に追加

下部磁極層の第２の部分８ｂは、スロートハイトを規定する中央部分と、この中央部分のトラック幅方向両側に配置され、記録媒体に対向する面側の端部から反対側の端部までの長さが、中央部分よりも大きい側方部分とを有している。 - 特許庁

The thin air cell comprises an electricity generating element, having an air diffusing paper and a water repellent film, sealed with an outer package composed of a first and a third sheet layers covering the air pole side and the negative pole side and a second sheet layer which is located between the peripheral parts of the first and the third sheet layers, and jointed to both the sheet layers.例文帳に追加

空気拡散紙および撥水膜を有する発電要素を、その空気極側および負極側を覆う第一および第三のシート層、両シート層の周縁部間に位置し、両シート層に接合された第二シート層からなる外装体で密閉した薄型空気電池。 - 特許庁

To provide a visible light sensitive resin composition having enough sensitivity to visible light region, especially, to second harmonics of He-Cd laser, argon laser, and YAG laser, excellent in storage stability, and capable of forming an excellent photosensitive layer for a visible light laser.例文帳に追加

可視光領域、特に、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、アルゴンレーザー及びＹＡＧレーザーの第二高調波に十分な感度を有し、かつ、保存安定性に優れており、可視光レーザー用の優れた感光層を形成することが可能な可視光感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Successively, a second seed layer which can adjust a boron content and is used for forming the insulating film 18 is formed using triethyl borate, tetraethyl orthosilicate and oxygen gas, and the insulating film 18 comprising the BPSG film is formed using riethyl borate, triether phosphate, tetraethyl orthosilicate and ozone gas.例文帳に追加

続けて、トリエチルボレート、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用してホウ素の含量調節が可能である絶縁膜形成のための第２シード層を形成し、トリエチルボレート、トリエチルホスフェート、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガスを使用してＢＰＳＧ膜を含む絶縁膜１８を形成する。 - 特許庁

Since a polarization function and a diffraction function are separately provided to an inorganic polarizing plate 1 or a diffraction grating layer 4, the satisfactory functions of polarization and diffraction can be provided to first and second optical elements 20 and 25 by independently setting respective functions.例文帳に追加

偏光機能と回折機能とを分離して、無機偏光板１または回折格子層４に別々に持たせているため、それぞれの機能を独立して設定することにより、第１および第２光学素子２０，２５に偏光および回折としての十分な機能を持たせることができる。 - 特許庁

This semiconductor laser device is provided with an active layer on a semiconductor substrate and resonators faced to the both ends of the semiconductor substrate, wherein a first dielectric film formed of oxide and a second dielectric film formed of oxynitride are successively laminated on the resonator end surface.例文帳に追加

半導体基板上に活性層を有し、半導体基板両端に互いに向かい合う共振器を有し、共振器端面に酸化物で形成された第１の誘電膜、酸窒化物で形成された第２の誘電膜が順次積層された構造を備える半導体レーザ素子。 - 特許庁

The self-aggregate single molecule layer is removed from a lower substrate following the second pattern by bringing the inert etchant into contact with the exposed portion of the IZO or ITO film.例文帳に追加

ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムは、ＩＺＯまたはＩＴＯと化学的に反応し、自己集合単分子層については不活性であるエッチャントと、ＩＺＯまたはＩＴＯフィルムの露光された部分とを接触させることにより、第２のパターンにしたがって、下側の基板から除去される。 - 特許庁

The nanocomposite powder for inner electrodes of multilayer ceramic electronic components includes first metal particles having electrical conductivity, and a second metal coating layer formed on a top or a bottom of the first metal particles and having a higher melting point than that of the first metal particles.例文帳に追加

本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の内部電極用ナノ複合粉末は、電気伝導性を有する第１金属粒子と、第１金属粒子の上部または下部に形成され、第１金属粒子より融点が高い第２金属コーティング層と、を含む。 - 特許庁

The method for making a carbon nanotube composite material includes: a first step of providing a carbon nanotube structure comprising a plurality of carbon nanotubes; and a second step where at least one conductive coating layer is covered on the surface of respective carbon nanotubes in the carbon nanotube structure.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ複合物の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体における各々のカーボンナノチューブの表面に、少なくとも一つの導電性層を被覆する第二ステップと、を含む。 - 特許庁

Thereby, local deposition of lithium is generated in the negative electrodes; and when it pierces a second lithium ion conducting thin film, lithium deposited at that position comes into contact with the sulfide-based lithium ion conducting solid electrolyte, so that a layer lacking lithium ion conductivity is chemically formed.例文帳に追加

これによって、負極において金属リチウムの局部的な析出がおこり、第２のリチウムイオン伝導性薄膜を突き抜けた場合、その部位の析出した金属リチウムは硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質との接触により、リチウムイオン伝導性に欠ける層が化学的に形成される。 - 特許庁

Since a polarization function and a diffraction function are separately provided to a polarization resin film 1 or a diffraction grating layer 4, the satisfactory functions of polarization and diffraction can be provided to first and second optical elements 20 and 25 by independently setting respective functions.例文帳に追加

偏光機能と回折機能とを分離して、偏光樹脂フィルム１または回折格子層４に別々に持たせているため、それぞれの機能を独立して設定することにより、第１および第２光学素子２０，２５に偏光および回折としての十分な機能を持たせることができる。 - 特許庁

A first additive such as yttrium is diffused in the surface layer of the composition powder such as barium titanate, then a second additive such as barium, magnesium, manganese and silicon effective to control the temperature characteristics is added to obtain the dielectric ceramic powder.例文帳に追加

チタン酸バリウム等の基本組成物からなる基本組成物粉末の表面層に、イットリウム等の第１の添加成分をまず拡散させ、その後、温度特性の調整に効果のあるバリウム、マグネシウム、マンガンおよびケイ素等の第２の添加成分を加えて、誘電体セラミック原料粉末を得る。 - 特許庁

Since the iridium has a high adhesiveness to doped-polysilicon and an extremely low adhesiveness to BPSG, the second lower electrode 10 is selectively left only on the connecting layer 9.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜７及び接続層９の上にイリジウムからなる第２の下部電極１０を堆積させることにより、イリジウムはドープドポリシリコンに対し密着性が高く、ＢＰＳＧに対し密着性がきわめて低いから、第２の下部電極１０は、接続層９の上のみに選択的に残る。 - 特許庁

A laminated element including a transparent support coated with a thermally irreversible layer containing an ethylene/acrylic acid copolymer, a first polyurethane and a second polyurethane polymer, having pH of at least 10 and containing metallic or amphoteric cations is provided.例文帳に追加

本発明に従えば、エチレン−アクリル酸コポリマー、第１のポリウレタンポリマー及び第２のポリウレタンポリマーを含んでなり、少なくとも１０のｐＨを有し且つ金属性もしくは両性カチオンを含有する熱的に不可逆的な層がコーティングされた透明支持体を含んでなる積層要素が提供される。 - 特許庁

The outermost surface layer of the image carrier contains first fluorine resin particles, and the toner contains toner particles and second fluorine resin particles.例文帳に追加

像保持体の最表面層が第１フッ素樹脂粒子を含み、トナーがトナー粒子と第２フッ素樹脂粒子とを含み、且つ第１フッ素樹脂粒子の体積平均一次粒径Ｄ１とし、前記第２フッ素樹脂粒子の体積平均一次粒径をＤ２としたとき、下記式（１）で示される関係を満たす画像形成装置。 - 特許庁

The first laser beam is the emitted part of the laser beam (L1) rounding on a polygonal path in the active layer 24, and the second laser beam is the emitted part of the laser beam (L2) rounding in the reverse direction to the laser beam (L1) on the path.例文帳に追加

第１のレーザ光は、活性層２４内において多角形の経路上を周回するレーザ光（Ｌ１）の一部が出射されたレーザ光であり、第２のレーザ光は、上記経路上をレーザ光（Ｌ１）とは逆の方向に周回するレーザ光（Ｌ２）の一部が出射されたレーザ光である。 - 特許庁

At the same time, the precursor semiconductor layer in the other region is made polycrystalline by second high-speed heat treatment, to obtain a low quality polycrystalline semiconductor film for use in a pixel circuit TFT with such characteristics of a low on-current but with a low leakage current due to high resistance and high breakdown voltage.例文帳に追加

同時に第二の高速熱処理により上記以外の領域の前駆半導体層を多結晶化して、オン電流は低いが、高抵抗のためにリーク電流は低く、耐圧が高い特性を持つ画素回路ＴＦＴ用の低品質多結晶半導体薄膜を得る。 - 特許庁

An anti-reflection film is provided to at least one surface of optical surfaces of the first lens group G1 and the second lens group G2, and the anti-reflection film is configured to include a layer formed by using a wet process.例文帳に追加

また、所定の条件を満足し、第１レンズ群Ｇ１および第２レンズ群Ｇ２における光学面のうち少なくとも１面に反射防止膜が設けられ、当該反射防止膜はウェットプロセスを用いて形成された層を少なくとも１層含むように構成することを特徴とする。 - 特許庁

The layer (80) consists of a light shielding electrically conductive film and includes a second capacitive electrode which are placed opposite to a first capacitive electrode that is a portion of the capacitive line across the interlayer insulation film and a light shielding section that at least covers the scanning line partially from the top through the interlayer insulation film.例文帳に追加

中間導電層は、遮光性の導電膜からなり、容量線の一部である第１容量電極に層間絶縁膜を介して対向する第２容量電極を含むと共に走査線を少なくとも部分的に層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む。 - 特許庁

The HIC 11 includes a plurality of vias 28 in a substrate layer 12, a plurality of mesas 20 having etched portions, a sealing ring 18, a plurality of internal conductive leads 26 formed on the first surface of the HIC 11, and a plurality of external conductive leads 30 formed on the second surface of the HIC 11.例文帳に追加

ＨＩＣ１１は、基板層１２の中の複数のバイア２８と、エッチングされた部分を有する複数のメサ２０と、シールリング１８と、ＨＩＣ１１の第１面上の複数の内部導電性リード２６と、ＨＩＣの第２面上の複数の外部導電性リード３０とを含む。 - 特許庁

In the both sided wiring board having a recess 106 closed on the first side of an insulator 101 and opening to the second side thereof, the closed part 1061 in the recess is irradiated with laser light in order to remove foreign matters and to form a roughened exposed surface 1031 on a first conductive layer 108.例文帳に追加

絶縁体１０１の第１面側にて閉塞し第２面に開口する凹部１０６を形成した両面配線基板にて、上記凹部の閉塞部１０６１に対してレーザー光を照射して、異物の除去及び粗面化をした露出面１０３１を第１導電層１０８に形成する。 - 特許庁

After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.例文帳に追加

基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁

The manufacturing method of a multilayer electronic component includes a step for forming a sheet laminate 21 comprising at least a unit layer configuration 23, in which a second ceramic green sheet 27 is provided on a first ceramic green sheet 25 with internal electrode 5 and 7 provided thereon; and a step for pressing the sheet laminate.例文帳に追加

積層電子部品の製造方法は、第１のセラミックグリーンシート２５の上に第２のセラミックグリーンシート２７が設けられ、その上に内部電極５、７が設けられている単位層構成２３を少なくとも含むシート積層体２１を形成するステップと、シート積層体をプレスするステップとを含む。 - 特許庁

Also when the foregoing shaping section shape is completed in the shaping liquid of high viscosity and an elevator 5 is lowered before starting the scanning for the following shaping section shape, the second container 18 is expanded and the liquid level is raised to flow the shaping liquid 4 onto a cured layer.例文帳に追加

また高粘度の造形液において、前の造形断面形状が完成し、次の造形断面形状のスキャン開始前で、エレベータ（５）を下降する際、第２の容器（１８）を膨張させ液面を上昇させることにより、造形液（４）が硬化層上にスムーズに流入することができる。 - 特許庁

The first electrode 10 is formed into a wire-like shape, is constituted of at least the first conductive wire material 11 and a porous oxide semiconductor layer 12, arranged in an outer circumference of the first wire material and carrying a pigment and is arranged to be wound around an outside of the second electrode 20.例文帳に追加

第一電極１０は、線状をなし、少なくとも導電性を有する第一線材１１と、該第一線材の外周に配され色素を担持した多孔質酸化物半導体層１２とから構成され、かつ、前記第二電極の外側を巡るように配される。 - 特許庁

A first resin pattern 12p having lower adhesiveness to the surface of an unhardened resin sheet than the surface of a first conductive substrate having the conductive surface is formed on the first conductive substrate (10, 11) to form a master substrate for the formation of a second conductive layer.例文帳に追加

表面が導電性である第１の導電性基板（１０，１１）上に、第１の導電性基板の表面よりも未硬化樹脂シートの表面に対して接着性が低い第１の樹脂パターン１２ｐを形成して第２の導電層形成用のマスター基板を形成する。 - 特許庁

A thermoplastic sheet 19 is arranged on the upper substrate 15 so as to cover a through-hole 18, the thermoplastic sheet 19 is deformed by being pressed by the heated pin 20 to the cantilever 17, and the switch 10 is closed by maintaining the connection state to the second wiring layer 13 of the cantilever 17.例文帳に追加

上部基板１５上には、貫通穴１８を覆うように熱可塑性シート１９を配置し、熱可塑性シート１９を加熱したピン２０でカンチレバー１７に押圧することで変形させてカンチレバー１７の第２の配線層１３への接続状態を維持させてスイッチ１０を閉じる。 - 特許庁

Heat transfer is promoted because a boundary layer is not formed thereby on the surfaces of the fins 5 and the tubes 2, and the heat exchange efficiency is remarkably enhanced thereby between the first fluid such as a coolant flowing inside the tubes 5 and the second fluid such as the air flowing in the outside thereof.例文帳に追加

それによってフィン５やチューブ２の表面に境界層が形成されないため、伝熱が促進されることから、チューブ２の内部を流れる冷媒のような第１の流体と、外部を流れる空気のような第２の流体との間の熱交換効率が著しく向上する。 - 特許庁

The second semiconductor layers and the third semiconductor layers are arranged in a dotted manner when viewed from a direction perpendicular to a principal surface of the first semiconductor layer, and a periodic structure of an outermost periphery of the periodic array structure is different from periodic structures of the periodic array structure other than the outermost periphery.例文帳に追加

第１半導体層の主面に対して垂直な方向からみて、第２半導体層と、第３半導体層と、はそれぞれドット状に配置され、周期的配列構造の最外周の周期構造は、最外周以外の周期的配列構造の周期構造と異なる。 - 特許庁