「second-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(416ページ目) - Weblio英語例文検索

The photodetector (100) has a first phototransistor (102) which includes germanium, and is structured such that it generates an output current signal in response to incident light, a second phototransistor (104), that is electrically linked to the first phototransistor to generate a reference current signal, and an opaque layer that covers the second phototransistor to shield incident light so as to make the reference signal independently of the incident light.例文帳に追加

光検出器（１００）は、入射光に応答して出力電流信号を生成する構成でゲルマニウムを含む第１のフォトトランジスタ（１０２）と、第１のフォトトランジスタに電気的に結合し基準電流信号を生成する第２のフォトトランジスタ（１０４）と、第２のフォトトランジスタを覆って入射光を遮蔽して前記基準電流信号を前記入射光から独立させる不透明層とを備える。 - 特許庁

A display controller of the present invention includes: a determination unit for determining an attribute of first drawing data drawn in a first window on the basis of an input device type; and a display control unit for selectively displaying the first drawing data on the basis of an attribute of second drawing data drawn in a second window displayed on a lower layer of the first window and the attribute of the first drawing data.例文帳に追加

本発明は、入力デバイスの種類に基づいて、第１のウィンドウに描画される第１の描画データの属性を判断する判断部と、前記第１のウィンドウの下位レイヤに表示される第２のウィンドウに描画される第２の描画データの属性と前記第１の描画データの属性とに基づいて選択的に前記第１の描画データを表示させる表示制御部とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes an insulating film of high dielectric constant has first and second impurity regions formed on a semiconductor substrate, an insulating film, formed in contact with the first and the second impurity regions on the semiconductor substrate from among at least one among Hf silicate, Zr silicate, Y silicate or lanthanum-based metal silicate, and a gate electrode layer formed on the insulating film.例文帳に追加

半導体基板にそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、Ｈｆシリケート、Ｚｒシリケート、Ｙシリケートまたはランタン系金属シリケートのうち少なくとも何れか一つの物質を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む高誘電率の絶縁膜を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

A semiconductor element 100 according to an embodiment includes: a semiconductor element body 2 formed in a rectangular plate shape and having an element part 5 provided on a first principal surface; and an insulative adhesion layer 13 provided to cover a second principal surface and only one lateral face 2C of the semiconductor element body 2, or the second principal surface and only two lateral faces 2C of the semiconductor element body 2.例文帳に追加

実施形態に係る半導体素子１００は、四角のプレート状に形成され、第１主面に設けられた素子部５を有する半導体素子本体２と、前記半導体素子本体２の第２主面と１つの側面２Ｃのみと、または、前記半導体素子本体２の第２主面と２つの側面２Ｃのみとを覆って設けられた絶縁性接着層１３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The mixing apparatus comprises an oil tank 1, a first feeding means for feeding a fuel oil to the oil tank 1 and a second feeding means for feeding the waste edible oil to the oil tank, where either one of the first and the second feeding means feeds the fuel oil or the waste edible oil through a cavitation nozzle 11 inserted into the oil layer to accelerate reforming of the waste edible oil.例文帳に追加

油槽１と、この油槽１に燃料油を供給する第１の供給手段と、油槽に廃食用油を供給する第２の供給手段とを有し、第１の供給手段と第２の供給手段のいずれか一方は、油層内に挿入されたキャビテーションノズル１１から燃料油または廃食用油を供給することにより、廃食用油の改質を促進させることができる。 - 特許庁

Alignment of a liquid crystal molecule 6a is controlled so that the liquid crystal molecule is rotated in a direction reverse to a direction in which an initial alignment direction as a first direction and a slow phase axis direction of a retardation layer 9 as a second direction form an acute angle from the first direction when an electric field is generated between a pixel electrode 15 as a first electrode and a common electrode 17 as a second electrode.例文帳に追加

第１電極としての画素電極１５と第２電極としての共通電極１７との間に電界が生じたときに、液晶分子６ａは第１の方向としての初期配向方向と第２の方向としての位相差層９の遅相軸方向とが鋭角をなす方向とは反対方向に、第１の方向から回転するように配向が制御されることとした。 - 特許庁

The fuel cell X1 comprises a fuel cell body 10 equipped with a first electrode 11 for oxidizing a fuel, a second electrode 12 for reducing oxygen, and an electrolyte layer 13 held between the first electrode 11 and the second electrode 12; and an opening and closing device 20 which can select an opened state for permitting feed of the fuel and a closed state for stopping the feed.例文帳に追加

燃料電池Ｘ１において、燃料を酸化するための第１電極１１、酸素を還元するための第２電極１２、並びに、第１電極１１および第２電極１２に挟まれた電解質層１３を備える燃料電池本体１０と、第１電極１１への燃料の供給を許容するための開状態および停止するための閉状態を選択可能な開閉装置２０とを具備する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The electrode for a secondary battery according to the present invention includes: a porous collector formed of a conductive material; first active material layers which are disposed in pores of the porous collector and have a first active material capable of reversibly storing/releasing lithium; and a second active material layer which is disposed on a surface of the porous collector and has a second active material made of a carbon material.例文帳に追加

本発明の二次電池用電極は、導電性を有する材質により形成された多孔質集電体と、多孔質集電体の細孔内に配置された、リチウムを可逆的に吸蔵・放出可能な第一の活物質を有する第一の活物質層と、多孔質集電体の表面に配置された炭素材料よりなる第二の活物質を有する第二の活物質層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.例文帳に追加

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁

The electric double-layer capacitor includes a first collector electrode 11 as a positive electrode, having a rolled electrode 12 on one side and a coated electrode 13 on the other side, a second collector electrode 21 as a negative electrode, having a rolled electrode 22 on one side and a coated electrode 23 on the other side, and a separator 1 interposed between the first collector electrode 11 and the second collector electrode 21.例文帳に追加

一方の側に圧延型電極１２を形成し他方の側に塗布型電極１３を形成して正極とした第１集電極１１と、一方の側に圧延型電極２２を形成し他方の側に塗布型電極２３を形成して負極とした第２集電極２１と、上記第１集電極１１と第２集電極２１との間に介挿されたセパレータ１とを具備する。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical film at least includes a process of preparing a coating solution by dissolving and/or dispersing a mesomorphism compound in a solvent and a process of applying the coating solution onto the surface of a first optical anisotropic layer containing non-liquid crystalline polymer to form a second optical anisotropic layer on the first optical anisotropic layer.例文帳に追加

少なくとも液晶化合物を溶剤に溶解及び／又は分散させて塗布液を調製する工程、及び該塗布液を非液晶性ポリマーを含有する第１の光学異方性層の表面に塗布して、該層上に第２の光学異方性層を形成する工程を少なくとも含む光学フィルムの製造方法であって、前記塗布液の調製に用いられる溶剤が、該溶剤のみを第１の光学異方性層の表面に塗布した場合に、下記式（１）及び（２）を満足する溶剤から選択されることを特徴とする光学フィルムの製造方法である。 - 特許庁

Of a plurality of diffused layer regions 2 and 3 formed within a semiconductor device 10, the region 2 has impurity concentration higher than that of the other region 3, and the sectional area of a first contact wiring layer 4 for connection to the region 2 having the higher impurity concentration is arranged to be larger than that of a second contact wiring layer 5.例文帳に追加

半導体装置内に形成された複数の拡散層領域２、３の内の少なくとも一部の拡散層領域２に於ける不純物濃度が、その他の部分に於ける拡散層領域３に於ける不純物濃度よりも高くなる様に構成されており、且つ当該不純物濃度の高い拡散層領域２に接続される第１のコンタクト配線４の断面積が、当該不純物濃度の低い拡散層領域３に接続される第２のコンタクト配線５の断面積よりも大きくなる様に構成されている半導体装置１０。 - 特許庁

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.例文帳に追加

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁

This optical semiconductor integrated device comprises a mesa stripe 6 including an upper clad layer 5 laminated on the optical waveguide 4 and having side faces insulated by a high resistance embedded layer 7, and first and second electrodes 12a, 12b provided on the upper surface of the mesa stripe 6 via a separating zone 10.例文帳に追加

光導波路４上に積層された上部クラッド層５を含み、その側面が高抵抗の埋込み層７により絶縁されたメサストライプ６と、そのメサストライプ６の上面に分離帯１０を介して設けられた第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂとを有する光半導体集積素子において、分離帯１０でのメサストライプ６の最小幅を、第１の電極１２ａ下の最大幅及び第２の電極１２ｂ下の最大幅より狭く構成する。 - 特許庁

The method for forming a semiconductor layer on the substrate comprises a first step of generating a three-dimensional nucleus made of a semiconductor material crystal on the substrate with low nucleus density, and a second step of performing crystal growth of the three-dimensional nucleus generated on the substrate in a crosswise growth mode, fusing the three- dimension nucleus for forming a semiconductor layer made of a semiconductor substance crystal on the substrate.例文帳に追加

基板上に半導体層を形成する半導体層の形成方法において、基板上に半導体物質結晶よりなる三次元核を低密度の核密度で生成する第１のステップと、上記基板上に生成された前記三次元核を横方向成長モードで結晶成長させ、上記三次元核を融合して半導体物質結晶よりなる半導体層を上記基板上に形成する第２のステップとを有する。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing method uses polishing liquid containing colloidal silica particles having a positive ζ potential and anionic surfactant and having pH ranging 1.5-7.0 to polish the body to be polished at least including a first layer containing polysilicon or modified polysilicon and a second layer containing at least one selected from a group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbonate, silicon carbonitride, silicon carbide and silicon oxynitride.例文帳に追加

正のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子と、アニオン性界面活性剤とを含み、且つｐＨが１．５〜７．０の範囲である研磨液を用いて、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第１層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種を含む第２層とを少なくとも有して構成される被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法。 - 特許庁

A common voltage signal to be a polarity reversed signal is applied to a common electrode layer, the common voltage signal includes a first polarity and a second polarity disagreeing with the first polarity and when a voltage of high level is applied to the scanning line connected to the touch sensing element and the common voltage signal of the common electrode layer has the first polarity, the signal processing circuit reads a signal from the touch sensing line.例文帳に追加

前記共通電極層は極性反転信号である共通電圧信号を印加され、前記共通電圧信号は第一極性及び前記第一極性に相反する第二極性を含み、前記タッチ感応素子に連接する前記走査線がハイ・レベルの電圧を印加され且つ前記共通電極層の共通電圧信号が第一極性である際に、前記信号処理回路は前記タッチ感応線から信号を読み取る。 - 特許庁

The epitaxial substrate and its manufacturing method comprises: a step to form an epitaxial substrate by growing an epitaxial layer on a silicon substrate added with carbon; and a heat treatment step to apply a first heat treatment and second heat treatment to the epitaxial substrate so that an oxygen precipitate density at a surface layer part of the silicon substrate which constitutes the epitaxial substrate becomes larger than an oxygen precipitate density at a thickness center part after the step to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The field emission element comprises a cathode electrode C on which numerous CNT emitters E are arranged, an insulation layer I having through holes T through which electrons from the above CNT emitters E pass, and a gate electrode G corresponding to the hole T of the insulation layer I having an elongated gate hole H forming an electric field having different intensity in a first direction and a second direction orthogonal to the CNT emitters E.例文帳に追加

多数のＣＮＴエミッタＥがその上面に配列されるカソード電極Ｃと、前記ＣＮＴエミッタＥからの電子が通過する貫通孔Ｔを有する絶縁層Ｉと、前記絶縁層Ｉの貫通孔Ｔに対応するものであって、前記ＣＮＴエミッタＥに対して第１方向及びこれに直交する第２方向に相異なる強度の電場を形成する細長型のゲートホールＨを有するゲート電極Ｇと、を具備する電界放出素子。 - 特許庁

The method for manufacturing the heat dissipation structure includes a first process to form a carbon nanotube deposited layer being as a main composition on the surface of the substrate and a second process to extrude the top of carbon nanotube near the surface of substrate at least to contact with the partner material from the carbon nanotube deposited layer and to orient the lengthwise direction of carbon nanotube to direct in the direction vertical to the substrate surface.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも相手材に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

A curable composition containing acidic metal phosphate, a curing agent thereof and lightweight aggregate and reinforcing fibers formed in a layered state are compounded to impregnate the reinforcing fibers with the curable composition while regulating the movement of the lightweight aggregate by the reinforcing fibers to obtain a molding material 13 having a first layer 11 containing the lightweight aggregate in relatively large quantities and a second layer 12 containing the reinforcing fibers in relatively large quantities.例文帳に追加

酸性リン酸金属塩、その硬化剤、及び軽量骨材を含有する硬化性組成物と、層状に形成した強化繊維とを複合して、前記軽量骨材の移動を前記強化繊維によって規制しつつ、前記硬化性組成物を前記強化繊維に含浸させて、前記軽量骨材を相対的に多く含む第１層１１と、前記強化繊維を相対的に多く含む第２層１２とを有する成形用材料１３を得る。 - 特許庁

In the stacked photoelectric converter device containing a plurality of photoelectric converter units formed by a pin junction, at least one or more portions constituted sequentially of a first photoelectric converter unit, a silicon composite layer and a second photoelectric converter unit from a side close to the light incident side are contained, and the silicon composite layer contains a silicon crystal phase in an amorphous alloy of silicon and oxygen, thereby solving the problem.例文帳に追加

本発明によると、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。 - 特許庁

The solid oxide fuel cell power generating device has a plurality of solid oxide fuel cells C, and the solid oxide fuel cell C is interposed between a first conductor 41 having air permeability and coming in contact with a cathode layer 2 and a second conductor 42 having air permeability and coming in contact with an anode layer 3.例文帳に追加

本発明の固体電解質燃料電池発電装置は、カソード電極層２とアノード電極層３とが固体電解質基板１の両面に形成された複数の固体酸化物型燃料電池Ｃを備え、固体酸化物型燃料電池Ｃは、通気性を有してカソード電極層２に接触して配置された第１の導電体４１と、通気性を有してアノード電極層３に接触して配置された第２の導電体４２とにより挟持されている。 - 特許庁

To provide optical recording method and device optically recording the prescribed data for a one side reproducing double layer structural DRAW type recording medium, preventing a signal recorded on a second recording layer relatively far from particularly a light incident side from deteriorating and record-able information density from lowering, and attaining perfect reproducing compatibility and satisfying a request of DVD authoring.例文帳に追加

片面再生の２層構造の追記型記録媒体に対して所定のデータを光学的に記録する光記録方法及び光記録装置において、特に光入射側から相対的に遠い第２の記録層に記録した信号が劣化して記録可能な情報の密度が低下することを防止し、完全な再生互換を達成してＤＶＤオーサリングの要求を満たすことが可能になる光記録方法及び光記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This laminated optical film includes a first optical anisotropic layer, and a second optical anisotropic layer.例文帳に追加

少なくとも、第１の光学異方性層及び第２の光学異方性層を有する積層光学フィルムであって、第１の光学異方性層のＲｔｈ１と、第２の光学異方性層のＲｔｈ２とが、（１）ΔＲｔｈ１≧０ｎｍ、かつ、ΔＲｔｈ２≦０ｎｍ、及び（２）ΔＲｔｈ１＜０ｎｍ、かつ、ΔＲｔｈ２＞０ｎｍ、のいずれかの関係を満たし、積層光学フィルム全体の厚み方向のレターデーション値Ｒｔｈが、５０ｎｍ≦Ｒｔｈ≦５００ｎｍである積層光学フィルムを提供する。 - 特許庁

The method for forming the inorganic alignment layer, where the inorganic oriented film 3A constituted principally of an inorganic oxide is formed on a base material 100, has a first step for applying a solution containing an inorganic oxide precursor and a surfactant on the base material to form a coating film and a second step for baking the coating film and changing the inorganic oxide precursor into the inorganic oxide to obtain the inorganic alignment layer.例文帳に追加

基材１００上に、主として無機酸化物で構成される無機配向膜３Ａを形成する無機配向膜の形成方法であり、基材上に、無機酸化物前駆体と界面活性剤とを含む溶液を塗布して、塗膜を形成する第１の工程と、この塗膜を焼成することにより、無機酸化物前駆体を無機酸化物に変化させて、無機配向膜を得る第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In this first cover substrate 2, an external connecting electrode 25 is positioned inner than a second electrical connecting metal layer 29 jointed to a first electrical connecting metal layer 19 of the sensor substrate 1, and a groove 20b for loosening the stress generated to the movable part together with joint of an external connecting electrode 25 and a conductor pattern 43 of a mounting board 40 is formed between both of them.例文帳に追加

第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。 - 特許庁

The separator for the electrochemical element contains a first separator layer and a second separator layer, of which, the former mainly contains resin B swelling by absorbing nonaqueous electrolyte solution as it is heated and increasing its swelling degree in accordance with rise of temperature, and the latter mainly contains a filler with a heat-resistant temperature of 150°C or more, and at least either of them contains planar particles.例文帳に追加

本発明の電気化学素子用セパレータは、第１セパレータ層と、第２セパレータ層とを含み、前記第１セパレータ層は、加熱により非水電解液を吸収して膨潤し且つ温度上昇と共に膨潤度が増大する樹脂Ｂを主体として含み、前記第２セパレータ層は、耐熱温度が１５０℃以上のフィラーを主体として含み、前記第１セパレータ層および前記第２セパレータ層の少なくとも一方は、板状粒子を含む。 - 特許庁

The method has steps of forming an internal electrode pattern, forming a laminate, forming a laminate block, coating an outer periphery of the laminate block using a second dielectric material composition layer added with more SiO_2 to the first dielectric material composition in a non-sintered dielectric layer, forming a laminate chip, sintering the chip, and forming an external electrode.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極パターンを形成する工程、積層体を形成する工程、積層体ブロックを形成する工程、未焼成誘電体層中の第１の誘電体材料組成物に対してさらに多量のＳｉＯ_２が添加された第２の誘電体材料組成物層を用いて積層体ブロックの外周を被覆する工程、積層体チップを形成する工程、焼成工程、外部電極を形成する工程を有する。 - 特許庁

A display device includes wiring including a first layer containing a thermoresistant conductive material and a second layer containing Al and Nd in a terminal portion of an active matrix substrate used for the display device, and a transparent conductive film electrically connected to the wiring, wherein the transparent conductive film is electrically connected through an anisotropical conductive material to a circuit provided on a substrate different from the active matrix substrate.例文帳に追加

表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、耐熱性導電性材料を含有する第１の層と、Ａｌ及びＮｄを含有する第２の層と、を含む配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

In this method, a lower layer of a photosensitive conductor paste 24 is a second dielectric layer 20 obtained by exposing and curing the photosensitive dielectric paste 10 in development processing for cleaning out an unexposed portion in the photosensitive paste 24.例文帳に追加

感光性導体ペースト２４のうちの未露光部分を洗い流す現像処理に際して、感光性導体ペースト２４の下層が、感光性誘電体ペースト１０が露光硬化された第２誘電体層２０であるため、残査の発生が大幅に抑制されているので、感光性導体ペースト２４の樹脂成分を１０wt％以下に少なくしても、露光・現像に影響がなく、乾燥密度ρ_D が従来の導体ペーストと同様に５ｇ／ｃｍ^3 以上となり十分に得られる。 - 特許庁

This SiC Schottky diode is equipped with a guard ring 4, and a second electrode layer 6 electrically connected to the guard ring 4 and formed of a material different from that of the Schottky electrode layer 5 so as to secure an ohmic contact with the guard ring 4, so that the forward surge breakdown voltage of the SiC Schottky diode is increased without deteriorating its rectifying performance and the reliability is improved.例文帳に追加

本発明によれば、ガードリング４を有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、ガードリング４に電気的接続をとる第２の電極層６としてショットキー電極層５とは別の材料を用いることによって、ガードリング４に対するオーミック性を確保することにより、整流性能を劣化させることなく、順サージ電流に対する耐量を向上させることができ、信頼性の高いＳｉＣショットキーダイオードを得ることができる。 - 特許庁

The electroforming mold 6 free from the residue in the opening part is formed with high precision by forming a first photoresist layer 2 having large absorption coefficient in a photosensitive wavelength on the surface of the conductive substrate 1 having the projecting and recessed parts on the surface and further forming a second photoresist layer 3 having smaller absorption coefficient is formed thereon and exposing and developing, thereby providing the electroforming component 8 faithfully transferred of the substrate surface shape.例文帳に追加

表面に凹凸を有する導電性を有する基板１の表面に、感光波長における吸収係数が大きな第１のフォトレジスト層２を形成し、さらにその上に、吸収係数が小さな第２のフォトレジスト層３を形成し、露光、現像することにより、精度が良く、かつ、開口部に残渣がない電鋳型６を作ることができるので、基板表面形状を忠実に転写した電鋳部品８を提供する。 - 特許庁

The shielding unit comprises a first conductor formed in the same wiring layer as the electrodes of the capacitive element so as to surround the capacitive element in a plane, and a second conductor formed in the wiring layer upper than that wherein the electrodes of the capacitive element are formed so as to surround the capacitive element in a plane and extended to the side of the capacitive element than the first conductor in the plane.例文帳に追加

シールド体は、容量素子の電極と同一の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成された第１の導電体と、前記容量素子の電極が形成された配線層よりも上層の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成され、かつ前記第１の導電体よりも前記容量素子側へ平面的に延長された第２の導電体とを有する。 - 特許庁

In a sensor group formed on a semiconductor substrate having first polarity, at least two vertically laminated sensors each include different spectral sensitivity, can be biased to function as a photo diode, include a carrier collection layer of a semiconducting material having second polarity, and are formed so as to collect a photoexcited carrier having the second polarity when biased to function as the photo diode.例文帳に追加

第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 - 特許庁

The light-emitting element is provided with a first electrode and a second electrode set in opposition, at least either being transparent or translucent, and a light-emitting layer pinched between the first electrode and the second electrode structured of light emitter particle powder including light emitter particles with the surface coated with a hole transport material and with conductive nanoparticles carried on the surface of the hole transport material.例文帳に追加

発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された発光層であって、発光体粒子の表面が正孔輸送材料で被覆され、該正孔輸送材料の表面に導電性ナノ粒子が担持された発光体粒子を含む発光体粒子粉末で構成された、発光層と、を備える。 - 特許庁

A method of diffusing impurities into crystal silicon particles has process of forming silica glass containing impurities for a second conductive semiconductor on the surface of crystal silicon particles by introducing an impurity gas containing oxygen while inputting a great amount of first conductive crystal silicon particles into a diffusion pipe to make stir and process of forming a second conductive silicon layer by making impurities diffuse on the surface of the crystal silicon.例文帳に追加

結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に多数の第１導電型の結晶シリコン粒子を入れて攪拌させながら酸素を含んだ不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子の表面に第２の導電型用の不純物を含有した珪酸ガラスを形成する工程と、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, this semiconductor device has a resistance portion 13, made of polysilicon where impurities are diffused, a first insulating film (SIN film) 14 formed on the resistance portion 13, a second insulating film (SIN film) 15 formed on the first insulating film 14 and an impurity-containing layer (BPSG film) 16 formed on the second insulating film 15.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された、不純物が拡散されたポリシリコンからなる抵抗部１３と、該抵抗部１３上に形成された、第１の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１４と、該第１の絶縁膜１４上に形成された、第２の絶縁膜（ＳｉＮ膜）１５と、該第２の絶縁膜１５上に形成された、不純物含有層（ＢＰＳＧ膜）１６とを有する半導体装置または半導体記憶装置および半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A first lens group LG1 is obtained by sticking lenses L11 and L12 having different dispersions, and makes first wavelength light LT1 and second wavelength light LT2 incident on an information recording layer REL and a tracking information surface TIL as parallel beams or a minute spot, and makes spherical aberration changed due to the difference of the wavelength between the first wavelength light LT1 and the second wavelength light LT2 very small.例文帳に追加

第１レンズ群ＬＧ１が分散の異なるレンズＬ１１，Ｌ１２を貼り合わせたものであり、第１波長光ＬＴ１と第２波長光ＬＴ２とを、情報記録層ＲＥＬとトラッキング情報面ＴＩＬとに平行光束若しくは微細スポットして入射させることができ、かつ、第１波長光ＬＴ１と第２波長光ＬＴ２との波長の相違に起因して変化する球面収差を十分小さくすることができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a first substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the first substrate and including transparent electrodes and reflective electrodes formed on portions of the transparent electrodes, a second substrate facing the first substrate, a liquid crystal layer injected by drop injection between the first substrate and the second substrate, and a plurality of organic insulator patterns formed in regions corresponding to the reflective electrodes.例文帳に追加

本発明の一特徴による液晶表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成され、透明電極及び該透明電極の一部の上に形成される反射電極を含む複数の画素電極と、第１基板に対向する第２基板と、第１基板及び第２基板の間に滴下法で注入される液晶層と、反射電極と対応する位置に形成される複数の有機絶縁膜パターンと、を備える。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

The electrochemical display element is characterized by having a first transparent electrode, an electrolyte layer containing a color developing material which develops color by a coloring means, electrochemical reduction and oxidation, and precipitation and dissolution accompanied with them, a second electrode having the electrolyte interposed between itself and the first transparent electrode, and a third electrode independent of the first transparent electrode and the second electrode.例文帳に追加

本発明に係る電気化学表示素子は、第１の透明電極と、着色手段及び電気化学的な還元・酸化とこれに伴う析出・溶解とによって発色する発色材料を含有した電解質層と、上記第１の透明電極との間に上記電解質層を挟んでなる第２電極と、上記第１の透明電極及び上記第２電極とは独立した第３電極とを有することを特徴とする。 - 特許庁

An electromagnetic wave interface device 200 which supplies or receives power to or from an electromagnetic wave transmission medium having a mesh electrode includes a spiral first conductor 210 which is arranged closely to a first conductor layer substantially in parallel therewith, a second conductor 230 which is arranged to face the first conductor substantially in parallel therewith, and a dielectric 220 which is arranged between the first conductor and second conductor.例文帳に追加

メッシュ状の電極を有する電磁波伝達媒体との間で給電または受電する電磁波インターフェース装置２００であって、第一導電体層に近接して略平行に配置されるスパイラル状の第一導電体２１０と、第一導電体に対向して略平行に配置された第二導電体２３０と、第一導電体と第二導電体との間に配置された誘電体２２０とを備える電磁波インターフェース装置とする。 - 特許庁