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second-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21455件
Then, the sidewall mask layer is removed, a first insulating film 23 is formed on the etching stopper film 21, a contact hole CH is bored to make the heavily- doped region exposed, second insulating films (24a and 25a) are formed on the inner wall of the contact hole CH, and an embedded electrode is formed inside the contact hole CH.例文帳に追加
次に、サイドウォールマスク層を除去し、エッチングストッパ膜の上層に第1絶縁膜23を形成し、高濃度不純物含有領域を露出させるコンタクトホールCHを開口し、コンタクトホールの内壁面上に第2絶縁膜(24a,25a)を形成し、コンタクトホール内に埋め込み電極を形成する。 - 特許庁
In the article 20A, first and second elastic members 55 and 56 forming leg peripheral elastic members 33 are colored in substantially the same white or milky white as that of the inner and outer sheets 36 and 37, and central segments 58 and 60 of these elastic members 55 and 56 are sandwiched between a liquid-absorbent layer 23 and the inner sheet 36.例文帳に追加
物品20Aでは、脚周り用弾性部材33を形成する第1および第2弾性部材55,56が内外側シート36,37と実質的に同一の白色または乳白色を呈し、それら弾性部材55,56の中央部58,60が吸液層23と内側シート36との間に位置している。 - 特許庁
The method of manufacturing a wiring board includes a process A for forming a circuit on a first substrate, a process B for laminating a first support body on a circuit forming surface of the first substrate through a first release layer, and a process C for forming a second substrate or a circuit on a surface opposite to the circuit forming surface of the first substrate.例文帳に追加
本発明は、第一の基板に回路を形成する工程A、前記第一の基板の回路形成面に、第一の離型層を介して第一の支持体を積層する工程B、第一の基板の回路形成面の反対面に第二の基板又は回路を形成する工程Cを有する配線板の製造方法である。 - 特許庁
Finally, a heat is transmitted to the semiconductor thin film 105 from the heated optical absorption layer 103 and the internal area 109 is melted, and then second lateral growth progresses using the polycrystal grains L1 as nucleus from the boundary toward the inside, and further expanded polycrystal grains L2 are generated in the internal area 109.例文帳に追加
最後に加熱された光吸収層103から半導体薄膜105に熱が伝わり内部領域109を溶融した後、境界から内側に向かって多結晶粒L1を核として第2ラテラル成長が進行し、内部領域109に一層拡大した多結晶粒L2が生成する。 - 特許庁
By reducing widths of the first and the second conductors, misalignment between the conductors and the data storage layer is excluded, leakage of write magnetic field generated by a current applied to the conductors is reduced, the write magnetic field can be generated by a smaller current, and power consumption of the memory cell is reduced.例文帳に追加
第1及び第2の導体の幅を狭くすることで、それら導体とデータ記憶層との間のミスアライメントが排除され、該導体に加えられた電流により生成される書込磁界の漏れが低減され、より小電流で書込磁界を生成可能となり、メモリセルの電力消費が低減される。 - 特許庁
The method of manufacturing the solar cell module 100 includes the processes of: forming a pair of a first notch 21 and a second notch 22 in the rear-side protective material 14; respectively opening a pair of movable parts 14P; and performing insulation processing for a metal layer 14b exposed on the respective surfaces of the pair of movable parts 14P.例文帳に追加
太陽電池モジュール100の製造方法は、裏面側保護材14に一対の第1切り込み21と第2切り込み22とを形成する工程と、一対の可動部14Pそれぞれを開く工程と、一対の可動部14Pそれぞれの表面に露出する金属層14bに絶縁加工を施す工程とを備える。 - 特許庁
The light modulating layer 34 includes a first region 34A in which transparency and scattering are switched according to field strength, and a second region 34B which is more transparent than the scattering state of the first region 34A in the strength of an electric field applied when transparency and scattering of the first region 34A is switched.例文帳に追加
光変調層34は、電場強度に応じて透明と散乱が切り替わる第1領域34Aと、第1領域34Aの透明と散乱の切り替えに際して印加される電場の強度において第1領域34Aの散乱状態よりも透明な状態にある第2領域34Bとを含んでいる。 - 特許庁
A ladder (50, 51) having top (top side of rails 132 and 133) and bottom (sides opposite top side of rails (132, 133)) portions, first (132) and second (133) rails, the rails having a first side (side facing the gutter 54), the ladder comprises a non-slip element (see figure 12, reference 75) attached to a rail: wherein the non-slip element has an adhesive layer (71). 例文帳に追加
梯子は、頭頂部(レール132及び133の頭頂部)及び底部(レール132及び133の頭頂部の反対側)、第1(132)及び第2(133)レールを有する 。レールは、第1の側面(溝54に面している側面)を有する 。梯子は、レールに取り付けられたスリップ防止部材(第12図の符号75参照)を含み、スリップ防止部材は接着層(71)を有する。 - 特許庁
The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator.例文帳に追加
第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いMg層を具えている。 - 特許庁
When a light beam with wavelength of λ1 from a blue-violet laser LD1 enters an objective lens OBJ, it passes through a first optical path difference giving structure at a central area and a second optical path difference giving structure at a surrounding area to correct spherical aberration to record and/or reproduce information on an HD with protective layer thickness of t1.例文帳に追加
青紫色レーザLD1からの波長λ1の光束が対物レンズOBJに入射したときに、中央領域の第1光路差付与構造と周辺領域の第2光路差付与構造を通過する事で球面収差は補正され、保護層厚さt1のHDに対して情報の記録、再生を行える。 - 特許庁
The developer layer regulating member 44 is fixed in a developing container 45a, and is equipped with positioning parts 44c and 44d on a first surface 44a1 parallel with a developing roller 40, and equipped with a positioning part 44b on the second surface 44a2 parallel with the developing roller and different from the first surface.例文帳に追加
現像剤層規制部材44において、現像容器45aに現像剤層規制部材44を固定する、現像ローラ40と平行な第1の面44a1に位置決め部44c、44dを具備させ、現像ローラと平行でかつ、前記第1の面と異なる第2の面44a2に位置決め部44bを具備させる。 - 特許庁
A wiring circuit board 101 is formed on a surface 124H of a second insulation layer 124 on the main surface side and is provided with many IC connecting terminals 131 connected to the terminals of an IC chip IC, and a plurality of capacitor connecting terminal 137 formed on the same surface 124H and connected to the terminal of a capacitor CON.例文帳に追加
配線基板101は、主面側第2絶縁層124の表面124H上に形成され、ICチップICの端子と接続される多数のIC接続端子131と、同じ表面124H上に形成され、コンデンサCONの端子と接続される複数のコンデンサ接続端子137とを備える。 - 特許庁
The method of manufacturing the liquid crystal device including a first substrate having a pixel electrode 9 and a shielding film 13, a second substrate arranged to face it, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, defines a position corresponding to the pixel electrode 9 as a display region P, and defines a region between the display regions P as a non-display region BM.例文帳に追加
画素電極9と遮光膜13を備えた第1基板と、これに対向配置される第2基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極9に対応する位置が表示領域Pとされ、この表示領域P間が非表示領域BMとされる液晶装置の製造方法である。 - 特許庁
In the surface layer material 3 of the seat pad 1, first air holes 4 is provided, and in the seat pad body 2, a ventilation grooves 5 communicating with the first air holes 4 and the second air hole 6 communicating the air grooves 5 and the surface in the opposite side of the seated person of the seat pad body 2 are provided.例文帳に追加
シートパッド1の表層材3に第1の通気孔4が設けられ、シートパッド本体2に、該第1の通気孔4に連通する通気溝5が設けられ、シートパッド本体2に、該通気溝5と、シートパッド本体2の着座者と反対側の面とを連通する第2の通気孔6が設けられている。 - 特許庁
The semiconductor memory is formed on a P-type silicon substrate 1, an ONO film 5 composed of a first silicon oxide film 2, a first silicon nitride film 3, and a second silicon oxide film 4, and on an SOONO substrate including an SOONO layer 6, wherein the ONO film 5 contacts with a back gate BG formed in the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加
半導体記憶装置は、P型シリコン基板1と、第1のシリコン酸化膜2、第1のシリコン窒化膜3、及び第2のシリコン酸化膜4からなるONO膜5と、SOONO層6とを含むSOONO基板上に形成されており、ONO膜5はP型シリコン基板1に形成されたバックゲートBGに接している。 - 特許庁
The birefringence layer 240 has an optical axis which is parallel to the main face, and the refractive index in a first face direction which is parallel to the optical axis is larger than the refractive index in a second face direction, which is parallel to the main face, and vertical to the first face direction, and the refractive index in the thickness direction.例文帳に追加
複屈折性層240は、先の主面に平行な光学軸を有し、この光学軸に平行な第1面内方向の屈折率が先の主面に平行であり且つ第1面内方向に垂直な第2面内方向の屈折率及び厚さ方向の屈折率と比較してより大きい。 - 特許庁
The ink composition is used for image-forming apparatus for forming image having ≥650 dpi picture element density at ≥0.5 m^2/min recording rate by dropping it onto media having an image-receiving layer, and contact angle variation at one second in the initial stage when dropping 1μl ink composition onto the media is ≥3.0 degree.例文帳に追加
受像層を有するメディア上に打滴して、画素密度650dpi以上、記録速度0.5m^2/min以上で、画像形成する画像形成装置に用いられるインク組成物であって、前記インク組成物1μlを前記メディアに滴下したときの初期1秒の接触角変化量が3.0度以上である。 - 特許庁
A first conductive drift region 19 is formed within a trench 21, which is formed in a first conductive epitaxial layer 11 on a semiconductor substrate 10, and a striped second conductive base region 20 constituting partly a base region 12 is formed on the sidewall of a trench so that it surrounds the drift region 19.例文帳に追加
半導体基板10上の第1導電型半導体エピタキシャル層11に形成されたトレンチ21内に第1導電型のドリフト領域19を形成し、このトレンチの側壁周囲にドリフト領域を囲むようにベース領域12の一部を構成するストライプ状の第2導電型ベース領域20を形成する。 - 特許庁
The semiconductor heterostructure comprises a support substrate with a first in-plane lattice parameter, a buffer structure formed on the support substrate and having on top in a lattice relaxed state a second in-plane lattice parameter, and a multi-layer stack of ungraded layers formed on the buffer structure.例文帳に追加
本発明は、第1の面内格子定数をもつ支持基板と、該支持基板上に形成されていて、上部に格子緩和状態おいて第2の面内格子定数をもつ緩衝構造と、および該緩衝構造上に形成された組成非傾斜層の多層積層とを備えた半導体ヘテロ構造に関するものである。 - 特許庁
In a resist layer RS on a board SB, after the first pattern B is transferred to the left half of a region 1 to be transferred, the board SB is stepped by a half of a pitch P of a step, corresponding to the length X and the first and second patterns A and B are respectively transferred to the left half and right half of the region 1.例文帳に追加
基板SB上のレジスト層RSには、被転写領域1の左半分に第1のパターンBを転写した後、基板SBを長さXに対応する1ステップピッチPの1/2だけステップさせて領域1の左半分及び右半分に第1及び第2のパターンA及びBをそれぞれ転写する。 - 特許庁
An AC/DC converter 14a makes the electric double-layer capacitor 14b accumulate electric energy during a period when the X-ray irradiation is not carried out, and generates a second DC voltage, during a period when the X-ray irradiation is carried out, so as to be able to obtain the first DC voltage by composition with the third DC voltage.例文帳に追加
AC/DCコンバータ14aは、X線照射を行わない期間には電気二重層キャパシタ14bに電気エネルギを蓄積させ、X線照射を行う期間には第3の直流電圧との合成により第1の直流電圧が得られるように第2の直流電圧を生成する。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: first wiring 18; second wiring 34 that is formed above the first wiring 18 and integrally has a via 38 connected to the first wiring 18; and a plurality of dummy vias 40a, 40b, 40c, and 40d that are disposed adjacent to the via 38 and formed in the same layer as the via 38.例文帳に追加
第1の配線18と、第1の配線18の上方に形成され、第1の配線18に接続されたビア38を一体的に有する第2の配線34と、ビア38に隣接して配置され、ビア38と同層に形成された複数のダミービア40a、40b、40c、40dとを有している。 - 特許庁
The resistor 4 comprises a layered body of a metal film 13, which is formed of the same layer as the source wiring line 2 and the short ring line 3 and integrally formed with the short ring line 3, a second semiconductor film 12 formed just below the metal film 13, and a first semiconductor film 11 formed just below the film 12.例文帳に追加
抵抗体4は、ソース配線2及びショートリング配線3と同一の層からなり、ショートリング配線3と一体的に形成されたメタル膜13と、メタル膜13の直下に形成された第2半導体膜12と、その直下に形成された第1半導体膜11の積層体からなる。 - 特許庁
When any request relating to a second mobility management process and issued by an upper layer is received after the request relating to the first procedure is transmitted and before the acceptance message is received, a maintaining request to maintain the connection is transmitted to the node in response to the acceptance message.例文帳に追加
第1の処理に関する要求が送信された後であって承認メッセージが受信される前に、第2の移動管理処理に関する上位のレイヤーによって発行された何らかの要求が受信された場合、承認メッセージに対する応答として、接続を維持する維持要求がノードへ送信される。 - 特許庁
A region of the optical element 30 from which light transmitted through the first region 31a is emitted is provided with a second polarization conversion layer 33 configured to convert a polarization direction of the light transmitted through the first region 31a from the different linear polarization (P polarization) into the one linear polarization (S polarization).例文帳に追加
そして、この第1領域31aを透過した光が光学素子30を出射する領域には、第1領域31aを透過した光の偏光方向を、他の直線偏光(P偏光)から一の直線偏光(S偏光)に変換する第2偏光変換層33を備えるものである。 - 特許庁
Consequently, when the lubricant is getting short on the outer peripheral surface 1A as the fitting portion, the lubricant stored in the gap 10 is supplied to the tooth 2 and root of the spline shaft by oozing through the inside of the second melted solid resin layer 8, and its sliding property can be prevented from reducing.例文帳に追加
したがって、この空隙10に溜まった潤滑剤は、嵌合部をなす外周面1Aで潤滑剤が切れてきた時点で、第2の溶融固化樹脂層8の内部から外部に染み出して摺動部をなすスプライン歯2と谷部3に供給されることとなり、摺動特性の低下を防止できる。 - 特許庁
The relay chip 50F has a plurality of second and third bonding pads 51, and the plurality of bonding pads 51 are connected to each other in a wiring pattern 52F having a single-layer wiring structure or a multilayer wiring structure, changing the arrangement of the bonding pads 41 at the side of the semiconductor chips 40A-1 and 40A-2 into a different orientation.例文帳に追加
中継チップ50Fは、複数個の第2、第3のボンディングパッド51を有し、この複数個のボンディングパッド51が、単層配線構造又は多層配線構造の配線パターン52Fによって相互に接続され、半導体チップ40A−1,40A−2側のボンディングパッド41の配置を異なる方向に変換する。 - 特許庁
Provided are a photoresist composition that comprises: (A) a first polymer comprising units of the following formulas (I), (II) and (III); (B) a second polymer that is (meta)acrylic acid C3-C7 alkyl homopolymer or copolymer; and (C) a photoacid generator, and a method of forming photolithographic patterns by unexposed regions of the photoresist layer being removed by the developer.例文帳に追加
(A)式(I)、(II)および(III):の単位を含む第1のポリマー;(B)(メタ)アクリル酸C3〜C7アルキルホモポリマーもしくはコポリマーである第2のポリマー;並びに(B)光酸発生剤;を含むフォトレジスト組成物、及びフォトレジスト層の未露光領域が現像剤によって除去されて、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。 - 特許庁
The light deflection element 28 includes a second light deflection element for complementing a part to be a dark part in a first light deflection element, is arranged toward a light source 41 side of a display 70 and ejects uniform diffusion light from the light diffusion layer 24 after deflecting incident light H from an incident surface of the light deflection element 28.例文帳に追加
光偏向素子28は、第1の光偏向素子で、暗部となる箇所を補完するような第2の光偏向素子を有しており、表示装置70の光源41側に向けて配置され、光偏向素子28の入射面から入射した光Hを偏向して、光拡散層24から均一な拡散光を射出する。 - 特許庁
The electric resistance heating and warming cloth product comprises a cloth layer which has a first face and a second face on the reverse side and an electric resistance heating and warming element that has a configuration of a conductive string mounted on the first face of the cloth, for example, sewn in embroidery and heats and warms when connected with the power source.例文帳に追加
電気抵抗加熱/加温複合布製品は、第1の面及び反対側の第2の面を有する布層と、例えば刺繍縫いで布層の第1の面に取着された導電糸の形態をなし、電源に接続されると加熱/加温を行うようになっている電気抵抗加熱/加温素子とを備えている。 - 特許庁
A valve body 5 formed in the groove 3 comprises the same material as that of the first main substrate layer 1a and is projected from the first side wall 3a of the groove 3 and formed to be spaced apart from the second side wall 3b opposed to the first side wall 3a with a film thickness to be deformed under a fluid pressure flowing in the flow passage.例文帳に追加
溝3に形成された弁体5は、第1主基板層1aと同じ材料からなり、溝3の第1側壁3aから突出し、第1側壁3aに対向する第2側壁3bとは間隔をもって形成され、流路内を流れる流体圧力で変形可能な膜厚をもつ。 - 特許庁
A first swelling part and a second swelling part are formed at the leading and trailing edge side positions of the front surface of the stationary blade, respectively, by positively generating the separation of a boundary layer on the front surface by the first swelling part, the occurrence of impact wave on the rear surface can be relieved so as to reduce the wave drag.例文帳に追加
静翼の腹面の前縁側位置および後縁側位置にそれぞれ第1膨出部および第2膨出部が形成されており、第1膨出部によって腹面の境界層に積極的に剥離を生じさせることにより、背面における衝撃波の発生を緩和して造波抵抗を低減することができる。 - 特許庁
The method also includes removing a second region E2 by machining previously before shaping the three-dimensional structure, which corresponds to a region that is scheduled to be subjected to a predetermined machining step after the three-dimensionally structure has been shaped, out of the first region E1 that corresponds to the hardened layer of the plate 3 for shaping, which will be hardened in the irradiation step.例文帳に追加
そして、照射工程の実施によって硬化されるであろう造形用プレート3の硬化層に相当する第1の領域E1のうち、三次元形状造形後に所定の機械加工が予定されている領域に相当する第2の領域E2を、三次元形状造形前に予め除去加工する。 - 特許庁
The exposure apparatus for transferring different types of exposure patterns on a processed substrate having a photosensitive layer formed thereon includes at least a first substrate conveying means, a second substrate conveying means, a substrate receiving stage, an aligning means, an exposure section, a substrate carrying-out section, and a control means, wherein the exposure section comprises a plurality of exposure units.例文帳に追加
感光層が形成された処理基板に異種パターンを露光する露光装置であって、少なくとも第1の基板搬送手段と、第2の基板搬送手段と、基板受け取りステージと、アライメント手段と、露光部と、基板搬出部と、制御手段と、を具備しており、該露光部が複数の露光ユニットからなる。 - 特許庁
A photovoltaic device includes: a silicon substrate having a plurality of grooves; a doped silicon layer, installed on one surface of the silicon substrate; a first electrode installed adjacent to the silicon substrate; and a second electrode, installed at a side opposite to the surface of the silicon substrate adjacent to the first electrode.例文帳に追加
本発明の光起電装置は、複数の溝を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一つの表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板に隣接して設置された第一電極と、前記第一電極に隣接したシリコン基板の表面と反対側に設置された第二電極と、を含む。 - 特許庁
The manufacturing method includes a step for forming the second conductive impurity region in the predetermined region of the first conductive semiconductor substrate, a step for forming a trench by etching the semiconductor substrate in the predetermined region, and a step for embedding the first conductive epitaxial layer in the trench.例文帳に追加
製造方法は、第1の導電型の半導体基板の所定領域に、第2の導電型の不純物領域を形成するステップと、前記所定領域の前記半導体基板をエッチングして、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第1の導電型のエピタキシャル層を埋め込むステップとを含む。 - 特許庁
The recording material has a substrate and a negative working radiation sensitive layer containing a diazonium salt, a film forming first polymer and an organic pigment, a polymeric dispersant has been adsorbed on the surface of the pigment and this pigment has been dispersed in a second polymeric binder.例文帳に追加
基質と、ジアゾニウム塩、フィルム−形成性で第一の重合体および有機顔料を含有するネガ−作用性の感放射線層とを有し、その顔料表面上には重合体状分散剤が吸着されておりそしてこの顔料は第二の重合体状結合剤の中にさらに分散されている記録材料に関する。 - 特許庁
With the flat HS bus arranged and formed in a requested pattern and with a nickel metal forming a first electric wiring coated with polyimide from inside and outside, a second electric wiring of a nickel metal is formed on a prescribed part of the polyimide coating, and is coated with polyimide to make up a layer structure.例文帳に追加
所望の模様に配置形成され、第1電路を形成するニッケル金属を表裏からポリイミド被覆した平たいHSバスにおいて、ポリイミド被覆の所定の上にニッケル金属の第2電路を形成し該第2電路をポリイミド被覆して層構造にしてなることを特徴とするHSバス構造。 - 特許庁
In a second aspect, the method comprises: (a) applying an organic composition on a substrate; (b) applying a photoresist composition layer above the organic composition, wherein the organic composition comprises a material that produces an alkali-soluble group upon thermal and/or radiation treatment.例文帳に追加
第二の態様においては、(a)基体上に有機組成物を適用する工程、(b)有機組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程であって、その有機組成物が、熱処理および/または放射線処理の際にアルカリ溶解性基を生じさせる材料を含む工程を含む方法が提供される。 - 特許庁
As a result, by introducing the conductive impurities of the second conductivity types into the part which is positioned between the two capacitor electrodes 11 and constituted of the same layer as the capacitor electrodes 11, the two capacitor electrodes 11 can be electrically isolated from each other without performing a process like etching.例文帳に追加
このようにすれば、2つのキャパシタ電極11の間に位置し、このキャパシタ電極11と同一レイヤからなる部分に第2導電型の導電性不純物を導入することにより、エッチングなどの工程を行うことなく2つのキャパシタ電極11を電気的に分離することが可能になる。 - 特許庁
On the first inter-layer insulation film 112, a capacitor lower electrode 115 connected to the first plug 113, a capacity insulation film 118 composed of the ferroelectric film, and a capacity upper electrode 119 extended to the outer side of the capacity insulation film 118 and electrically connected to the second plug 114 are successively formed.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜112の上に、第1のプラグ113と接続する容量下部電極115、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜118、及び容量絶縁膜118の外側まで延び且つ第2のプラグ114と電気的に接続する容量上部電極119を順次形成する。 - 特許庁
Further, the device includes a storage capacitance 70a having a first portion 301 covering the data line side LDD region 1b and a second portion 302 covering the pixel electrode side LDD region 1c and having a larger width in the X direction than the first portion 301, formed in an overlay side of the semiconductor layer 1a.例文帳に追加
更に、半導体層1aよりも上層側に形成されており、データ線側LDD領域1bを覆う第1部分301と、画素電極側LDD領域1cを覆うと共に第1部分301よりX方向の幅が広い第2部分302とを有する蓄積容量70aとを備える。 - 特許庁
Then, the said SAW filter 6 has an opening on the surface of the said laminate substrate 1, and is housed in a cavity part 5 having the base positioned lower than the dielectric layer 1b, with which the said first and second band-shaped internal electrodes 2 and 3 are parallel arranged, and sealed with a metallic lid 7.例文帳に追加
そして、前記弾性表面波フィルタ6は、前記積層体基板1表面に開口を有し、且つその底面が前記第1及び第2の帯状内部電極2、3を並設配置した誘電体層1b間よりも下層に位置するキャビティー部5内に収容し、金属製蓋体7により密閉している。 - 特許庁
This can ensure on the second principal surface of the cover a space for terminals for electrically connecting the exciting electrodes to an external circuit and a reinforcing layer formed on the cover as a reinforcing member for preventing deformation of an oscillation space for the exciting electrodes, while making the overall structure miniaturized.例文帳に追加
これによって、全体構造は小型化に対応しつつ、励振電極を外部回路に電気的に接続するための端子や、励振電極の振動空間の変形を防止するための補強部材としてカバーに形成する補強層などを配置するスペースをカバーの第2主面に確保することができる。 - 特許庁
A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.例文帳に追加
第2の層間絶縁膜25の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜23と上部電極24とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜23が下部電極22と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁
Retention time and high pressure are adequate for plastically deforming all the LCP dielectric materials in the page, and laminating each of the pair of adjacent sub-structures without using an extrinsic adhesive layer which is arranged between the first and second sub-structures of each of the pair of adjacent sub-structures.例文帳に追加
保持時間および高圧は、ページ中のすべてのLCP誘電体材料を塑性変形させ、1対の隣接する副構造のそれぞれの第1および第2副構造の間に配設される外因性接着層を用いずに1対の隣接する副構造をそれぞれ積層するのに十分なものである。 - 特許庁
The inspection method of an organic EL element comprises a first step of measuring a light emitting layer-derived emission spectrum obtained by emitting an exciting light to a luminous area of the organic EL element; and a second step of detecting a latent non-lighting area of the organic EL element from the emission spectrum.例文帳に追加
有機EL素子の発光領域に励起光を照射することにより得られる発光層に由来する発光スペクトルを測定する第一のステップと、該発光スペクトルから該有機EL素子の潜在的非点灯領域を検出する第二のステップと、からなることを特徴とする、有機EL素子の検査方法。 - 特許庁
A first and a second silicide layer 31a and 31b are obtained by turning metal layers, which are deposited covering the parts of the source region 40 and the drain region 41 exposed by the contact holes 21a and 21b and the contact holes 21a and 21b, to silicide by the use of a silane gas or a mixed gas containing silane gas.例文帳に追加
第1及び第2のシリサイド層31a,31bは、コンタクトホール21a,21bにより露出されるソース領域40,ドレイン領域41の一部及びコンタクトホール21a,21bを覆うように設けられた金属層をシラン系ガス或いはシラン系ガスを含む混合ガスによりシリサイド化させてなる。 - 特許庁
The magnetic layer coating liquid is prepared by subjecting a ferromagnetic hexagonal ferrite powder with an average plate diameter of 10 to 50 nm to a dry comminution step, subjecting the ferromagnetic hexagonal ferrite powder to a first dispersion step together with a binder to prepare a dispersion liquid, and sequentially subjecting the dispersion liquid obtained to a second dispersion step and a filtering step.例文帳に追加
前記磁性層形成用塗布液を、平均板径10〜50nmの強磁性六方晶フェライトを乾式解砕工程に付し、得られた強磁性六方晶フェライトを前記結合剤とともに第一分散工程に付し、次いで得られた分散液を第二分散工程および濾過工程に順次付すことにより調製する。 - 特許庁
Information concerning to transmission of encoded data is transmitted/received between the transmitting side 100 and the receiving side via a second communication path (a back-channel dedicated to handshake between the transmitting side and the receiving side) 300 different from a communication path (first communication path) for transmitting encoding data (Sync Layer Packet).例文帳に追加
送信側100は、受信側との間で、符号化データ(Sync Layer Packet)の送信用の通信路(第1の通信路)とは異なる第2の通信路(送信側と受信側間のハンドシェイク専用のバックチャネル)300を介して、符号化データの伝送に関する情報を送受信する。 - 特許庁
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